專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示元件以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種有機(jī)電致發(fā)光顯示元件以及其制造方法，特別是有關(guān)于一種通過(guò)簡(jiǎn)單地改善結(jié)構(gòu)提高大面積有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的亮度均勻度，不但可以提高利用此元件的產(chǎn)品的品質(zhì)，而且在制造方面經(jīng)濟(jì)效果良好的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件以及其制造方法。
背景技術(shù)：
最近，對(duì)平板顯示元件的關(guān)心逐漸變高，作為這種平板顯示裝置有液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display)、等離子顯示面板(Plasma Display Panel)、場(chǎng)致發(fā)生顯示裝置(Field Emission Display)、電致發(fā)光(Electroluminescence :以下簡(jiǎn)稱為 “EL”)顯不兀件等。
其中，EL顯示元件是自發(fā)光元件，具有反應(yīng)速度快，發(fā)光效率、亮度及視角大的優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)發(fā)光層的材料，大致分為無(wú)機(jī)EL顯示元件和有機(jī)EL顯示元件。無(wú)機(jī)EL顯示元件與所謂稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示元件或OLED(Organic Light Emitting Diode or Display)的有機(jī)EL顯示元件相比耗電較大，無(wú)法獲得高亮度，并且不能發(fā)出紅(R)、綠(G)、藍(lán)⑶的各種顏色光。相反，有機(jī)電致發(fā)光顯示元件可在10V左右的低電壓驅(qū)動(dòng)，同時(shí)，反應(yīng)速度快，能獲得高亮度，而且，能發(fā)出紅、綠、藍(lán)等各種顏色光，因此最適合用于下一代平板顯示元件。圖I是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件和薄膜晶體管的各種構(gòu)成中的一個(gè)的OELD上發(fā)光型(top emission type)的一例,如圖所示,具備分別配置在由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的交叉所定義的區(qū)域的單位像素60，單位像素60對(duì)柵極線GL供給柵極脈沖時(shí)從數(shù)據(jù)線DL接受數(shù)據(jù)信號(hào)，并對(duì)應(yīng)該數(shù)據(jù)信號(hào)，有機(jī)電致發(fā)光顯示元件發(fā)光并顯示圖像。并且，單位像素集成構(gòu)成顯示元件區(qū)域。另外，所述單位像素60具備第二電極連接在驅(qū)動(dòng)電壓源VDD的OLED單元、柵極線GL以及數(shù)據(jù)線DL和，連接于基底電壓源GND，并連接在OLED單元的第一電極的單元驅(qū)動(dòng)部62。單元驅(qū)動(dòng)部62具備開(kāi)關(guān)用薄膜晶體管(Thin Film Transistor :以下簡(jiǎn)稱為“TFT”)Tl、驅(qū)動(dòng)用TFTT2、電容C。所述開(kāi)關(guān)用TFTT1，當(dāng)對(duì)柵極線GL供給柵極脈沖則被開(kāi)啟而將供給至數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)供給到節(jié)點(diǎn)N。被供給到節(jié)點(diǎn)N的數(shù)據(jù)信號(hào)充值于電容C的同時(shí)，被供給到驅(qū)動(dòng)用TFTT2的柵電極。所述驅(qū)動(dòng)用TFTT2按照供給至柵電極的數(shù)據(jù)信號(hào)控制從驅(qū)動(dòng)電壓源VDD供給至OLED單元的電流量I，從而調(diào)整OLED單元的發(fā)光量。并且，即使開(kāi)關(guān)用TFTTl被關(guān)閉，也通過(guò)電容C保持?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)用TFTT2直到供給下一個(gè)幀的數(shù)據(jù)信號(hào)為止從驅(qū)動(dòng)電壓源VDD向OLED單元供給電流I，從而保持OLED單元的發(fā)光。圖2是詳細(xì)表示圖I的單位像素的局部區(qū)域的截面圖。根據(jù)此，現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光顯示元件具備開(kāi)關(guān)用TFTTl (參照?qǐng)DI);驅(qū)動(dòng)用TFTT2，柵電極24連接于開(kāi)關(guān)用TFT的漏電極；0LED電源，OLED電極12連接于驅(qū)動(dòng)用TFTT2的漏電極28。
所述開(kāi)關(guān)用TFT具備連接于柵極線GL(參照?qǐng)DI)的柵電極；連接于數(shù)據(jù)線DL(參照?qǐng)DI)的源電極；連接于驅(qū)動(dòng)用TFTT2的柵電極24的漏電極。所述驅(qū)動(dòng)用TFTT2具備連接于開(kāi)關(guān)用TFT的漏電極的柵電極24 ;連接于基底電壓源GND的源電極26 ;連接于OLED單元的第一電極12的漏電極28 ;在源電極26和漏電極之間形成溝道的活性層38。詳細(xì)說(shuō)明所述驅(qū)動(dòng)用TFTT2的話，包括與柵極線一同形成的柵電極24 ;與數(shù)據(jù)線一同形成的源電極26以及漏電極28 ;隔柵極絕緣膜36與柵電極24重疊，在源電極26和漏電極28之間形成溝道的活性層38 ;用于減低活性層38和源電極26以及漏電極28的面電阻的歐姆接觸層40。還包括接觸孔34，其為了保護(hù)OLED單元的第一電極12和漏電極28的接觸，穿通保護(hù)膜30使漏電極28露出。所述OLED單元具備有機(jī)發(fā)光層10 ;第一電極12以及第二電極14，其被絕緣膜6絕緣，形成在有機(jī)發(fā)光層10的下部以及上部。所述第二電極4層積氧化銦錫(ΙΤ0 :Indium Tin Oxide),氧化銦鋅(IZO :IndiumZinc Oxide)等透明導(dǎo)電性物質(zhì),或者Al、AlLi、Mg、Ca、Ag、MgAg等半透明物質(zhì)單層或一個(gè)·以上層而構(gòu)成的。在該第二電極4從驅(qū)動(dòng)電壓源VDD (參照?qǐng)DI)供給用于放出電荷的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。所述第一電極12通過(guò)漏極接觸孔34與驅(qū)動(dòng)用TFTT2的漏電極28連接，形成在每個(gè)OLED單元區(qū)域。在該第一電極12從驅(qū)動(dòng)用TFTT2的漏電極28供給用于放出電荷的驅(qū)
