專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置和光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置和光裝置，特別是涉及具備將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體的半導(dǎo)體激光裝置和使用該半導(dǎo)體激光裝置的光裝置。
背景技術(shù)：
目前，半導(dǎo)體激光元件作為光盤系統(tǒng)和光通信系統(tǒng)等的光源被廣泛應(yīng)用。例如，出射波長約780nm的激光的紅外光半導(dǎo)體激光元件作為CD的再現(xiàn)用光源已經(jīng)實用化，并且， 出射波長約650nm的激光的紅色半導(dǎo)體激光元件作為DVD的記錄、再現(xiàn)用光源也已經(jīng)實用化。另外，出射波長約405nm的激光的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件作為藍(lán)光光盤的光源已經(jīng)實用化。為了實現(xiàn)這樣的光源裝置，目前，已知有具備對半導(dǎo)體激光元件進行密封的封裝體的半導(dǎo)體激光裝置。這樣的半導(dǎo)體激光裝置例如在日本特開平9-205251號公報、日本特開平10-209551號公報和日本特開2009-135347號公報中進行了公開。日本特開平9-205251號公報公開了一種半導(dǎo)體激光器的塑料封裝(plastic model)裝置，具有由形成有凸緣面的樹脂成形品構(gòu)成的頭部、安裝于頭部的半導(dǎo)體激光元件和覆蓋半導(dǎo)體激光元件的周圍的樹脂制透明蓋。該塑料封裝裝置中，通過用含有環(huán)氧樹脂系材料的粘接劑將透明蓋的開口緣部接合于頭部的凸緣面，將半導(dǎo)體激光元件氣密密封。另外，日本特開平10-209551號公報公開了一種具備由樹脂成形品構(gòu)成的頭部、 安裝于頭部的元件設(shè)置部的半導(dǎo)體激光元件和截面呈L狀地形成的樹脂制透明蓋(蓋部件)的半導(dǎo)體激光裝置。該半導(dǎo)體激光裝置中，通過用光固化性粘接劑等將透明蓋的外緣部接合于頭部的元件設(shè)置部，將半導(dǎo)體激光元件氣密密封。另外，日本特開2009-135347號公報公開了具備由金屬材料構(gòu)成的基板、安裝于基板的上表面上的面發(fā)光激光元件和將激光源周圍的空間密封的封裝體部件(密封用部件)的光模塊。該光模塊中的封裝體部件用金屬系材料和金屬系材料以外的樹脂系(類) 材料構(gòu)成。作為這樣的樹脂系材料之一，例如例示有乙烯-聚乙烯醇共聚物(EV0H樹脂)。但是，在日本特開平9-205251號公報和日本特開平10-209551號公報所公開的半導(dǎo)體裝置中，頭部與透明蓋的接合使用環(huán)氧樹脂系粘接劑或者光固化性粘接劑等。這些粘接劑特別是在固化前的狀態(tài)下，在大量含有有機氣體等揮發(fā)性氣體成分的情況下，接合后有可能使上述揮發(fā)性氣體充滿封裝體內(nèi)。另外，由于頭部和透明蓋由樹脂材料構(gòu)成，因此存在于半導(dǎo)體裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等有可能透過樹脂材料而侵入到封裝體內(nèi)。該情況下，特別是在將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件密封的情況下，低分子硅氧烷和揮發(fā)性氣體因被振蕩波長短且高能量的激光激勵、分解，從而在半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面易于形成附著物。該情況下，由于激光被附著物吸收，因此激光出射端面的溫度容易上升。其結(jié)果是，存在半導(dǎo)體激光元件發(fā)生劣化的問題。另外，在日本特開2009-135347號公報所公開的光模塊(半導(dǎo)體裝置)中，在封裝體部件使用樹脂系材料的情況下，存在于光模塊的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等有可能透過樹脂材料而侵入到封裝體內(nèi)。此時，即使使用氣障性優(yōu)異的EVOH 樹脂，在厚度增加到形成封裝體部件的程度的EVOH樹脂中，因來自外部的沖擊力等而容易在部件中產(chǎn)生裂縫。該情況下，外部的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等有可能從裂縫的間隙透過而侵入到封裝體內(nèi)。該情況下，由于激光被形成于激光出射端面的附著物吸收，因此激光出射端面的溫度容易上升，存在半導(dǎo)體激光元件發(fā)生劣化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體激光裝置，包括由多個部件構(gòu)成、內(nèi)部具有密封空間的封裝體；和配置在上述密封空間內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件，上述部件的位于上述密封空間內(nèi)的表面，由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆劑覆蓋。在本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，如上所述，構(gòu)成封裝體的部件的位于密封空間內(nèi)的表面，被由乙烯-聚乙烯醇共聚物(EVOH)構(gòu)成的被覆劑覆蓋。這樣，EVOH為氣障性優(yōu)異的樹脂材料，因而，即使在從位于封裝體的密封空間內(nèi)的部件產(chǎn)生揮發(fā)性有機氣體的情況下，也能夠通過覆蓋上述構(gòu)成部件的被覆劑隔斷揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體的密封空間內(nèi)。另外，即使存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等透過封裝體的構(gòu)成部件，也能夠通過覆蓋上述構(gòu)成部件的被覆劑抑制其侵入到封裝體內(nèi)。進而，由于從EVOH不易產(chǎn)生上述揮發(fā)成分，因此，封裝體內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件不會暴露于有機氣體等。其結(jié)果是，由于能夠抑制在激光出射端面形成附著物，因而，能夠抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。另外，本申請發(fā)明人進行深入研究的結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)可將EVOH 用作本發(fā)明的被覆劑這一點。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，封裝體包括含有揮發(fā)性成分的樹脂部件，樹脂部件的位于密封空間內(nèi)的表面由被覆劑覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠有效地隔斷樹脂部件中的揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體的密封空間內(nèi)。另外，由于封裝體能夠使用樹脂部件，因此，與現(xiàn)有的使用金屬材料形成封裝體的情況相比較，能夠簡化制造工藝。由于能夠這樣簡化制造工藝，因而能夠低成本地制造半導(dǎo)體激光裝置。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，在封裝體的內(nèi)底面還設(shè)置有用于搭載上述半導(dǎo)體激光元件的金屬板，金屬板的載置有半導(dǎo)體激光元件的區(qū)域以外的表面由被覆劑覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使在制造工藝中，在載置有半導(dǎo)體激光元件的區(qū)域以外的金屬板的表面附著的污漬也能夠由被覆劑覆蓋。由此，能夠確保封裝體的密封空間內(nèi)更加潔凈。在上述封裝體的內(nèi)底面還具備金屬板的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，封裝體包括含有揮發(fā)性成分的樹脂部件，樹脂部件的位于密封空間內(nèi)的表面和金屬板的載置有半導(dǎo)體激光元件的區(qū)域以外的表面由被覆劑連續(xù)覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于構(gòu)成封裝體的部件的位于密封空間內(nèi)的表面由被覆劑無間隙地可靠地覆蓋，因而能夠可靠地隔斷揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體的密封空間內(nèi)。
在上述封裝體包括含有揮發(fā)性成分的樹脂部件的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，封裝體包括安裝半導(dǎo)體激光元件的樹脂制的基部，基部的位于密封空間內(nèi)的表面由被覆劑覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠有效地隔斷基部所含有的揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體的密封空間內(nèi)。另外，由于能夠使基部為樹脂制，因而能夠低成本地制造半導(dǎo)體激光裝置。在上述封裝體含有樹脂制的基部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，基部由聚酰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯硫醚樹脂、液晶聚合物和感光性樹脂中的任一種構(gòu)成。這樣，即使使用上述的樹脂材料構(gòu)成基部，也能夠通過被覆劑有效地隔斷基部所含有的揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體的密封空間內(nèi)。另外，與現(xiàn)有的用金屬材料形成封裝體的情況等相比較，通過用上述樹脂材料構(gòu)成基部能夠簡化制造工藝。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，還具備受光元件，該受光元件配置在密封空間內(nèi)，并監(jiān)測半導(dǎo)體激光元件的激光強度，受光元件由含有揮發(fā)性成分的導(dǎo)電性粘接層固定在密封空間內(nèi)，固定受光元件的導(dǎo)電性粘接層的在密封空間內(nèi)露出的表面由被覆劑覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使從導(dǎo)電性粘接層產(chǎn)生揮發(fā)性有機氣體的情況下，也能夠通過被覆劑隔斷揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體的密封空間內(nèi)。其結(jié)果是，由于也能夠抑制在除激光出射端面以外的受光元件的受光面形成附著物，所以能夠使用該受光元件精確地控制半導(dǎo)體激光元件的激光輸出。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，封裝體包括基部和安裝于基部的密封用部件，密封用部件的至少位于密封空間內(nèi)的表面由被覆劑覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于由被覆劑覆蓋在密封用部件的密封空間側(cè)的表面附著的污染物質(zhì)等，因此，能夠抑制從這樣的污染物質(zhì)產(chǎn)生的有機氣體充滿封裝體的密封空間內(nèi)，或者污染物質(zhì)自身脫離密封用部件的表面而在密封空間內(nèi)漂浮。另外，還能夠通過設(shè)置于密封用部件的表面(單面)上的被覆劑來提高密封用部件的強度(剛性)。其結(jié)果是，即使使用廉價的部件也能夠容易地形成具有規(guī)定的剛性的密封用部件。在上述封裝體包括基部和密封用部件的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，密封用部件的包括位于密封空間內(nèi)的表面的與基部接合的一側(cè)的大致整個面由被覆劑覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，制造工藝上能夠容易地在密封用部件的單面(內(nèi)表面)上形成被覆劑。另外，不論密封用部件在基部的接合位置(安裝方法)，都能夠由被覆劑可靠地覆蓋密封用部件的位于密封空間內(nèi)的表面。在由被覆劑覆蓋所述密封用部件的與基部接合的一側(cè)的大致整個面的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，在密封用部件與基部的接合區(qū)域上配置有被覆劑。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于被覆劑不僅配置于位于封裝體的密封空間內(nèi)的表面，還配置于密封用部件與基部的接合區(qū)域上，因此， 能夠有效地抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等通過密封用部件與基部的接合區(qū)域侵入到封裝體的密封空間內(nèi)。該情況下，優(yōu)選的是，密封用部件，通過在密封用部件與基部的接合區(qū)域上配置的被覆劑而與基部接合。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒈桓矂┘嬗脼槊芊庥貌考c基部的接合部件。 另外，由于與使用含有揮發(fā)性成分的一般粘接劑將密封用部件和基部接合的情況不同，是使用了不易產(chǎn)生揮發(fā)性成分且氣障性優(yōu)異的EV0H(被覆劑)，因此，能夠有效地抑制揮發(fā)性有機氣體充滿封裝體的密封空間內(nèi)。在與上述密封用部件的基部接合的一側(cè)的大致整個面由被覆劑覆蓋的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，密封用部件由金屬箔構(gòu)成，由金屬箔構(gòu)成的密封用部件的內(nèi)表面的大致整個面由被覆劑覆蓋，所述密封用部件的側(cè)截面從基部的上表面至前表面呈大致L字形狀地折彎。 