專利名稱：基板處理方法及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對(duì)象的基板例如包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED (Field Emission Display :場(chǎng)致發(fā)射顯示裝置)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置、液晶顯示裝置等的制造工序中，有時(shí)需要進(jìn)行從形成有氮化硅膜 (SiN膜)和氧化硅膜(SiO2膜)的基板的表面選擇性地除去氮化硅膜的選擇蝕刻。此時(shí)， 高溫(例如，120°C 160°C )的磷酸水溶液作為蝕刻液供給至基板的表面(例如，參照日本特開2007-258405號(hào)公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠進(jìn)行選擇蝕刻的選擇比(氮化膜的除去量/氧化膜的除去量)高的基板處理的基板處理方法及基板處理裝置。本發(fā)明的基板處理方法，包括甲硅烷化工序，向基板供給甲硅烷化劑；蝕刻工序，在進(jìn)行了所述甲硅烷化工序之后，向所述基板供給蝕刻劑。根據(jù)該方法，在通過供給蝕刻劑蝕刻基板之前，通過供給甲硅烷化劑使基板甲硅烷化。因此，蝕刻被甲硅烷化的基板。如后所述，通過使形成有氧化膜和氮化膜的基板甲硅烷化，能夠抑制氧化膜被蝕刻。因此，通過蝕刻被甲硅烷化的基板，能夠提高選擇比(氮化膜的除去量/氧化膜的除去量)。所述基板處理方法還可以包括在進(jìn)行了所述蝕刻工序之后向所述基板供給沖洗液的沖洗工序，和在進(jìn)行了所述沖洗工序之后干燥所述基板的干燥工序。另外，所述基板處理方法還可以包括與所述甲硅烷化工序并行進(jìn)行且對(duì)所述基板進(jìn)行加熱的加熱工序。此時(shí)，由于基板的溫度上升，所以能夠抑制供給至基板的甲硅烷化劑的溫度降低。因此，在甲硅烷化劑的活性隨著溫度變化而變化的情況下，能夠使甲硅烷化劑的活性穩(wěn)定。而且，在基板的溫度比供給至該基板的甲硅烷化劑的溫度高的情況，能夠使供給至基板的甲硅烷化劑的溫度上升。因此，在甲硅烷化劑的活性隨著溫度的上升而變高的情況，能夠提聞甲娃燒化劑的活性。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理方法還包括反復(fù)工序，在所述反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括所述甲硅烷化工序和所述蝕刻工序的一系列工序在內(nèi)的循環(huán)周期。根據(jù)該方法，來蝕刻被甲硅烷化的基板。此后，再次使被蝕刻的基板甲硅烷化。然后，再次蝕刻被甲硅烷化的基板。即，中斷蝕刻，在該蝕刻中斷的期間，再次使基板甲硅烷化。在長(zhǎng)時(shí)間供給蝕刻劑時(shí)，在該過程中，有時(shí)甲硅烷化劑所帶來的抑制對(duì)氧化膜的蝕刻的能力降低，使得選擇比降低。因此，通過再次使基板甲硅烷化，能夠恢復(fù)抑制蝕刻氧化膜的能力。因此，能夠在再次蝕刻時(shí)，抑制對(duì)氧化膜的蝕刻。因此，能夠抑制或防止選擇比降低。
優(yōu)選所述循環(huán)周期還包括在進(jìn)行了所述蝕刻工序之后向所述基板供給沖洗液的沖洗工序。此時(shí)，對(duì)被甲硅烷化的基板進(jìn)行蝕刻，此后，向被蝕刻的基板供給沖洗液，來沖洗附著在基板上的液體、異物。然后，再次依次進(jìn)行甲硅烷化工序、蝕刻工序以及沖洗工序。有時(shí)在被蝕刻的基板上附著有由于蝕刻而產(chǎn)生的異物。尤其，在供給至基板的蝕刻劑為蒸氣時(shí)，與蝕刻劑為液體的情況相比，異物易于殘留在基板上。如果在附著有蝕刻產(chǎn)生的異物的狀態(tài)下使基板甲硅烷化，則有時(shí)該異物難于從基板去除。因此，在再次進(jìn)行甲硅烷化工序之前，通過除去附著在基板上的異物，能夠抑制或防止該異物難于從基板去除的情況。由此， 能夠抑制或防止異物殘留在基板上。因此，能夠提高基板的潔凈度。優(yōu)選所述循環(huán)周期還包括在進(jìn)行了所述蝕刻工序之后向所述基板照射紫外線的紫外線照射工序。此時(shí)，多次進(jìn)行包括甲硅烷化工序、蝕刻工序以及紫外線照射工序的一系列工序在內(nèi)的循環(huán)周期。在各循環(huán)周期中，向供給了甲硅烷化劑以及蝕刻劑的基板照射紫外線。在第二次以后的循環(huán)周期中，向照射了紫外線的基板供給甲硅烷化劑以及蝕刻劑。通過向被甲硅烷化的基板照射紫外線，能夠除去附著在基板上的甲硅烷化劑。因此，能夠提高基板的潔凈度。另外，在第二次以后的循環(huán)周期中，向通過照射紫外線而除去了有機(jī)物等異物的基板供給甲硅烷化劑以及蝕刻劑。因此，能夠在第二次以后的循環(huán)周期中提高甲硅烷化劑以及蝕刻劑與基板的反應(yīng)性。由此，能夠提高選擇比。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的方法，還包括在進(jìn)行所述甲硅烷化工序之前向所述基板照射紫外線的甲硅烷化前紫外線照射工序。根據(jù)該方法，在向基板照射了紫外線之后，依次向基板供給甲硅烷化劑以及蝕刻劑。通過向基板照射紫外線，能夠除去附著在基板的有機(jī)物等的異物。因此，能夠提聞甲娃燒化劑以及蝕刻劑與基板的反應(yīng)性。由此，能夠提聞選擇比。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的方法，還包括在進(jìn)行了所述甲硅烷化工序之后向所述基板照射紫外線的甲硅烷化后紫外線照射工序。根據(jù)該方法，向被甲硅烷化的基板照射紫外線。通過向被甲硅烷化的基板照射紫外線，能夠除去附著在基板上的甲硅烷化劑。因此，能夠提高基板的潔凈度。在所述蝕刻工序中供給至基板的蝕刻劑可以為含有氫氟酸和乙二醇的混合液。另外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述甲硅烷化劑為非水溶性，所述蝕刻劑含有水。非水溶性的甲硅烷化劑可以為在水中完全不溶解的甲硅烷化劑，也可以為在水中幾乎不溶解的甲硅烷化劑。在本實(shí)施方式中，在向基板供給非水溶性的甲硅烷化劑之后，向該基板供給含有水的蝕刻劑。由于甲硅烷化劑為非水溶性，所以附著在基板上甲硅烷化劑不溶于供給至基板的蝕刻劑。因此，能夠維持抑制對(duì)氧化膜進(jìn)行蝕刻的狀態(tài)。由此，能夠抑制或防止選擇比降低。另外，在所述蝕刻工序中供給至基板的蝕刻劑可以為具有蝕刻成分的蒸氣。本發(fā)明的基板處理裝置具有基板保持單元，其將基板保持在甲硅烷化位置以及蝕刻位置；甲硅烷化劑供給單元，其向被所述基板保持單元保持于所述甲硅烷化位置的基板供給甲硅烷化劑；蝕刻劑供給單元，其向被所述基板保持單元保持于所述蝕刻位置的基板供給蝕刻劑；控制單元，其控制所述甲硅烷化劑供給單元以及蝕刻劑供給單元。所述控制單元執(zhí)行甲硅烷化工序，在所述甲硅烷化工序中，所述控制單元通過控制所述甲硅烷化劑供給單元，向被所述基板保持單元保持于所述甲硅烷化位置的基板供給甲硅烷化劑。另外，所述控制單元執(zhí)行蝕刻工序，在所述蝕刻工序中，所述控制單元通過控制所述蝕刻劑供給單元，在進(jìn)行了所述甲硅烷化工序之后，向被所述基板保持單元保持于所述蝕刻位置的所述基板供給蝕刻劑。所述甲硅烷化位置以及所述蝕刻位置可以為同一個(gè)位置。S卩，向基板供給甲硅烷化劑以及蝕刻劑的位置可以為同一個(gè)位置進(jìn)行。此時(shí)，可以在對(duì)基板供給了甲硅烷化劑之后，不用使基板移動(dòng)至蝕刻位置。由此，能夠縮短基板的搬運(yùn)時(shí)間，因此能夠縮短基板的處理時(shí)間。所述基板處理裝置還可以包括向所述基板照射紫外線的紫外線照射單元。參照附圖如下的實(shí)施方式的說明明確了本發(fā)明的上述或者其他的目的、特征以及效果明。