動(dòng)信號(hào)。所述有機(jī)發(fā)光層10層積電子注入層10a、電子傳輸層10b、發(fā)光層10c、空穴傳輸層IOd以及空穴注入層IOe而形成。在該有機(jī)發(fā)光層10從第一電極12和第二電極4供給電荷。由此，如圖3所示，在第二電極4發(fā)射空穴，被發(fā)射的空穴經(jīng)空穴注入層IOe以及空穴傳輸層IOd移動(dòng)到發(fā)光層10c，在第一電極12發(fā)射電子，被發(fā)射的電子經(jīng)電子注入層IOa及電子傳輸層IOb移動(dòng)到發(fā)光層IOc,空穴和電子在發(fā)光層IOc內(nèi)再結(jié)合,從而有機(jī)發(fā)光層10發(fā)出可見(jiàn)光。此時(shí)，所發(fā)出的可見(jiàn)光通過(guò)透明電極的所謂第二電極4往外透射，并以圖像顯示在有機(jī)電致發(fā)光顯示元件。并且，為了增加從有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的第二電極4發(fā)射的可見(jiàn)光，第一電極12使用包含反射特性出色的鋁(Al)及鋁釹(Al-Nd)等的鋁系金屬、Cr或Cr合金等一種以上。但是，在現(xiàn)有小面積有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，所述構(gòu)造也并不成為問(wèn)題，但是最近開(kāi)發(fā)出的大面積有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的情況，如圖4所示，電流從第二電極4向外圍區(qū)域以及中心區(qū)域間流時(shí)，電流從流入處到到達(dá)遠(yuǎn)距離時(shí)，由于第二電極的電阻產(chǎn)生電壓下降，因此存在外圍部分和中心部分的亮度之差很大的問(wèn)題。即，大面積的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，因第二電極的電阻而導(dǎo)致的外圍部分和中心部分的亮度之差，亮度均勻度急劇變差，所以需要可解決亮度之差的面板結(jié)構(gòu)或驅(qū)動(dòng)單元。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決所述現(xiàn)有問(wèn)題點(diǎn)而提出的，其目的在于，提供一種為了提高大面積的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的亮度的均勻性，在基板和有機(jī)電致發(fā)光元件的第二電極之間形成輔助電極之后，連接有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的電極和輔助電極的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的結(jié)構(gòu)以及其制造方法。為了達(dá)成所述目的，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，包括顯示元件用基板，其由選自玻璃、金屬或塑料中的一種形成；有機(jī)電致發(fā)光顯示元件驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管，其形成在所述基板上面；顯示元件區(qū)域，其由單位像素及單位像素群而成，所述單位像素是在所述基板上由薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線和柵極線的交叉所定義的；有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第一電極，其形成在所述薄膜晶體管的上部；有機(jī)電致發(fā)光顯示用輔助電極，其形成在所述基板上；輔助電極開(kāi)口部，其是露出所述輔助電極的一部分而成的；隔膜，其形成在所述輔助電極的開(kāi)口部上；有機(jī)發(fā)光層，其形成在所述第一電極上；有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第二電極，其形成在所述有機(jī)發(fā)光層上，有機(jī)電致發(fā)光顯示元件根據(jù)需要在所述第二電極的上形成導(dǎo)電層并使之成為第二電極的一部分，所述第二電極或所述導(dǎo)電層利用所述隔膜連接于輔助電極，從而減低所述第二電極的電阻。并且，所述輔助電極是在基板和有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的第二電極之間以形成為驅(qū)動(dòng)用晶體管的一部分或以獨(dú)立地布線而形成。 而且，所述開(kāi)口部形成在顯示元件區(qū)域的單位像素中的一部分像素或像素整體。而且，所述隔膜被形成為隔膜周?chē)闹辽僖徊糠謴南露说缴隙酥饾u變寬的倒梯形(倒圓錐形)。而且，將所述隔膜形成為2層以上結(jié)構(gòu)的倒梯形(倒圓錐形)，或在2層以上結(jié)構(gòu)中將上部層形成為垂懸形(T字形)來(lái)代替倒梯形(倒圓錐形)。而且，所述隔膜在各輔助電極的開(kāi)口部至少形成一個(gè)以上。而且，所述第二電極是通過(guò)濺射法或化學(xué)氣相沉積法與輔助電極連接，并不需要導(dǎo)電層。而且，所述第二電極通過(guò)熱沉積形成時(shí)，通過(guò)濺射法或化學(xué)氣相沉積法形成導(dǎo)電層并與輔助電極連接。而且，所述第二電極通過(guò)熱沉積形成時(shí)，傾斜基板使第二電極沉積而使之成膜在隔膜的空的空間，并與輔助電極連接。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的制造方法，包括1)形成由選自玻璃、金屬或塑料中的一種材料而成的顯示元件用基板和，形成于所述基板上的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管的步驟；2)形成形成在所述薄膜晶體管上部的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第一電極的步驟；3)在所述基板形成有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用輔助電極，并露出局部輔助電極形成開(kāi)口部的步驟；4)在所述輔助電極的開(kāi)口部上形成隔膜的步驟；5)在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層的步驟；6)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第二電極的步驟；7)根據(jù)需要，在所述第二電極上形成導(dǎo)電層使之成為第二電極的一部分的步驟。換句話說(shuō)，本發(fā)明為一種有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，包括顯示元件用基板，其由選自玻璃、金屬或塑料中的一種形成；有機(jī)電致發(fā)光顯示元件驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管，其形成在所述基板上面；顯示元件區(qū)域，其由單位像素及單位像素群而成，所述單位像素是在所述基板上由薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線和柵極線交叉而定義的；有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第一電極，其形成在所述薄膜晶體管的上部；