根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使是將金屬箔折彎成大致L字形狀而形成密封用部件的情況下，也能夠通過沿著密封用部件的內(nèi)表面設(shè)置的被覆劑，容易地提高密封用部件的強度(剛性)。在所述封裝體包括基部和密封用部件的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，基部具有從上表面至前表面設(shè)置有開口部的凹部，凹部的內(nèi)側(cè)面和密封用部件的內(nèi)表面由被覆劑連續(xù)覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于構(gòu)成封裝體的部件的位于密封空間內(nèi)的表面由被覆劑無間隙地可靠地覆蓋，因此，能夠可靠地隔斷從封裝體外部或基部產(chǎn)生的揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體的密封空間內(nèi)。另外，在本發(fā)明中，所謂“前表面”是指從半導(dǎo)體激光元件出射的激光向外部出射的一側(cè)的側(cè)面。在上述封裝體包括基部和密封用部件的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，密封用部件由具有伸縮性的樹脂制成，封裝體通過將基部與密封用部件嵌合而被密封，在密封空間露出的基部和密封用部件的表面由被覆劑覆蓋。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于容易地使基部與密封用部件密接， 因而能夠容易地將封裝體內(nèi)密封。即，由于不需要另外使用用于進行密封的粘接劑等，因而能夠抑制有機氣體的產(chǎn)生。該情況下，優(yōu)選的是，密封用部件具有底部并形成筒狀，密封用部件的筒狀的內(nèi)周面，與基部的外周面周狀(圓周狀，全周狀)嵌合，除了在密封空間露出的基部和密封用部件的表面之外，還在基部與密封用部件周狀嵌合的區(qū)域上配置有被覆劑。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于不僅位于封裝體的密封空間內(nèi)的表面而且密封用部件與基部的接合區(qū)域上也配置有被覆劑，因此，能夠可靠地抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等經(jīng)由密封用部件與基部的接合區(qū)域侵入到封裝體的密封空間內(nèi)。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，封裝體包括基部；安裝于基部的密封用部件；和使從半導(dǎo)體激光元件出射的光透射到外部的窗用部件，窗用部件，通過在密封用部件形成的開口部以外的表面配置的被覆劑，與密封用部件接合。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，不會產(chǎn)生激光與被覆劑接觸等不利影響，能夠使用用于出射激光的窗用部件容易地密封封裝體。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，在封裝體的密封空間內(nèi)設(shè)置有氣體吸收劑。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等泄漏到密封空間內(nèi)，也能夠易于被氣體吸收劑吸收。由此能夠降低封裝體的密封空間內(nèi)的有機氣體等的濃度。該情況下，優(yōu)選的是，氣體吸收劑在與被覆劑接觸的狀態(tài)下，被夾入并固定在密封空間內(nèi)。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于能夠防止設(shè)置于密封空間內(nèi)的氣體吸收劑在密封空間內(nèi)隨意移動，因此能夠易于防止半導(dǎo)體激光元件的激光與氣體吸收劑的接觸。在上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選的是，半導(dǎo)體激光元件包括氮化物系半導(dǎo)體激光元件。這樣，由于在振蕩波長短且要求高輸出的氮化物系半導(dǎo)體激光元件中，在半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面易于形成附著物，因此，使用上述的本發(fā)明的“被覆劑”，在抑制氮化物系半導(dǎo)體激光元件的劣化這一點上是非常有效的。本發(fā)明的第二方面的光裝置具備半導(dǎo)體激光裝置，包括由多個部件構(gòu)成且內(nèi)部具有密封空間的封裝體和配置在密封空間內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件；以及對半導(dǎo)體激光裝置的出射光進行控制的光學(xué)系統(tǒng)，部件的位于密封空間內(nèi)的表面，被由EVOH構(gòu)成的被覆劑覆
至
ΓΤΠ ο在本發(fā)明的第二方面的光裝置中，由于半導(dǎo)體激光裝置以上述方式構(gòu)成，因而能夠得到搭載有可抑制半導(dǎo)體激光元件劣化的半導(dǎo)體激光裝置的光裝置。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基部與密封用部件分離后的狀態(tài)的分解立體圖。圖2是本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖3是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的頂視圖。圖4是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的頂視圖。圖5是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖6是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖7是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖8是本發(fā)明第一實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖9是表示將本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖10是本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖11是表示本發(fā)明的第三實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基部與蓋分離后的狀態(tài)的分解立體圖。圖12是本發(fā)明的第三實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖13是本發(fā)明的第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖14是表示本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的蓋與基部分離后的狀態(tài)的分解立體圖。圖15是本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的沿著寬度方向的中心線的縱截面圖。圖16是用于說明本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的蓋的制造工藝的截面圖。圖17是用于說明本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的蓋的制造工藝的截面圖。圖18是用于說明本發(fā)明的第四實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置的蓋的制造工藝的截面圖。圖19是表示本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的縱截面圖。圖20是表示本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的頂視圖。
圖21是用于說明本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖22是用于說明本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖23是用于說明本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖M是表示本發(fā)明的第六實施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置將密封用部件卸下后的狀態(tài)的頂視圖。圖25是表示具備本發(fā)明第六實施方式的三波長半導(dǎo)體激光裝置的光拾取裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。
具體實施例方式下面，參照

本發(fā)明的實施方式。(第一實施方式)首先，參照圖1和圖2說明本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100包括具有約405nm的振蕩波長的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20 ；和密封藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的封裝體90。封裝體90包括安裝有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的基部10 ；和安裝于基部10且從上方(C2側(cè))和前方(Al側(cè))這兩個方向覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的密封用部件30。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20為本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”之一例。如圖1所示，基部10具有由聚酰胺樹脂形成的具有厚度tl (C方向)的平板狀的基部主體10a。另外，在基部主體IOa的前方的約一半的區(qū)域形成有凹部10b，凹部IOb朝向下方(Cl側(cè))凹進為厚度tl的約一半的深度。另外，在基部主體IOa的前方的前壁部 10c，在寬度方向(B方向)的中央部設(shè)置有具有寬度W3的大致矩形狀的開口部10d。因此， 在凹部IOb配置有在上表面IOi形成開口的大致矩形狀的開口部10e、和前方開口的開口部 IOd0另外，凹部IOb由前壁部10c、從前壁部IOc的兩側(cè)端部向后方(A2側(cè))大致平行延伸的一對側(cè)壁部IOf、連接側(cè)壁部IOf的后方側(cè)(A2側(cè))的端部的內(nèi)壁部10g、前壁部10c、在下部連接一對側(cè)壁部IOf和內(nèi)壁部IOg的底面構(gòu)成。另外，在基部10配置有由金屬制的引線框架構(gòu)成的引線端子11、12和13，其被配置為在相互絕緣的狀態(tài)下從前方向后方貫通基部主體10a。此外，從俯視來看，引線端子11 貫通基部主體IOa的B方向的大致中心，并且，在引線端子11的寬度方向的外側(cè)(B2側(cè)和 Bl側(cè))分別配置有引線端子12和13。另外，引線端子11、12和13的向各自的后方延伸的后端區(qū)域分別從基部主體IOa后方的后壁部IOh露出。另外，引線端子11為本發(fā)明的“金屬板”之一例。另外，引線端子11、12和13的前方的前端區(qū)域lla、12a和13a分別從基部主體 IOa的內(nèi)壁部IOg露出，前端區(qū)域Ila 13a均配置于凹部IOb的底面上。此外，引線端子 11的前端區(qū)域Ila在凹部IOb的底面上沿B方向擴展。另外，凹部IOb的底面為本發(fā)明的 “封裝體的內(nèi)底面”之一例。另外，在引線端子11 一體形成有與前端區(qū)域Ila連接的一對散熱部lid。一對散熱部Ild以引線端子11為中心大致對稱地配置于B方向的兩側(cè)。另外，散熱部Ild從前端區(qū)域Ila延伸，并且，從基部主體IOa的側(cè)面向Bl方向和B2方向貫通并露出到基部10的外部。因此，構(gòu)成為動作的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20發(fā)出的熱向次基臺(SUbmOimt)40和兩側(cè)的散熱部Ild傳導(dǎo)以散熱到半導(dǎo)體激光裝置100的外部。密封用部件30由鋁箔形成。如圖1所示，密封用部件30包括具有約50 μ m的厚度t2和寬度Wl (B方向)的頂面部30a、在頂面部30a的一側(cè)(Al側(cè))的端部折彎并向下方延伸的具有厚度t2和寬度W2(W2<W1)的前面部30b。另外，通過以彼此大致正交的狀態(tài)形成頂面部30a和前面部30b，密封用部件30的A方向的側(cè)截面具有大致L字形狀。另外，前面部30b的寬度W2比開口部IOd的B方向的開口長度W3大(W2 > W3)。另外，如圖2所示，在作為密封用部件30的背面的內(nèi)表面30c上的幾乎所有區(qū)域涂敷有具有約0.2mm厚度的密封劑15。另外，密封劑15使用EVOH樹脂即易包樂(注冊商標(biāo)，可樂麗(kurary)制易包樂F104B)。EVOH樹脂為氣障性優(yōu)異的材料，主要作為多層膜用于食品包裝材料等。另外，在前面部30b的大致中央部，設(shè)置有在厚度方向上貫通密封用部件30的一個孔部34(窗部)。而且，以從前面部30b的外側(cè)(Al側(cè))覆蓋孔部34的方式設(shè)置有具有約0.25mm厚度的由硼硅酸鹽玻璃(borosilicate glass)構(gòu)成的具有透光性的光透過部 35。另外，光透過部35通過涂敷于前面部30b的孔部34以外的外表面的具有約0. Imm厚度的密封劑15粘貼于前面部30b。由此，孔部34被通過密封劑15安裝的光透過部35完全堵塞(封閉)。另外，在光透過部35未涂敷被覆劑16，而在光透過部35的Al側(cè)和A2側(cè)的表面上形成有由Al2O3構(gòu)成的電介質(zhì)膜31。另外，孔部34為本發(fā)明的“開口部”之一例。 另外，光透過部35為本發(fā)明的“窗用部件”之一例。在該狀態(tài)下，通過密封劑15將密封用部件30與基部10接合。