專利名稱：襯底處理設(shè)備和制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及襯底處理設(shè)備和用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
一般而言，供在半導(dǎo)體器件中使用的立式襯底處理設(shè)備包括布置在晶片處理室之下的轉(zhuǎn)移室。在制造過程中，進行以下操作將未經(jīng)處理的晶片轉(zhuǎn)移到將要加載到處理室中的襯底保持器(或者晶舟)中的操作(稱為晶片裝載操作)和將經(jīng)處理的晶片從卸載自處理室的襯底保持器轉(zhuǎn)移的操作(稱為晶片卸除操作)。在轉(zhuǎn)移室內(nèi)，生成包含清潔空氣的氣流以保持晶片不被顆粒污染，并且以使從處理室卸載的熱的經(jīng)處理的晶片冷卻到預(yù)定溫度。通過沿著轉(zhuǎn)移室的一個側(cè)壁安裝具有過濾器和鼓風(fēng)機的清潔單元并且將清潔空氣從清潔單元吹入轉(zhuǎn)移室而生成氣流(參見，例如JP2002-175999A)。然而，在以上襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)生成的氣流來自沿著轉(zhuǎn)移室的一個側(cè)壁安裝的清潔單元，這引起氣流側(cè)向流動。這造成在下面提及的下述問題。問題之一在于當(dāng)氣流側(cè)向流動時，空氣趨于在轉(zhuǎn)移室的角落區(qū)域停留。如果空氣并不移動而是停留在轉(zhuǎn)移室中，則這將引起晶片的顆粒污染。如果熱輻射構(gòu)件(諸如剛經(jīng)處理的晶片)存在于轉(zhuǎn)移室內(nèi)，則很可能由于熱輻射構(gòu)件的熱而從晶片轉(zhuǎn)移機生成顆粒。 為此，阻止并不運動而是停留在轉(zhuǎn)移室內(nèi)的停滯氣體的出現(xiàn)非常重要，這是由于顆?？赡芡Ａ粼谑抑?，并且污染晶片。另一問題在于以下事實側(cè)向空氣流動將使得難于減小襯底處理設(shè)備的安裝空間。這是由于襯底處理設(shè)備的寬度與沿著轉(zhuǎn)移室的側(cè)壁安裝的清潔單元的尺寸成比例地增加。具體地，如果晶片的直徑增加(例如，從300mm到450mm)，則這將會成為很大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了能夠通過阻止空氣在轉(zhuǎn)移室內(nèi)停留而在轉(zhuǎn)移室內(nèi)可靠地生成氣流并且能夠通過有效地使用轉(zhuǎn)移室的內(nèi)部空間而降低設(shè)備所需的安裝空間的襯底處理設(shè)備的一些實施例。根據(jù)本公開的一個方面，一種襯底處理設(shè)備包括處理室，在該處理室中對襯底進行處理；襯底保持器，配置成在保持襯底的同時被加載到處理室中以及從處理室卸載；轉(zhuǎn)移室，在該轉(zhuǎn)移室中進行用于促使襯底保持器保持未經(jīng)處理的襯底的裝載操作和用于從襯底保持器取出經(jīng)處理的襯底的卸除操作；以及清潔單元，配置成用于將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室，其中轉(zhuǎn)移室具有多邊形平面視圖形狀，并且清潔單元布置在轉(zhuǎn)移室的第一角落區(qū)域中。根據(jù)本公開的另一方面，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法包括加載前轉(zhuǎn)移步驟，用于在與處理室連通的轉(zhuǎn)移室內(nèi)進行裝載操作，通過該裝載操作促使襯底保持器在襯底保持器被加載到處理室中之前保持未經(jīng)處理的襯底；將保持未經(jīng)處理的襯底的襯底保持器從轉(zhuǎn)移室加載到處理室中；對由加載到處理室中的襯底保持器保持的襯底進行處理；將保持經(jīng)處理的襯底的襯底保持器從處理室卸載到轉(zhuǎn)移室中；以及加載后轉(zhuǎn)移步驟，用于執(zhí)行卸除操作，通過該卸除操作，由從處理室卸載的襯底保持器保持的經(jīng)處理的襯底被從襯底保持器取出，其中轉(zhuǎn)移室被配置成具有多邊形平面視圖形狀，清潔單元被布置在轉(zhuǎn)移室的角落區(qū)域中，并且在加載前轉(zhuǎn)移步驟與加載后轉(zhuǎn)移步驟中的至少一個期間，由清潔單元將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室。


圖1是示出了根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備的示意性配置示例的透視圖。圖2是示出了襯底處理設(shè)備中采用的處理爐的配置示例的豎直截面圖。圖3是示出了襯底處理設(shè)備中采用的轉(zhuǎn)移室的配置示例的透視圖。圖4是示意性地示出了襯底處理設(shè)備中采用的晶舟交換裝置的平面視圖。圖5是示意性地圖示了在作為本公開的比較示例的常規(guī)配置的轉(zhuǎn)移室內(nèi)的氣流形成的透視圖。圖6A是示出了在根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)的氣流形成的示例的平面視圖。圖6B是示出了在作為本公開的比較示例的常規(guī)襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)的氣流形成的示例的平面視圖。圖7是示意性地示出了在根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室之上的空氣循環(huán)路線中的氣流的平面視圖。圖8A是示出了在根據(jù)本公開的另一實施例的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)的氣流形成的示例的平面視圖。圖8B是示出了氣流形成的示例的平面視圖。圖9是示出了在根據(jù)本公開的又一實施例的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)的氣流形成的示例的平面視圖。
具體實施例方式<本公開的一個實施例>現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)地描述本公開的一個實施例。(1)襯底處理設(shè)備的概述首先，將進行給出根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備的概述的簡要描述。在本實施例中描述的襯底處理設(shè)備可在半導(dǎo)體器件制造過程中使用，并且該襯底處理設(shè)備被配置成用于通過用加熱器加熱襯底來對室內(nèi)容納的襯底進行處理。更具體地， 本實施例的襯底處理設(shè)備是立式襯底處理設(shè)備，其被配置成用于同時處理在其間留有指定間隙而彼此堆疊的多個襯底。將要由襯底處理設(shè)備進行處理的襯底的示例包括半導(dǎo)體晶片襯底(下文中簡稱為“晶片”)，每個半導(dǎo)體晶片襯底包含半導(dǎo)體集成電路器件(半導(dǎo)體器件)。將要由襯底處理設(shè)備進行的處理的示例包括氧化、擴散、用于載流子激活的回流或者退火、或者在離子注入之后的平坦化以及通過熱CVD (化學(xué)氣相沉積)反應(yīng)形成膜。(2)襯底處理設(shè)備的示意性配置以下是根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備的示例的示意性配置的描述。