有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用輔助電極，其形成在所述基板上；輔助電極開(kāi)口部，其是露出所述輔助電極的一部分而成的；隔膜，其形成在所述輔助電極的開(kāi)口部上；有機(jī)發(fā)光層，其形成在所述第一電極上；有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第二電極，其形成在所述有機(jī)發(fā)光層上，有機(jī)電致發(fā)光顯示元件僅由所述第二電極形成或具備導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層形成在所述第二電極的上面或下面使之成為第二電極的一部分，所述第二電極或所述導(dǎo)電層利用所述隔膜連接于輔助電極，從而減低所述第二電極的電阻。
本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述輔助電極是在基板和有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的第二電極之間以形成為驅(qū)動(dòng)用晶體管的一部分或以獨(dú)立地布線所形成。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，當(dāng)將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制作成前面發(fā)光(上發(fā)光T0p-EmiSSi0n)形時(shí)，使構(gòu)成前面發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的一部分的反射板與輔助電極獨(dú)立形成，或使反射板的局部或全部用作輔助電極并與所述第二電極連接。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述反射板的光反射度是50%以上。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，為了減少因在所述輔助電極和第一電極之間產(chǎn)生的寄生電容而導(dǎo)致的影響，在所述輔助電極和所述第一電極之間形成層間絕緣膜。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述層間絕緣膜的厚度為O. 2μπι以上，光透射率為50%以上。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述輔助電極或做輔助電極作用的反射板由Cu、Al、Ag、Au、Nd、Co、Ni、Mo、Cr、Ti、Pt等單一金屬材料或其合金而成。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述輔助電極的面電阻是O. 01 50 Ω/sq，主電阻的第二電極的面電阻是O. I 10 Ω/sq。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，當(dāng)所述第二電極和輔助電極連接時(shí)，面電阻為IkQ以下。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，當(dāng)所述單一第二電極或包括所述導(dǎo)電層的所述第二電極作陰極作用時(shí)，至少包括一層以上功函數(shù)符合電子傳輸材料的電極層，當(dāng)所述單一第二電極或包括所述導(dǎo)電層的所述第二電極作陽(yáng)極作用時(shí)具有第二電極結(jié)構(gòu)，所述第二電極結(jié)構(gòu)包括至少一層以上功函數(shù)符合空穴傳輸材料的電極層。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述開(kāi)口部和隔膜形成在顯示元件區(qū)域的整個(gè)像素中的一部分或像素整體。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，在所述各輔助電極的開(kāi)口部至少形成一個(gè)以上隔膜，此時(shí)，通過(guò)增加由隔膜的第二電極和輔助電極的連接部面積，減小權(quán)利要求9的面電阻而提高接觸概率。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述開(kāi)口部和隔膜形成在有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的非發(fā)光區(qū)域。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制成前面發(fā)光(上發(fā)光)形時(shí)，在有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用上部基板或用于保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的上部保護(hù)用單元的非出光區(qū)域的下部配置所述開(kāi)口部和隔膜。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述隔膜形成為從一部分與輔助電極接觸的隔膜下端到隔膜上端逐漸變寬。 本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述隔膜的外部?jī)A斜面和基板表面或所述隔膜的外部?jī)A斜面和所述隔膜的上部面所成的角度為80度以下。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，將所述隔膜形成為2層以上結(jié)構(gòu)的倒梯形(倒圓錐形)，或在2層以上結(jié)構(gòu)中將上部層形成為垂懸形(T字形)來(lái)代替倒梯形(倒圓錐形)。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，將所述第二電極利用濺射法(Sputtering)或化學(xué)氣相沉積法(CVD)等涂膜性(階梯覆蓋STEP COVERAGE)良好的真空成膜設(shè)備來(lái)成膜，從而無(wú)需導(dǎo)電層直接連接第二電極和輔助電極。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述第二電極通過(guò)熱沉積等形成后不與輔助電極連接時(shí)，在第二電極上利用濺射或化學(xué)氣相沉積等真空成膜設(shè)備形成導(dǎo)電層，從而間接連接第二電極和輔助電極。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，所述第二電極通過(guò)熱沉積形成時(shí)，傾斜基板使第二電極沉積而使之成膜在隔膜的空的空間，并使之與輔助電極連接。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，當(dāng)將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制成前面發(fā)光(上發(fā)光)形時(shí)，第二電極的光透射率或加上第二電極和導(dǎo)電層的多層電極的光透射率為20%以上。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，為了防止水分或氧氣從所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的外部滲透至所述開(kāi)口部以及所述隔膜部而導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光顯示元件劣化，在連接所述輔助電極和所述第二電極之后，在其上面形成無(wú)機(jī)膜或有機(jī)膜或由無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜而成的單一或多層膜來(lái)保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光顯示元件。本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其中，將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制成前面發(fā)光(上發(fā)光)形時(shí)，為了防止因外光對(duì)比率變差，在第二電極外部形成用于抵消外光或改善對(duì)比率的圓形偏光板或多層膜。本發(fā)明所述的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的制造方法，其中，包括I)形成由選自玻璃、金屬或塑料中的一種材料而成的顯示元件用基板和，形成于所述基板上的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管的步驟；