圖I是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置的布局的俯視示意圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的甲硅烷化單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的蝕刻單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4中的(a) (d)是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置所進(jìn)行的基板處理的一個(gè)例子的圖。圖5是表示在對(duì)沒有被甲硅烷化的基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的蝕刻時(shí)間、蝕刻量以及選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖6是表示對(duì)被甲硅烷化的基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的蝕刻時(shí)間、蝕刻量以及選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置的布局的俯視示意圖。圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的甲硅烷化蝕刻單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖9是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的遮擋板以及與之相關(guān)的結(jié)構(gòu)的仰視圖。圖10中的(a) ⑷是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置所進(jìn)行的基板處理的一個(gè)例子的圖。圖11是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的遮擋板的剖視圖。圖12是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的基板處理裝置的布局的俯視示意圖。圖13是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的甲硅烷化單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖14是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的甲硅烷化單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖15是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的蝕刻單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖16是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式的基板處理裝置所進(jìn)行的基板處理的一個(gè)例子的圖。圖17是表示在對(duì)沒有被甲硅烷化的基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的基板的溫度、蝕刻量以及選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖18是表示在對(duì)被甲硅烷化的基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的基板的溫度、蝕刻量以及選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖19是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的基板處理裝置的布局的俯視示意圖。圖20是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的冷卻單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖21是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式的基板處理裝置所進(jìn)行的基板處理的一個(gè)例子的圖。圖22是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的基板處理裝置的布局的示意俯視圖。圖23是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的紫外線照射單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖24是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的紫外線照射單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖25是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式的基板處理裝置所進(jìn)行的基板處理的一個(gè)例子的圖。
具體實(shí)施例方式[第一實(shí)施方式]圖I是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置I的布局的俯視示意圖。基板處理裝置I為通過藥液、沖洗液等處理液一張張地對(duì)半導(dǎo)體晶片等圓形的基板W進(jìn)行處理的單張式基板處理裝置。基板處理裝置I具有分度器部2、與分度器部2結(jié)合的處理部3、對(duì)基板處理裝置I所具有的裝置的動(dòng)作、閥的開閉進(jìn)行控制的控制裝置4。分度器部2具有托架保持部5、分度器機(jī)械手IR、IR移動(dòng)機(jī)構(gòu)6。托架保持部5保持能夠容置多張基板W的托架C。通過托架保持部5將多個(gè)托架C保持為排列在水平的托架排列方向U上的狀態(tài)。IR移動(dòng)機(jī)構(gòu)6使分度器機(jī)械手IR沿著托架排列方向U移動(dòng)。分度器機(jī)械手IR進(jìn)行將基板W搬入被托架保持部5保持的托架C的搬入動(dòng)作以及將基板W 從托架C搬出的搬出動(dòng)作。另一方面，處理部3具有中央機(jī)械手CR和對(duì)基板W進(jìn)行處理的多個(gè)(例如，4個(gè)以上)處理單元7。多個(gè)處理單元7配置為，俯視觀察包圍中央機(jī)械手CR。多個(gè)處理單元 7包括使基板W甲硅烷化的甲硅烷化單元7a和對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻的蝕刻單元7b。中央機(jī)械手CR進(jìn)行向處理單元7搬入基板W的搬入動(dòng)作以及將基板W從處理單元7搬出的搬出動(dòng)作。而且，中央機(jī)械手CR在多個(gè)處理單元7之間搬運(yùn)基板W。中央機(jī)械手CR從分度器機(jī)械手IR收到基板W，并且向分度器機(jī)械手IR交付基板W。分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR由控制裝置4控制。圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的甲硅烷化單元7a的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。以下，說明甲硅烷化單元7a的概略結(jié)構(gòu)以及在甲硅烷化單元7a中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。首先，說明甲硅烷化單元7a的概略結(jié)構(gòu)。甲硅烷化單元7a具有腔室8。腔室8例如為長(zhǎng)方體狀。腔室8包括水平相向的側(cè)壁9及側(cè)壁10，和上下相向的上壁11及底壁12。甲硅烷化單元7a還具有沿著上壁11的外表面(上表面)配置的冷卻裝置13。腔室8被冷卻裝置13冷卻。冷卻裝置13例如為通過水冷進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。甲硅烷化單元7a還具有設(shè)置在腔室8內(nèi)的基板保持臺(tái)14。在第一實(shí)施方式中，通過基板保持臺(tái)14、后述的旋轉(zhuǎn)卡盤38構(gòu)成基板保持單元。搬入腔室8內(nèi)的一張基板W，在載置于基板保持臺(tái)14上的狀態(tài)下，被基板保持臺(tái)14保持在保持位置Pl (甲硅烷化位置)。 基板保持臺(tái)14固定在沿著鉛垂方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸15的上端。在旋轉(zhuǎn)軸15上結(jié)合有基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16，所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16使旋轉(zhuǎn)軸15圍繞旋轉(zhuǎn)軸15的中心軸線旋轉(zhuǎn)。基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16例如為包括馬達(dá)的機(jī)構(gòu)。
7