(作為整體的襯底處理設(shè)備)圖1是示出根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備的配置示例的透視圖。襯底處理設(shè)備10包括外殼12，在外殼12中容納諸如處理爐40之類的某些主要部件。晶盒臺 18布置在外殼12的正面區(qū)域。箍環(huán)(hoop)(下文中稱為“晶盒”)16充當(dāng)用于接收晶片14 的襯底接收器，并且被安裝在晶盒臺18上。晶盒16中的每個被配置成在其中存儲例如25 個晶片14，并且被安裝在晶盒臺18上，而晶盒16的蓋子(未示出)保持關(guān)閉。也就是說， 晶盒16中的每個用作襯底處理設(shè)備10中的晶片承載器。在外殼12的內(nèi)部正面區(qū)域中，將晶盒傳送裝置20布置為與晶盒臺18呈相對關(guān)系。在晶盒傳送裝置20的鄰近區(qū)域中，布置有晶盒支架22、晶盒開啟器24和襯底數(shù)目檢測器26。晶盒傳送裝置20被配置成用于在晶盒臺18、晶盒支架22和晶盒開啟器M之間傳送晶盒16。晶盒支架22布置在晶盒開啟器M之上，并且被配置成用于保持安裝在其上的多個晶盒16。晶盒支架22可以是所謂具有多個支架面板的可旋轉(zhuǎn)支架。可旋轉(zhuǎn)支架由諸如馬達(dá)之類的間歇旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置(未示出)在一個方向上逐節(jié)距地旋轉(zhuǎn)。然而，在晶盒支架 22中旋轉(zhuǎn)功能并不是主要的。在晶盒支架22的鄰近區(qū)域中，可以提供具有進氣扇和防塵過濾器的清潔單元52 (在圖1中未示出，但是將在圖3中示出)，從而使得作為凈化空氣氣體的清潔空氣可以從清潔單元52饋送到晶盒支架22。晶盒開啟器M被配置成用于打開晶盒16的蓋子。襯底數(shù)目檢測器被布置為與晶盒開啟器M相鄰，并且被配置成在晶盒16的蓋子被打開時檢測晶盒16內(nèi)保持的晶片14 的數(shù)目。在外殼12內(nèi)的晶盒開啟器M的背側(cè)處，提供作為在外殼12內(nèi)限定的單個室的轉(zhuǎn)移室50。稍后將描述轉(zhuǎn)移室50的細(xì)節(jié)。襯底轉(zhuǎn)移機觀和作為襯底保持器的晶舟30被布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)。襯底轉(zhuǎn)移機觀包括能夠取出例如5個晶片14的臂(鑷子)32。襯底轉(zhuǎn)移機觀被配置成用于通過使用驅(qū)動裝置(附圖中未示出)旋轉(zhuǎn)地向上和向下驅(qū)動臂32而在放置在晶盒開啟器M上的晶盒16和晶舟30之間傳送晶片14。晶舟30被配置成保持多個(例如，大約50個到150個)在水平位置上豎直堆疊的晶片14，其中晶片14的中心彼此對準(zhǔn)，并且在晶片14之間具有指定的豎直間隙。保持晶片14的晶舟30可以被作為升降機構(gòu)的晶舟升降機(附圖中未示出)向上和向下移動。處理爐40被布置在外殼12內(nèi)轉(zhuǎn)移室50之上的背側(cè)上部區(qū)域中。裝載有晶片14 的晶舟30可以從下面加載到處理爐40中。(處理爐)接下來，將進行處理爐40的簡要描述。圖2是示出在根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備中采用的處理爐的配置示例的豎直截面圖。處理爐40包括由耐熱非金屬材料(例如石英(SiO2)或者碳化硅(SiC))制成的反應(yīng)管41。反應(yīng)管41具有圓柱形狀，其中該圓柱形狀具有封閉頂端和開放底端。在反應(yīng)管41內(nèi)限定處理室42。作為襯底保持器的晶舟30被從下面插入到處理室 42中。在處理室42內(nèi)以豎直堆疊的方向容納由晶舟30水平地保持的晶片14。在用旋轉(zhuǎn)機構(gòu)43使旋轉(zhuǎn)軸44旋轉(zhuǎn)之后，處理室42內(nèi)容納的晶舟30被旋轉(zhuǎn)，而同時處理室42的內(nèi)部保持密封并且晶片14安裝在晶舟30上。在反應(yīng)管41之下，與反應(yīng)管41呈同心關(guān)系地布置歧管45。歧管45由金屬材料 (例如不銹鋼)制成，并且具有圓柱形狀，該圓柱形狀具有開放的頂端和開放的底端。反應(yīng)管41在其底端由歧管45豎直支撐。換言之，處理爐40由在歧管45上豎直地安裝限定處理室42的反應(yīng)管41來配置。歧管45的底端在晶舟升降機(未示出)向上移動時由密封帽46不透氣地密封。 在歧管45的底端和密封帽46之間提供有用于保持處理室42的內(nèi)部不透氣的密封構(gòu)件 46a (諸如0型環(huán))。氣體入口管線47和排氣管線48連接到歧管45，該氣體入口管線47用于通過其將源氣體和吹掃氣體引入到處理室42中，該排氣管線48用于通過其排放來自處理室42內(nèi)部的氣體。圍繞反應(yīng)管41的外邊界，與反應(yīng)管41呈同心關(guān)系地布置作為加熱裝置(或者加熱機構(gòu))的加熱器單元49。加熱器單元49被配置成用于加熱處理室42的內(nèi)部，從而使得處理室42的內(nèi)部在其整個區(qū)域上具有均勻的溫度，或者處于指定的溫度分布。(3)襯底處理過程接下來，將進行當(dāng)本實施例的襯底處理設(shè)備用于在半導(dǎo)體器件制造過程中對晶片 14進行處理時的操作序列的描述。(晶片供應(yīng)步驟)為了利用襯底處理設(shè)備10來對晶片14進行處理，在其中容納多個晶片14的晶盒 16首先被安裝到晶盒臺18上。然后，通過使用晶盒傳送裝置20將晶盒16從晶盒臺18轉(zhuǎn)移到晶盒支架22。通過晶盒傳送裝置20將安裝在晶盒支架22上的晶盒16傳送到晶盒開啟器M。此后，由晶盒開啟器M打開晶盒16的蓋子。由襯底數(shù)目檢測器沈檢測晶盒16 內(nèi)容納的晶片14的數(shù)目。(加載前轉(zhuǎn)移步驟)在晶盒16的蓋子被晶盒開啟器M打開之后，布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的襯底轉(zhuǎn)移機觀從晶盒16中取出晶片14。然后，從晶盒16中取出的未經(jīng)處理的晶片14被轉(zhuǎn)移到與襯底轉(zhuǎn)移機觀一起被定位在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的晶舟30。換言之，襯底轉(zhuǎn)移機觀在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)進行晶片裝載操作，通過該裝載操作，還未加載到處理室42中的未經(jīng)處理的晶片14被裝載到晶舟30。因此，晶舟30以豎直堆疊的方向保持晶片14，其中晶片14之間留有間隙。由晶舟 30在堆疊情況中保持并且經(jīng)歷批量處理的晶片14的數(shù)目例如可以從25個到100個。這使得可以提高生產(chǎn)率。(加載步驟)在晶片裝載操作之后，向上移動晶舟升降機，從而將保持未經(jīng)處理的晶片14的晶舟30加載到處理室42中(這稱為晶舟加載操作)。換言之，操作晶舟升降機以將保持未經(jīng)處理的晶片14的晶舟30從轉(zhuǎn)移室50加載到處理室42中。這促使密封帽46用置于密封帽46和歧管45之間的密封構(gòu)件46a密封歧管45的底端。(處理步驟)在晶舟加載操作之后，由加載到處理室42中的晶舟30保持的未經(jīng)處理的晶片14 經(jīng)歷指定處理。更具體地，在例如由熱CVD反應(yīng)進行膜形成處理時，通過排氣管線48排放氣體，以維持處理室42的內(nèi)部處于期望壓力下(或者期望的真空度)。