S卩，密封用部件30， 在上表面IOi的開口部IOe的周邊(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域、以及一對側(cè)壁部IOf和前壁部IOc的各自的上表面)、前表面(前壁部IOc的外側(cè)面(Al側(cè)))的開口部IOd的周邊通過密封劑15安裝于基部10。S卩，密封用部件30通過配置于密封用部件30和基部10的接合區(qū)域上的兼作本發(fā)明的“被覆劑”的密封劑15與基部10接合。另外，上述的密封劑15的接合區(qū)域具有連續(xù)性且形成為環(huán)狀。由此，開口部IOd和IOe被密封用部件30完全封閉， 通過封裝體90將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20密封。因此，在半導(dǎo)體激光裝置100中，在封裝體90的內(nèi)部的光出射面不產(chǎn)生或者難以產(chǎn)生由揮發(fā)成分引起的附著物等。另外，在引線端子11的前端區(qū)域Ila的上表面大致中央，隔著具有導(dǎo)電性的次基臺40安裝有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。在此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20使光出射面朝向前方，以PN結(jié)側(cè)向上(junction up)的方式安裝。另外，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的一對共振器端面中，出射的激光的光強度相對較大的一個端面為光出射面，相對較小的一個端面為光反射面，激光沿Al方向出射。另外，在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射面和光反射面，通過制造工藝中的端面鍍膜處理，形成由AlN膜、Al2O3膜等構(gòu)成的電介質(zhì)多層膜(未圖示)。 另外，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的上面的ρ側(cè)電極21，與由Au等構(gòu)成的金屬線91的一端線接合，金屬線91的另一端與前端區(qū)域1 連接。另外，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的下表面的η側(cè)電極22經(jīng)由次基臺40與前端區(qū)域Ila電連接。
另外，在次基臺40的后方的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面?zhèn)?，受光面朝向上方地配置有用于監(jiān)視激光強度的光電二極管(PD)42。而且，平板狀的PD42的下表面(η 型區(qū)域)經(jīng)由含有揮發(fā)性成分的由樹脂膏劑(Ag膏等)構(gòu)成的導(dǎo)電性粘接層5，與前端區(qū)域Ila電連接。另外，PD42的上表面(P型區(qū)域)與由Au等構(gòu)成的金屬線92的一端線接合，金屬線92的另一端與前端區(qū)域13a連接。另外，光電二極管(PD)42為本發(fā)明的“受光元件”之一例。另外，如圖1和圖2所示，在位于封裝體90的密封空間(由基部10和密封用部件 30包圍的封閉空間)內(nèi)的各部件的表面，按規(guī)定厚度涂敷有由EVOH樹脂構(gòu)成的被覆劑16。 具體而言，被覆劑16無間隙地連續(xù)覆蓋凹部IOb的內(nèi)側(cè)面(前壁部10c、一對側(cè)壁部IOf 和內(nèi)壁部IOg的內(nèi)側(cè)面和凹部IOb的底面)、次基臺40和PD42接合的部分以外的前端區(qū)域 Ila的表面、前端區(qū)域1 和13a的表面。此時，導(dǎo)電性粘接層5從PD42的下部露出的部分的表面也由被覆劑16覆蓋。另外，涂敷于內(nèi)表面30c上的密封劑15中的、在封裝體90的密封空間內(nèi)露出的密封劑15，兼具作為本發(fā)明的“被覆劑”的功能。因此，位于封裝體90的密封空間內(nèi)的樹脂制的基部主體10a、引線端子11 13和密封用部件30的內(nèi)表面30c完全被本發(fā)明的“被覆劑”覆蓋。另外，如圖1所示，在封裝體90內(nèi)的次基臺40的一側(cè)(Bi側(cè))的前端區(qū)域Ila上， 隔著被覆劑16設(shè)置有由硅膠構(gòu)成的氣體吸收劑49。另外，氣體吸收劑49形成為底面向下的大致半球狀，將從底面至球面頂部的高度設(shè)定為比凹部IOb的深度(tl/幻略小。由此， 如后所述，將氣體吸收劑49以被前端區(qū)域Ila和密封用部件30的背面(內(nèi)表面30c)的密封劑15夾持并粘接的狀態(tài)固定于凹部IOb內(nèi)。這樣構(gòu)成半導(dǎo)體激光裝置100。其次，參照圖1 圖7說明第一實施方式的半導(dǎo)體激光裝置100的制造工藝。首先，如圖3所示，通過蝕刻由鐵和銅等的帶狀薄板構(gòu)成的金屬板，形成引線框架 104，該引線框架104在橫方向(B方向)上反復(fù)圖案形成有散熱部Ild與前端區(qū)域Ila形成為一體的引線端子11，和配置于引線端子11的兩側(cè)的引線端子12和13。此時，各引線端子12和13，以由沿著橫方向延伸的連結(jié)部101和102連結(jié)的狀態(tài)進行圖案形成。另外， 各散熱部Ild以由在橫方向上延伸的連結(jié)部103連結(jié)的狀態(tài)進行圖案形成。然后，如圖4所示，使用樹脂成型裝置在引線框架104成型基部10 (參照圖1)，該基部10具有被一組引線端子11 13貫通的基部主體10a，和使各端子的前端區(qū)域Ila 13a在底面上露出的凹部10b。此時，將基部主體IOa以使各引線端子11 13的前端區(qū)域 Ila 13a均配置于凹部IOb內(nèi)的方式模制成型。另外，使用規(guī)定的制造工藝制作藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、PD42和次基臺40。而且，在次基臺40的一個表面(上表面)上使用導(dǎo)電性粘接層(未圖示)接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的芯片。此時，將η側(cè)電極22側(cè)接合于次基臺40的上表面。然后，如圖4所示，通過導(dǎo)電性粘接層(未圖示)，在前端區(qū)域1 Ia的上表面大致中央(橫方向)的上表面上接合次基臺40。此時，將未接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的次基臺40的下表面?zhèn)扰c前端區(qū)域Ila的上表面接合。接著，在次基臺40的后方的前端區(qū)域 Ila與內(nèi)壁部IOg之間，使用導(dǎo)電性粘接層5接合PD42的下表面。此時，PD42的η型區(qū)域側(cè)與引線端子11接合。然后，如圖1所示，使用金屬線91將ρ側(cè)電極21和前端區(qū)域1 連接。另外，使用金屬線92將PD42的ρ型區(qū)域(上表面)和前端區(qū)域13a連接。然后，以將基部10加熱到約230°C的狀態(tài)，以連續(xù)覆蓋凹部IOb的內(nèi)側(cè)面(前壁部 10c、一對側(cè)壁部IOf和內(nèi)壁部IOg的內(nèi)側(cè)面、和凹部IOb的底面)、次基臺40與PD42接合的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面、前端區(qū)域1 和13a的表面的方式涂敷被覆劑16。由此，在金屬線91和92的引線端子側(cè)的端部附近也涂敷有被覆劑16。將基部10冷卻后，如圖4所示，通過沿著分離線180和190進行切斷，切斷除去連結(jié)部101、102和103。然后，將氣體吸收劑49載置于次基臺40的一側(cè)(Bi側(cè))的前端區(qū)域 Ila上。此時，使氣體吸收劑49的平坦底面向下地載置，并且，以使球面的頂部略小于開口部IOe (上表面IOi)的狀態(tài)載置。另一方面，如圖5所示，在將具有約17μπι的厚度的片狀的鋁箔130加熱到約 220°C的狀態(tài)下，在背面130b上的整個面按約0. 2mm的厚度涂敷密封劑15。然后，在鋁箔 130的規(guī)定區(qū)域隔開規(guī)定的間隔地形成多個孔部34。然后，如圖6所示，在加熱到約220°C的鋁箔130的上表面130a上的各個孔部34 的周圍，呈圓環(huán)狀地涂敷密封劑15。在通過加熱使密封劑15熔融的狀態(tài)下，以封閉孔部34 上的方式將形成有電介質(zhì)膜31的大致圓盤狀的光透過部35壓接。接著，使鋁箔130冷卻， 由此通過密封劑15將光透過部35粘貼于鋁箔130。另外，由于通過冷卻使涂敷于背面130b 上的密封劑15也固化，因此，在成為板狀的密封用部件30產(chǎn)生規(guī)定大小的剛性。接著，如圖7所示，將鋁箔130切割成將密封用部件30在平面上展開的形狀。然后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，將未折彎狀態(tài)的密封用部件30熱壓接于基部10的上表面，并且，將前面部30b以相對于頂面部30a成為垂直的方向的方式，一邊沿著前壁部IOc折彎密封用部件30—邊熱壓接于前壁部IOc的前表面。另外，在周圍的熱的作用下密封劑15開始熔融，因此密封用部件30成為鋁箔130可變形的狀態(tài)。然后，通過冷卻基部10，將密封用部件30安裝于基部10。在安裝該密封用部件30時，由于前端區(qū)域Ila和密封用部件30的背面的密封劑15在熔融的狀態(tài)下與氣體吸收劑49接觸，所以在冷卻后氣體吸收劑49能夠固接于前端區(qū)域Ila和密封用部件30的背面的密封劑15。由此，將密封用部件30形成為圖2所示的形狀。這樣形成半導(dǎo)體激光裝置100。如上所述，在第一實施方式中，位于封裝體90的密封空間(由基部10和密封用部件30包圍的封閉空間)內(nèi)的樹脂制的基部主體10a、PD42的外周部和金屬制的引線端子 11 13等的表面，完全被由EVOH樹脂構(gòu)成的被覆劑16覆蓋。由此，即使從基部10的材料 (聚酰胺樹脂)和導(dǎo)電性粘接層5 OVg膏)等產(chǎn)生揮發(fā)性有機氣體的情況下，也能夠通過被覆劑16來隔斷揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體90的密封空間內(nèi)。另外，即使存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等透過封裝體90的構(gòu)成部件，也能夠通過被覆劑16抑制其侵入(浸入)封裝體90內(nèi)。進而，由于難以從EVOH樹脂產(chǎn)生上述揮發(fā)成分，所以封裝體90內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件20不會暴露于有機氣體等。其結(jié)果是，由于能夠抑制在激光出射端面形成附著物，所以能夠抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20 的劣化。特別是在振蕩波長短且要求高輸出的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20中，由于易于在激光出射端面形成附著物，因此使用被覆劑16是非常有效的。另外，通過使用聚酰胺樹脂形成基部10，與現(xiàn)有的使用金屬材料形成封裝體等情況相比較，能夠簡化制造工藝。從材料成本和簡化制造工藝這一點來看，能夠廉價地制造半導(dǎo)體激光裝置100。另外，引線端子11的前端區(qū)域Ila的、將搭載藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的次基臺 40接合了的區(qū)域以外的表面由被覆劑16覆蓋。由此，在制造工藝上，對于在接合有次基臺 40的區(qū)域以外的前端區(qū)域Ila的表面附著的污漬，也能夠由被覆劑16覆蓋。由此，能夠?qū)⒎庋b體90的密封空間內(nèi)保持得更加潔凈。另外，凹部IOb的內(nèi)側(cè)面(前壁部10c、一對側(cè)壁部IOf和內(nèi)壁部IOg的內(nèi)側(cè)面、凹部IOb的底面)、次基臺40和PD42接合的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面、前端區(qū)域1 和13a的表面，由被覆劑16連續(xù)覆蓋。由此，由于位于構(gòu)成封裝體90的部件的密封空間內(nèi)的表面由被覆劑16無間隙地可靠地覆蓋，因而能夠可靠地隔斷揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體90內(nèi)。另外，由于在固定PD42的導(dǎo)電性粘接層5的密封空間內(nèi)露出的表面由被覆劑16 覆蓋，所以即使是從Ag膏等的導(dǎo)電性粘接層5產(chǎn)生揮發(fā)性有機氣體的情況下，也能夠通過被覆劑16隔斷揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體90內(nèi)。其結(jié)果是，由于除藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的激光出射端面外還能夠抑制在PD42的受光面(ρ型區(qū)域)形成附著物，因此使用 PD42能夠準(zhǔn)確地控制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的激光輸出。另外，由EVOH樹脂構(gòu)成的密封劑15形成于整個內(nèi)表面30c上。該情況下，從基部 10上表面IOi至前壁部10c，側(cè)截面折彎成大致L字形狀的由鋁箔構(gòu)成的密封用部件30的內(nèi)表面30c的大致整個面被密封劑15覆蓋。由此，在密封用部件30的密封空間側(cè)的表面 (內(nèi)表面30c)附著的污染物質(zhì)等被密封劑15覆蓋，因此，能夠抑制這樣的污染物質(zhì)所產(chǎn)生的有機氣體充滿封裝體90的密封空間內(nèi)，或者污染物質(zhì)自身從密封用部件30的表面脫離而在密封空間內(nèi)漂浮。另外，即使由于是薄膜狀而通常由不滿足作為封裝體90的構(gòu)成部件的強度的鋁箔130形成密封用部件30，通過設(shè)置于內(nèi)表面30c整體上的密封劑15，也能夠提高物理強度(剛性)。其結(jié)果是，即使使用廉價的金屬箔也能夠容易地構(gòu)成具有規(guī)定剛性的密封用部件30。另外，通過提高剛性，能夠防止制造工序上的不需要的變形。進而，制造工序上的處理也變得容易。另外，基部10、密封用部件30和光透過部35分別通過由EVOH樹脂構(gòu)成的密封劑 15相互接合。