在基板保持臺(tái)14的內(nèi)部埋設(shè)有用于對(duì)被基板保持臺(tái)14保持的基板W進(jìn)行加熱的加熱器17。而且，在基板保持臺(tái)14上設(shè)置有在加熱器17加熱時(shí)使基板W溫度均勻的均熱環(huán)(soaking ring) 18。均熱環(huán)18形成為包圍基板保持臺(tái)14上的基板W的保持位置Pl的環(huán)狀。與基板保持臺(tái)14相關(guān)聯(lián)地設(shè)置有使基板W相對(duì)于基板保持臺(tái)14升降的多個(gè)(例如，3個(gè))升降銷19。多個(gè)升降銷19穿過腔室8的底壁12，在腔室8外，被公用的支撐構(gòu)件 20支撐。在支撐構(gòu)件20上結(jié)合有包括缸體的升降銷升降機(jī)構(gòu)21。升降銷升降機(jī)構(gòu)21使多個(gè)升降銷19 一體地在多個(gè)升降銷19的前端突出至基板保持臺(tái)14上方的位置與多個(gè)升降銷19的前端退避至基板保持臺(tái)14下方的位置之間升降。另外，在腔室8的一側(cè)的側(cè)壁9 (在圖2中為左側(cè)的側(cè)壁)上，形成有用于將基板 W搬入/搬出腔室8的門22。在側(cè)壁9的外側(cè)設(shè)置有使門22開閉的門擋板23。在門擋板 23上結(jié)合有包括缸體的門開閉機(jī)構(gòu)24。門開閉機(jī)構(gòu)24使門擋板23在門擋板23與側(cè)壁9 的外表面緊貼而封閉門22的關(guān)閉位置與門擋板23向側(cè)壁9的側(cè)方移動(dòng)且下降來使門22 大大地打開的打開位置之間移動(dòng)。另外，在腔室8的另一側(cè)的側(cè)壁10(在圖2中為右側(cè)的側(cè)壁)上，設(shè)置有將作為非活性氣體的一個(gè)例子的氮?dú)鈱?dǎo)入腔室8內(nèi)的側(cè)方導(dǎo)入管25。經(jīng)由側(cè)方氣體閥26向側(cè)方導(dǎo)入管25供給氮?dú)?。?cè)方導(dǎo)入管25貫通側(cè)壁10。側(cè)方導(dǎo)入管25的面向腔室8內(nèi)的端面與側(cè)壁10的內(nèi)表面大致處于同一個(gè)面。在側(cè)壁10的內(nèi)表面上設(shè)置有尺寸為覆蓋大致整個(gè)側(cè)壁10的內(nèi)表面的大小的擴(kuò)散板27。擴(kuò)散板27具有面向腔室8內(nèi)的多個(gè)噴出口(未圖示)。 供給至側(cè)方導(dǎo)入管25的氮?dú)鈴臄U(kuò)散板27的多個(gè)噴出口分散地噴出。因此，供給至側(cè)方導(dǎo)入管25的氮?dú)猓谇皇?內(nèi)，呈在與側(cè)壁10的內(nèi)表面平行的面內(nèi)流速大致均勻的噴淋狀地?cái)U(kuò)散。另外，設(shè)置有將甲硅烷化劑蒸氣和氮?dú)鈱?dǎo)入腔室8內(nèi)的甲硅烷化劑導(dǎo)入管28(甲硅烷化劑供給單元)，且該甲硅烷化劑導(dǎo)入管28貫通腔室8的上壁11。分別經(jīng)由甲硅烷化劑閥29以及上方氣體閥30向甲硅烷化劑導(dǎo)入管28供給甲硅烷化劑以及氮?dú)?。甲硅烷化劑?dǎo)入管28的面向腔室8內(nèi)的端面與上壁11的內(nèi)表面(下表面)大致處于同一個(gè)面。在上壁11的內(nèi)表面設(shè)置有直徑大于基板W直徑的圓板狀的擴(kuò)散板31。該擴(kuò)散板31具有面向腔室8內(nèi)的多個(gè)噴出口(未圖示)。供給至甲硅烷化劑導(dǎo)入管28的甲硅烷化劑以及氮?dú)鈴臄U(kuò)散板31的多個(gè)噴出口分散地噴出。因此，供給至甲硅烷化劑導(dǎo)入管28的甲硅烷化劑以及氮?dú)?，在腔?內(nèi)，呈在與上壁11的內(nèi)表面平行的面內(nèi)流速大致均勻的噴淋狀擴(kuò)散。甲硅烷化劑例如包括TMSI (N-Trimethylsilyimidazole :N_三甲基硅烷基咪唑)、 BSTFA(N, 0-bis (Trimethylsilyl) trifluoroacetamide N, 0-雙(三甲基甲娃燒基)三氟乙酰胺)、BSA(N，0-bis[Trimethylsilyl]acetamide :N,0_雙(三甲基甲娃燒基)乙酰胺)、 MSTFA (N-Methyl-N-trimethylsiIy 1-trif luoacetamide :N_ 甲基三甲基甲娃燒基三氟乙酸胺)、TMSDMA(N-TrimethylsilyldimethylamineN-三甲基娃燒基二甲胺)、TMSDEA(N-Tr imethylsiIyldiethylamine :N_ 三甲基娃燒基二乙胺)、MTMSA (N, 0_bis (trimethylsilyl) trif luoroacetamide :N, 0_ 雙(三甲基娃燒基)三氟乙酸胺)、TMCS (with base) (Trimethylchlorosilane :三甲基氯娃燒)、HMDS(Hexamethyldisilazane :六甲基二娃胺燒)、具有疏水基的胺、有機(jī)娃化合物、TMS (tetramethylsilane :四甲基娃燒)、氣化燒基氣娃燒、燒基~■娃氣燒(alky Idi si Iazane)、_■甲基甲娃燒基_■甲胺 (dimethylsiIyldimethylamine)、二甲基甲娃燒基二乙胺(dimethylsilyldiethylamine)、 雙(二甲胺)二甲基甲娃燒(bis (dimethylamine) dimethylsilane)以及有機(jī)甲娃燒化合物。向甲硅烷化劑導(dǎo)入管28供給這些甲硅烷化劑中的任意一種的蒸氣。供給至甲硅烷化劑導(dǎo)入管28的甲硅烷化劑蒸氣可以僅包含甲硅烷化劑的微粒，也可以包含甲硅烷化劑的微粒和運(yùn)載氣體(例如，非活性氣體)。另外，在腔室8的底壁12上，形成有包圍在基板保持臺(tái)14的周圍的俯視圓環(huán)狀的周圍排氣口 32。在周圍排氣口 32上連接有前端與排氣源(未圖示)連接的排氣管33的基端。在排氣管33的途中部安裝有周圍排氣閥34。在打開周圍排氣閥34時(shí)，腔室8內(nèi)的環(huán)境氣體從周圍排氣口 32排出，在周圍排氣閥34關(guān)閉時(shí)，停止從周圍排氣口 32排氣。另外，在腔室8的底壁12上，在周圍排氣口 32的外側(cè)，形成有沿著側(cè)壁9延伸的俯視大致長(zhǎng)方形的門側(cè)排氣口 35。在門側(cè)排氣口 35上，連接有前端與排氣源(未圖示)連接的排氣管36的基端。在排氣管36的途中部安裝有門側(cè)排氣閥37。在打開門側(cè)排氣閥 37時(shí)，腔室8內(nèi)的環(huán)境氣體從門側(cè)排氣口 35排出，在門側(cè)排氣閥37關(guān)閉時(shí)，停止從門側(cè)排氣口 35排氣。接著，說明在甲硅烷化單元7a中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。中央機(jī)械手CR向甲硅烷化單元7a內(nèi)搬入基板W。在向甲硅烷化單元7a內(nèi)搬入基板W之前，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)24。由此，將門擋板23配置在打開位置，而打開門22。在門22被打開期間，通過控制裝置4打開側(cè)方氣體閥26，從側(cè)方導(dǎo)入管25向腔室 8內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)狻６?，通過控制裝置4打開門側(cè)排氣閥37，從門側(cè)排氣口 35排出腔室8內(nèi)的環(huán)境氣體。由此，在腔室8內(nèi)形成從基板保持臺(tái)14的與門22相反一側(cè)即側(cè)壁10側(cè)朝向門22的氮?dú)獾臍饬?，通過該氣流，防止腔室8的外部的環(huán)境氣體流入腔室8內(nèi)。在門22被打開期間，關(guān)閉甲硅烷化劑閥29、上方氣體閥30以及周圍排氣閥34。另外，在向甲硅烷化單元7a內(nèi)搬入基板W之前，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)升降銷升降機(jī)構(gòu)21。由此，升降銷19配置在其前端突出至基板保持臺(tái)14的上方的位置。然后，通過中央機(jī)械手CR將基板W搬入腔室8內(nèi)。搬入腔室8內(nèi)的基板W通過中央機(jī)械手CR載置在升降銷19上。此后，中央機(jī)械手CR從腔室8內(nèi)退出。在中央機(jī)械手CR從腔室8內(nèi)退出之后，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)24。由此，將門擋板23配置在關(guān)閉位置，而通過門擋板 23封閉門22。在門22被封閉之后，控制裝置4關(guān)閉側(cè)方氣體閥26以及門側(cè)排氣閥37，打開上方氣體閥30以及周圍排氣閥34。由此，從甲硅烷化劑導(dǎo)入管28向腔室8內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)猓⑶覐闹車艢饪?32迅速排出腔室8內(nèi)的環(huán)境氣體。結(jié)果，在短時(shí)間內(nèi)，腔室8內(nèi)的環(huán)境氣體被從甲硅烷化劑導(dǎo)入管28導(dǎo)入的氮?dú)庵脫Q。另外，通過控制裝置4與腔室8內(nèi)的環(huán)境被氮?dú)猸h(huán)境置換并行地驅(qū)動(dòng)升降銷升降機(jī)構(gòu)21。由此，升降銷19下降至其前端退避至基板保持臺(tái) 14下方的位置。通過使該升降銷19下降，升降銷19上的基板W移載至基板保持臺(tái)14。由此，基板W在保持位置P1，保持在基板保持臺(tái)14上。