然后，由加熱器單元49對處理室42的內(nèi)部進行加熱，并且操作旋轉(zhuǎn)機構(gòu)43以旋轉(zhuǎn)晶舟30并且從而旋轉(zhuǎn)晶片14。晶片14繼續(xù)旋轉(zhuǎn)，直到保持晶片14的晶舟30被卸載為止。此外，將源氣體或者吹掃氣體通過氣體進口管線47供應(yīng)到處理室42中。因此，通過熱分解反應(yīng)或者化學(xué)反應(yīng)，在晶舟30中保持的未經(jīng)處理的晶片14的表面上形成了薄膜。在晶片14的表面上形成了薄膜之后，停止加熱器單元49的加熱操作，以允許經(jīng)處理的晶片14被冷卻到指定溫度。如果過去了預(yù)定時間，則停止進入到處理室42的源氣體或者吹掃氣體的供應(yīng)，并且開始進入處理室42的惰性氣體的供應(yīng)。以這種方式，處理室42 內(nèi)存在的氣體被惰性氣體替代。處理室42的內(nèi)部壓力恢復(fù)到大氣壓力。(卸載步驟)此后，向下移動晶舟升降機，以降低密封帽46并且打開歧管45的底端，并且將保持經(jīng)處理的晶片14的晶舟30從歧管45的底端卸載到處理室42的外部(這稱為晶舟卸載操作)。換言之，操作晶舟升降機以將保持經(jīng)處理的晶片14的晶舟30從處理室42的內(nèi)部卸載到轉(zhuǎn)移室50中。然后，晶舟30在指定位置等待，直到保持在晶舟30中的所有晶片14 已經(jīng)冷卻下來為止。(加載后轉(zhuǎn)移步驟)在等待的晶舟30的晶片14冷卻到指定溫度(例如室溫等)之后，布置在轉(zhuǎn)移室 50內(nèi)的襯底轉(zhuǎn)移機28將晶片14從晶舟30卸除。然后，從晶舟30卸除的經(jīng)處理的晶片14被傳送并被容納在安裝在晶盒開啟器M 上的空的晶盒16中。換言之，襯底轉(zhuǎn)移機觀在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)進行晶片卸除操作，通過該卸除操作，保持在從處理室42的內(nèi)部卸載的晶舟30中的經(jīng)處理的晶片14被從晶舟30中取出，并且被轉(zhuǎn)移到晶盒16。此后，晶盒傳送裝置20將容納經(jīng)處理的晶片14的晶盒16傳送到晶盒支架22上或者晶盒臺18上。以這種方式，由本實施例的襯底處理設(shè)備10進行的襯底處理過程中的一系列操
作結(jié)束。(4)轉(zhuǎn)移室的配置接下來，將通過示例的方式詳細(xì)描述轉(zhuǎn)移室50的內(nèi)部的配置(即根據(jù)本實施例的襯底處理設(shè)備10的一個特征)。將采用稱為雙晶舟類型的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室作為以下描述中的示例，在該雙晶舟類型的襯底處理設(shè)備中，兩個晶舟30被交替地加載到處理室42 中和從處理室42卸載，以增加吞吐量。(轉(zhuǎn)移室)
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圖3是示出在根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備中采用的轉(zhuǎn)移室的配置的透明透視圖。如上所述，襯底處理設(shè)備10被提供有轉(zhuǎn)移室50，在該轉(zhuǎn)移室50內(nèi)進行用于促使未經(jīng)處理的晶片14被保持在晶舟30中的晶片裝載操作，以及用于從晶舟30取出經(jīng)處理的晶片14的晶片卸除操作。轉(zhuǎn)移室50是由頂、底和四個側(cè)壁限定的矩形平面視圖形狀形成的單個室。轉(zhuǎn)移室50不應(yīng)當(dāng)被限制為矩形平面視圖形狀，而是可以被配置為具有多邊形平面視圖形狀(例如，三角形平面視圖形狀或者五邊形平面視圖形狀)。就此而言，轉(zhuǎn)移室50 不需要由裝載閉鎖室或者氮氣吹掃盒組成，而是可以保持在環(huán)境空氣氣氛中。在轉(zhuǎn)移室50的接近晶盒開啟器M的側(cè)壁中形成作為襯底接收連通閘的晶片進出閘51，從而使得晶片14可以通過晶片進出閘51而在放置在晶盒開啟器M上的晶盒16與定位在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的晶舟30之間傳送。在轉(zhuǎn)移室50的頂上形成具有允許保持晶片14的晶舟30通過的形狀和尺寸的、與處理室42的內(nèi)部連通的開口(未示出)。除了襯底轉(zhuǎn)移機28之外，在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)布置晶舟30和晶舟升降機(未示出)、清潔單元52、排氣單元53a和排氣單元53b。(清潔單元)布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔單元52被配置成將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室50中。為此， 清潔單元52包括例如由ULPA (超低穿透氣體)過濾器形成的過濾器和電驅(qū)動以吹動空氣的鼓風(fēng)機。為了稍后提到的理由，該配置的清潔單元52布置在具有多邊形平面視圖形狀的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中。(排氣單元)布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的排氣單元53a和排氣單元5 被配置成將存在于轉(zhuǎn)移室50 內(nèi)的空氣(不僅包括清潔空氣，也包括包含顆粒的空氣)排出到轉(zhuǎn)移室50的外部。為此， 排氣單元53a和排氣單元5 中的每個包括從轉(zhuǎn)移室50的內(nèi)部延伸到轉(zhuǎn)移室50的外部的導(dǎo)管和安裝在導(dǎo)管內(nèi)的電排氣扇。為了稍后闡明的理由，該配置的排氣單元53a和排氣單元5 布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的不同于布置有清潔單元52的角落區(qū)域的其他角落區(qū)域中。(氣流循環(huán)路徑)處理爐40被布置在具有前述的內(nèi)部配置的轉(zhuǎn)移室50之上。然而，存在于轉(zhuǎn)移室 50之上的外殼12的內(nèi)部空間并非由處理爐40完全占用。在圍繞處理爐40的空間區(qū)域中形成氣流循環(huán)路徑陽。氣流循環(huán)路徑55被提供成用于經(jīng)過清潔單元52將從轉(zhuǎn)移室50的內(nèi)部排出的空氣將重新供應(yīng)進入轉(zhuǎn)移室50中。更具體地，氣流循環(huán)路徑55限定了空氣路線，沿著該路線，由排氣單元53a和排氣單元5 從轉(zhuǎn)移室50的內(nèi)部排出的空氣將朝向清潔單元52的空氣入口端口流動。氣流循環(huán)路徑55被配置成用于通過允許清潔單元52從氣流循環(huán)路徑 55汲取空氣，從而經(jīng)過清潔單元52將清潔空氣重新供應(yīng)到轉(zhuǎn)移室50中。在由氣流循環(huán)路徑55限定的空氣路線中設(shè)置調(diào)節(jié)風(fēng)門(附圖中未示出)。調(diào)節(jié)風(fēng)門被配置成控制通過氣流循環(huán)路徑陽流動的空氣的流動速率。更具體地，可以使用已知的流動速率控制機制(諸如蝶形閥或者針機構(gòu))配置調(diào)節(jié)風(fēng)門。然而，優(yōu)選具有如下功能的調(diào)節(jié)風(fēng)門，即自動地控制流動速率并且與清潔單元52 —起可控?？