專利名稱：功率模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率模塊及其制造方法，特別涉及在高溫度工作的功率模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的功率模塊中，通常，絕緣襯底以氮化鋁(以下A1N)、氧化鋁(A1203)、氮化硅(Si3N4)等陶瓷形成，在其表面背面上形成有銅或鋁的金屬圖案。配置在絕緣襯底上的功率元件通過焊錫被接合在該絕緣襯底的金屬圖案上，從功率元件的電極向端子部以鋁線進(jìn)行布線，整體以硅凝膠(silicone gel)等密封材料進(jìn)行密封。這是在專利文獻(xiàn)1中示出的情況。專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1 日本特開平6-5742號(hào)公報(bào)。當(dāng)功率模塊工作時(shí)，在功率元件的電阻部分中流過電流，元件發(fā)熱，該熱經(jīng)由絕緣襯底、焊錫、底板向外部的冷卻器(未圖示)傳遞，進(jìn)行散熱。可是，在與功率元件接合的鋁線的接合部中存在被傳遞功率元件的熱而導(dǎo)致溫度上升，接合的可靠性降低的問題。此外，功率元件的熱膨脹系數(shù)(線膨脹系數(shù))和鋁線的熱膨脹系數(shù)(線膨脹系數(shù))之差導(dǎo)致熱應(yīng)力被反復(fù)施加，存在有可能在界面附近發(fā)生疲勞損壞直至斷裂的問題。特別如果是SiC器件那樣的能高溫工作的器件的話，工作溫度進(jìn)一步變高， 該接合部的可靠性顯著降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述那樣的問題而完成的，其目的在于提供一種能防止鋁線接合部的可靠性的劣化，實(shí)現(xiàn)Si、SiC器件的高溫工作的功率模塊及其制造方法。本發(fā)明的功率模塊具備絕緣襯底，配置在盒體內(nèi)；功率元件，接合在所述絕緣襯底上；第一布線構(gòu)件，其為矩形筒狀的金屬，第一側(cè)面被接合于所述功率元件的表面電極； 布線，連接于所述第一布線構(gòu)件的與所述第一側(cè)面相向的第二側(cè)面；以及密封材料，被填充在所述盒體內(nèi)，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件、所述布線。此外，本發(fā)明的功率模塊的制造方法具備(a)以所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面露出的方式，在所述盒體內(nèi)填充所述第一密封材料，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件的工序；(b)在填充所述第一密封材料并露出的所述第一布線構(gòu)件的所述第二側(cè)面連接所述布線的工序；以及(c)在所述第一密封材料上進(jìn)一步填充所述第二密封材料，覆蓋所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面、所述布線的工序。根據(jù)本發(fā)明的功率模塊，通過具備絕緣襯底，配置在盒體內(nèi)；功率元件，接合在所述絕緣襯底上；第一布線構(gòu)件，其為矩形筒狀的金屬，第一側(cè)面被接合于所述功率元件的表面電極；布線，連接于所述第一布線構(gòu)件的與所述第一側(cè)面相向的第二側(cè)面；以及密封材料，被填充在所述盒體內(nèi)，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件、所述布線，從而功率元件表面和布線的接合部之間的距離變大，能抑制熱直接傳遞，能防止其可靠性的劣化。此外，能抑制功率元件的熱膨脹系數(shù)和布線的熱膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致的熱應(yīng)力，能抑制接合的斷裂可能性。此外，根據(jù)本發(fā)明的功率模塊的制造方法，具備(a)以所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面露出的方式，在所述盒體內(nèi)填充所述第一密封材料，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件的工序；(b)在填充所述第一密封材料并露出的所述第一布線構(gòu)件的所述第二側(cè)面，連接所述布線的工序；以及(c)在所述第一密封材料上進(jìn)一步填充所述第二密封材料，覆蓋所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面、所述布線的工序，由此成為能耐受在布線的接合時(shí)施加的加重、超聲波的振動(dòng)的構(gòu)造，得到更穩(wěn)定的接合性，品質(zhì)提尚。


圖1是實(shí)施方式1的功率模塊的剖面圖。圖2是實(shí)施方式1的布線構(gòu)件的剖面圖。圖3是實(shí)施方式1的布線構(gòu)件的剖面圖。圖4是實(shí)施方式2的功率模塊的剖面圖。圖5是實(shí)施方式3的功率模塊的剖面圖。圖6是前提技術(shù)的功率模塊的剖面圖。