通過該氣障性優(yōu)異的樹脂材料，能夠抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部 (大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等透過密封劑15侵入(進入)到封裝體90 內(nèi)。其結(jié)果是，能夠進一步抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，光透過部35通過密封劑15安裝于密封用部件30。S卩，由于通過使用密封劑15，而不是使用丙烯酸樹脂系(類)粘接劑和環(huán)氧樹脂系(類)粘接劑等粘接劑地，將光透過部35和密封用部件30接合，因此，密封于封裝體90內(nèi)的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20不會暴露于粘接劑所產(chǎn)生的有機氣體。因此，能夠有效地抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，光透過部35通過在形成于密封用部件30的孔部34(窗部)以外的前面部 30b配置的密封劑15，與密封用部件30接合。由此，不會產(chǎn)生激光與密封劑15接觸等不利影響，能夠使用用于出射激光的光透過部35容易地密封封裝體90。另外，上述的由EVOH樹脂構(gòu)成的密封劑15為具有通過加熱(約220°C)而熔融的性質(zhì)的樹脂材料，因此，能夠容易地涂敷于密封用部件30與光透過部35的接合部分和密封用部件30與基部10的接合部分。另外，由于密封劑15隨著降溫(冷卻)而固化，能夠容易地進行上述部件彼此的接合。由此，不需要復(fù)雜的制造工藝就能夠通過使基部10、密封用部件30和光透過部35相互接合而將封裝體90密封。在此，為了確認(rèn)使用EVOH樹脂作為密封劑15和被覆劑16的有效性而進行如下實驗。首先，在具有9mm直徑(外徑)的金屬制主干(stem)(基部)上安裝藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20，并且，在金屬制的蓋部(帶玻璃窗)的內(nèi)側(cè)面裝入有切成約5mg的EVOH樹脂的顆粒的狀態(tài)下，蓋住蓋部進行密封。而且，在70°C的條件下，通過自動光量控制(APC)，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20出射被調(diào)整為IOmW的輸出的激光250個小時而進行了工作試驗。 其結(jié)果是，經(jīng)過250個小時后，半導(dǎo)體激光裝置的工作電流也未發(fā)生明顯變化。另外，作為比較例，進行了在未裝入EVOH樹脂的狀態(tài)下密封的半導(dǎo)體激光裝置中的工作試驗。與經(jīng)過 250個小時后的比較例相比較，工作電流也未發(fā)現(xiàn)顯著的差異。根據(jù)該結(jié)果可確認(rèn)EVOH樹脂極難產(chǎn)生有機氣體等，進而可確認(rèn)密封劑15和被覆劑16使用EVOH樹脂的有效性。另外，密封用部件30以覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的方式安裝于基部10，密封用部件30和光透過部35通過密封劑15接合。由此，在通過密封劑15將密封用部件30 和光透過部35接合時，能夠通過具有透光性的光透過部35確認(rèn)密封劑15的接合狀態(tài)，因此，能夠在密封劑15中不混入氣泡等地將密封用部件30和光透過部35可靠地接合。其結(jié)果是，能夠提高接合部位上的密封用部件30與光透過部35的密接性。另外，由于光透過部 35設(shè)置于與金屬線91和92分開的位置，因而不易受到金屬線91和92的焊錫(焊劑)熔融時的熱影響。若考慮到EVOH樹脂具有熱可塑性這一點，則在將本發(fā)明的密封劑15用于不易受到熱影響的光透過部35的接合這一點上來看是有效的。另外，將密封用部件30和光透過部35通過密封劑15進行熱壓接而接合，然后，通過密封劑15將密封用部件30和基部10熱壓接而接合。即，在半導(dǎo)體激光裝置100的制造工藝中，由于使用在制造工序上容易處理的由EVOH樹脂構(gòu)成的密封劑15，因而不需要復(fù)雜的制造工藝，就能夠使基部10、密封用部件30和光透過部35相互接合而將封裝體90密封。另外，通過在封裝體90內(nèi)設(shè)置氣體吸收劑49，能夠使氣體吸收劑49吸收基部主體 IOa所產(chǎn)生的揮發(fā)性有機氣體。由此，能夠減小封裝體90內(nèi)的有機氣體濃度。其結(jié)果是，能夠更可靠地抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，氣體吸收劑49在與前端區(qū)域Ila上的被覆劑16、密封用部件30的內(nèi)表面 30c上的密封劑15接觸的狀態(tài)下，被夾入密封空間(凹部IOb)內(nèi)進行固定。由此能夠防止氣體吸收劑49在密封空間內(nèi)隨意移動，因而，能夠容易地防止藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的激光與氣體吸收劑49接觸。(第一實施方式的變形例)下面，說明第一實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置105。如圖8所示，在該半導(dǎo)體激光裝置105中，使用具有約50 μ m厚度的鋁箔形成密封用部件30。此時，在位于封裝體90的密封空間內(nèi)的密封用部件30的內(nèi)表面30c上未涂敷密封劑15，鋁箔的表面在密封空間內(nèi)露出。另一方面，以包圍如圖1所示的開口部IOe和IOd的周圍的方式，在基部主體 IOa的上表面IOi的開口部IOe的周邊區(qū)域(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域、以及一對側(cè)壁部IOf 和前壁部IOc各自的上表面)、前表面(前壁部IOc的外側(cè)面(Al側(cè)))的開口部IOd的周邊區(qū)域上按規(guī)定厚度涂敷有密封劑15。在該狀態(tài)下，密封用部件30通過使頂面部30a和前面部30b的內(nèi)表面30c的外緣部附近密接于密封劑15而安裝于基部10。另外，第一實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置105的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式大致相同，在圖中，添加與第一實施方式相同的附圖標(biāo)記進行圖示。另外，在半導(dǎo)體激光裝置105的制造工藝中，對在下表面130b上未涂敷密封劑15 的鋁箔130(參照圖5)，與第一實施方式一樣地粘貼有光透過部35。制作出與第一實施方式同樣的密封用部件30后，以使光透過部35成為外側(cè)的方式將前面部30b的部分相對于頂面部30a在垂直的方向上折彎。由此，密封用部件30與第一實施方式不同，在熱壓接于基部10之前預(yù)先成形為圖8所示的形狀。然后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，以包圍基部10的開口部IOe和IOd 的周圍的方式，且以連續(xù)覆蓋上表面IOi的開口部IOe的周邊(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域、以及一對側(cè)壁部IOf和前壁部IOc各自的上表面)和前表面(前壁部IOc的外側(cè)面)的開口部IOd的周邊上的方式涂敷密封劑15。在通過加熱使密封劑15熔融的狀態(tài)下，將密封用部件30熱壓接于基部10。然后，通過使基部10冷卻，在基部10安裝密封用部件30。另外，其他的工藝與第一實施方式的制造工藝大致相同。另外，第一實施方式的變形例的效果與第一實施方式一樣。(第二實施方式)下面，說明本發(fā)明的第二實施方式的半導(dǎo)體激光裝置200。在該半導(dǎo)體激光裝置 200中，如圖9和圖10所示，封裝體90具有基部10 ；安裝于基部10且分別從上方(C2側(cè)) 和前方(Al側(cè))覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的密封用部件45和窗用部件46。另外，在半導(dǎo)體激光裝置200中，也可以在凹部IOb內(nèi)不設(shè)置氣體吸收劑49 (參照圖1)，而是在凹部 IOb內(nèi)設(shè)置氣體吸收劑49。密封用部件45由具有約15 μ m厚度t3的鋅白銅(銅鎳鋅合金)等Cu合金箔片構(gòu)成。另外，密封用部件45具有與基部主體IOa的平面形狀大致相同的平面形狀，后方的寬度為W21，前方的寬度為W22。另外，在密封用部件45的背面45c上的大致整個區(qū)域涂敷有具有約0. 2mm的厚度的密封劑15。窗用部件46利用由硼硅酸鹽玻璃(硬質(zhì)玻璃)構(gòu)成的平板狀的玻璃板構(gòu)成。另外，窗用部件46具有約0. 25mm的厚度t4(A方向)、寬度W22(B方向)和與凹部IOb的深度(tl/2)大致相等的高度W23(C方向)，安裝在開口部IOd內(nèi)。此時，在窗用部件46與基部主體IOa之間按規(guī)定厚度涂敷有密封劑15，該密封劑15連續(xù)覆蓋開口部IOd的內(nèi)側(cè)面 (開口部IOd的引線端子11的前端區(qū)域Ila的上表面和一對側(cè)壁部IOf各自的內(nèi)側(cè)面)。 在該狀態(tài)下，窗用部件46在使下表面46a和兩側(cè)面46c與密封劑15密接(粘合)的狀態(tài)下安裝。另外，在窗用部件46的表面(Al側(cè)和A2側(cè))上形成有電介質(zhì)膜31。而且，將密封用部件45從開口部IOe的上方安裝于基部10。S卩，密封用部件45 在基部主體IOa的上表面IOi上(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域和一對側(cè)壁部IOf各自的上表面上)和窗用部件46的上表面46b上，通過密封劑15安裝于基部10。另外，散熱部211d設(shè)置于基部主體IOa的后方區(qū)域。另外，在次基臺40的后方(A2側(cè))的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面?zhèn)?，使受光面朝向上?C2方向)地配置有PD42。而且，將PD42的下表面(η型區(qū)域)與次基臺 40電連接。另外，半導(dǎo)體激光裝置200的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式大致相同，在圖中添加與第一實施方式相同的附圖標(biāo)記進行圖示。另外，在半導(dǎo)體激光裝置200的制造工藝中，首先，形成將散熱部211d與引線端子 11 13—起反復(fù)進行圖案化所得到的引線框架，然后使用樹脂成型裝置對基部主體IOa進行模制成型。另外，基部主體IOa以使前端部210c與引線端子11的前端區(qū)域Ila的前端面211e在同一面上一致的方式進行成型。然后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，在開口部IOd的內(nèi)側(cè)面(開口部IOd 的前端區(qū)域Ila的上表面和一對側(cè)壁部IOf各自的內(nèi)側(cè)面)上涂敷密封劑15 (參照圖9)。 在通過加熱使密封劑15熔融的狀態(tài)下，以嵌入開口部IOd的方式邊進行熱壓接邊安裝窗用部件46。由此，窗用部件46在將下表面46a和兩側(cè)面46c通過密封劑15與前端區(qū)域Ila 的上表面和側(cè)壁部IOf的內(nèi)側(cè)面密接的狀態(tài)下安裝于基部主體10a。然后，對基部10進行UV清洗處理或者在真空中進行約200°C的加溫處理。由此， 將附著于凹部IOb的制造工藝中的污漬、包含于聚酰胺樹脂中的水分和溶劑蒸發(fā)除去。然后，將使用導(dǎo)電性粘接層(未圖示)接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和PD42 的次基臺40接合在前端區(qū)域Ila的上表面大致中央(橫方向)。此時，使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射面朝向窗用部件46 —側(cè)，并且，將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面和PD42朝向內(nèi)壁部IOg —側(cè)地進行配置。然后，使用金屬線91將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的ρ側(cè)電極21與引線端子12的前端區(qū)域1 連接。另外，使用金屬線92將PD42的上表面與引線端子13的前端區(qū)域13a 連接。另外，對于密封用部件45，在加熱到約220°C的狀態(tài)下，在背面45c上的整個面按約0. 2mm的厚度涂敷密封劑15(EV0H樹脂)，冷卻后，通過以具有與基部主體IOa的平面形狀大致相同的平面形狀(參照圖9)的方式對鋅白銅片進行切割而形成。然后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，以覆蓋開口部IOd的方式將密封用部件45熱壓接在上表面IOi上和上表面46b上。由此，密封用部件45在將背面45c通過密封劑15密接在上表面IOi上和上表面46b上的狀態(tài)下安裝于基部主體10a。另外，其他的工藝與第一實施方式中的制造工藝大致相同。在第二實施方式中，如上所述，將基部主體IOa的開口部IOd通過密封劑15被窗用部件46密封，并且，將基部主體IOa的開口部IOe通過密封劑15被密封用部件45密封。 由于使用密封劑15能夠更加無間隙且牢固地安裝基部主體IOa和窗用部件46及密封用部件45，因而能夠可靠地密封封裝體90。由此，能夠抑制封裝體90內(nèi)部的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，由于通過密封用部件45和窗用部件46分別將從基部主體IOa的上表面IOi 至前端部210c形成開口的開口部IOd和IOe密封，因此，在開口部IOe的上表面IOi側(cè)和開口部IOd的前端部210c側(cè)的邊界部分不易產(chǎn)生間隙。由此，能夠?qū)⒎庋b體90可靠地密封，所以能夠可靠地抑制封裝體90內(nèi)部的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。 