梢栽谵D(zhuǎn)移室50之上設(shè)置第二清潔單元56。第二清潔單元56被配置成在晶片進出閘51附近處生成清潔空氣的局部下行氣流。更具體地，與清潔單元52 —樣，第二清潔單元56可以被配置成包括諸如ULPA過濾器之類的過濾器和鼓風(fēng)機。如果采用了第二清潔單元56，則氣流循環(huán)路徑55允許清潔單元52和第二清潔單元56這兩者汲取從轉(zhuǎn)移室50排出的空氣，從而使得清潔空氣可以被重新供應(yīng)到轉(zhuǎn)移室50中。(晶舟交換裝置)圖4是示意性地示出了在根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備中采用的晶舟交換裝置的平面視圖。在雙晶舟類型的襯底處理設(shè)備中，晶舟交換裝置M被設(shè)置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)，以將兩個晶舟30交替地加載到處理室42中并且從處理室42卸載。現(xiàn)在將參照圖4描述在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的晶舟交換裝置M的操作。在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)，晶舟30中的每個由晶舟交換裝置M的搖臂移動而同時沿著弧形軌道。晶舟30中的每個可以有三個位置。在圖4中，圓弧的左端為晶片轉(zhuǎn)移位置A，在此處由襯底轉(zhuǎn)移機觀將晶片轉(zhuǎn)移到晶舟30中的一個，圓弧的右端為晶舟冷卻位置B，圓弧的中心為晶舟加載/卸載位置C，在此處將晶舟30中的一個加載到處理室42中或者從處理室 42卸載。晶舟交換裝置M如下地工作。事先將兩個空的晶舟30放在位置A和位置B。從晶盒16中取出并且由凹口對準(zhǔn)機(未示出)進行凹口對準(zhǔn)的晶片被裝載到放置在位置A的晶舟30。然后，放置在位置A并且用經(jīng)凹口對準(zhǔn)的晶片填充的晶舟30由晶舟交換裝置M 的搖臂傳送到位置C。傳送到位置C的晶舟30被加載到處理室42中，在該處理室42中，晶片經(jīng)歷指定處理。當(dāng)晶片在處理室42內(nèi)進行處理時，放置在位置B的空的晶舟30由搖臂傳送到位置A。從晶盒16中取出還未凹口對準(zhǔn)的晶片，并且由凹口對準(zhǔn)機對該晶片進行凹口對準(zhǔn)。經(jīng)凹口對準(zhǔn)的晶片被轉(zhuǎn)移到放置在位置A的晶舟30中，并且被填充在該晶舟30 中。隨后，如下重復(fù)操作(a)至操作(d)。(a) 一旦完成在處理室42內(nèi)進行的處理，則保持經(jīng)處理的晶片的晶舟30從處理室 42卸載，并且被降低到位置C。然后，晶舟30由搖臂傳送到位置B，并且被冷卻。(b)在正在進行冷卻時，用經(jīng)凹口對準(zhǔn)的晶片填充并且放置在位置A的晶舟30由搖臂移動到位置C，并且然后被加載到處理室42中，在處理室42中，經(jīng)凹口對準(zhǔn)的晶片經(jīng)歷指定處理。(c)在處理室42內(nèi)進行處理的同時，在位置B被冷卻的晶舟30由搖臂傳送到位置 A。在位置A，經(jīng)處理的晶片被從晶舟30卸除，并且被返回到晶盒16中。(d)通過取出經(jīng)處理的晶片而清空的晶舟30被新從晶盒16中取出的經(jīng)凹口對準(zhǔn)的晶片裝載。因此，空的晶舟30由未經(jīng)處理的晶片填充。(5)在轉(zhuǎn)移室中的氣流的形成接下來，將詳細(xì)描述在以上配置的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成的氣流(清潔空氣流)。(比較示例)在描述本實施例的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的氣流形成之前，將描述作為本公開的比較示例的常規(guī)配置中的氣流形成。
圖5是示意性地圖示了在作為本公開的比較示例的常規(guī)配置的轉(zhuǎn)移室內(nèi)的氣流形成的透視圖。在常規(guī)襯底處理設(shè)備中，包括過濾器和鼓風(fēng)機的清潔單元61被布置在轉(zhuǎn)移室50 內(nèi)，以沿著轉(zhuǎn)移室50的一個側(cè)壁延伸。在轉(zhuǎn)移室50的側(cè)壁的下部(在其上形成晶片進出閘51)設(shè)置有循環(huán)路徑62，由清潔單元61將轉(zhuǎn)移室50內(nèi)存在的空氣通過該循環(huán)路徑62重新供應(yīng)到轉(zhuǎn)移室50中。利用該配置，在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成的氣流從清潔單元61側(cè)向流動。由于在常規(guī)配置中形成的氣流側(cè)向流動，空氣趨于在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域63 中停留。具體地，不移動并且停留在晶片進出閘51的鄰近區(qū)域的角落中的空氣可能引起經(jīng)過晶片進出閘51傳送的晶片的顆粒污染。因此，有必要防止空氣在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)不移動。當(dāng)在常規(guī)配置中形成氣流時，空氣通過使用轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的有限空間而循環(huán)(重新供應(yīng))。由于這個原因，變得難于為清潔單元61和循環(huán)路徑62確保足夠的安裝空間，這使得難于提供足夠的空氣流動速率。因此，氣流趨于變得紊亂。這可能引起空氣停留在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域63中。同時，熱輻射構(gòu)件(諸如剛經(jīng)處理的晶片)存在于轉(zhuǎn)移室50內(nèi)。有可能由于熱輻射構(gòu)件的熱而從晶片轉(zhuǎn)移機生成顆粒。在同一外殼中，空氣不運動例如在其中布置晶盒支架的空間中(在旋轉(zhuǎn)支架安裝室中)可能不引起任何問題，但是在其中通過熱很可能生成了顆粒的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)可能引起很大問題。在用于形成氣流的常規(guī)配置中，沿著轉(zhuǎn)移室50的一個側(cè)壁設(shè)置清潔單元61。因此，需要在轉(zhuǎn)移室50的側(cè)壁中設(shè)置與清潔單元61的尺寸成比例的安裝空間。這使得難于降低用于襯底處理設(shè)備安裝的空間，在設(shè)備的橫向方向上尤其如此。這在晶片的直徑增加 (例如，從300mm到450mm)時可能導(dǎo)致很大問題。(在本實施例中的氣流形成)在反復(fù)進行研究以找到一種用于在上述條件下在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成最佳氣流的方式之后，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)期望的是使清潔空氣從轉(zhuǎn)移室50的角落區(qū)域循環(huán)?；谠摪l(fā)現(xiàn)， 本發(fā)明人已構(gòu)思出一種配置，在該配置中，與常規(guī)配置不同，清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50 內(nèi)的角落區(qū)域，以將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室50中。