在基板W移載至基板保持臺(tái)14上之后，控制裝置4關(guān)閉上方氣體閥30，打開甲硅烷化劑閥29。由此，從甲硅烷化劑導(dǎo)入管28向腔室8內(nèi)導(dǎo)入甲硅烷化劑蒸氣，該甲硅烷化劑蒸氣供給至基板W的上表面。另外，通過控制裝置4與供給甲硅烷化劑并行地驅(qū)動(dòng)基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16，使基板W旋轉(zhuǎn)。由此，甲硅烷化劑均勻地供給至基板W的整個(gè)上表面。而且， 通過控制裝置4與供給甲硅烷化劑并行地驅(qū)動(dòng)加熱器17，將基板W加熱至高于常溫(與室溫相同，例如20°C 30°C)的溫度。通過供給甲硅烷化劑，使被基板保持臺(tái)14保持的基板 W甲硅烷化。在甲硅烷化劑供給了規(guī)定時(shí)間時(shí)，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)升降銷升降機(jī)構(gòu)21。由此， 使升降銷19上升，基板W被抬升至基板保持臺(tái)14的上方的位置(例如，能夠與中央機(jī)械手 CR之間交接基板W的位置)。然后，控制裝置4關(guān)閉甲硅烷化劑閥29，打開上方氣體閥30。 由此，從甲硅烷化劑導(dǎo)入管28向腔室8內(nèi)導(dǎo)入常溫的氮?dú)?，該氮?dú)夤┙o至基板W的上表面。 結(jié)果，高溫的基板W被常溫的氮?dú)饫鋮s。在基板W被氮?dú)饫鋮s期間，周圍排氣閥34 —直打開。因此，腔室8內(nèi)的環(huán)境氣體被從甲硅烷化劑導(dǎo)入管28導(dǎo)入的氮?dú)庋杆僦脫Q。在腔室8內(nèi)的環(huán)境置換為氮?dú)猸h(huán)境之后，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)24。由此，門擋板23配置在打開位置，打開門22。另外，在打開門22時(shí)，控制裝置4關(guān)閉上方氣體閥30以及周圍排氣閥34，打開側(cè)方氣體閥26以及門側(cè)排氣閥37。由此，在腔室8內(nèi)形成從側(cè)壁10側(cè)朝向門22的氮?dú)獾臍饬鳎ㄟ^該氣流，防止腔室8的外部的環(huán)境氣體流入腔室 8內(nèi)。在該狀態(tài)下，通過中央機(jī)械手CR從腔室8搬出被升降銷19支撐著的基板W。圖3是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的蝕刻單元7b的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。以下，說明蝕刻單元7b的概略結(jié)構(gòu)以及在蝕刻單元7b中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。首先， 說明蝕刻單元7b的概略結(jié)構(gòu)。蝕刻單元7b具有旋轉(zhuǎn)卡盤38 (基板保持單元)，其水平地保持基板W，且使其旋轉(zhuǎn)；蝕刻劑嘴39 (蝕刻劑供給單元)，其向被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持著的基板W的上表面供給作為蝕刻劑的蝕刻液；沖洗液嘴40，其向被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持著的基板W的上表面供給沖洗液； 腔室41，其容置旋轉(zhuǎn)卡盤38、蝕刻劑嘴39以及沖洗液嘴40。旋轉(zhuǎn)卡盤38包括圓盤狀的旋轉(zhuǎn)基座42，其水平地保持基板W，能夠圍繞通過該基板W中心的鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)馬達(dá)43，其使該旋轉(zhuǎn)基座42圍繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)卡盤38可以是在水平方向上夾持基板W來水平保持該基板W的夾持式卡盤，也可以是通過吸附基板W的作為非器件形成面的背面(下表面)來水平地保持該基板W的真空式卡盤。 在第一實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)卡盤38為夾持式卡盤。旋轉(zhuǎn)卡盤38在保持位置P2水平地保持基板W。在第一實(shí)施方式中，保持位置P2為蝕刻位置。 蝕刻劑嘴39與安裝有蝕刻劑閥44的蝕刻劑供給管45連接。通過蝕刻劑閥44的開閉來控制蝕刻液向蝕刻劑嘴39的供給。供給至蝕刻劑嘴39的蝕刻液向被旋轉(zhuǎn)卡盤38 保持的基板W的上表面中央部噴出。供給至蝕刻劑嘴39的蝕刻液包括含有常溫至70°C的氫氟酸和乙二醇的混合液、高溫(例如，120°C 190°C )的磷酸水溶液以及常溫或高溫(比常溫高的溫度)的氫氟酸。沖洗液嘴40與安裝有沖洗液閥46的沖洗液供給管47連接。通過沖洗液閥46的開閉來控制沖洗液向沖洗液嘴40的供給。供給至沖洗液嘴40的沖洗液向被旋轉(zhuǎn)卡盤38 保持的基板W的上表面中央部噴出。供給至沖洗液嘴40的沖洗液例如包括純水(去離子水)、碳酸水、電解離子水、含氫水、臭氧水、濃度稀釋了(例如，10 IOOppm左右)的鹽酸水等。腔室41包括分隔壁49，其形成有用于將基板W搬入/搬出腔室41的開口 48 ;門擋板50，其覆蓋該開口 48。門擋板50配置在分隔壁49的外側(cè)。在門擋板50上結(jié)合有包括缸體的門開閉機(jī)構(gòu)51。門開閉機(jī)構(gòu)51使門擋板50在門擋板50與分隔壁49的外表面緊貼而封閉開口 48的關(guān)閉位置和門擋板50向分隔壁49的側(cè)方移動(dòng)且下降而使開口 48大大地打開的打開位置之間移動(dòng)。接著，說明在蝕刻單元7b中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。中央機(jī)械手CR向蝕刻單元7b內(nèi)搬入基板W。在向蝕刻單元7b內(nèi)搬入基板W之前，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)51。由此，使門擋板50配置在打開位置，而打開腔室41 的開口 48。此后，中央機(jī)械手CR向腔室41內(nèi)搬入基板W，將該基板W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤38 上?？刂蒲b置4進(jìn)行控制，在通過中央機(jī)械手CR將基板W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤38上之后，使中央機(jī)械手CR從腔室41內(nèi)退出。此后，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)51，使門擋板50配置在關(guān)閉位置。由此，通過門擋板50封閉腔室41的開口 48。在封閉腔室41的開口 48之后，控制裝置4控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)43，使被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持的基板W旋轉(zhuǎn)。接著，將蝕刻液供給至基板W，進(jìn)行蝕刻基板W的蝕刻處理。具體地說，控制裝置4 一邊通過旋轉(zhuǎn)卡盤38使基板W旋轉(zhuǎn)，一邊打開蝕刻劑閥44，從蝕刻劑嘴39向被旋轉(zhuǎn)卡盤 38保持的基板W的上表面中央部噴出蝕刻液。從蝕刻劑嘴39噴出的蝕刻液，被供給至基板W的上表面中央部，受到基板W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，沿著基板W的上表面向外方擴(kuò)散。 由此，向基板W的整個(gè)上表面供給蝕刻液，來對(duì)基板W的整個(gè)上表面進(jìn)行蝕刻。然后，在從打開蝕刻劑閥44開始經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉蝕刻劑閥44，停止從蝕刻劑嘴39 噴出蝕刻液。接著，將沖洗液供給至基板W，來進(jìn)行對(duì)附著在基板W上的蝕刻液進(jìn)行沖洗的沖洗處理。具體地說，控制裝置4 一邊通過旋轉(zhuǎn)卡盤38使基板W旋轉(zhuǎn)，一邊打開沖洗液閥46，從沖洗液嘴40向被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持的基板W的上表面中央部噴出沖洗液。從沖洗液嘴40 噴出的沖洗液，被供給至基板W的上表面中央部，受到基板W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，而沿著基板W的上表面向外方擴(kuò)散。由此，沖洗液被供給至基板W的整個(gè)上表面，來沖洗附著在基板W上的蝕刻液。然后，在從打開沖洗液閥46開始經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉沖洗液閥46，停止從沖洗液嘴40噴出沖洗液。