2)形成形成在所述薄膜晶體管上部的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第一電極的步驟；3)在所述基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用輔助電極，并露出局部輔助電極形成開(kāi)口部的步驟；4)在所述輔助電極的開(kāi)口部上形成隔膜的步驟；5)在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層的步驟；6)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第二電極的步驟；7)根據(jù)需要，在所述第二電極的上面或下面形成導(dǎo)電層并使之成為第二電極的一 部分的步驟。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件以及其制造方法，由于對(duì)大面積的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件也可以確保均勻的亮度，因此具有可以提高利用此元件的產(chǎn)品的品質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。并且，不像以往為了確保亮度而另外具備面板結(jié)構(gòu)或驅(qū)動(dòng)單元，因此，在制造方面經(jīng)濟(jì)效果良好，從而期待可以提高大量生產(chǎn)的效果。本發(fā)明的特點(diǎn)以及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)以下的參照附圖的詳細(xì)說(shuō)明會(huì)更加明確。本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求范圍中所使用的術(shù)語(yǔ)或單詞不得解釋為通常的詞典上的含義，發(fā)明人根據(jù)為了以最佳的方法說(shuō)明自己的發(fā)明可適當(dāng)定義術(shù)語(yǔ)的概念的原則，應(yīng)解釋為符合本發(fā)明的技術(shù)思想的含義及概念。


圖I是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件大的等價(jià)電路圖。圖2是表示圖I所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的局部區(qū)域的截面圖。圖3是用于說(shuō)明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的發(fā)光原理的圖。圖4是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用通常的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制作的面板的平面圖。圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的截面圖。圖6是表示本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的制造方法的塊圖。圖7至圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的制造方法的工程圖。圖13是在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件表示隔膜的變形實(shí)施例的圖。圖14是表示在前面發(fā)光(上發(fā)光)形有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，在第一電極下面形成反射板的實(shí)施例的圖。圖15是表示在前面發(fā)光(上發(fā)光)形有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的圖14中將反射板用作輔助電極的實(shí)施例的圖。圖16是表示將開(kāi)口部及隔膜形成在非發(fā)光部的TFT配置區(qū)域的實(shí)施例的圖。圖17是表示在前面發(fā)光(上發(fā)光)形有機(jī)電致發(fā)光顯示元件將開(kāi)口部及隔膜形成在上部非出光區(qū)域的BM下部區(qū)域的實(shí)施例的圖。圖18是表示根據(jù)隔膜角度的第二電極和輔助電極之間的面電阻變化的表。圖19是表示為了防止水分或氧氣從有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的外部向開(kāi)口部及隔膜的側(cè)面滲透而導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光顯示元件劣化，形成隔膜部保護(hù)膜來(lái)保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的實(shí)施例的圖。
圖20是表示在圖19代替隔膜部保護(hù)膜將隔膜部保護(hù)涂膜形成得厚的實(shí)施例的圖附圖標(biāo)記的說(shuō)明104:第二電極，105:輔助電極，106 :絕緣膜，107:隔膜，108:導(dǎo)電層，110 :有機(jī)發(fā)光層，
112:第二電極，200:反射板，201 :層間絕緣膜，220:隔膜部保護(hù)膜
具體實(shí)施例方式以下，參照