更具體地，如圖3中所示，清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域，該角落區(qū)域由具有晶片進出閘51的一個側(cè)壁和與其相鄰的另一個側(cè)壁限定。排氣單元53a和排氣單元5 被布置在與具有晶片進出閘51的側(cè)壁相對的側(cè)壁的平行末端處存在的角落區(qū)域中。如果清潔空氣從清潔單元52吹入，并且如果由排氣單元53a和排氣單元5 主動地進行排氣操作，則在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成從清潔單元52朝向排氣單元53a和排氣單元53b的清潔空氣的流動(氣流)。由于清潔單元52與排氣單元53a和排氣單元5 被布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中，所以空氣主要在轉(zhuǎn)移室50的對角線方向上流動。與常規(guī)配置中的側(cè)向流動不同，空氣很難在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中停留。假定空氣將在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的有限的空間中循環(huán)，則常常并不容易實現(xiàn)其中清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中的配置。這是由于可能難于從與清潔單元52對角線地相對的角落區(qū)域中確保用于限定空氣循環(huán)路線的空間。在不被應(yīng)當(dāng)將轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的有限空間用于使空氣循環(huán)的成規(guī)所限制的情況下， 本發(fā)明人已構(gòu)思出如下的前所未有的想法，即，使用在外殼12內(nèi)的在轉(zhuǎn)移室50之上的空間形成氣流循環(huán)路徑陽。利用該想法，可以實現(xiàn)清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域并同時限定從排氣單元53a和排氣單元5 到清潔單元52的空氣循環(huán)路線的配置。在其中進一步提供了第二清潔單元56的情況中，在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的與晶片進出閘 51面對的位置中形成了清潔空氣的局部下行氣流以及從清潔單元52朝向排氣單元53a和排氣單元53b的氣流。圖6A是示出在本襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)形成氣流的示例的平面視圖，而圖6B 是示出在常規(guī)襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)形成氣流的具體示例的平面視圖。如圖6A中所示，在其中清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中的配置中， 清潔空氣從清潔單元52吹入，并且由安裝在面對清潔單元52的角落區(qū)域中的排氣單元53a 和排氣單元5 主動地進行排氣操作，借此在清潔單元52與排氣單元53a和排氣單元5 之間形成氣流(見圖6A中的箭頭)。換言之，在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成了從一個角落區(qū)域到其他角落區(qū)域的氣流。因此，與在常規(guī)配置中的空氣的側(cè)向流動相比，空氣很難在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中停留。這使得可以以可靠的方式形成氣流。由于空氣很難保持靜止，因此可以提供對晶片14的足夠的冷卻效果。具體地，如果由第二清潔單元56在晶片進出閘51附近形成了局部下行氣流，則即使當(dāng)難于在晶片進出閘51附近的角落區(qū)域中確保用于安裝排氣單元的空間時，也可以防止空氣在該角落區(qū)域中停留。這在抑制對通過晶片進出閘51傳送的晶片的顆粒污染中相當(dāng)有效。在一些實施例中，在清潔單元52中的流動速率和在排氣單元53a和排氣單元5 中的總流動速率是平衡的，從而使得它們可以彼此相等。分析的結(jié)果揭示了 通過將在清潔單元52中的流動速率與在排氣單元53a和排氣單元53b中的流動速率設(shè)定為等于例如 1 0.5 0.5，可以形成良好平衡的氣流。流動速率的平衡并不限于以上提到的示例，而是可以根據(jù)不同情況適當(dāng)?shù)卮_定。這是由于晶片溫度隨著處理室42內(nèi)的處理條件(例如， 依賴于將要形成的膜的類型)而變化。盡管布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中的清潔單元52可以按這種樣子使用，但是在一些實施例中，用于將從清潔單元52吹出的清潔空氣分布在至少三個不同方向上的空氣擴散器57可以被安裝在清潔單元52的空氣排放側(cè)?？諝鈹U散器57在一些實施例中可以被提供有用于改變清潔空氣的流動方向的葉片。由空氣擴散器57分布在至少三個不同方向上的氣流的示例包括(a)朝向晶片進出閘51和襯底轉(zhuǎn)移機觀的前端移動的氣流，(b) 朝向晶舟升降機移動的氣流以及(c)朝向晶舟交換裝置M移動的氣流。通過以這種方式將氣流分布在三個不同的方向上，清潔空氣被供應(yīng)為具有不同作用的氣流(a)、氣流(b)和氣流(c)?？諝鈹U散器57的安裝在增加轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔度(包括晶片14的清潔度)方面非常有效。以上描述的配置具有的很大的優(yōu)點，這是因為不僅可以消除轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的氣體的不運動，而且即使在晶片的直徑增加時(例如，從300mm到450mm)也可以保持設(shè)備的寬
度盡可能小。如圖6B所示，在用于形成側(cè)向氣流的常規(guī)配置中，應(yīng)當(dāng)在轉(zhuǎn)移室50的一個側(cè)壁的區(qū)域上提供與清潔單元61的尺寸成比例的安裝空間，以安裝清潔單元61。這意味著轉(zhuǎn)移室 50內(nèi)的空間未有效利用。在圖6B示出的常規(guī)配置中，在與清潔單元61相對的側(cè)壁處布置了排氣扇。在將要進行處理的晶片14具有300mm的直徑時，可以適用用于形成側(cè)向氣流的常規(guī)配置而沒有顯著問題。然而，如果晶片的直徑增加到450mm，則以常規(guī)方式安裝清潔單元 61非常困難，這是由于在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的可用的安裝空間變得相當(dāng)窄(在設(shè)備的橫向方向上變得更小)。相比而言，如果如以上描述的本實施例中一樣，將清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中，則圖6A中明顯可以看出即使在晶片14具有450mm的直徑時也可以在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)可靠地形成氣流。這有助于降低襯底處理設(shè)備的外部尺寸，該尺寸在其他情況中將與晶片14的直徑成比例地增加。