具體實(shí)施例方式首先，針對(duì)本發(fā)明背景技術(shù)的功率模塊，在以下進(jìn)行說明。如圖6所示，功率模塊在盒體8內(nèi)具備底板7 ；絕緣襯底5，隔著焊錫6分別配置在底板7上；功率元件1，隔著焊錫6配置在絕緣襯底5上；端子4，經(jīng)由鋁線3連接于功率元件1的表面電極；以及密封材料2，在盒體8內(nèi)填充并覆蓋絕緣襯底5、功率元件1、鋁線 3。當(dāng)功率模塊工作時(shí)，在功率元件1的電阻部分(resistor component)中流過電流，功率元件1發(fā)熱，該熱經(jīng)由絕緣襯底5、焊錫6、底板7向外部的冷卻器(未圖示)傳遞，進(jìn)行散熱?？墒牵谂c功率元件1接合的鋁線3的接合部中，存在被傳遞功率元件1的熱而導(dǎo)致溫度上升，接合的可靠性降低的問題。此外，功率元件1的熱膨脹系數(shù)(線膨脹系數(shù))和鋁線3的熱膨脹系數(shù)(線膨脹系數(shù))之差導(dǎo)致熱應(yīng)力被反復(fù)施加，存在有可能在界面附近發(fā)生疲勞損壞直至斷裂的問題。特別如果是SiC器件那樣的能高溫工作的器件的話，工作溫度進(jìn)一步變高，該接合部的可靠性顯著降低。在以下的實(shí)施方式中，針對(duì)解決上述那樣的問題的功率模塊進(jìn)行說明。<A.實(shí)施方式1> <A—1.結(jié)構(gòu)〉
針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1的功率模塊使用附圖進(jìn)行說明。如圖1所示，本發(fā)明的功率模塊在盒體8內(nèi)具備底板7 ；絕緣襯底5，隔著焊錫6分別配置在底板7上；功率元件1，隔著焊錫6配置在絕緣襯底5上；作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件9，經(jīng)由接合材料10接合于功率元件1的表面電極；端子4，經(jīng)由作為布線的鋁線3與布線構(gòu)件9連接；以及密封材料2， 在盒體8內(nèi)填充并覆蓋絕緣襯底5、功率元件1、布線構(gòu)件9、鋁線3。作為功率元件1通過使用作為寬帶隙(wideband gap)半導(dǎo)體的SiC等，從而能實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行更高溫工作的器件。布線構(gòu)件9由導(dǎo)電性好的例如銅材料、銅合金材料構(gòu)成，形狀為矩形筒狀。一個(gè)主面(第一側(cè)面)通過例如焊錫或銀、銅等的低溫?zé)Y(jié)材料的接合材料10接合在功率元件1 的表面電極部。在相向的主面(第二側(cè)面)接合有鋁線3。作為布線構(gòu)件9的材料，選擇熱膨脹系數(shù)(線膨脹系數(shù))比功率元件1的熱膨脹系數(shù)(線膨脹系數(shù))大的材料。該布線構(gòu)件 9具有如下效果，即，不需要采用在筒內(nèi)通過有冷卻介質(zhì)的冷卻介質(zhì)電極所需要的那樣的絕緣構(gòu)造，吸收在功率元件1產(chǎn)生的熱。鋁線3是薄板的鋁帶、銅線、銅帶布線也可。在實(shí)施方式1中，通過提高密封材料2的導(dǎo)熱系數(shù)，從而能提高從布線構(gòu)件9的散熱性，能進(jìn)一步降低鋁線3接合部的溫度。作為提高密封材料2的導(dǎo)熱系數(shù)的方法，能在密封材料2中混入二氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、氮化硼等的粉末。圖2表示在實(shí)施方式1的功率元件1上搭載的布線構(gòu)件9的構(gòu)造。構(gòu)成矩形的布線構(gòu)件9的金屬材料102以具有良好的導(dǎo)電性的銅或銅合金構(gòu)成，接合于功率元件1 的側(cè)面(第一側(cè)面)構(gòu)成為合并(combine)與作為功率元件1的材料的SiC的線膨脹系數(shù) (6. 6X 10_6/K)接近的低膨脹材料103，從而能使通過功率元件1和布線構(gòu)件9之間的熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生的接合材料10中的熱應(yīng)力減輕，能延長接合材料10的疲勞壽命。對(duì)這樣的低膨脹材料103，優(yōu)選線膨脹系數(shù)為4Χ10_6/ΙΓ10Χ10_6/Κ左右的材料， 例如在厚度比為3的因瓦合金(invar)兩側(cè)接合有厚度比為1的銅的包覆材料(線膨脹系數(shù)7Χ10_6/Κ)是適合的。在這樣的包覆材料中，通過調(diào)整因瓦合金和銅的厚度比，能得到期望的熱膨脹系數(shù)(線膨脹系數(shù))。低膨脹材料103和布線構(gòu)件9的接合可以是硬釬焊、焊接等。圖3與圖2中示出的布線構(gòu)件9類似，但布線構(gòu)件9的與功率元件1接合的側(cè)面 (第一側(cè)面)僅以低膨脹材料103構(gòu)成，以從第一側(cè)面的端部形成矩形筒狀的方式接合銅等的具有與鋁接近的熱膨脹系數(shù)的金屬材料104而形成。通過以上述方式構(gòu)成，能進(jìn)一步提高接合材料10的可靠性。<A—2.效果 >