根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件以及其制造方法則為如下。首先應(yīng)注意在附圖中對(duì)相同的構(gòu)成元件或構(gòu)件標(biāo)注相同的符號(hào)。在說(shuō)明本發(fā)明時(shí)為了防止本發(fā)明的要旨變模糊省略對(duì)相關(guān)公知功能或構(gòu)造的具體說(shuō)明。圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的截面圖，圖6是表示圖5的制造方法塊圖，圖7至12是表示根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的制造方法的工序圖。根據(jù)圖5，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，具備開(kāi)關(guān)用TFTTI (參照?qǐng)DI);驅(qū)動(dòng)用TFTT2，柵電極124連接在開(kāi)關(guān)用TFT的漏電極；0LED單元，OLED第一電極112連接在驅(qū)動(dòng)用TFTT2的漏電極128。有機(jī)發(fā)光層110層積電子注入層110a、電子傳輸層110b、發(fā)光層110c、空穴傳輸層IlOd以及空穴注入層IlOe而形成。在該有機(jī)發(fā)光層110從第一電極112和第二電極104供給電荷。由此，在第二電極104發(fā)射空穴，被發(fā)射的空穴經(jīng)空穴注入層IlOe以及空穴傳輸層IlOd移動(dòng)到發(fā)光層110c，在第一電極112發(fā)射電子，被發(fā)射的電子經(jīng)電子注入層IlOa及電子傳輸層IlOb移動(dòng)到發(fā)光層IlOc,空穴和電子在發(fā)光層IlOc內(nèi)再結(jié)合,從而有機(jī)發(fā)光層110發(fā)出可見(jiàn)光。此時(shí)，所發(fā)出的可見(jiàn)光通過(guò)透明電極的所謂第二電極104往外透射從而圖像顯示在有機(jī)電致發(fā)光顯示元件。所述開(kāi)關(guān)用TFT具備柵電極、源電極以及漏電極，所述柵電極連接于柵極線GL (參照?qǐng)DI)，所述源電極連接于數(shù)據(jù)線DL (參照?qǐng)DI)，所述漏電極連接于驅(qū)動(dòng)用TFTT2的柵電極 124。所述驅(qū)動(dòng)用TFTT2具備柵電極124、源電極126、漏電極128以及活性層138，所述柵電極124連接于開(kāi)關(guān)用TFT的漏電極，所述源電極126連接于基底電壓源GND (參照?qǐng)DI)，漏電極128連接于OLED單元的第一電極112，活性層138，其在源電極126和漏電極128之間形成溝道。詳細(xì)說(shuō)明所述驅(qū)動(dòng)用TFTT2，則具備柵電極124、源電極126及漏電極128、活性層138、歐姆接觸層140，所述柵電極124與柵極線一起形成，所述源電極126與數(shù)據(jù)線一起形成，活性層138隔著柵極絕緣膜136與所述柵電極124層疊，并在源電極126和漏電極128之間形成溝道，歐姆接觸層140用于減低與所述活性層138、源電極126及漏電極128的面電阻。為了所述OLED單元的第一電極112和漏電極128的接觸，包括漏極接觸孔134，該漏極接觸孔穿通保護(hù)膜130而露出所述漏電極128。所述驅(qū)動(dòng)用TFTT2上形成輔助電極105，通過(guò)后述的導(dǎo)電層108與第二電極104接點(diǎn)并接受驅(qū)動(dòng)信號(hào)。并且，在所述輔助電極105上進(jìn)一步形成隔膜107。提所述隔膜107之前先露出所述輔助電極105的一部分而形成開(kāi)口部105a，在所述開(kāi)口部105a側(cè)形成隔膜107。此時(shí)，所述輔助電極的開(kāi)口部105a可以形成在顯示元件區(qū)域的單位像素中的局部像素或整個(gè)像素。所述隔膜107從與所述輔助電極105接點(diǎn)的下端至上端其面積逐漸變寬且傾斜地形成，在層疊有機(jī)發(fā)光層110時(shí)與隔膜之間形成空的空間。由此在沉積時(shí)，在以直線型飛散的有機(jī)發(fā)光層的成膜階段確保不被有機(jī)發(fā)光層覆蓋的空間，從而防止由于有機(jī)發(fā)光層的成膜連輔助電極也完全覆蓋。在所述輔助電極105和第二電極104的上部形成有導(dǎo)電層108,所述導(dǎo)電層108是使輔助電極105和第二電極104相通電的構(gòu)成，被填充于由所述隔膜形成的空間而通電。所述導(dǎo)電層108利用薄膜的階梯覆蓋性(step coverage)出色的派射法(Sputtering)或化 學(xué)氣相沉積法(CVD)或傾角沉積法填充于空間。所述OLED單元具備有機(jī)發(fā)光層110 ;第一電極112及第二電極104，其由絕緣膜106絕緣，形成在所述有機(jī)發(fā)光層110的上下部。所述第二電極104由透明導(dǎo)電性物質(zhì)形成。對(duì)所述第二電極104從驅(qū)動(dòng)電壓源VDD(參照?qǐng)DI)供給用于發(fā)射空穴的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。所述第一電極112通過(guò)漏極接觸孔134與驅(qū)動(dòng)用TFTT2的漏電極128連接，形成在每個(gè)所述OLED單元的區(qū)域。并且，對(duì)所述第一電極112從驅(qū)動(dòng)用TFTT2的漏電極128供給用于發(fā)射電子的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。有機(jī)發(fā)光層110是層疊電子注入層110a、電子傳輸層110b、發(fā)光層110c、空穴傳輸層IlOd以及空穴注入層IlOe而形成的。并且，對(duì)所述有機(jī)發(fā)光層110從第一電極112和第二電極104供給驅(qū)動(dòng)信號(hào),則從第二電極104發(fā)射的空穴和從第一電極112發(fā)射的電子在發(fā)光層IlOc內(nèi)再結(jié)合發(fā)出可見(jiàn)光。此時(shí)，所發(fā)出的可見(jiàn)光通過(guò)透明電極的所謂第二電極104往外透射從而圖像顯示在有機(jī)電致發(fā)光顯示元件。如上所述，通過(guò)導(dǎo)電層連接輔助電極和OLED第二電極，從而通過(guò)輔助電極，第二電極的電阻變小且電壓下降，因此可在顯示元件的整個(gè)區(qū)域均勻地傳輸電流，由此可以提高亮度均勻度。一方面，所述隔膜107是用于防止有機(jī)發(fā)光層110沉積在所述輔助電極105上的手段，在所述第一電極112沉積有機(jī)發(fā)光層110時(shí)，不形成隔膜而將有機(jī)發(fā)光層涂布在輔助電極之后，通過(guò)蝕刻等只解除涂布于輔助電極上的有機(jī)發(fā)光層，從而露出局部輔助電極。即，如上所述，所述隔膜107是用于防止完全覆蓋有機(jī)發(fā)光層的手段，為了使所述有機(jī)發(fā)光層不與輔助電極接觸，利用通過(guò)鐳射或化學(xué)等蝕刻方法去除對(duì)應(yīng)部分的有機(jī)膜，從而可以代替隔膜工程，但是，在蝕刻工程中會(huì)導(dǎo)致有機(jī)膜的劣化或損失，或工程結(jié)束之后由于污染物會(huì)殘留在薄膜內(nèi)的可能性大，因此對(duì)OLED的可靠性帶來(lái)影響。另外，本發(fā)明中作為優(yōu)選實(shí)施例，所述輔助電極105的面電阻是O. 01 δΟΩ/sq，主電極的所謂第二電極的面電阻是O. I IOMΩ/sq。并且，在本發(fā)明中，當(dāng)所述單一第二電極或包括所述導(dǎo)電層的所述第二電極作陰極作用時(shí)，至少包括一層以上功函數(shù)符合電子傳輸材料的電極層，當(dāng)所述單一第二電極或包括所述導(dǎo)電層的所述第二電極作陽(yáng)極作用時(shí)具有第二電極結(jié)構(gòu)，所述第二電極結(jié)構(gòu)包括至少一層以上功函數(shù)符合空穴傳輸材料的電極層。以下，參照?qǐng)D6說(shuō)明本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的制造方法。I)在基板上形成輔助電極的步驟S10，所述基板具有由數(shù)據(jù)線和柵極線相交叉而被定義的電致發(fā)光單元區(qū)域；2)在所述單元區(qū)域形成第一電極的步驟S20 ；3)在輔助電極上形成隔膜的步驟S30 ；4)在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層的步驟S40 ；5)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極的步驟S50 ；6)根據(jù)需要，在所述第二電極的上形成導(dǎo)電層，并連接輔助電極和第二電極的步·驟S60。