換言之，在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中安裝清潔單元52使得可以有效地使用轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的空間，從而使設(shè)備的寬度保持為盡可能窄。這也使得可以在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)可靠地形成氣流，這有助于提高轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔度。圖7是示意性地示出了在根據(jù)本公開的一個實施例的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室之上的循環(huán)路線中形成的氣流的平面視圖。由排氣單元53a和排氣單元5 從轉(zhuǎn)移室50的內(nèi)部排出的空氣沿著提供在轉(zhuǎn)移室50之上的氣流循環(huán)路徑55循環(huán)，并且然后被返回到清潔單元52或者第二清潔單元56。 如果以這種方式使用存在于外殼12內(nèi)的、轉(zhuǎn)移室50上的空間形成氣流循環(huán)路徑55，則與在其中使用轉(zhuǎn)移室50內(nèi)有限的空間使空氣循環(huán)的常規(guī)配置相比，緩解了空間限制。這使得可以容易地增加循環(huán)空氣的流動速率。即使在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)以多個數(shù)目的方式提供排氣單元 53a和排氣單元53b，也可以使從相應(yīng)排氣單元53a和排氣單元5 (即，兩個排氣單元)排出的空氣循環(huán)。因此，空氣可以以足夠的流動速率循環(huán)經(jīng)過清潔單元52或者第二清潔單元 56。這有助于防止清潔單元52或者第二清潔單元56受空氣量短缺影響。此外，如果清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中，并且使用存在于外殼12 內(nèi)的、轉(zhuǎn)移室50之上的空間形成氣流循環(huán)路徑55，則在其他情況中由清潔單元61與循環(huán)路徑62占用的區(qū)域變?yōu)榭盏目臻g。與常規(guī)配置相比，這有助于增加在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)布置相應(yīng)組件的自由程度。如果在由氣流循環(huán)路徑55限定的空氣路線上設(shè)置調(diào)節(jié)風(fēng)門58，則可以通過控制調(diào)節(jié)風(fēng)門58內(nèi)的流動速率來調(diào)整轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔空氣的壓力。換言之，可以通過在空氣路線中安裝調(diào)節(jié)風(fēng)門58而在排氣側(cè)調(diào)整常規(guī)地基于清潔單元61中的流動速率來控制的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔空氣的壓力。在該情況中，如果調(diào)節(jié)風(fēng)門58內(nèi)的流動速率與清潔單元 52或者第二清潔單元56的操作一起自動地控制，則是更加期望的。利用該配置，變得可以精確地控制空氣壓力。(本實施例提供的效果)本實施例可以具有以下效果中的一個或者多個。(i)利用本實施例，清潔單元52布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中。因此，空氣很難在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)不移動(尤其是在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中)。這使得可以以可靠的方式形成氣流。換言之，即使當(dāng)從處理室42取出的晶片14發(fā)射熱量時，也可以防止晶片14被顆粒污染。這是由于本實施例被配置成用于防止空氣不移動，而空氣不移動可以引起晶片被顆粒污染。此外，將清潔單元52安裝在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中使得與常規(guī)配置(側(cè)向空氣流動)相比可以有效地使用轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的空間，并且容易地減小襯底處理設(shè)備10的安裝空間。也就是說，可以實現(xiàn)這樣的配置即使在晶片14具有增加的尺寸時，該配置也可以保持設(shè)備寬度盡可能地小。如上所述，本實施例被配置成不是如在常規(guī)配置中一樣生成側(cè)向氣流，而是在具有矩形平面視圖形狀的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成至少在對角線方向上的清潔空氣流。這使得可以防止空氣在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)不移動，并且防止晶片14在轉(zhuǎn)移中被顆粒污染。此外，可以可靠地在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)生成氣流，而同時保持轉(zhuǎn)移室50的空間較小。(ii)利用本實施例，排氣單元53a和排氣單元5 被布置在與布置清潔單元52不同的其他角落區(qū)域中。這使得可以在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)可靠地形成氣流。換言之，由于氣流被形成為從清潔單元52朝向排氣單元53a和排氣單元53b，所以空氣主要在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的對角線方向上流動。與常規(guī)配置中的側(cè)向氣流不同，空氣難于在不流動的情況下保持在轉(zhuǎn)移室 50內(nèi)的角落區(qū)域中。(iii)利用本實施例，提供了空氣擴散器57以將從清潔單元52吹出的清潔空氣分布在至少三個不同方向上。這使得可以在相應(yīng)方向上供應(yīng)清潔空氣以起不同的作用?？諝鈹U散器57的安裝使得容易增加轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔度。(iv)利用本實施例，使用存在于外殼12內(nèi)的、轉(zhuǎn)移室50之上的空間形成氣流循環(huán)路徑55。與在其中使用轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的有限空間使空氣循環(huán)的常規(guī)配置相比，這有助于防止清潔單元52或者第二清潔單元56受空氣量短缺影響。此外，在由氣流循環(huán)路徑55限定的空氣路線上設(shè)置調(diào)節(jié)風(fēng)門58，借此可以通過控制調(diào)節(jié)風(fēng)門58內(nèi)的流動速率來調(diào)整轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔空氣的壓力。換言之，可以通過在空氣路線中安裝調(diào)節(jié)風(fēng)門58而在排氣側(cè)調(diào)整常規(guī)地基于清潔單元61中的流動速率來控制的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔空氣的壓力。