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1，通過在功率模塊中具備絕緣襯底5，配置在盒體8內(nèi)；功率元件1，被接合在絕緣襯底5上；作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件9，是矩形筒狀金屬，第一側(cè)面被接合在功率元件1的表面電極；作為布線的鋁線3，連接于布線構(gòu)件9的與第一側(cè)面相向的第二側(cè)面；以及密封材料2，被填充在盒體8內(nèi)，覆蓋絕緣襯底5、功率元件1、布線構(gòu)件 9、鋁線3，從而功率元件1表面和鋁線3的接合部之間的距離變大，能抑制熱直接傳遞，能防止其可靠性的劣化。此外，能抑制功率元件1的熱膨脹系數(shù)和鋁線3的熱膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致的熱應(yīng)力，能抑制接合的斷裂可能性。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1，在功率模塊中，通過使作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件9的熱膨脹系數(shù)大于功率元件1的熱膨脹系數(shù)，從而能抑制功率元件1的熱膨脹系數(shù)和鋁線3的熱膨脹系數(shù)之差導(dǎo)致的熱應(yīng)力，能抑制接合的斷裂可能性。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1，在功率模塊中，通過作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件9，是作為對(duì)應(yīng)于第一側(cè)面的構(gòu)件的低膨脹材料103是比作為對(duì)應(yīng)于其它側(cè)面的構(gòu)件的金屬材料102、金屬材料104熱膨脹系數(shù)低的構(gòu)件，從而能使通過功率元件1和布線構(gòu)件9 之間的熱膨脹系數(shù)的差異而產(chǎn)生的接合材料10中的應(yīng)力減輕，延長接合材料10的疲勞壽命。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1，在功率模塊中，功率元件1是寬帶隙半導(dǎo)體元件， 由此能成為可進(jìn)行更高溫工作的器件。<B.實(shí)施方式2> 〈B— 1.結(jié)構(gòu)〉
圖4表示實(shí)施方式2的功率模塊。如圖所示，功率模塊在實(shí)施方式1中示出的功率模塊的結(jié)構(gòu)之外，還具備作為第二布線構(gòu)件的布線構(gòu)件91，該布線構(gòu)件91是第一側(cè)面被接合在絕緣襯底5的表面圖案上的、矩形筒狀的金屬，經(jīng)由鋁線3連接布線構(gòu)件91和端子4。在此，和實(shí)施方式1同樣地，也能在盒體8內(nèi)填充密封材料2，但在本實(shí)施方式2 中，在以鋁線3與布線構(gòu)件9、布線構(gòu)件91接合的側(cè)面(第二側(cè)面)至少露出的方式用環(huán)氧樹脂等密封材料100 (第一密封材料)填充并使其硬化后，在露出的布線構(gòu)件9、布線構(gòu)件91 的表面接合鋁線3。之后，用于確保絕緣性的密封材料101 (第二密封材料)被填充在剩余的露出部分。再有，將密封材料100填充到什么高度，能通過后面敘述的強(qiáng)度設(shè)定來調(diào)節(jié)。通過采用該構(gòu)造，從而成為能耐受在鋁線3的接合時(shí)施加的加重、超聲波的振動(dòng)的構(gòu)造，得到更穩(wěn)定的接合性，品質(zhì)提高。此外，由于能以密封材料100固定布線構(gòu)件9、布線構(gòu)件91，所以能將布線構(gòu)件9、布線構(gòu)件91的高度維持得較高，能進(jìn)一步降低鋁線3的接合部的溫度。填充密封材料100、密封材料101的方法在絕緣襯底5上不具備布線構(gòu)件91的構(gòu)造(實(shí)施方式1的構(gòu)造)的情況下也能應(yīng)用?！碆 — 2.效果 >
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式2，在功率模塊中，密封材料2具備作為第一密封材料的密封材料100，以作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件9的至少第二側(cè)面露出的方式被填充在盒體8 內(nèi)，覆蓋絕緣襯底5、功率元件1、布線構(gòu)件9 ；以及作為第二密封材料的密封材料101，進(jìn)一步被填充在密封材料100上，覆蓋布線構(gòu)件9的至少第二側(cè)面、作為布線的鋁線3，由此成為能耐受在鋁線3的接合時(shí)施加的加重、超聲波的振動(dòng)的構(gòu)造，得到更穩(wěn)定的接合性，品質(zhì)提高。此外，由于能以密封材料100固定布線構(gòu)件9、布線構(gòu)件91，所以能將布線構(gòu)件9、布線構(gòu)件91的高度維持得較高，能進(jìn)一步降低鋁線3的接合部的溫度。