所述步驟SlO的輔助電極根據(jù)工程或基板結(jié)構(gòu)形成在基板上部和第二電極之間的特定位置。此時(shí)，在所述第三步驟S30的隔膜形成步驟，形成為隨著隔膜從下端朝向上端面積越來(lái)越寬，在隔膜下部形成沒(méi)有成膜有機(jī)發(fā)光層的空空間。所述第五步驟S50及第六步驟S60中，第二電極及導(dǎo)電層通過(guò)濺射法(Sputtering)或化學(xué)氣相沉積法(CVD)等傾斜沉積法或一般沉積法等各種成膜方法中的一種方法來(lái)形成。本實(shí)施例中，在TFT以后的工程將輔助電極105形成在TFT上部，但是也可以在制作TFT之前形成或可以形成在TFT層內(nèi)部的任意位置，形成輔助電極之后通過(guò)適當(dāng)?shù)氖侄巫罱K連接在第二電極或?qū)щ妼蛹纯?。參照?qǐng)D7說(shuō)明以上的制造方法。在所述基板122形成有包含柵電極124、柵極絕緣膜136、活性層138、源電極126、漏電極128及接觸層140的開(kāi)關(guān)用TFT和驅(qū)動(dòng)用TFTT2，在所述基板122的上面沉積包含鋁(Al)及鋁釹(Al-Nd)等的鋁系金屬，然后進(jìn)行圖案化，從而通過(guò)漏極接觸孔134形成與驅(qū)動(dòng)用TFTT2的漏電極128連接的第一電極112。接著，在所述驅(qū)動(dòng)用TFTT2上沉積輔助電極105。在此，所述輔助電極105優(yōu)選使用與所述第一電極112相同的材料。此時(shí)，所述輔助電極105以預(yù)定間隔形成在驅(qū)動(dòng)用TFTT2。接著，參照?qǐng)D8，沉積輔助電極105之后進(jìn)行圖案化，露出輔助電極105和形成有機(jī)發(fā)光層Iio的第一電極112的一部分和形成隔膜107的輔助電極105的一部分形成開(kāi)口部105a，在此狀態(tài)下形成絕緣膜106。此時(shí)，所述輔助電極的開(kāi)口部105a形成在顯示元件區(qū)域的單位像素中的一部分像素或像素整體。接著，參照?qǐng)D9，在被露出的輔助電極105上形成隔膜107。所述隔膜107從與輔助電極105接觸的下端面朝向上部其面積逐漸變寬的形態(tài)形成。然后，參照?qǐng)D10，在所述基板122上沉積有機(jī)發(fā)光物質(zhì)形成有機(jī)發(fā)光層110，接著，如圖11所示，將第二電極104層積氧化銦錫(ΙΤ0 =Indium Tin Oxide)，氧化銦鋅(ΙΖ0 Indium Zinc Oxide)等透明物質(zhì),或者Al、AlLi、Mg、Ca、Ag、MgAg等半透明物質(zhì)一個(gè)以上層而構(gòu)成的。此時(shí)，為了防止所述有機(jī)發(fā)光層110完全覆蓋輔助電極105上面而利用所述隔膜107。S卩，所述有機(jī)發(fā)光層110在沉積時(shí)由于直進(jìn)性強(qiáng)而無(wú)法沉積在隔膜下部，因此，通過(guò)所述隔膜的下端面和上端面的傾斜的形態(tài)，在輔助電極和有機(jī)發(fā)光層之間形成空的空間。所述隔膜107是用于防止有機(jī)發(fā)光層110沉積在所述輔助電極105上的手段，在所述第一電極沉積有機(jī)發(fā)光層110時(shí)，以不使用隔膜的狀態(tài)將有機(jī)發(fā)光層涂布到輔助電極上面之后，通過(guò)蝕刻工程僅去除局部涂布于輔助電極上面的有機(jī)發(fā)光層，接著，露出輔助電極上的局部空間，并可通過(guò)下一個(gè)工程的第二電極104連接。即，如上所述，所述隔膜107是用于防止有機(jī)發(fā)光層完全覆蓋輔助電極的手段，可用隔膜來(lái)代替使所述有機(jī)發(fā)光層不接觸于輔助電極的蝕刻工程。然后,參照?qǐng)D12,利用選自派射法(Sputtering)或化學(xué)氣相沉積法(CVD)中的一種方法在形成有第二電極104的上面成膜導(dǎo)電層108，被沉積的導(dǎo)電層108滲透至通過(guò)隔膜所形成的空間而涂布至輔助電極105，從而第二電極和輔助電極得以連接。圖12中，利用導(dǎo)電層108連接了輔助電極和第二電極，但是，在圖11的第二電極104的形成步驟，利用覆蓋性出色的濺射法或化學(xué)氣相沉積法形成ITO、IZO等第二電極，則即使有隔膜也在第二電極成膜步驟會(huì)連接輔助電極和第二電極，因此可以省略下一步工程的導(dǎo)電層形成工程。即，第二電極的成膜方法僅在利用直進(jìn)性出色的熱蒸發(fā)(thermalevaporation)等方法時(shí)，才能在第二電極上面形成覆蓋性出色的利用化學(xué)氣相沉積法或?yàn)R射法等的導(dǎo)電層。另外，圖13是表示所述隔膜的變形實(shí)施例的圖，所述隔膜是代替從下端至上端逐 漸變寬的倒梯形(倒圓錐形)形態(tài)的其他結(jié)構(gòu)，將所述隔膜可以構(gòu)成為2層以上結(jié)構(gòu)的倒梯形(倒圓錐形)，或在2層以上結(jié)構(gòu)中將上部層形成為垂懸(T字)形。此時(shí)，2層以上結(jié)構(gòu)中，各層的材料使用相同的材料，使曝光量或曝光方法不同而調(diào)整蝕刻速度，或?qū)⒏鲗佑貌煌牟牧闲纬桑瑥亩梢灾瞥删哂懈鞣N形狀及角度的多層結(jié)構(gòu)的隔膜。以下，參照

本發(fā)明的其他實(shí)施例。圖14中為了將本發(fā)明適用于前面發(fā)光(上發(fā)光)形有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，在第一電極112的下部形成反射板200,來(lái)自有機(jī)發(fā)光層110的光向下發(fā)射被反射板200反射之后朝上部，此時(shí)，第二電極104及導(dǎo)電層為透明或半透明。圖15中，在與圖9相同的前面發(fā)光(上發(fā)光)形有機(jī)電致發(fā)光顯示元件作為輔助電極105使用了反射板200，這與圖14相比有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。此結(jié)構(gòu)中，輔助電極105的反射板200通過(guò)隔膜107與第二電極104連接而第二電極與第一電極112接觸，因此應(yīng)在第一電極和反射板(輔助電極)之間形成層間絕緣膜201。此時(shí)，因在相鄰接的第一電極112和第二電極104之間的層間絕緣膜210產(chǎn)生的電容(寄生電容)，兩電極信號(hào)之間發(fā)生干擾現(xiàn)象，由此應(yīng)使層間絕緣膜201形成得厚使其影響抑制為最大，本發(fā)明中，所述層間絕緣膜201的厚度優(yōu)選為O. 2，以上。雖未在圖15中表示，第一電極112和漏電極128相互連接。圖14及圖15中所使用的反射板200要反射從有機(jī)發(fā)光層110發(fā)射的局部光，因此反射板的反射度應(yīng)為50%以上，優(yōu)選為80%以上時(shí)才可以最大限度地減低光損失。并且，圖15的結(jié)構(gòu)中，自有機(jī)發(fā)光層110發(fā)射的光經(jīng)過(guò)層間絕緣膜201在反射板200反射之后再經(jīng)過(guò)層間絕緣膜201發(fā)射至上部，所以，層間絕緣膜201的透射率應(yīng)為50%以上，優(yōu)選為80%以上才能最大限度地減低光的損失。在形成開(kāi)口部105a及隔膜107時(shí)，如圖11所示，代替由有機(jī)發(fā)光層110的發(fā)光部的所謂開(kāi)口部210利用非發(fā)光部的所謂TFT配置區(qū)域211，則可以避免由開(kāi)口部及隔膜的開(kāi)