接著，進(jìn)行使基板W干燥的干燥處理(旋轉(zhuǎn)脫水)。具體地說，控制裝置4控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)43，使基板W以高轉(zhuǎn)速(例如，數(shù)千rpm)旋轉(zhuǎn)。由此，向附著在基板W上的沖洗液作用大的離心力，而使該沖洗液向基板W的周圍甩出。這樣，從基板W除去沖洗液，使基板 W干燥。在干燥處理進(jìn)行了規(guī)定時(shí)間之后，控制裝置4控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)43，停止通過旋轉(zhuǎn)卡盤 38使基板W旋轉(zhuǎn)。此后，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)51，使門擋板50配置在打開位置。由此，打開腔室41的開口 48。此后，通過中央機(jī)械手CR從腔室41內(nèi)搬出被旋轉(zhuǎn)卡盤 38保持的基板W。圖4中的(a) ⑷是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基板處理裝置I所進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。以下，說明向形成有作為氧化膜一個(gè)例子的SiO2膜和作為氮化膜的一個(gè)例子的SiN膜的基板W的表面供給蝕刻劑來選作性地除去SiN膜的選擇蝕刻的一個(gè)例子。形成在基板W的表面上的氧化膜可以是利用TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate:四乙基原硅酸鹽)形成的膜(TE0S膜)。以下，參照?qǐng)DI以及圖4中的(a) ⑷。
容置在保持于托架保持部5上的托架C內(nèi)的未處理的基板W被分度器機(jī)械手IR 搬出。然后，從托架C內(nèi)搬出的基板W從分度器機(jī)械手IR交付到中央機(jī)械手CR。中央機(jī)械手CR將從分度器機(jī)械手IR收到的未處理的基板W搬入甲硅烷化單元7a內(nèi)。如圖4中的(a)所示，在甲硅烷化單元7a中，如上所述，將甲硅烷化劑蒸氣供給至基板W，使基板W甲硅烷化(甲硅烷化處理，甲硅烷化工序)。具體地說，作為甲硅烷化劑的一個(gè)例子的HMDS蒸氣供給至被基板保持臺(tái)14保持在保持位置Pl的基板W的表面，使基板 W的表面甲硅烷化。然后，在使基板W的表面甲硅烷化之后，配置在甲硅烷化單元7a內(nèi)的基板W通過中央機(jī)械手CR從甲硅烷化單元7a內(nèi)搬出。從甲硅烷化單元7a內(nèi)搬出的基板 W通過中央機(jī)械手CR搬入蝕刻單元7b內(nèi)。如圖4中的(b)所示，在蝕刻單元7b中，如上所述，將蝕刻劑供給至基板W，對(duì)基板 W進(jìn)行蝕刻(蝕刻處理，蝕刻工序)。具體地說，將作為蝕刻劑的一個(gè)例子的含有氫氟酸和乙二醇的混合液供給至被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持在保持位置P2的基板W的表面。由此，選擇性地除去形成在基板W的表面上的SiN膜。此后，如圖4中的(c)所示，將作為沖洗液的一個(gè)例子的純水供給至被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持在保持位置P2的基板W的表面，來沖洗附著在基板 W的表面上的蝕刻劑(沖洗處理,沖洗工序)。然后,如圖4中的(d)所示，通過基板W的高速旋轉(zhuǎn)，從基板W除去附著在基板W上的沖洗液。由此，使被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持在保持位置 P2的基板W干燥(干燥處理，干燥工序)。在蝕刻單元7b中進(jìn)行了干燥處理之后，通過中央機(jī)械手CR從蝕刻單元7b內(nèi)搬出基板W。然后，使從蝕刻單元7b內(nèi)搬出的基板W，從中央機(jī)械手CR交付至分度器機(jī)械手IR。 分度器機(jī)械手IR將從中央機(jī)械手CR收到的處理完的基板W搬入被托架保持部5保持著的托架C。由此，基板處理裝置I中的一系列的處理結(jié)束?？刂蒲b置4反復(fù)這樣的動(dòng)作，來一張張地處理多張基板W。圖5是表示在對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的蝕刻時(shí)間、蝕刻量以及選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖6是表示對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的蝕刻時(shí)間、蝕刻量以及選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖5為比較例的曲線圖，圖6為本發(fā)明的實(shí)施例的曲線圖。在圖5以及圖6中示出了向形成有SiO2膜和SiN膜的基板W的表面供給含有氫氟酸和乙二醇的水溶液來蝕刻基板W時(shí)的蝕刻量以及選擇比。用于蝕刻基板W的含有氫氟酸和乙二醇的水溶液是50%的氫氟酸(氟化氫的水溶液)和100%的乙二醇以4 96(氫氟酸為4份，乙二醇為96份)的比例混合且溫度調(diào)整為60°C的溶液。圖6所示的蝕刻量以及選擇比是在向基板W供給蝕刻液之前已向基板W供給了 HMDS時(shí)的值。S卩，圖5所示的蝕刻量以及選擇比是對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的值，圖6所示的蝕刻量以及選擇比是對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的值。如圖5所示，在對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)，SiO2膜以及SiN膜的蝕刻量隨著處理時(shí)間的增加而增加，其變化比例大致相同。因此，在對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W 進(jìn)行蝕刻時(shí)，選擇比(氮化膜的除去量/氧化膜的除去量)與處理時(shí)間無關(guān)而大致恒定。另一方面，如圖6所示，在對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)，SiN膜的蝕刻量隨著處理時(shí)間的增加而增加,但是SiO2膜的蝕刻量與處理時(shí)間無關(guān)而大致恒定。因此,在對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)，選擇比隨著處理時(shí)間的增加而增加。
在比較對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的SiN膜的蝕刻量和對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的SiN膜的蝕刻量時(shí)，如果處理時(shí)間相同，兩者大致不變。相對(duì)于此， 在比較對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的SiO2膜的蝕刻量和對(duì)被甲硅烷化的基板W 進(jìn)行蝕刻時(shí)的SiO2膜的蝕刻量時(shí)，被甲硅烷化的基板W的SiO2膜的蝕刻量小。即，氧化膜具有羥基(0H基)，因此與甲硅烷化劑反應(yīng)，但是氮化膜不具有羥基，因此不與甲硅烷化劑反應(yīng)。因此，如果在向基板W供給甲硅烷化劑之后向基板W供給蝕刻液，則通過供給甲硅烷化劑抑制對(duì)氧化膜的蝕刻。因此，通過在向基板W供給甲硅烷化劑之后向基板W供給蝕刻液，能夠提高選擇比。在以上的第一實(shí)施方式中，在向基板W供給甲硅烷化劑之后，向基板W供給作為蝕刻劑的蝕刻液。因此，對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻。如上所述，通過對(duì)形成有氧化膜和氮化膜的基板W進(jìn)行甲硅烷化，能夠抑制對(duì)氧化膜的蝕刻。因此，通過對(duì)被甲硅烷化的基板 W進(jìn)行蝕刻，能夠提高選擇比。另外，在第一實(shí)施方式中，向基板W供給的甲硅烷化劑包括作為甲硅烷化劑的一個(gè)例子的非水溶性的甲硅烷化劑，因此，非水溶性的甲硅烷化劑供給至基板W。進(jìn)而，含有氫氟酸和乙二醇的水溶液等的含有水的蝕刻液供給至基板W。因此，在第一實(shí)施方式中，在向基板W供給了非水溶性的甲硅烷化劑之后，向該基板W供給含有水的蝕刻劑。此時(shí)，由于甲硅烷化劑為非水溶性，所以附著在基板W上的甲硅烷化劑不溶于供給至基板W的蝕刻液。 因此，能夠維持對(duì)氧化膜的蝕刻進(jìn)行抑制的狀態(tài)。由此，能夠抑制或防止選擇比降低。[第二實(shí)施方式]接著，說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。