另外，通過密封劑15將窗用部件46和密封用部件45安裝于基部主體10a，由此能夠不增加制造成本地使用現(xiàn)有的制造設(shè)備容易地制造半導(dǎo)體激光裝置200。(第三實施方式)下面，說明本發(fā)明的第三實施方式的半導(dǎo)體激光裝置300。如圖11和圖12所示，該半導(dǎo)體激光裝置300中，由金屬制的基部310和金屬制的蓋部330構(gòu)成封裝體90。另外， 蓋部330為本發(fā)明的“密封用部件”之一例?；?10由表面實施了鍍Ni-AuWi^-Ni-Co合金即可伐合金(kavor，科瓦鐵鎳鈷合金)構(gòu)成?；?10包括具有規(guī)定厚度(A方向)且形成為大致圓盤狀的主干部310a ； 和在主干部310a的前表面310c的下部區(qū)域(Cl側(cè))形成、在截面(寬度方向(B方向)) 具有半月(半圓)形狀的狀態(tài)下向前方(激光出射方向(Al方向))突出的臺座部310b。另外，在基部310設(shè)置有與主干部310a導(dǎo)通的引線端子11 ；分別在與引線端子 11通過被可伐合金玻璃等低熔點玻璃319密閉而絕緣的狀態(tài)下，以從前方向后方(A2側(cè)) 貫通主干部310a的方式配置的引線端子12和13。另外，引線端子11 13的向各自的后方延伸的后端區(qū)域分別從主干部310a的后方的后表面310h露出。另外，在臺座部310b的上表面大致中央，隔著次基臺40安裝有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。另外，在與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面(A2側(cè))相對的位置上的主干部310a的前表面310c上，使受光面朝向前方地配置有PD42。另外，PD42的下表面(η型區(qū)域)通過導(dǎo)電性粘接層5與主干部310a電連接。另外，以覆蓋除PD42的受光面以外的外周部、沿著該外周部露出的導(dǎo)電性粘接層5的表面、導(dǎo)電性粘接層5的周圍的主干部310a 的表面的方式，呈周狀(全周狀，圓周狀)地涂敷有被覆劑16。蓋部330的主體由在表面實施了鍍Ni的可伐合金形成，具有形成為大致圓筒狀的側(cè)壁部330a和將側(cè)壁部330a的一方(Al側(cè))封閉(堵塞)的底部330b。另外，在蓋部330 的側(cè)壁部330a開口的一側(cè)(A2側(cè))，呈周狀(圓周狀)地形成有安裝部330g。另外，在安裝部330g的端面330h形成有電阻焊接(熔接)時使用的突起部330i。另外，在蓋部330的底部330b的大致中央部設(shè)置有孔部34。而且，以從底部330b 的外側(cè)(Al側(cè))覆蓋孔部34的方式設(shè)置有形成為矩形形狀的硼硅酸鹽玻璃制的光透過部 35。此時，光透過部35通過涂敷于底部330b的孔部34以外的外表面的具有約0. Imm厚度的密封劑15粘貼(貼附)于底部330b。另外，如圖12所示，沿著光透過部35的外緣部，以與底部330b、密封劑15和光透過部35接觸的方式呈圓周狀地堆積有被覆劑18。即，將底部330b和光透過部35接合的密封劑15的側(cè)面(外側(cè)面)被由透濕性比密封劑15小的材料構(gòu)成的被覆劑18覆蓋。該被覆劑18選用由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的光固化或者熱固化性樹脂中的透濕性低的材料。因此，通過被覆劑18能夠防止密封劑15與大氣直接接觸。另外，在蓋部330的內(nèi)表面330c不涂敷被覆劑16。另外，半導(dǎo)體激光裝置300的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式大致相同，在圖中添加與第一實施方式相同的附圖標(biāo)記進行圖示。另外，在半導(dǎo)體激光裝置300的制造工藝中，首先，如圖11所示，在設(shè)置有引線端子11 13的基部310的臺座部310b上，使用導(dǎo)電性粘接層(未圖示)將接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的次基臺40接合。接著，在次基臺40的后方且臺座部310b的上方的前表面310c上，使用導(dǎo)電性粘接層5接合PD42的下表面(η型區(qū)域)。然后，將以覆蓋PD42的外周部的方式預(yù)先被切割成框狀的被覆劑16(EV0H樹脂) 的膜以與受光面不接觸的方式從PD42的上方覆蓋。在該狀態(tài)下，通過將基部310加熱到約 2000C，被覆劑16熔融，呈周狀地覆蓋除PD42的受光面以外的外周部、沿著該外周部露出的導(dǎo)電性粘接層5的表面、導(dǎo)電性粘接層5周圍的主干部310a的表面。使主干部310a冷卻后，進行金屬線91和92的引線接合(wire bonding)。然后，在將蓋部330加熱到約220°C的狀態(tài)下，從底部330b的外側(cè)在孔部34的周圍涂敷密封劑15。在通過加熱使密封劑15熔融的狀態(tài)下，以覆蓋在孔部34上的方式通過密封劑15壓接光透過部35后，使蓋部330冷卻。然后，以覆蓋沿著光透過部35的外緣部露出的密封劑15的方式堆積被覆劑18。由此形成蓋部330。最后，沿著圖11所示的箭頭P (A2方向)，將蓋部330安裝于基部310。此時，使用蓋封機，將安裝部330g的端面330h在呈周狀(圓周狀)地抵接于主干部310a的外緣部附近的狀態(tài)下通過電阻焊接進行安裝。由此，將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20氣密密封。另外， 其他工藝與第一實施方式中的制造工藝大致相同。由此形成半導(dǎo)體激光裝置300。在第三實施方式中，如上所述，由于蓋部330形成為具有底部330b的圓筒狀，因而，能夠通過在蓋部330的長度方向(圓筒形狀延伸的方向(A方向))上延伸的側(cè)壁部330a 的內(nèi)側(cè)面，在呈周狀地包圍藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的狀態(tài)下將封裝體90密封。另外，將蓋部330(底部330b)和光透過部35接合的密封劑15的側(cè)面(外側(cè)面)， 被由透濕性比密封劑15小的材料構(gòu)成的被覆劑18覆蓋。由此，能夠通過被覆劑18可靠地抑制存在于外部(大氣中)的濕氣(水分)等從底部330b與光透過部35的接合部位通過密封劑15侵入到封裝體90內(nèi)部。另外，與由低融點玻璃安裝光透過部的通常的蓋部一樣，能夠使用蓋封機且通過電阻焊接將蓋部330安裝于主干部310a，因而，能夠既不增加制造成本又可使用現(xiàn)有的制造設(shè)備容易地制造半導(dǎo)體激光裝置300。另外，第三實施方式的其他效果與第一實施方式相同。(第三實施方式的變形例)下面，說明第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置305。如圖I3所示，在該半導(dǎo)體激光裝置305中，以從蓋部330的底部330b的內(nèi)側(cè)(內(nèi)表面330c)覆蓋孔部34的方式， 通過密封劑15粘貼有光透過部35。另外，在從內(nèi)側(cè)安裝有光透過部35的孔部34的內(nèi)側(cè)面附近，以與孔部34、密封劑15和光透過部35接觸的方式，呈周狀地堆積有被覆劑18。艮口， 將底部330b和光透過部35接合的密封劑15的側(cè)面(內(nèi)側(cè)面)由被覆劑18覆蓋。另外， 第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置305的其他結(jié)構(gòu)與第三實施方式大致相同，圖中添加與第三實施方式相同的附圖標(biāo)記進行圖示。另外，在第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置305的制造工藝中，通過密封劑15將光透過部35熱壓接于蓋部330的底部330b的內(nèi)表面330c之后，以覆蓋在孔部34 的內(nèi)側(cè)面?zhèn)嚷冻龅拿芊鈩?5的方式堆積有被覆劑18。另外，其他工藝與第三實施方式的制造工藝大致相同。另外，第三實施方式的變形例的效果與第三實施方式相同。(第四實施方式)下面，說明本發(fā)明的第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置400。如圖14所示，該半導(dǎo)體激光裝置400中，均是利用由聚酰胺樹脂構(gòu)成的基部410和蓋部430構(gòu)成封裝體90。另外，蓋部430為本發(fā)明的“密封用部件”之一例。基部410包括具有外徑Dl的大致圓柱狀的頭部410a、頭部410a的前表面410c 的下側(cè)約一半向前方(Al方向)延伸的臺座部410b。另外，如圖15所示，對基部410的外周面410k與前表面410c、410e相交的緣部410g呈周狀地實施了倒角加工。另外，在引線端子11 一體化形成有與前端區(qū)域Ila連接的一對散熱部411d。具體而言，在引線端子11形成有從前端區(qū)域Ila的寬度方向(B2側(cè)和Bl側(cè))的兩端部分別向后方(A2方向)延伸的連接部411c。另外，連接部411c分別從前端區(qū)域Ila在引線端子 12和13的外側(cè)(B2側(cè)或者Bl側(cè))向后方延伸，并且，從基部410的前表面410c隱藏到頭部410a內(nèi)，然后貫通后表面410h。而且，散熱部411d與從基部410的后表面410h露出的連接部411c的后端區(qū)域連接。另外，散熱部411d從與連接部411c連接的位置向前方(Al 方向)延伸。因此，如圖14所示，一對散熱部411d分別相對于基部410的外周面410k隔開寬度W6的間隔與外周面410k大致平行地延伸。蓋部430包括具有內(nèi)徑D2和外徑D3的大致形成為圓筒狀的側(cè)壁部430a、將側(cè)壁部430a的一側(cè)(Al側(cè))封閉的底部430b。側(cè)壁部430a具有約0. 5mm的厚度(壁厚)tl， 并且，底部430b具有比厚度tl略大的厚度t2 (t2 ^tl)0另外，蓋部430的內(nèi)徑D2比頭部 410a的外徑Dl略小。另外，在側(cè)壁部430a形成開口的一側(cè)(A2側(cè))，未形成第三實施方式那樣的安裝部330g。另外，蓋部430在除了孔部34之外的內(nèi)表面430c的大致整個區(qū)域上， 按約0. 3mm的厚度涂敷有密封劑15。如圖15所示，在該狀態(tài)下，在半導(dǎo)體激光裝置400，頭部410a構(gòu)成為從A2側(cè)向Al 側(cè)滑動地嵌入蓋部430。S卩，頭部410a的外周面410k和蓋部430的內(nèi)表面430c通過密封劑15呈周狀地嵌合。由此，可在封裝體90內(nèi)氣密密封有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。另外，在位于封裝體90的密封空間(由基部410和蓋部430包圍的封閉空間)內(nèi)的各部件的表面涂敷有被覆劑16。具體而言，被覆劑16無間隙地連續(xù)覆蓋基部410的臺座部410b、前表面410c、前表面410e和緣部410g ；接合有次基臺40的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面；線接合有金屬線的前端區(qū)域1 和13a的表面。因此，位于封裝體90的密封空間內(nèi)的樹脂制的基部410和線接合有金屬線的前端區(qū)域1 和13a的表面完全由被覆劑16覆蓋。另外，涂敷于上述蓋部430的內(nèi)表面430c上的密封劑15中的、在封裝體90的密封空間內(nèi)露出的密封劑15兼起到本發(fā)明的“被覆劑”的作用。其中，金屬部件的表面不一定需要由被覆劑16覆蓋。另外，在基部410的外周面410k與其兩側(cè)的散熱部411d之間形成有間隙(缺口部)，該間隙具有比蓋部430側(cè)壁部430a的厚度tl大的寬度W6。因此，在將蓋部430與基部410嵌合的狀態(tài)下，散熱部411d與蓋部430的側(cè)壁部430a不發(fā)生干涉(接觸)地配置于蓋部430的外側(cè)。另外，第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置400的其他結(jié)構(gòu)與第三實施方式大致相同，圖中添加與第三實施方式相同的附圖標(biāo)記進行圖示。另外，在第四實施方式的半導(dǎo)體激光裝置400的制造工藝中，首先，使用與第二實施方式同樣的制造工藝，對具有上述形狀的基部410進行成型。然后，在設(shè)置有引線端子 11 13的基部410的臺座部410b上，使用導(dǎo)電性粘接層(未圖示)將接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和PD42的次基臺40接合。將金屬線91和92線接合后，在將基部410加熱到約230°C的狀態(tài)下涂敷被覆劑 16，使得其連續(xù)地覆蓋基部410的臺座部410b、前表面410c、前表面410e和緣部410g ；接合有次基臺40的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面；線接合有金屬線的前端區(qū)域1 和13a 的表面。