口率減小。另外，在前面發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，在上部基板215形成具有C/F(彩色濾光片)的C/F形成部216時(shí)，如圖17所示，通過(guò)在C/F之間的BM217(黑色矩陣)下部配置開(kāi)口部及隔膜，從而可以使C/F出光部的面積最大。另外，上部基板代替C/F/基板單純地為了保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光顯示元件而使用時(shí)，也通過(guò)在非出光區(qū)域下端優(yōu)先配置開(kāi)口部及隔膜，可以使出光部的面積最大。圖18表示按照隔膜的外部?jī)A斜面和基板表面或隔膜的外部?jī)A斜面和隔膜的上部所成的角度面電阻變化的狀態(tài)，可知為了得到本發(fā)明所要求的第二電極104和輔助電極105之間的面電阻IkQ以下，其角度應(yīng)為80°以下。為了防止水分或氧氣從有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的外部向開(kāi)口部105a及所述隔膜107側(cè)面滲透而導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光顯示元件劣化，如圖19所示，優(yōu)選在連接輔助電極和所述第二電極之后，在其上面形成無(wú)機(jī)膜或有機(jī)膜或由無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜而成的單一或多層結(jié)構(gòu)的隔膜部保護(hù)膜220來(lái)保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光顯示元件。并且，作為另一例，如圖20所示，為了能夠完全覆蓋隔膜107可以將隔膜部保護(hù)涂膜225形成得厚。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件及其制造方法，通過(guò)在驅(qū)動(dòng)用TFT周?chē)渲门c第二電極104接觸的輔助電極105，可以將流在第二電極104和第一電 極112的電流均勻地供給到OLED的整個(gè)面積，由此能夠在整個(gè)部面積獲得均勻的亮度。而且，本發(fā)明的輔助電極105或做輔助電極作用的反射板200可由Cu、Al、Ag、Au、Nd、Co、Ni、Mo、Cr、Ti、Pt等單一金屬材料或其合金而成。并且，在本發(fā)明中，將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制成前面發(fā)光(上發(fā)光)形時(shí)，為了防止因外光對(duì)比率變差，在第二電極外部還可以形成用于抵消外光或改善對(duì)比率的圓偏光板或多層膜。本發(fā)明不局限于所述實(shí)施例，可改變適用部位使用，對(duì)屬于本發(fā)明技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)在不脫離本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種修改及變形是顯而易見(jiàn)的。因此，這些變形例或修改例應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于，包括 顯示元件用基板，其由選自玻璃、金屬或塑料中的一種形成； 有機(jī)電致發(fā)光顯示元件驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管，其形成在所述基板上面； 顯示元件區(qū)域，其由單位像素及單位像素群而成，所述單位像素是在所述基板上由薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線和柵極線交叉而定義的； 有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第一電極，其形成在所述薄膜晶體管的上部； 有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用輔助電極，其形成在所述基板上； 輔助電極開(kāi)口部，其是露出所述輔助電極的一部分而成的； 隔膜，其形成在所述輔助電極的開(kāi)口部上； 有機(jī)發(fā)光層，其形成在所述第一電極上； 有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第二電極，其形成在所述有機(jī)發(fā)光層上， 有機(jī)電致發(fā)光顯示元件僅由所述第二電極形成或具備導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層形成在所述第二電極的上面或下面使之成為第二電極的一部分，所述第二電極或所述導(dǎo)電層利用所述隔膜連接于輔助電極，從而減低所述第二電極的電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述輔助電極是在基板和有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的第二電極之間以形成為驅(qū)動(dòng)用晶體管的一部分或以獨(dú)立地布線所形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 當(dāng)將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制作成前面發(fā)光形時(shí)，使構(gòu)成前面發(fā)光元件結(jié)構(gòu)的一部分的反射板與輔助電極獨(dú)立形成，或使反射板的局部或全部用作輔助電極并與所述第二電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述反射板的光反射度是50%以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 為了減少因在所述輔助電極和第一電極之間產(chǎn)生的寄生電容而導(dǎo)致的影響，在所述輔助電極和所述第一電極之間形成層間絕緣膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述層間絕緣膜的厚度為O. 2μπι以上，光透射率為50%以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述輔助電極或做輔助電極作用的反射板由Cu、Al、Ag、Au、Nd、Co、Ni、Mo、Cr、Ti、Pt等單一金屬材料或其合金而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述輔助電極的面電阻是O. 01 δΟΩ/sq，主電阻的第二電極的面電阻是O. I 10 Ω/sq。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 當(dāng)所述第二電極和輔助電極連接時(shí)，面電阻為IkQ以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 當(dāng)所述單一第二電極或包括所述導(dǎo)電層的所述第二電極作陰極作用時(shí)，至少包括一層以上功函數(shù)符合電子傳輸材料的電極層，當(dāng)所述單一第二電極或包括所述導(dǎo)電層的所述第二電極作陽(yáng)極作用時(shí)具有第二電極結(jié)構(gòu)，所述第二電極結(jié)構(gòu)包括至少一層以上功函數(shù)符合空穴傳輸材料的電極層。