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式2，在功率模塊中，還具備作為第二布線構(gòu)件的布線構(gòu)件91，該布線構(gòu)件91是第一側(cè)面被接合于絕緣襯底5的表面圖案的、矩形筒狀的金屬，作為第一密封材料的密封材料100以至少作為第二布線構(gòu)件的布線構(gòu)件91的與第一側(cè)面相向的第二側(cè)面露出的方式被填充，覆蓋布線構(gòu)件91，作為第二密封材料的密封材料101以至少覆蓋布線構(gòu)件91的第二側(cè)面的方式被填充，由此功率元件1和鋁線3的接合部的距離變大，由此能提高散熱效果，能提高接合部的可靠性。此外，成為能耐受在鋁線3的接合時(shí)施加的加重、超聲波的振動(dòng)的構(gòu)造，得到更穩(wěn)定的接合性，品質(zhì)提高。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式2，在功率模塊中，密封材料2是環(huán)氧樹脂，由此能提高密封材料的導(dǎo)熱系數(shù)，能提高散熱效果。
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此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式2，在功率模塊的制造方法中，具備(a)以作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件9的至少第二側(cè)面露出的方式，在盒體8內(nèi)填充作為第一密封材料的密封材料100，覆蓋絕緣襯底5、功率元件1、布線構(gòu)件9的工序；(b)在填充密封材料100并露出的布線構(gòu)件9的第二側(cè)面，連接作為布線的鋁線3的工序；以及(c)在密封材料100上進(jìn)一步填充作為第二密封材料的密封材料101，覆蓋布線構(gòu)件9的至少第二側(cè)面、鋁線3的工序，由此成為能耐受在鋁線3的接合時(shí)施加的加重、超聲波的振動(dòng)的構(gòu)造，得到更穩(wěn)定的接合性，品質(zhì)提高。〈C.實(shí)施方式3> 〈C一 1.結(jié)構(gòu)〉
圖5表示實(shí)施方式3的、以并聯(lián)連接來使用多個(gè)功率元件的情況下的功率模塊。如圖所示，本實(shí)施方式3的功率模塊在實(shí)施方式2中示出的功率模塊的結(jié)構(gòu)以外，還具備布線構(gòu)件90，與各功率元件1對(duì)應(yīng)地具備的布線構(gòu)件彼此在第二側(cè)面?zhèn)认嗷ケ唤雍稀２季€構(gòu)件90是橫跨多個(gè)功率元件1的整體構(gòu)造。通過該結(jié)構(gòu)，作為用于耐受在鋁線3的接合時(shí)施加的加重、超聲波的振動(dòng)的強(qiáng)度比實(shí)施方式2的情況進(jìn)一步增大，此外，由于形成連接部分，所以散熱的表面積也增大，因此能期待進(jìn)一步的散熱效果。〈C一 2.效果 >
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式3，在功率模塊中，多個(gè)功率元件1被配置在絕緣襯底5上，作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件90對(duì)應(yīng)于多個(gè)功率元件1而被設(shè)置，各第一側(cè)面與多個(gè)功率元件1的各表面電極對(duì)應(yīng)地被接合，各布線構(gòu)件90的各第二側(cè)面相互被接合，由此用于耐受在鋁線3的接合時(shí)施加的加重、超聲波的振動(dòng)的強(qiáng)度進(jìn)一步增大，此外，由于形成連接部分，所以散熱的表面積也增大，因此能期待進(jìn)一步的散熱效果。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，針對(duì)各結(jié)構(gòu)要素的材質(zhì)、材料、實(shí)施的條件等都進(jìn)行了記載，但這些為例示，并不僅限于記載的內(nèi)容。附圖標(biāo)記的說明
1功率元件；2、100、101密封材料；3鋁線；4端子；5絕緣襯底；6焊錫；7底板；8 盒體；9、90、91布線構(gòu)件；10接合材料；102、104金屬材料；103低膨脹材料。
權(quán)利要求
1.一種功率模塊，其中，具備 絕緣襯底，配置在盒體內(nèi)； 功率元件，接合在所述絕緣襯底上；第一布線構(gòu)件，其為矩形筒狀的金屬，第一側(cè)面被接合于所述功率元件的表面電極； 布線，連接于所述第一布線構(gòu)件的與所述第一側(cè)面相向的第二側(cè)面；以及密封材料，被填充在所述盒體內(nèi)，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件、所述布線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其中，所述第一布線構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)比所述功率元件的熱膨脹系數(shù)大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率模塊，其中，所述第一布線構(gòu)件是對(duì)應(yīng)于所述第一側(cè)面的構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)比對(duì)應(yīng)于其它側(cè)面的構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)低的構(gòu)件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率模塊，其中， 