另一方面，使聚酰胺樹脂流入具有規(guī)定形狀的第一模型(未圖示)并使其固化。 由此，將成為在底部431b具有孔部34的蓋部430的原形的凹狀的框體431 (參照圖16)成型。另外，在加熱到約220°C的條件下，使EVOH樹脂流入具有規(guī)定形狀的第二模型(未圖示)后，進行冷卻，由此將由EVOH樹脂構(gòu)成的凹狀的框體315(參照圖16)成型。此時，在框體315的底部31 也形成孔部34。在使底部431b和31 相對的狀態(tài)下從框體315的上方(C2側(cè))蓋上框體431而成的結(jié)構(gòu)，被置于可動上模401與固定下模402之間。然后，如圖17所示，在將模型加熱到約220°C的狀態(tài)下，將可動上模401嵌入固定下模402。此時，在固定下模402的上表面(C2 側(cè))上載置有形成為大致圓盤狀的玻璃制的光透過部35的狀態(tài)下進行熱壓接。然后，通過冷卻模型，將蓋部430成型。另外，在可動上模401的內(nèi)側(cè)面和固定下模402的外側(cè)面設(shè)置有起模斜度。由此，成型后的蓋部430，在側(cè)壁部430a開口的一側(cè)(A2側(cè))的外徑(內(nèi)表面 430c的內(nèi)徑)比底部430b附近的側(cè)壁部430a的外徑(內(nèi)表面430c的內(nèi)徑)略大。然后，在將基部410加熱到約200°C的狀態(tài)下，使基部410朝向蓋部430直線地滑動并嵌合來將封裝體90密封。另外，其他工藝與第三實施方式中的制造工藝大致相同。在第四實施方式中，如上所述，由于密封劑15形成于成為蓋部430的背面的整個內(nèi)表面430c上，因此，即使從蓋部430的樹脂材料產(chǎn)生揮發(fā)性有機氣體的情況下，也能夠通過密封劑15有效地抑制揮發(fā)性有機氣體泄漏到封裝體90的密封空間內(nèi)。另外，由于密封劑15形成于蓋部430的整個內(nèi)表面430c上，因而即使是成型后的聚酰胺樹脂的厚度比較小的情況下，也能夠通過密封劑15提高物理強度(剛性)。其結(jié)果是，能夠容易地構(gòu)成具有規(guī)定剛性的蓋部430。另外，通過基部410與蓋部430嵌合而將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20密封，由此，能夠容易地將蓋部430的內(nèi)表面430c與基部410的外周面410k密接，因而，能夠?qū)⒎庋b體90 內(nèi)容易地密封。即，由于不需要另外使用用于密封的粘接劑等，因此能夠抑制有機氣體的產(chǎn)生。另外，第四實施方式的其他效果與第三實施方式相同。(第四實施方式的變形例)下面，說明第四實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置405。在該半導(dǎo)體激光裝置 405中，使用鋁箔形成蓋部430。另外，第四實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置405的其他結(jié)構(gòu)與第四實施方式大致相同，圖中添加與第四實施方式相同的附圖標(biāo)記進行圖示。另外，在第四實施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置405的制造工藝中，如圖18所示，在將具有約20 μ m厚度的片狀鋁箔130加熱到約220°C的狀態(tài)下，在下表面(背面)131b 上的整個面涂敷密封劑15約0. 2mm的厚度并進行冷卻后，形成孔部34。然后，在可動上模 401和固定下模402之間以密封劑15成為下表面(Cl側(cè))的方式放置鋁箔130的狀態(tài)下， 將可動上模401嵌入固定下模402。這樣將蓋部430成型。另外，通過蓋部430的成型，在成為大致筒狀的鋁箔130的側(cè)壁部430a的外側(cè)面(內(nèi)側(cè)面)形成褶皺。另外，其他工藝與第四實施方式的制造工藝大致相同。另外，第四實施方式的變形例的效果與第四實施方式同樣。(第五實施方式)下面，說明本發(fā)明的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置500。如圖19所示，該半導(dǎo)體激光裝置500中，封裝體90包括基部550 ；安裝于基部550、從一側(cè)(側(cè)方)(A方向和B方向)包圍藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的Si (100)基板510 ；安裝于Si (100)基板510、從上方(C2側(cè))覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的密封玻璃560。另外，Si (100)基板510和密封玻璃560分別為本發(fā)明的“密封用部件”和“窗用部件”之一例。另外，圖19是沿著圖20 的590-590線的截面圖?；?50由作為絕緣體的光致抗蝕劑(Photo solder resist，光致阻焊劑)構(gòu)成。 在此，所謂光致抗蝕劑是指使用只有感光的部分發(fā)生結(jié)構(gòu)變化而不溶于溶劑(溶媒)等的感光性樹脂的絕緣用覆膜。另外，基部550將具有在厚度方向(C方向)上貫通的貫通孔 501(參照圖21)的Si (100)基板510的一方(Cl側(cè))的開口部501b (參照圖21)封閉。此時，基部550通過設(shè)置于Si (100)基板510的下表面510b的粘接樹脂551接合。由此，由基部550和Si (100)基板510構(gòu)成具有上方開口的開口部511a的凹部511。而且，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20在上表面20b比Si (100)基板510的上表面510a靠下方(Cl側(cè))的狀態(tài)下載置于次基臺40上。另外，光致抗蝕劑為本發(fā)明的“感光性樹脂”之一例。另外，板狀(平板狀)的密封玻璃560由具有約500 μ m的厚度的硼硅酸鹽玻璃 (硬質(zhì)玻璃)構(gòu)成。而且，密封玻璃560通過密封劑15安裝于Si (100)基板510的上表面 510a上。即，密封玻璃560從上表面510a上方蓋上，將凹部511的開口部511a封閉，載置于凹部511的底面516上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20被氣密密封于封裝體90內(nèi)。另外， 密封玻璃560的平面形狀以與Si (100)基板510大致相同的方式構(gòu)成。另外，如圖19所示，在后述的制造工藝中，通過對具有相對于(100)面大致傾斜約 9.7°的主表面(上表面510a)的Si (100)基板510進行各向異性蝕亥lj，在Si (100)基板 510形成由Si (111)面構(gòu)成的四個內(nèi)側(cè)面512、513、514和515。通過使用具有該約9. 7°傾斜的主表面的Si (100)基板510，內(nèi)側(cè)面512相對于基部550的上表面550a (底面516)具有約45°的傾斜角度α地傾斜，并且，內(nèi)側(cè)面513相對于上表面550a(底面516)具有約 64.4°的傾斜角度β地傾斜而形成。另外，內(nèi)側(cè)面514和515(參照圖20)都是以相對于上表面550a(底面516)具有約7°的傾斜角度地傾斜的方式形成。另外，由四個內(nèi)側(cè)面512、513、514、515和形成于基部550的上表面(C2側(cè)的表面) 上的粘接樹脂551構(gòu)成凹部511。另外，粘接樹脂551用于將Si (100)基板510和基部550 接合，如圖19所示，凹部511的底面516實質(zhì)上由粘接樹脂551的上表面的一部分構(gòu)成。另外，Si (100)基板510具有高電阻率(絕緣性)，從上表面510a至下表面510b具有約500 μ m 的厚度。另外，在基部550(粘接樹脂551)的上表面550a中的在凹部511內(nèi)露出的區(qū)域 (成為凹部511的底面516的區(qū)域)，形成有用于對次基臺40進行晶片接合(die bonding) 的由Cu等構(gòu)成的配線電極531。由此，次基臺40的背面(C2側(cè)的表面)在從凹部511內(nèi)的大致中央靠Al側(cè)(內(nèi)側(cè)面512側(cè))的位置上，通過導(dǎo)電性粘接層(未圖示)與配線電極 531的表面接合。另外，在凹部511內(nèi)露出的配線電極531具有比次基臺40大的平面面積， 次基臺40載置于形成有配線電極531的區(qū)域內(nèi)。另外，配線電極531具有從載置有次基臺 40的位置起沿著Al方向延伸的引出配線部531a。另外，在內(nèi)側(cè)面512中的與光出射面相對的區(qū)域，在內(nèi)側(cè)面512的表面上形成有金屬反射膜561。由此，在半導(dǎo)體激光裝置500中，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射面向Al方向出射的激光，在凹部511的內(nèi)側(cè)面512(金屬反射膜561)被反射向上方后，透過
21密封玻璃560向外部出射。另外，由內(nèi)側(cè)面512和金屬反射膜561構(gòu)成用于使激光向外部反射的反射裝置。另外，如圖20所示，在凹部511的底面516中的未形成配線電極531的區(qū)域，形成有具有矩形形狀(約100 μ mX約100 μ m的大小)的線接合用的配線電極532和533。艮口， 以在被次基臺40和內(nèi)側(cè)面513夾著的區(qū)域中的靠內(nèi)側(cè)面514 (B2側(cè))的區(qū)域，配線電極532 露出，并且，在靠內(nèi)側(cè)面515(B1側(cè))的區(qū)域露出地形成有配線電極533。另外，配線電極532 和533具有沿著A2方向延伸的引出配線部53 和533a。因此，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的上表面的ρ側(cè)電極21與金屬線91的一端線接合，金屬線91的另一端與配線電極532連接。另外，在PD42的上表面(ρ型區(qū)域) 線接合有金屬線92的一端，金屬線92的另一端與配線電極533連接。另外，PD42通過在上下方向(C方向)上貫通次基臺40的電極36，將下表面(η型區(qū)域)與配線電極531導(dǎo)通。 另外，接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的下表面(η側(cè)電極22)的焊盤電極571與金屬線 93的一端線接合，金屬線93的另一端與配線電極531連接。另外，在引出配線部531a、532a 和533a各自的端部形成有由Au-Sn焊料構(gòu)成的焊錫球524。另外，在位于封裝體90的密封空間(由基部550、Si(100)基板510的內(nèi)側(cè)面和密封玻璃560包圍的封閉空間)內(nèi)的部件的表面，按規(guī)定厚度涂敷有被覆劑16。具體而言，被覆劑16無間隙地連續(xù)覆蓋凹部511內(nèi)的粘接樹脂551的表面、接合有次基臺40和PD42的部分以外的配線電極531的表面、配線電極532和533的表面。因此，位于封裝體90的密封空間內(nèi)的基部550和配線電極531 533等的表面完全由被覆劑16覆蓋。另外，第五實施方式的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式大致相同。下面，參照圖19 圖23說明第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置500的制造工藝。首先，如圖21所示，準(zhǔn)備具有約500μπι的厚度D3，并且相對于(100)面大致傾斜約9. 7°的主表面(上表面510a)的晶片狀態(tài)的Si (100)基板510。而且，通過對在上表面 510a上形成有具有規(guī)定的掩模圖案的蝕刻掩模(未圖示)的Si (100)基板510進行使用了 TMAH等蝕刻液的濕式蝕刻(各向異性蝕刻)，形成從上表面510a向下表面510b貫通的貫通孔501。由此，在晶片狀態(tài)的Si (100)基板510形成多個具有開口部501a和501b的貫通孔 501。此時，通過進行與Si的結(jié)晶方位相應(yīng)的蝕刻，在貫通孔501形成四個不同的內(nèi)側(cè)面512、513、514和515。另外，內(nèi)側(cè)面512為相對于上表面510a傾斜約45° (角度α)的蝕刻面(傾斜面)，內(nèi)側(cè)面513為相對于上表面510a傾斜約64. 4° (角度β )的蝕刻面 (傾斜面)。另外，內(nèi)側(cè)面514和515 (參照圖20)都是相對于Si (100)基板510的上表面 510a傾斜約7°的蝕刻面。然后，在內(nèi)側(cè)面512中的與載置有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的狀態(tài)下的光出射面 (參照圖19)相對的區(qū)域上，使用蒸鍍法和濺射法等形成金屬反射膜561。另一方面，如圖22所示，準(zhǔn)備具有約100 μ m厚度的平板狀銅板503。在銅板503 的上表面上形成具有規(guī)定的掩模圖案的蝕刻掩模(未圖示)后，對銅板503進行使用了氯化鐵溶液等蝕刻液的濕式蝕刻。由此，銅板503從上表面和下表面被蝕刻，平坦部具有約 60 μ m的厚度，并且，在上表面(C2側(cè)的表面)具有約20 μ m的突起高度的突起部503a。然后，通過使用滾軋層壓(roll laminator)機或熱壓機進行層壓加工，將熱固化性的環(huán)氧樹脂系粘接樹脂551粘貼于銅板503的上表面上。此時，在粘接樹脂551未完全固化的約100°C以下的溫度下進行粘貼。然后，將覆蓋突起部503a的粘接樹脂551的部分， 通過A等離子體處理、研磨處理等除去。然后，如圖22所示，通過粘接樹脂551將銅板503粘貼于具有貫通孔501的 Si (100)基板510的下表面510b后，在約200°C和約IMPa的溫度壓力條件下將Si (100)基板510和銅板503進行約5分鐘的加熱壓接來接合。由此，將Si (100)基板510的開口部 501b (參照圖21)封閉而形成凹部511。另外，Si(IOO)基板510的開口部501a作為凹部 511的上方的開口部511a而保留。然后，將預(yù)先接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的次基臺40接合于配線電極531 的表面上。然后，使用金屬線91將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的ρ側(cè)電極21和配線電極532 連接，并且，使用金屬線92將PD42的ρ型區(qū)域和配線電極533連接。另外，使用金屬線93 將焊盤電極571和配線電極531連接(參照圖20)。另外，也可以在將金屬線91和92與配線電極532和533線接合之前，在配線電極532和533的表面上形成由Au等構(gòu)成的金屬膜。然后，在將Si (100)基板510加熱到約230°C的狀態(tài)下，在凹部511內(nèi)的粘接樹脂 551的表面上、接合有次基臺40和PD42的部分以外的配線電極531的表面上、配線電極532 和533的表面上涂敷被覆劑16。然后，如圖23所示，對Si (100)基板510的凹部511通過熱壓接從上方粘貼具有約500 μ m厚度的密封玻璃560。此時，使用密封劑15在約200°C以上約220°以下的溫度條件下接合Si (100)基板510和密封玻璃560。由此在包圍凹部511的開口部511a的上表面510a，通過密封劑15將密封玻璃560與Si (100)基板510接合，因而可將凹部511內(nèi)部