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述開(kāi)口部和隔膜形成在顯示元件區(qū)域的整個(gè)像素中的一部分或像素整體。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 在所述各輔助電極的開(kāi)口部至少形成一個(gè)以上隔膜，此時(shí)，通過(guò)增加由隔膜的第二電極和輔助電極的連接部面積，減小權(quán)利要求9的面電阻而提高接觸概率。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、11、12所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述開(kāi)口部和隔膜形成在有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的非發(fā)光區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求1、11、12所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制成前面發(fā)光形時(shí)，在有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用上部基板或用于保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的上部保護(hù)用單元的非出光區(qū)域的下部配置所述開(kāi)口部和隔膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述隔膜形成為從一部分與輔助電極接觸的隔膜下端到隔膜上端逐漸變寬。
16.根據(jù)權(quán)利要求1，15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述隔膜的外部?jī)A斜面和基板表面或所述隔膜的外部?jī)A斜面和所述隔膜的上部面所成的角度為80度以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求1，15所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 將所述隔膜形成為2層以上結(jié)構(gòu)的倒梯形，或在2層以上結(jié)構(gòu)中將上部層形成為垂懸形來(lái)代替倒梯形。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 將所述第二電極利用濺射法或化學(xué)氣相沉積法等涂膜性良好的真空成膜設(shè)備來(lái)成膜，從而無(wú)需導(dǎo)電層直接連接第二電極和輔助電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述第二電極通過(guò)熱沉積等形成后不與輔助電極連接時(shí)，在第二電極上利用濺射或化學(xué)氣相沉積等真空成膜設(shè)備形成導(dǎo)電層，從而間接連接第二電極和輔助電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 所述第二電極通過(guò)熱沉積形成時(shí)，傾斜基板使第二電極沉積而使之成膜在隔膜的空的空間，并使之與輔助電極連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 當(dāng)將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制成前面發(fā)光形時(shí)，第二電極的光透射率或加上第二電極和導(dǎo)電層的多層電極的光透射率為20%以上。
22.根據(jù)權(quán)利要求I或11或12中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 為了防止水分或氧氣從所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的外部滲透至所述開(kāi)口部以及所述隔膜部而導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光顯示元件劣化，在連接所述輔助電極和所述第二電極之后，在其上面形成無(wú)機(jī)膜或有機(jī)膜或由無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜而成的單一或多層膜來(lái)保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光顯示元件。
23.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件，其特征在于， 將所述有機(jī)電致發(fā)光顯示元件制成前面發(fā)光形時(shí)，為了防止因外光對(duì)比率變差，在第二電極外部形成用于抵消外光或改善對(duì)比率的圓形偏光板或多層膜。
24.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的制造方法，其特征在于，包括 1)形成由選自玻璃、金屬或塑料中的一種材料而成的顯示元件用基板和，形成于所述基板上的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管的步驟； 2)形成形成在所述薄膜晶體管上部的有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第一電極的步驟； 3)在所述基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用輔助電極，并露出局部輔助電極形成開(kāi)口部的步驟； 4)在所述輔助電極的開(kāi)口部上形成隔膜的步驟； 5)在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層的步驟； 6)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示元件用第二電極的步驟； 7)根據(jù)需要，在所述第二電極的上面或下面形成導(dǎo)電層并使之成為第二電極的一部分的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示元件以及其制造方法，本發(fā)明在基板和有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的第二電極之間形成輔助電極，然后連接有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的電極和輔助電極，從而提高大面積有機(jī)電致發(fā)光顯示元件的亮度均勻性，并改善使用此元件的產(chǎn)品的品質(zhì)，而且，在制造方面經(jīng)濟(jì)效果良好。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102916030SQ20111022541
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月3日
發(fā)明者尹根千 申請(qǐng)人:尹根千