(ν)利用本實施例，由第二清潔單元56在晶片進出閘51附近形成了局部下行氣流。這使得即使難以在角落區(qū)域中確保用于安裝排氣單元的空間時，也可以防止空氣在晶片進出閘51附近的該角落區(qū)域中停留。這在抑制對通過晶片進出閘51傳送的晶片的顆粒污染中相當(dāng)有效。(vi)在本實施例中，當(dāng)排氣單元53a和排氣單元5 安裝在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中時，清潔單元52中的流動速率和排氣單元53a和排氣單元5 中的總流動速率是平衡的，從而使得它們可以彼此相等。這使得可以形成良好平衡的氣流。<本公開的其他實施例>接下來，將進行本公開的其他實施例的描述。盡管在以上描述的實施例中采用雙晶舟類型的襯底處理設(shè)備作為示例，但是本公開并不限于此。無需贅言，本公開也可應(yīng)用于所謂的單晶舟類型的襯底處理設(shè)備，在該單晶舟類型的襯底處理設(shè)備中，單個晶舟30被加載到處理室42中或者從處理室42卸載。圖8A和圖8B為示出在根據(jù)本公開的另一實施例的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)形成氣流的某些示例的平面視圖。在所圖示的示例中，在單晶舟類型的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成了氣流。與雙晶舟類型的襯底處理設(shè)備相比，單晶舟類型的襯底處理設(shè)備包括布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的數(shù)目減少的組件。這意味著轉(zhuǎn)移室50內(nèi)有可用的額外空間。當(dāng)本公開應(yīng)用于單晶舟類型的襯底處理設(shè)備時，利用了額外的空間。如圖8A中所示，以其他方式布置在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的角落區(qū)域中的排氣單元53a和排氣單元5 中的一個可以用附加的清潔單元5 替代，從而使得可以在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的兩個地點處形成氣流。換言之，附加的清潔單元5 布置在與清潔單元52存在的角落區(qū)域不同的角落區(qū)域中。因此，組合地使用清潔單元52和清潔單元52a。這使得可以在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的晶舟30附近形成穩(wěn)定(良好排序)的側(cè)向氣流，并同時限制氣流在角落區(qū)域中停留。如圖8B所示，可以沿著轉(zhuǎn)移室50的一個側(cè)壁(沿著具有矩形平面形狀的轉(zhuǎn)移室 50的一側(cè))并排地布置與清潔單元52不同的附加的清潔單元52b。在該情況中，清潔單元 52和清潔單元52b組合地使用。這使得可以在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的晶舟30附近形成穩(wěn)定(良好排序)的側(cè)向氣流，而同時限制氣流在角落區(qū)域中停留。如上所述，清潔單元52和附加的清潔單元52a、附加的清潔單元52b的組合使用使得可以在晶舟30附近生成穩(wěn)定的側(cè)向氣流。這有助于維持保持在晶舟30中的晶片14的
清潔度。圖9是示出在根據(jù)本公開的又一實施例的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室內(nèi)的氣流形成的示例的平面視圖。在所圖示的示例中，在雙晶舟類型的襯底處理設(shè)備的轉(zhuǎn)移室50內(nèi)形成了氣流。無需贅言，本實施例也同樣可用于單晶舟類型的襯底處理設(shè)備。在圖9中示出的配置示例中，在轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的清潔空氣路線的特定點處提供了用于向氣流循環(huán)路徑陽局部排放清潔空氣的局部排氣單元59。特定點的示例包括在此處適當(dāng)?shù)鼐S持轉(zhuǎn)移室50的環(huán)境(例如，清潔度或者溫度)可能遭遇困難的點，諸如此處很可能發(fā)生溫度升高的點。對于特定點的數(shù)目沒有具體限制。如果存在于轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的空氣被允許通過在特定點處安裝的局部排氣單元59朝向氣流循環(huán)路徑55流動，則與其中沒有局部排氣單元59的情況相比，適當(dāng)?shù)鼐S持轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的環(huán)境變得容易。利用具有局部排氣單元59的配置，可以適當(dāng)?shù)鼐S持轉(zhuǎn)移室50內(nèi)的環(huán)境。這使得可以將晶片14的清潔度維持在較高水平，并且可以提供對于晶片14的足夠的冷卻效果。在圖9中示出的配置示例中，進一步在晶片進出閘51附近的角落區(qū)域中設(shè)置了排氣單元53c。只要存在可用的安裝空間，則期望安裝排氣單元53c。這使得可以可靠地防止空氣在晶片進出閘51附近的角落區(qū)域中停留。無需贅言，本公開并不限于前述實施例，而是可以被修改為各種形式，而不脫離權(quán)利要求中限定的本公開的范圍?！幢竟_的方面〉此后，將附加地闡述本公開的各個方面。本公開的一個方面涉及襯底處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，在處理室中對襯底進行處理；襯底保持器，配置成在保持襯底的同時被加載到處理室中或者從處理室卸載；轉(zhuǎn)移室，在轉(zhuǎn)移室中進行用于促使襯底保持器保持未經(jīng)處理的襯底的裝載操作和用于從襯底保持器取出經(jīng)處理的襯底的卸除操作；以及清潔單元，配置成用于將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室， 轉(zhuǎn)移室具有多邊形平面視圖形狀并且包括角落區(qū)域，清潔單元被布置在轉(zhuǎn)移室的角落區(qū)域的一個中。根據(jù)一個方面的設(shè)備可以進一步包括排氣單元，配置成用于通過該排氣單元將轉(zhuǎn)移室內(nèi)存在的氣體排出，排氣單元布置在與布置清潔單元的角落區(qū)域不同的角落區(qū)域中。根據(jù)另一方面的設(shè)備可以進一步包括空氣擴散器，配置成用于將從清潔單元吹出的清潔空氣分布在至少三個不同方向上。根據(jù)又一方面的設(shè)備可以進一步包括氣流循環(huán)路徑，通過該氣流循環(huán)路徑，從轉(zhuǎn)移室排出的空氣通過清潔單元而重新供應(yīng)到轉(zhuǎn)移室中；以及調(diào)節(jié)風(fēng)門，配置成用于控制流動經(jīng)過氣流循環(huán)路徑的空氣的流動速率，調(diào)節(jié)風(fēng)門被配置成用于通過控制空氣的流動速率來調(diào)整供應(yīng)到轉(zhuǎn)移室中的空氣的壓力。根據(jù)另一方面的設(shè)備可以進一步包括第二清潔單元，配置成用于在轉(zhuǎn)移室內(nèi)的襯底接收連通間附近生成清潔空氣的局部下行氣流。在根據(jù)又一方面的設(shè)備中，排氣單元可以包括布置在轉(zhuǎn)移室的角落區(qū)域中的多個排氣單元，排氣單元中的總流動速率和在清潔單元中的流動速率被平衡為變成彼此相等。