所述密封材料具備第一密封材料，以所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面露出的方式，被填充在所述盒體內(nèi)，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件；以及第二密封材料，進(jìn)一步被填充在所述第一密封材料上，覆蓋所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面、所述布線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率模塊，其中，還具備第二布線構(gòu)件，其為矩形筒狀的金屬，第一側(cè)面被接合于所述絕緣襯底的表面圖案； 所述第一密封材料以至少所述第二布線構(gòu)件的與所述第一側(cè)面相向的第二側(cè)面露出的方式被填充，覆蓋所述第二布線構(gòu)件，所述第二密封材料至少覆蓋所述第二布線構(gòu)件的所述第二側(cè)面而被填充。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率模塊，其中， 所述密封材料為環(huán)氧樹脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率模塊，其中， 在所述絕緣襯底上配置有多個(gè)所述功率元件，所述第一布線構(gòu)件以與多個(gè)所述功率元件對(duì)應(yīng)的方式被設(shè)置，各所述第一側(cè)面與多個(gè)所述功率元件的各表面電極對(duì)應(yīng)地被接合，所述各第一布線構(gòu)件的各所述第二側(cè)面被相互接合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率模塊，其中， 所述功率元件是寬帶隙半導(dǎo)體元件。
9.一種功率模塊的制造方法，所述功率模塊具備 絕緣襯底，配置在盒體內(nèi)；功率元件，接合在所述絕緣襯底上；第一布線構(gòu)件，其為矩形筒狀的金屬，第一側(cè)面被接合于所述功率元件的表面電極； 布線，連接于所述第一布線構(gòu)件的與所述第一側(cè)面相向的第二側(cè)面；以及密封材料，被填充在所述盒體內(nèi)，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件、所述布線，所述密封材料具備第一密封材料，以所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面露出的方式，被填充在所述盒體內(nèi)，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件；以及第二密封材料，進(jìn)一步被填充在所述第一密封材料上，覆蓋所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面、所述布線，其中，所述功率模塊的制造方法具備(a)以所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面露出的方式，在所述盒體內(nèi)填充所述第一密封材料，覆蓋所述絕緣襯底、所述功率元件、所述第一布線構(gòu)件的工序；(b)在填充所述第一密封材料并露出的所述第一布線構(gòu)件的所述第二側(cè)面連接所述布線的工序；以及(c)在所述第一密封材料上進(jìn)一步填充所述第二密封材料，覆蓋所述第一布線構(gòu)件的至少所述第二側(cè)面、所述布線的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及功率模塊及其制造方法，其目的在于提供一種能防止鋁線接合部的可靠性的劣化，能實(shí)現(xiàn)Si、SiC器件的高溫工作的功率模塊。本發(fā)明的功率元件具備絕緣襯底(5)，被配置在盒體(8)內(nèi)；功率元件(1)，被接合在絕緣襯底(5)上；作為第一布線構(gòu)件的布線構(gòu)件(9)，是第一側(cè)面被接合于功率元件(1)的表面電極的、矩形筒狀的金屬；作為布線的鋁線(3)，在布線構(gòu)件(9)的與第一側(cè)面相向的第二側(cè)面連接；以及密封材料(2)，被填充在盒體(8)內(nèi)，覆蓋絕緣襯底(5)、功率元件(1)、布線構(gòu)件(9)、鋁線(3)。
文檔編號(hào)H01L23/00GK102446864SQ20111020628
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月1日
發(fā)明者筱原利彰 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社