該第二實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式的主要的不同點(diǎn)在于處理單元的結(jié)構(gòu)不同。即，在第一實(shí)施方式中，說明了多個(gè)處理單元包括使基板W甲硅烷化的甲硅烷化單元和對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻的蝕刻單元的情況，在第二實(shí)施方式中，多個(gè)處理單元包括使基板W甲硅烷化且對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻的甲硅烷化蝕刻單元。在以下的圖7 圖10中，關(guān)于與上述的圖I 圖6中所示的各部分等同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注與圖 I等相同的參照附圖標(biāo)記，且省略其說明。圖7是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置201的布局的俯視示意圖。第二實(shí)施方式的基板處理裝置201除了多個(gè)處理單元之外具有與第一實(shí)施方式的基板處理裝置I相同的結(jié)構(gòu)。即，基板處理裝置201包括多個(gè)處理單元207，來代替第一實(shí)施方式的多個(gè)處理單元7。多個(gè)處理單元207配置為，俯視觀察包圍中央機(jī)械手CR。多個(gè)處理單元207包括使基板W甲硅烷化且對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻的甲硅烷化蝕刻單元207a。在第二實(shí)施方式中，所有的處理單元207都為甲硅烷化蝕刻單元207a。圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的甲硅烷化蝕刻單元207a的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖9是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的遮擋板252以及與之相關(guān)的結(jié)構(gòu)的仰視圖。以下，參照?qǐng)D8。適當(dāng)參照?qǐng)D9。甲硅烷化蝕刻單元207a具有旋轉(zhuǎn)卡盤38、蝕刻劑嘴39、沖洗液嘴40、腔室41。在第二實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)卡盤38構(gòu)成基板保持單元。甲硅烷化蝕刻單元207a還具有遮擋板 252，其在腔室41內(nèi)配置在旋轉(zhuǎn)卡盤38的上方；風(fēng)扇過濾單元253(FFU253)，其從腔室41的上部向腔室41內(nèi)供給清潔空氣；排氣機(jī)構(gòu)(未圖示)，其從腔室41的下部排出腔室41內(nèi)的環(huán)境氣體。FFU253以及排氣機(jī)構(gòu)始終被驅(qū)動(dòng)，在腔室41內(nèi)形成從腔室41的上部朝向腔室41的下部流動(dòng)的氣流。遮擋板252包括水平配置的圓板部254、沿著圓板部254的外周緣設(shè)置的筒狀部 255、與圓板部254連接的加熱器256。筒狀部255從圓板部254的外周緣朝向下方沿著鉛垂方向延伸。筒狀部255為圓筒狀。圓板部254和筒狀部255同軸。圓板部254具有比基板W直徑大的直徑。筒狀部255具有比旋轉(zhuǎn)基座42直徑大的內(nèi)徑。圓板部254以水平的姿勢(shì)與支撐軸257的下端部連接。遮擋板252的中心軸線配置在旋轉(zhuǎn)卡盤38的旋轉(zhuǎn)軸線上。遮擋板252配置為圓板部254的下表面成為水平狀。在基板W保持于旋轉(zhuǎn)卡盤38的狀態(tài)下，圓板部254的下表面與基板W的上表面相向。圓板部254具有沿著鉛垂方向貫通圓板部254的中央部的貫通孔。該貫通孔在圓板部254的下表面中央部開口。支撐軸257為中空軸，支撐軸257的內(nèi)部空間與貫通孔連通。在支撐軸257中以非接觸狀態(tài)穿過有甲硅烷化劑導(dǎo)入管258 (甲硅烷化劑供給單元)， 甲硅烷化劑導(dǎo)入管258的下端到達(dá)貫通孔內(nèi)。如圖9所示，在甲硅烷化劑導(dǎo)入管258的下端，形成有噴出甲硅烷化劑的甲硅烷化劑噴出口 259和噴出氮?dú)獾闹行臍怏w噴出口 260。另外，在支撐軸257與甲硅烷化劑導(dǎo)入管258之間，形成有包圍甲硅烷化劑導(dǎo)入管258的筒狀的氣體供給路261。氣體供給路261的下端在圓板部254的下表面開口。如圖9所示，氣體供給路261的下端形成噴出氮?dú)獾沫h(huán)狀氣體噴出口 262。在甲硅烷化劑導(dǎo)入管258上，連接有甲硅烷化劑供給管263以及第一氣體供給管 264。分別經(jīng)由甲硅烷化劑供給管263以及第一氣體供給管264，向甲硅烷化劑導(dǎo)入管258 供給甲硅烷化劑以及氮?dú)?。供給至甲硅烷化劑導(dǎo)入管258的甲硅烷化劑可以為甲硅烷化劑蒸氣，也可以為甲硅烷化劑的液體。在甲硅烷化劑供給管263上安裝有對(duì)甲硅烷化劑向甲硅烷化劑導(dǎo)入管258的供給以及停止供給進(jìn)行控制的甲硅烷化劑閥265，在第一氣體供給管264上安裝有對(duì)向甲硅烷化劑導(dǎo)入管258供給氮?dú)庖约巴Ｖ构┙o進(jìn)行控制的第一氣體閥 266。另外，在支撐軸257的上端部連接有安裝了第二氣體閥267的第二氣體供給管 268。經(jīng)由該第二氣體供給管268向氣體供給路261供給氮?dú)狻９┙o至氣體供給路261的氮?dú)鈴沫h(huán)狀氣體噴出口 262向下方噴出。支撐軸257與遮擋板升降機(jī)構(gòu)269結(jié)合。遮擋板升降機(jī)構(gòu)269使支撐軸257以及遮擋板252 —體地，在圓板部254的下表面接近被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持著的基板W的上表面的接近位置(圖10中的(a)所示的位置)和圓板部254的下表面遠(yuǎn)遠(yuǎn)地退避至旋轉(zhuǎn)卡盤38 的上方的退避位置(圖8所示的位置)之間升降。在遮擋板252位于接近位置的狀態(tài)下， 圓板部254的下表面與基板W的上表面接近，并且遮擋板252的筒狀部255包圍基板W的周圍。圖10中的(a) (d)是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基板處理裝置201所進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子的圖。以下，說明向形成有作為氧化膜的一個(gè)例子的SiO2 膜和作為氮化膜的一個(gè)例子的SiN膜的基板W的表面供給作為蝕刻劑的蝕刻液來選擇性地除去SiN膜的選擇蝕刻的一個(gè)例子。另外，以下，參照?qǐng)D7、圖8以及圖10中的(a) (d)。通過分度器機(jī)械手IR搬出容置在保持于托架保持部5的托架C內(nèi)的未處理的基板W。然后，將從托架C內(nèi)搬出的基板W從分度器機(jī)械手IR交付至中央機(jī)械手CR。中央機(jī)械手CR將從分度器機(jī)械手IR收到的未處理的基板W搬入甲硅烷化蝕刻單元207a內(nèi)。
具體地說，在向甲硅烷化蝕刻單元207a內(nèi)搬入基板W之前，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)51。由此，使門擋板50配置在打開位置，來打開腔室41的開口 48。此后，中央機(jī)械手CR向腔室41內(nèi)搬入基板W，將該基板W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤38上。在將基板W向旋轉(zhuǎn)卡盤38上載置時(shí)，遮擋板252配置在遠(yuǎn)遠(yuǎn)地退避至旋轉(zhuǎn)卡盤38的上方的退避位置?？刂蒲b置4進(jìn)行控制，在通過中央機(jī)械手CR將基板W載置在旋轉(zhuǎn)卡盤38上之后， 使中央機(jī)械手CR從腔室41內(nèi)退出。此后，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)51，使門擋板 50配置在關(guān)閉位置。由此，通過門擋板50封閉腔室41的開口 48。在封閉腔室41的開口 48之后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)43，使被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持著的基板W旋轉(zhuǎn)。接著，如圖10中的(a)所示，向基板W供給甲硅烷化劑，進(jìn)行使基板W甲硅烷化的甲硅烷處理(甲硅烷化工序)。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，通過控制遮擋板升降機(jī)構(gòu) 269，使遮擋板252從退避位置移動(dòng)至接近位置。由此，遮擋板252的圓板部254的下表面接近基板W的上表面，并且遮擋板252的筒狀部255包圍基板W的周圍?？