根據(jù)附加的方面的設(shè)備可以進一步包括附加的清潔單元，布置在與布置清潔單元的角落區(qū)域不同的角落區(qū)域中或者在沿著具有多邊形平面視圖形狀的轉(zhuǎn)移室的一個側(cè)壁的位置，從而使得清潔單元和附加的清潔單元可以組合地使用。根據(jù)另一方面的設(shè)備可以進一步包括局部排氣單元，設(shè)置在轉(zhuǎn)移室內(nèi)的清潔空氣路線上的特定點處，以執(zhí)行空氣向氣流循環(huán)路徑的局部排放。本公開的另一方面涉及襯底處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，在處理室中對襯底進行處理；襯底保持器，配置成在保持襯底的同時被加載到處理室中或者從處理室卸載；轉(zhuǎn)移室，在轉(zhuǎn)移室中進行用于促使襯底保持器保持未經(jīng)處理的襯底的裝載操作和用于從襯底保持器取出經(jīng)處理的襯底的卸除操作；以及清潔單元，配置成用于將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室， 轉(zhuǎn)移室具有多邊形平面視圖形狀，清潔單元被布置成在具有多邊形平面視圖形狀的轉(zhuǎn)移室的至少對角線方向上生成清潔空氣流。本公開的又一方面涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括加載前轉(zhuǎn)移步驟，用于在與處理室連通的轉(zhuǎn)移室內(nèi)進行裝載操作，通過該裝載操作，使得襯底保持器在襯底保持器被加載到處理室中之前保持未經(jīng)處理的襯底；將保持未經(jīng)處理的襯底的襯底保持器從轉(zhuǎn)移室加載到處理室中；對由加載到處理室中的襯底保持器保持的襯底進行處理；將保持經(jīng)處理的襯底的襯底保持器從處理室卸載到轉(zhuǎn)移室中；以及加載后轉(zhuǎn)移步驟，用于執(zhí)行卸除操作，通過該卸除操作，由從處理室卸載的襯底保持器保持的經(jīng)處理的襯底被從襯底保持器取出，其中在加載前轉(zhuǎn)移步驟與加載后轉(zhuǎn)移步驟中的至少一個期間，由清潔單元將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室，轉(zhuǎn)移室配置成具有多邊形平面視圖形狀，清潔單元布置在轉(zhuǎn)移室的角落區(qū)域中。根據(jù)本公開，清潔單元布置在轉(zhuǎn)移室內(nèi)的角落區(qū)域中的一個中，從而使得清潔單元可以將清潔空氣從一個角落區(qū)域吹向其余角落區(qū)域。因此，防止空氣在轉(zhuǎn)移室內(nèi)(尤其是在相應(yīng)角落區(qū)域中)停留，這使得可以以可靠的方式形成氣流。換言之，即使當(dāng)從處理室取出的晶片發(fā)射熱量時，也可以防止晶片被顆粒污染。這是由于本實施例被配置成用于防止空氣不移動，其中空氣不移動可以引起晶片被顆粒污染。此外，清潔單元安裝在轉(zhuǎn)移室內(nèi)的角落區(qū)域中使得與常規(guī)配置(側(cè)向氣流)相比，可以有效地使用轉(zhuǎn)移室內(nèi)的空間，并且容易地減小襯底處理設(shè)備的安裝空間。也就是說，可以實現(xiàn)這樣的配置即使在晶片14具有增加的尺寸時，該配置也可以保持設(shè)備寬度盡可能地小。
15管已描述了某些實施例，但是這些實施例僅以示例的方式呈現(xiàn)，并且并不旨在限制本公開的范圍。相反，本文描述的新穎的設(shè)備和方法可以以多種其他形式體現(xiàn)；此外， 可以在本文描述的實施例的形式中進行各種省略、替換以及改變，而不脫離本公開的精神。 附隨權(quán)利要求和它們的等價物旨在覆蓋如將落入本公開的范圍和精神內(nèi)的這樣的形式和修改。
權(quán)利要求
1.一種襯底處理設(shè)備，包括處理室，在所述處理室中對襯底進行處理；襯底保持器，配置成在保持所述襯底的同時被加載到所述處理室中或者從所述處理室卸載；轉(zhuǎn)移室，在所述轉(zhuǎn)移室中進行用于促使所述襯底保持器保持未經(jīng)處理的襯底的裝載操作和用于從所述襯底保持器取出經(jīng)處理的襯底的卸除操作；以及清潔單元，配置成用于將清潔空氣吹入所述轉(zhuǎn)移室，其中所述轉(zhuǎn)移室具有多邊形平面視圖形狀，并且所述清潔單元被布置在所述轉(zhuǎn)移室的第一角落區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括排氣單元，配置成用于通過所述排氣單元將所述轉(zhuǎn)移室內(nèi)存在的氣體排出，所述排氣單元被布置在所述轉(zhuǎn)移室的第二角落區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括空氣擴散器，配置成用于將從所述清潔單元吹出的清潔空氣分布在至少三個不同方向上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括氣流循環(huán)路徑，通過所述氣流循環(huán)路徑從所述轉(zhuǎn)移室排出的空氣可以通過所述清潔單元而重新供應(yīng)到所述轉(zhuǎn)移室中；以及調(diào)節(jié)風(fēng)門，配置成用于控制流動經(jīng)過所述氣流循環(huán)路徑的空氣的流動速率，所述調(diào)節(jié)風(fēng)門被配置成用于通過控制所述空氣的流動速率而調(diào)整供應(yīng)到所述轉(zhuǎn)移室中的所述空氣的壓力。
5.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括加載前轉(zhuǎn)移步驟，用于在與處理室連通的轉(zhuǎn)移室內(nèi)進行裝載操作，通過所述裝載操作， 促使襯底保持器在所述襯底保持器被加載到所述處理室中之前保持未經(jīng)處理的襯底； 將保持所述未經(jīng)處理的襯底的所述襯底保持器從所述轉(zhuǎn)移室加載到所述處理室中； 對由加載到所述處理室中的所述襯底保持器保持的所述襯底進行處理； 將保持經(jīng)處理的襯底的所述襯底保持器從所述處理室卸載到所述轉(zhuǎn)移室中；以及加載后轉(zhuǎn)移步驟，用于執(zhí)行卸除操作，通過所述卸除操作，由從所述處理室卸載的所述襯底保持器保持的所述經(jīng)處理的襯底被從所述襯底保持器取出，其中在所述加載前轉(zhuǎn)移步驟與所述加載后轉(zhuǎn)移步驟中的至少一個期間，由清潔單元將清潔空氣吹入所述轉(zhuǎn)移室，所述轉(zhuǎn)移室被配置成具有多邊形平面視圖形狀，所述清潔單元被布置在所述轉(zhuǎn)移室的角落區(qū)域中。
全文摘要
一種襯底處理設(shè)備，該設(shè)備包括處理室，在處理室中對襯底進行處理；襯底保持器，配置成在保持襯底的同時被加載到處理室中或者從處理室卸載；轉(zhuǎn)移室，在轉(zhuǎn)移室中進行用于促使襯底保持器保持未經(jīng)處理的襯底的裝載操作和用于從襯底保持器取出經(jīng)處理的襯底的卸除操作；以及清潔單元，配置成用于將清潔空氣吹入轉(zhuǎn)移室。轉(zhuǎn)移室具有多邊形平面視圖形狀，并且包括角落區(qū)域。清潔單元布置在轉(zhuǎn)移室的角落區(qū)域的一個中。
文檔編號H01L21/677GK102446796SQ201110241510
公開日2012年5月9日 申請日期2011年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月1日
發(fā)明者中田高行, 谷山智志 申請人:株式會社日立國際電氣