氣密密封。然后，為了形成配線圖案而對銅板503的下表面?zhèn)冗M行蝕刻。由此，突起部503a 以外的銅板503的厚度成為約20 μ m。另外，在銅板503的下表面上形成具有規(guī)定的掩模圖案的蝕刻掩模(未圖示)后，對銅板503進行使用了氯化鐵溶液的濕式蝕刻，由此形成由引出配線部531a、53h和533a構(gòu)成的具有規(guī)定的配線圖案的配線電極531 533 (參照圖 23)，另外，此時使粘接樹脂551的一部分從被除去的銅板503的下方露出。然后，如圖23所示，為了覆蓋配線電極531 533的下表面，在配線電極531 533和露出的粘接樹脂551的下表面?zhèn)刃纬删哂屑s30 μ m厚度的光致抗蝕劑。此時，光致抗蝕劑，既可以對膜狀的進行層壓處理來粘貼(貼附)，也可以涂敷液狀形態(tài)的。然后，除去光致抗蝕劑的下表面?zhèn)鹊囊徊糠郑趶墓庵驴刮g劑露出的引出配線部531a、53h和533a(參照圖20)的端部形成焊錫球524。這樣形成基部550。最后，在形成有凹部511的區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域，使用金剛石刀片沿著圖23所示的分離線595，將密封玻璃560和Si (100)基板510共同在厚度方向(C方向)上切斷(進行切割)。這樣，形成如圖20所示的第五實施方式的半導(dǎo)體激光裝置500。在第五實施方式中，如上所述，具備形成有在厚度方向上貫通的貫通孔501的 Si(IOO)基板510、安裝于Si (100)基板510的上表面510a且將貫通孔501的開口部 501a(511a)密封的密封玻璃560、安裝于Si (100)基板510的下表面510b且將貫通孔501 的開口部501b密封的基部550、在開口部501b內(nèi)露出的基部550形成的配線電極531的表面上通過次基臺40而載置的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。由此，載置于在開口部501b內(nèi)露出的配線電極531的表面上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的上表面20b，與貫通孔501的開口部501a(511a)相比不向外側(cè)(圖19的C2側(cè))突出，因此，能夠使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20在通過基部550和密封玻璃560在貫通孔501的內(nèi)部進行氣密密封的狀況下工作。 由此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20不受大氣中的水分和存在于半導(dǎo)體激光裝置500周邊的有機物的影響，因此，能夠抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的可靠性下降。另外，在從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20出射的激光被形成于貫通孔501的內(nèi)側(cè)面 512上的金屬反射膜561反射后，透過密封玻璃560向外部出射。由此，能夠?qū)⒃谕ㄟ^次基臺40載置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的基部550固定的Si (100)基板510的貫通孔501的一部分即內(nèi)側(cè)面512，兼用作激光的反射裝置。即，由形成于內(nèi)側(cè)面512上的金屬反射膜561 反射的激光的光軸精度，僅依存于通過次基臺40將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20載置在形成于基部550的配線電極531的表面上時的安裝誤差，因此，能夠?qū)⒐廨S偏離的大小降低與引起光軸偏離的要因減少相當(dāng)?shù)牧?。另外，具備形成有貫通?01的Si (100)基板510、安裝于Si (100)基板510的下表面510b且將貫通孔501的開口部501b密封的基部550、載置于在開口部501b內(nèi)露出的配線電極531的表面上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。由此，能夠?qū)⑤d置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的支承基體使用與Si (100)基板510不同的材料作為不同的部件形成，因此，能夠進一步確保半導(dǎo)體激光裝置500的強度。另外，在制造工藝中，通過粘接樹脂551將形成有貫通孔501的Si (100)基板510和平板狀的基部550接合，從而能夠容易地形成用于將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20載置于內(nèi)部的封裝體90。另外，在對Si (100)基板510進行濕式蝕刻時，由于形成貫通Si (100)基板510的貫通孔501并形成內(nèi)側(cè)面512、513、514和515，因此，不會產(chǎn)生在基板內(nèi)部停止?jié)袷轿g刻時產(chǎn)生的蝕刻深度的偏差等。另外，還能夠?qū)⑤d置于基部550(銅板50 上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20在安裝精度良好的狀態(tài)下載置于凹部511內(nèi)部。由此，在制造工藝上，能夠有效地抑制由藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的載置角度(相對于共振器方向或?qū)挾确较虻纳舷路较虻慕嵌?引起的激光的光軸發(fā)生偏離，或從光出射面至金屬反射膜561的距離發(fā)生偏差。另外，由于通過次基臺40將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20載置于熱傳導(dǎo)率良好的配線電極531(銅板50 上，所以能夠經(jīng)由配線電極531(銅板50 使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20產(chǎn)生的熱效率良好地散熱。另外，通過使用具有相對于大致(100)面傾斜約9. 7°的主表面的Si(IOO)基板 510，在通過濕式蝕刻而在Si (100)基板510形成貫通孔501時，能夠在蝕刻的同時形成4 個內(nèi)側(cè)面512 515。其結(jié)果是，由于簡化了制造工藝，所以能夠高效率地制造半導(dǎo)體激光裝置500。另外，相對于晶片狀態(tài)的Si(IOO)基板510同時形成多個貫通孔501，從而由于能夠通過一次蝕刻同時形成多個貫通孔501，因此，相應(yīng)地能夠高效率地制造半導(dǎo)體激光裝置 500。另外，在處于將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20載置于多個凹部511的各自的底面516 上的狀態(tài)的晶片(將Si (100)基板510與基部550接合的晶片)，利用熱壓接接合晶片狀態(tài)的密封玻璃560，將凹部511密封，由此能夠通過一片密封玻璃560的接合工序同時將多個凹部511氣密密封，因此，相應(yīng)地能夠高效率地制造半導(dǎo)體激光裝置500。另外，第五實施方式的其他效果與第一實施方式相同。(第六實施方式)下面，說明本發(fā)明的第六實施方式的光拾取裝置600。另外，光拾取裝置600是本發(fā)明的“光裝置”之一例。如圖25所示，光拾取裝置600具備三波長半導(dǎo)體激光裝置605、對從三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光進行調(diào)整的光學(xué)系統(tǒng)620、接收激光的光檢測部630。如圖M所示，在三波長半導(dǎo)體激光裝置605中，在封裝體90內(nèi)的次基臺40上搭載有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20相鄰并將具有約650nm的振蕩波長的紅色半導(dǎo)體激光元件50和具有約780nm的振蕩波長的紅外半導(dǎo)體激光元件55單片(一體)地形成的雙波長半導(dǎo)體激光元件60。另外，三波長半導(dǎo)體激光裝置605是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”之一例，紅色半導(dǎo)體激光元件50、紅外半導(dǎo)體激光元件55和雙波長半導(dǎo)體激光元件60是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”之一例。另外，在基部10設(shè)置有金屬制的由引線框架構(gòu)成的引線端子11、72、73、74和75。 該引線端子11和引線端子72 75通過樹脂模制成型，在相互絕緣的狀態(tài)下從前方(Al方向)向后方(A2方向)貫通基部10的方式配置。而且，基部10的向外部(A2側(cè))延伸的后端區(qū)域分別與未圖示的驅(qū)動電路連接。另外，引線端子11和引線端子72 75的向前方 (Al側(cè))延伸的前端區(qū)域lla、72a、73a、74a和7 分別從內(nèi)壁部IOg露出，一同配置于凹部 IOb的底面上。另外，在ρ側(cè)電極21線接合有金屬線91的一端，金屬線91的另一端與引線端子 74的前端區(qū)域7 連接。另外，在形成于紅色半導(dǎo)體激光元件50的上表面的ρ側(cè)電極51 線接合有金屬線92的一端，金屬線92的另一端與引線端子73的前端區(qū)域73a連接。另外， 在紅外半導(dǎo)體激光元件55的上表面形成的ρ側(cè)電極56線接合有金屬線93的一端，金屬線 93的另一端與引線端子72的前端區(qū)域7 連接。另外，在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的下表面形成的η側(cè)電極(未圖示)和在雙波長半導(dǎo)體激光元件60的下表面形成的η側(cè)電極 (未圖示)，經(jīng)由次基臺40與引線端子11的前端區(qū)域Ila電連接。另外，在PD42的上表面線接合有金屬線94的一端，金屬線94的另一端與引線端子75的前端區(qū)域7 連接。另外，與上述第一實施方式中的半導(dǎo)體激光裝置100相比，基部10的截面在寬度方向(B方向)上延伸，由此基部主體IOa具有最大寬度W61(W61 >W1)。由此，前方側(cè)的凹部IOb也將開口部IOd沿著B方向擴展。另外，三波長半導(dǎo)體激光裝置605的其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式大致相同，圖中對于與第一實施方式同樣的結(jié)構(gòu)添加相同的附圖標(biāo)記進行圖示。
另外，對于三波長半導(dǎo)體激光裝置605的制造工藝，將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20 和雙波長半導(dǎo)體激光元件60在橫方向(圖MWB方向)上排列并通過次基臺40接合。然后，將各激光元件20和60的ρ側(cè)電極21、51、56以及PD42的上表面，與引線端子72、73、 74,75的前端區(qū)域72a、73a、74a、7fe分別線接合。其他工藝與第一實施方式的制造工藝大致相同。
另外，光學(xué)系統(tǒng)620具有偏振光光束分離器(PBQ621、準(zhǔn)直透鏡622、光束擴展器 623、λ /4板624、物鏡625、柱面(圓柱)透鏡6 和光軸校正元件627。另外，PBS621使從三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光全透射，并且，將從光盤 635返回的激光全反射。準(zhǔn)直透鏡622將來自透過了 PBS621的三波長半導(dǎo)體激光裝置605 的激光變換為平行光。光束擴展器623由凹透鏡、凸透鏡和驅(qū)動器(actuator)(未圖示) 構(gòu)成。驅(qū)動器具有如下功能根據(jù)來自后述的伺服電路的伺服信號使凹透鏡和凸透鏡的距離發(fā)生變化，由此對從三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光的波面狀態(tài)進行校正。另外，λ /4板6Μ將由準(zhǔn)直透鏡622變換為大致平行光的直線偏振光的激光變換為圓偏振光。另外，λ/4板擬4將從光盤635返回的圓偏振光的激光變換為直線偏振光。 該情況下的直線偏振光的偏振光方向與從三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光的直線偏振光的方向正交。由此，從光盤635返回的激光被PBS621大致全反射。物鏡625使透過 λ /4板624的激光收斂于光盤635的表面(記錄層)上。另外，物鏡625通過物鏡驅(qū)動器 (未圖示)，根據(jù)來自后述的伺服電路的伺服信號(跟蹤伺服信號、聚焦伺服信號和傾斜伺服信號)，在聚焦方向、跟蹤方向和傾斜方向上可移動。另外，以沿著由PBS621全反射的激光的光軸的方式，配置有柱面透鏡626、光軸校正元件627和光檢測部630。柱面透鏡擬6對入射的激光施加像散作用。光軸校正元件627 由衍射光柵構(gòu)成，以使透過柱面透鏡6 的藍(lán)紫色、紅色和紅外等各激光的0級衍射光的光點(光斑)在后述的光檢測部630的檢測區(qū)域上一致的方式進行配置。另外，光檢測部630基于接收到的激光的強度分布輸出再現(xiàn)信號。在此，光檢測部 630以能夠與再現(xiàn)信號一起得到聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號和傾斜誤差信號的方式具有規(guī)定的圖案的檢測區(qū)域。這樣構(gòu)成了具備三波長半導(dǎo)體激光裝置605的光拾取裝置600。在該光拾取裝置600中，三波長半導(dǎo)體激光裝置605通過在引線端子11與引線端子72 74之間分別獨立地施加電壓，能夠從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件50和紅外半導(dǎo)體激光元件55獨立地出射藍(lán)紫色、紅色和紅外等激光。另外，如上所述， 從三波長半導(dǎo)體激光裝置605出射的激光被PBS621、準(zhǔn)直透鏡622、光束擴展器623、λ /4 板624、物鏡625、柱面透鏡6 和光軸校正元件627進行了調(diào)整后，照射到光檢測部630的檢測區(qū)域上。在此，在將記錄于光盤635的信息再現(xiàn)的情況下，能夠邊以使從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件50和紅外半導(dǎo)體激光元件55出射的各種激光功率一定的方式進行控制，邊使激光照射到光盤635的記錄層，并且，能夠得到從光檢測部630輸出的再現(xiàn)信號。另外，還能夠通過同時輸出的聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號和傾斜誤差信號，對光束擴展器623的驅(qū)動器和驅(qū)動物鏡625的物鏡驅(qū)動器分別進行反饋控制。另外，在將信息記錄于光盤635的情況下，邊基于要記錄的信息控制從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和紅色半導(dǎo)體激光元件50 (紅外半導(dǎo)體激光元件5 出射的激光功率，邊使激光照射到光盤635。由此，能夠?qū)⑿畔⒂涗浻诠獗P635的記錄層。另外，與上述同樣，能夠通過從光檢測部630輸出的聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號和傾斜誤差信號，對光束擴展器623的驅(qū)動器和驅(qū)動物鏡625的物鏡驅(qū)動器分別進行反饋控制。這樣，能夠使用具備三波長半導(dǎo)體激光裝置605的光拾取裝置600對光盤635進行記錄和再現(xiàn)。