刂蒲b置4進(jìn)行控制，在遮擋板252位于接近位置的狀態(tài)下，打開第一氣體閥266以及第二氣體閥267，從中心氣體噴出口 260以及環(huán)狀氣體噴出口 262噴出氮?dú)?。由此，圓板部254與旋轉(zhuǎn)基座42之間的環(huán)境(含有水分的環(huán)境氣體)被氮?dú)猸h(huán)境置換。接著，控制裝置4進(jìn)行控制，在遮擋板252位于接近位置的狀態(tài)下，打開甲硅烷化劑閥265，從甲硅烷化劑噴出口 259噴出作為甲硅烷化劑的一個(gè)例子的HMDS液體。從甲硅烷化劑噴出口 259噴出的HMDS，供給至基板W的上表面中央部，受到基板W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，而沿著基板W的上表面向外方擴(kuò)散。由此，HMDS供給至基板W的整個(gè)上表面，使基板 W的整個(gè)上表面甲硅烷化。然后，在從打開甲硅烷化劑閥265開始經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉甲硅烷化劑閥265，停止從甲硅烷化劑噴出口 259噴出HMDS。在向基板W供給 HMDS期間，可以通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)加熱器256，加熱基板W。在停止噴出HMDS之后，控制裝置4進(jìn)行控制，在遮擋板252位于接近位置的狀態(tài)下，再次打開第一氣體閥266以及第二氣體閥267，從中心氣體噴出口 260以及環(huán)狀氣體噴出口 262噴出氮?dú)狻Ｓ纱?，圓板部254與旋轉(zhuǎn)基座42之間的環(huán)境被氮?dú)猸h(huán)境置換。另外，通過供給氮?dú)舛鴱膱A板部254與旋轉(zhuǎn)基座42之間排出的環(huán)境氣體，通過排氣機(jī)構(gòu)(未圖示) 從腔室41內(nèi)排出。這樣，在向基板W供給HMDS之前，從基板W的附近除去含有水分的環(huán)境氣體。由此，能夠抑制或防止HMDS與水反應(yīng)而產(chǎn)生氨氣。另外，在向基板W供給HMDS之后，從腔室 41內(nèi)除去遮擋板252與旋轉(zhuǎn)基座42之間的環(huán)境氣體。因此，從腔室41內(nèi)除去HMDS與基板 W反應(yīng)而生成的氨氣。接著，如圖10中的(b)所示，進(jìn)行向基板W供給作為蝕刻劑的一個(gè)例子的含有氫氟酸和乙二醇的混合液來對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理(蝕刻工序)。具體地說，控制裝置 4進(jìn)行控制，一邊通過旋轉(zhuǎn)卡盤38使基板W旋轉(zhuǎn)，一邊打開蝕刻劑閥44，而從蝕刻劑嘴39 向被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持的基板W的上表面中央部噴出含有氫氟酸和乙二醇的混合液。從蝕刻劑嘴39噴出的含有氫氟酸和乙二醇的混合液，供給至基板W的上表面中央部，受到基板 W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，而沿著基板W的上表面向外方擴(kuò)散。由此，含有氫氟酸和乙二醇的混合液供給至基板W的整個(gè)上表面，對(duì)基板W的整個(gè)上表面進(jìn)行蝕刻。然后，在從打開蝕刻劑閥44開始經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉蝕刻劑閥44，停止從蝕刻劑嘴39噴出含有氫氟酸和乙二醇的混合液。接著，如圖10中的(C)所示，進(jìn)行向基板W供給作為沖洗液的一個(gè)例子的純水來沖洗附著在基板W上的含有氫氟酸和乙二醇的混合液的沖洗處理(沖洗工序)。具體地說， 控制裝置4進(jìn)行控制,一邊通過旋轉(zhuǎn)卡盤38使基板W旋轉(zhuǎn),一邊打開沖洗液閥46而從沖洗液嘴40向被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持的基板W的上表面中央部噴出純水。從沖洗液嘴40噴出的純水，供給至基板W的上表面中央部，受到基板W旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，而沿著基板W的上表面向外方擴(kuò)散。由此，純水供給至基板W的整個(gè)上表面，來沖洗附著在基板W上的含有氫氟酸和乙二醇的混合液。然后，在從打開沖洗液閥46開始經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4 關(guān)閉沖洗液閥46，停止從沖洗液嘴40噴出純水。接著，如圖10中的(d)所示，進(jìn)行干燥基板W的干燥處理(旋轉(zhuǎn)脫水，干燥工序)。 具體地說，控制裝置4控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)43，使基板W以高轉(zhuǎn)速(例如數(shù)千rpm)旋轉(zhuǎn)。由此， 對(duì)附著在基板W上的純水作用大的離心力，使該純水向基板W的周圍甩出。這樣，從基板W 除去純水，使基板W干燥。在干燥處理進(jìn)行了規(guī)定時(shí)間之后，控制裝置4控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)43， 停止通過旋轉(zhuǎn)卡盤38使基板W旋轉(zhuǎn)。此后，通過控制裝置4驅(qū)動(dòng)門開閉機(jī)構(gòu)51，使門擋板 50配置在打開位置。由此，打開腔室41的開口 48。在打開腔室41的開口 48之后，通過中央機(jī)械手CR從甲硅烷化蝕刻單元207a內(nèi)搬出被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持的基板W。然后，使從甲硅烷化蝕刻單元207a內(nèi)搬出的基板W從中央機(jī)械手CR交付至分度器機(jī)械手IR。分度器機(jī)械手IR將從中央機(jī)械手CR收到的處理完的基板W搬入被托架保持部5保持的托架C。由此，基板處理裝置201中的一系列的處理結(jié)束?？刂蒲b置4反復(fù)進(jìn)行這樣的動(dòng)作，來一張張地處理多張基板W。在以上的第二實(shí)施方式中，甲硅烷化劑以及蝕刻劑供給至被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持的基板W。即，在第二實(shí)施方式中，甲硅烷化位置和蝕刻位置為同一位置，在同一位置向基板W 供給甲硅烷化劑以及供給蝕刻劑。因此，在對(duì)基板W供給甲硅烷化劑之后，可以不用將基板 W移動(dòng)至蝕刻位置。由此，能夠縮短基板W的搬運(yùn)時(shí)間。因此，能夠縮短基板W的處理時(shí)間。[第三實(shí)施方式]在第二實(shí)施方式中，說明了遮擋板252的筒狀部255為圓筒狀的情況，但是，筒狀部255可以為圓錐臺(tái)狀。具體地說，如圖11所示的第三實(shí)施方式的遮擋板352，筒狀部355 可以沿著圓板部254的外周緣設(shè)置，從圓板部254的外周緣向外方擴(kuò)展地向下方延伸。而且，筒狀部355可以成為越接近筒狀部355的下端厚度越薄。[第四實(shí)施方式]接著，說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式。本第四實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式的主要不同點(diǎn)在于通過蝕刻劑蒸氣蝕刻基板W。在以下的圖12 圖18中，關(guān)于與上述的圖I 圖11所示的各部等同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注與圖I等相同的參照附圖標(biāo)記，且省略其說明。圖12是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的基板處理裝置401的布局的示意俯視圖?；逄幚硌b置401包括對(duì)基板W進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元407。多個(gè)處理單元407 配置為，俯視觀察包圍中央機(jī)械手CR。中央機(jī)械手CR在分度器機(jī)械手IR與處理單元407 之間搬運(yùn)基板W，并在多個(gè)處理單元407之間搬運(yùn)基板W。多個(gè)處理單元407包括使基板W 甲硅烷化的甲硅烷化單元407a、對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻的蝕刻單元407b、向基板W供給沖洗液且使該基板W干燥的清洗單元407c。雖然未圖示，但是清洗單元407c具有旋轉(zhuǎn)卡盤38、沖洗液嘴40 (沖洗液供給單元)、腔室41 (參照?qǐng)D3)。在清洗單元407c中，從沖洗液嘴40噴出的純水供給至被旋轉(zhuǎn)卡盤38保持的基板W的整個(gè)上表面，由此沖洗附著在基板W上的液體、異物(沖洗處理，沖洗工序)。