光拾取裝置600具備三波長半導(dǎo)體激光裝置605。即，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20 和雙波長半導(dǎo)體激光元件60被可靠地密封在封裝體90內(nèi)部。由此，不易使半導(dǎo)體激光元件劣化，能夠得到耐長時間的使用的可靠性高的光拾取裝置600。另外，三波長半導(dǎo)體激光裝置605的效果與第一實施方式相同。另外，本次公開的實施方式全部都是例示，不應(yīng)理解為受其限制。本發(fā)明的范圍不是由上述實施方式的說明而是由權(quán)利要求的范圍所表示的，進而，還包括在與權(quán)利要求的范圍等同的含義和范圍內(nèi)的所有變更。例如，在上述第一、第二和第四實施方式中，例示了配置于基部的密封空間內(nèi)的引線端子的表面上也覆蓋被覆劑16的構(gòu)成例，但是，本發(fā)明不限于此，也可以只是在引線端子(金屬部分)以外的基部(樹脂材料)的表面上涂敷被覆劑16。另外，在上述第二實施方式中，例示了在密封用部件45的背面45c的大致整個面都涂敷有密封劑15的例子，但是本發(fā)明不限于此，也可以與第一實施方式的變形例同樣地在位于封裝體90的密封空間內(nèi)的密封用部件45的背面45c上不涂敷密封劑15，而使鋅白銅板的表面在密封空間內(nèi)露出。另外，在上述第二 第五實施方式中，在封裝體90內(nèi)未設(shè)置氣體吸收劑49，但是， 本發(fā)明不限于此，也可以與上述第一實施方式同樣，設(shè)置有氣體吸收劑49。該情況下，作為氣體吸收劑49既可以使用硅膠，也可以使用硅膠以外的例如合成沸石、氧化鈣系吸收材料或者活性碳等。合成沸石除將顆粒狀(圓柱狀)的切斷成規(guī)定的大小之外，進而只要固定于封裝體90的密封空間內(nèi)即可。另外，在上述第一、第三和第四實施方式的制造工藝中，例示了在將密封劑15涂敷于密封用部件的孔部(窗部)的周圍后對光透過部35進行熱壓接的例子，但是，本發(fā)明不限于此。例如，也可以使用將預(yù)先形成為薄膜狀(膜(film)狀)的EVOH樹脂切割所得的結(jié)構(gòu)，將其載置于孔部；34的周圍后，對光透過部35進行熱壓接。另外，在上述第一實施方式中，例示了使用鋁箔構(gòu)成本發(fā)明的“密封用部件”的例子，但是，在本發(fā)明中，作為鋁箔以外的金屬箔，例如也可以使用Cu箔、鋅白銅等Cu合金箔、 Sn箔或者不銹鋼箔等形成密封用部件。另外，在上述第四實施方式中，基部410和蓋部430都使用聚酰胺樹脂，但是，除了聚酰胺樹脂之外，也可以使用透濕性低的樹脂，能夠充分抑制水分的透過。另外，在上述第一實施方式中，例示了在由鋁箔構(gòu)成的本發(fā)明的“密封用部件”的背面形成有由EVOH樹脂構(gòu)成的密封劑15的狀態(tài)下將基部密封的例子，但是，在本發(fā)明中， 也可以使用金屬以外的例如環(huán)氧樹脂等形成密封用部件，通過配置于背面的密封劑15將其安裝于基部。在密封用部件使用上述的樹脂材料的情況下，通過氣障性良好的EVOH樹脂 (密封劑1 ，能夠更有效地抑制低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機氣體等侵入到封裝體90的內(nèi)部。另外，在上述第二實施方式中，例示了使用鋅白銅(Cu合金)板構(gòu)成本發(fā)明的“密封用部件”的例子，但是，在本發(fā)明中，也可以使用鋅白銅板以外的例如鋁板、Cu板、Sn、Ni、 Mg等的合金板或者不銹鋼板等形成密封用部件。另外，在上述第三 第五實施方式中，也可以在光透過部(密封玻璃)的表面上形成作為氣障層的A1203、SiO2和^O2等多層金屬氧化膜(電介質(zhì)膜)。
另外，在上述第一、第二、第四和第五實施方式的制造工藝中，例示了在將密封用部件加熱到約220°C的狀態(tài)下將密封劑15涂敷于密封用部件的單面上的例子，但是，在本發(fā)明中，也可以在使EVOH樹脂溶于溶劑的狀態(tài)下將溶劑和EVOH樹脂的混合物涂敷于密封用部件之后，對密封用部件加熱來除去溶劑。另外，在上述第一和第二實施方式中，例示了使用聚酰胺樹脂(PA)形成基部主體 IOa的例子，但是，在本發(fā)明中，也可以使用環(huán)氧樹脂、聚苯硫醚樹脂(PPS)和液晶聚合物 (LCP)等形成基部。另外，此時，能夠在樹脂材料中按規(guī)定的比例混入氣體吸收劑而成的混合物的狀態(tài)下將基部主體IOa成型。在此，優(yōu)選氣體吸收劑使用具有數(shù)十微米(μ m)以上數(shù)百微米(ym)以下的粒徑的粒子狀的材料(氣體吸收劑)。另外，在上述第一和第二實施方式中，例示了將基部10的凹部IOb的深度設(shè)為基部主體IOa的厚度tl的大約一半的例子，但是，并不限于此，例如，既可以使形成的凹部IOb 的深度比厚度tl/2深，也可以比厚度tl/2淺。另外，在上述第三實施方式和其變形例中，例示了利用被覆劑18覆蓋將蓋部330 和光透過部35接合的密封劑15的側(cè)面(外側(cè)面或者內(nèi)側(cè)面)的例子，但是，本發(fā)明不限于此，而是也可以用該被覆劑18覆蓋其他實施方式的將密封用部件和窗用部件接合的密封劑15的側(cè)面。另外，作為被覆劑18，除了樹脂以外，也可以使用Al2O3^SiO2,ZrO2等氧化膜、 Al、Pt、Ag、Au、Pd、Ni等的金屬薄膜，還可以在樹脂中大量含有SW2等無機材料等的粘合劑。另外，并不限于密封劑15的側(cè)面，而是也可以覆蓋PA、PPS、LCP等樹脂表面，且能夠抑制水分透過PA、PPS、LCP。另外，在上述第六實施方式中，例示了具備本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的光拾取裝置600，但是，本發(fā)明不限于此，而是也可以將本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置應(yīng)用于CD、DVD或者BD等進行光盤的記錄或再現(xiàn)的光盤裝置。進而，也可以使用紅色半導(dǎo)體激光元件、綠色半導(dǎo)體激光元件和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件構(gòu)成作為本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置，且也可以將該RGB三波長半導(dǎo)體激光裝置用于投影裝置等光裝置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，包括由多個部件構(gòu)成的內(nèi)部具有密封空間的封裝體；和配置在所述密封空間內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件，所述部件的位于所述密封空間內(nèi)的表面，由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆劑覆至
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述封裝體包括含有揮發(fā)性成分的樹脂部件，所述樹脂部件的位于所述密封空間內(nèi)的表面由所述被覆劑覆蓋。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于在所述封裝體的內(nèi)底面還設(shè)置有用于搭載所述半導(dǎo)體激光元件的金屬板， 所述金屬板的載置有所述半導(dǎo)體激光元件的區(qū)域以外的表面由所述被覆劑覆蓋。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述封裝體包括含有揮發(fā)性成分的樹脂部件，所述樹脂部件的位于所述密封空間內(nèi)的表面和所述金屬板的載置有所述半導(dǎo)體激光元件的區(qū)域以外的表面由所述被覆劑連續(xù)覆蓋。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述封裝體包括安裝有所述半導(dǎo)體激光元件的樹脂制的基部， 所述基部的位于所述密封空間內(nèi)的表面由所述被覆劑覆蓋。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述基部由聚酰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯硫醚樹脂、液晶聚合物和感光性樹脂中的任一種構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于還具備受光元件，該受光元件配置在所述密封空間內(nèi)，并監(jiān)測所述半導(dǎo)體激光元件的激光強度，所述受光元件，藉助含有揮發(fā)性成分的導(dǎo)電性粘接層固定在所述密封空間內(nèi)， 固定所述受光元件的所述導(dǎo)電性粘接層的在所述密封空間內(nèi)露出的表面由所述被覆劑覆蓋。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述封裝體包括基部和安裝于所述基部的密封用部件，所述密封用部件的至少位于所述密封空間內(nèi)的表面由所述被覆劑覆蓋。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封用部件的包括位于所述密封空間內(nèi)的表面的與所述基部接合的一側(cè)的大致整個面由所述被覆劑覆蓋。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于在所述密封用部件與所述基部的接合區(qū)域上配置有所述被覆劑。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封用部件通過配置在所述密封用部件與所述基部的接合區(qū)域上的所述被覆劑與所述基部接合。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封用部件由金屬箔構(gòu)成，由所述金屬箔構(gòu)成的所述密封用部件的內(nèi)表面的大致整個面由所述被覆劑覆蓋，該密封用部件的側(cè)截面從所述基部的上表面至前表面呈大致L字形狀地折彎。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述基部具有從其上表面至前表面設(shè)置有開口部的凹部，所述凹部的內(nèi)側(cè)面和所述密封用部件的內(nèi)表面被所述被覆劑連續(xù)覆蓋。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述密封用部件由具有伸縮性的樹脂制成，所述封裝體通過所述基部與所述密封用部件嵌合而被密封， 在所述密封空間露出的所述基部和所述密封用部件的表面被所述被覆劑覆蓋。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述密封用部件具有底部并形成筒狀，所述密封用部件的筒狀的內(nèi)周面，與所述基部的外周面周狀嵌合， 除了露出于所述密封空間的所述基部和所述密封用部件的表面之外，還在所述基部與所述密封用部件周狀嵌合的區(qū)域上也配置有所述被覆劑。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述封裝體包括基部；安裝于所述基部的密封用部件；和使從所述半導(dǎo)體激光元件出射的光透射到外部的窗用部件，所述窗用部件通過形成于所述密封用部件上的開口部以外的表面上配置的所述被覆劑，與所述密封用部件接合。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 在所述封裝體的所述密封空間內(nèi)設(shè)置有氣體吸收劑。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述氣體吸收劑在與所述被覆劑接觸的狀態(tài)下，被夾入并固定在所述密封空間內(nèi)。
19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體激光元件包括氮化物系半導(dǎo)體激光元件。
20.一種光裝置，其特征在于，具備半導(dǎo)體激光裝置，包括由多個部件構(gòu)成且內(nèi)部具有密封空間的封裝體和配置在所述密封空間內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件；以及對所述半導(dǎo)體激光裝置的出射光進行控制的光學(xué)系統(tǒng)，所述部件的位于所述密封空間內(nèi)的表面，由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆劑覆至ΓΤΠ ο
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光裝置和光裝置。該半導(dǎo)體激光裝置具備由多個部件構(gòu)成且內(nèi)部具有密封空間的封裝體和配置在密封空間內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件，部件的位于密封空間內(nèi)的表面由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆劑覆蓋。
文檔編號H01S5/022GK102377105SQ20111022662
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月4日
發(fā)明者岡山芳央, 吉川秀樹, 后藤壯謙, 德永誠一, 林伸彥, 藏本慶一 申請人:三洋電機株式會社