此后，旋轉(zhuǎn)卡盤38使基板W以高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，來從基板W除去純水。由此，干燥基板 W (干燥處理，干燥工序)。圖13以及圖14是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的甲硅烷化單元407a的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。以下，說明甲硅烷化單元407a的概略結(jié)構(gòu)以及在甲硅烷化單元407a中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。首先，說明甲硅烷化單元407a的概略結(jié)構(gòu)。甲娃燒化單元407a包括保持基板W的基板保持臺(tái)414、對(duì)被基板保持臺(tái)414保持的基板W加熱的加熱器417、支撐基板保持臺(tái)414的支撐構(gòu)件412。基板保持臺(tái)414例如為具有比基板W直徑大的直徑的圓板狀的板。加熱器417埋設(shè)在基板保持臺(tái)414中?；錡 以基板W的中心與基板保持臺(tái)414的中心位于公共的鉛垂軸線上的方式，水平地載置在基板保持臺(tái)414上。由此，基板W被基板保持臺(tái)414水平地保持在保持位置Pl上。在第四實(shí)施方式中，由基板保持臺(tái)414和后述的加熱板478構(gòu)成基板保持單元?；灞３峙_(tái)414配置在支撐構(gòu)件412的上方。支撐構(gòu)件412例如為具有比基板保持臺(tái)414的直徑大的直徑的圓板狀的板。支撐構(gòu)件412的外周部伸出至基板保持臺(tái)414的外方。另外，甲硅烷化單元407a還包括在基板保持臺(tái)414的上方支撐基板W的多個(gè)升降銷419、使多個(gè)升降銷419 一體升降的升降銷升降機(jī)構(gòu)421。各升降銷419在鉛垂方向上延伸。各升降銷419的上端配置在同一高度。在基板保持臺(tái)414以及支撐構(gòu)件412上，形成有在鉛垂方向上貫通基板保持臺(tái)414以及支撐構(gòu)件412的多個(gè)貫通孔。在升降銷升降機(jī)構(gòu) 421使多個(gè)升降銷419從退避位置(圖13所示的位置)上升至突出位置(圖14所示的位置)時(shí)，多個(gè)升降銷419分別插入多個(gè)貫通孔，各升降銷419的上端從基板保持臺(tái)414的上表面突出。另一方面，在升降銷升降機(jī)構(gòu)421使多個(gè)升降銷419從突出位置下降至退避位置時(shí)，各升降銷419的上端移動(dòng)至基板保持臺(tái)414的上表面的下方。通過多個(gè)升降銷419支撐基板W的下表面，來水平地保持該基板W。在多個(gè)升降銷419在突出位置保持基板W的狀態(tài)下，在升降銷升降機(jī)構(gòu)421使多個(gè)升降銷419下降至退避位置時(shí)，被多個(gè)升降銷419保持著的基板W載置在基板保持臺(tái)414上。由此，基板W被搬運(yùn)至保持位置Pl，通過基板保持臺(tái)414在保持位置Pl水平地保持基板W。另一方面，在基板W保持在基板保持臺(tái)414上的狀態(tài)下，在升降銷升降機(jī)構(gòu)421使多個(gè)升降銷419從退避位置上升至突出位置時(shí)，被基板保持臺(tái)414保持著的基板W被多個(gè)升降銷419支撐，被搬運(yùn)至保持位置Pl的上方。這樣，在基板保持臺(tái)414與多個(gè)升降銷419之間交接基板W。另外，甲硅烷化單元407a還包括配置在支撐構(gòu)件412的上方的遮擋板452。遮擋板452包括水平配置的圓板部454、沿著圓板部454的外周緣設(shè)置的筒狀部455。筒狀部 455從圓板部454的外周緣朝向下方沿著鉛垂方向延伸。筒狀部455為圓筒狀。圓板部454 和筒狀部455同軸。圓板部454具有比基板保持臺(tái)414的直徑大的直徑。筒狀部455具有比基板保持臺(tái)414的直徑大的內(nèi)徑。筒狀部455的內(nèi)徑比支撐構(gòu)件412的外徑小。遮擋板 452配置為使圓板部454的下表面成為水平的狀態(tài)。在基板W保持于基板保持臺(tái)414的狀態(tài)下，圓板部454的下表面與基板W的上表面相向。遮擋板452配置為圓板部454的中心與基板保持臺(tái)414的中心位于公共的鉛垂軸線上。筒狀部455的下端與支撐構(gòu)件412的上表面周緣部相向。在筒狀部455的下端與支撐構(gòu)件412的上表面周緣部之間，配置有內(nèi)徑比基板保持臺(tái)414的直徑大的環(huán)狀的密封構(gòu)件470 (例如，O形圈)。在第四實(shí)施方式中，密封構(gòu)件470保持在支撐構(gòu)件412的上表面周緣部上。密封構(gòu)件470不限于保持在支撐構(gòu)件412上，可以保持在筒狀部455的下端。 密封構(gòu)件470沿著支撐構(gòu)件412的上表面周緣部在支撐構(gòu)件412的周向上延伸。遮擋板 452與遮擋板升降機(jī)構(gòu)269結(jié)合。遮擋板升降機(jī)構(gòu)269使遮擋板452在封閉位置(圖13所示的位置)與位于封閉位置的上方的打開位置(圖14所示的位置)之間升降。在遮擋板升降機(jī)構(gòu)269使遮擋板452從退避位置下降至封閉位置時(shí)，通過密封構(gòu)件470封閉筒狀部 455的下端與支撐構(gòu)件412的上表面之間的間隙。由此，封閉包含有保持位置Pl的容置空間471 (參照?qǐng)D13)。另一方面，在遮擋板升降機(jī)構(gòu)269使遮擋板452從封閉位置上升至退避位置時(shí)，筒狀部455離開密封構(gòu)件470，而打開容置空間471。在圓板部454的下表面中央部形成有噴出口 472。甲硅烷化劑導(dǎo)入管458 (甲硅烷化劑供給單元)與噴出口 472連接。經(jīng)由甲硅烷化劑供給管463向甲硅烷化劑導(dǎo)入管458 供給甲硅烷化劑蒸氣。另外，經(jīng)由氮?dú)夤┙o管464向甲硅烷化劑導(dǎo)入管458供給氮?dú)?。在甲硅烷化劑供給管463上安裝有對(duì)甲硅烷化劑向甲硅烷化劑導(dǎo)入管458的供給以及供給停止進(jìn)行控制的甲硅烷化劑閥465，在氮?dú)夤┙o管464上安裝有對(duì)氮?dú)庀蚣坠柰榛瘎?dǎo)入管 458的供給以及供給停止進(jìn)行控制的氮?dú)忾y466。供給至甲硅烷化劑導(dǎo)入管458的甲硅烷化劑蒸氣以及氮?dú)鈴膰姵隹?472向下方噴出。另外，在支撐構(gòu)件412的上表面形成有在俯視觀察包圍基板保持臺(tái)414的環(huán)狀的排氣口 432。排氣口 432與容置空間471相連通。排氣管433的一端部與排氣口 432相連接。在排氣管433上安裝有調(diào)壓閥473。由于在遮擋板452位于封閉位置的狀態(tài)下容置空間471被封閉，所以在該狀態(tài)下，從噴出口 472噴出甲硅烷化劑蒸氣或氮?dú)鈺r(shí)，容置空間471 的氣壓變高。然后，在容置空間471的氣壓達(dá)到規(guī)定值時(shí)，調(diào)壓閥473打開，容置空間471 的環(huán)境氣體從排出口 432排出。由此，降低容置空間471的氣壓。另外，在容置空間471的氣壓小于規(guī)定值時(shí)，調(diào)壓閥473關(guān)閉。因此，在遮擋板452位于封閉位置的狀態(tài)下，從噴出口 472噴出甲硅烷化劑蒸氣或氮?dú)鈺r(shí)，容置空間471中的氣體被凈化，容置空間471的環(huán)境被甲硅烷化劑蒸氣或氮?dú)庵脫Q。此后，在停止從噴出口 472噴出甲硅烷化劑蒸氣或氮?dú)鈺r(shí)， 調(diào)壓閥473關(guān)閉，維持在容置空間471中充滿甲硅烷化劑蒸氣或氮?dú)獾臓顟B(tài)。接著，說明在甲硅烷化單元407a中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。在向甲硅烷化單元407a搬入基板W時(shí)，預(yù)先將遮擋板452配置在打開位置，并使多個(gè)升降銷419配置在突出位置。在該狀態(tài)下，控制裝置4通過中央機(jī)械手CR將基板W載置在多個(gè)升降銷419上。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，在使中央機(jī)械手CR退出之后，通過升降銷升降機(jī)構(gòu)421使多個(gè)升降銷419下降至退避位置。由此，被多個(gè)升降銷419支撐著的基板W載置在基板保持臺(tái)414上，通過基板保持臺(tái)414在保持位置Pl保持基板W。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，在使多個(gè)升降銷419移動(dòng)至退避位置之后，通過遮擋板升降機(jī)構(gòu)269使遮擋板452下降至封閉位置。由此，容置空間471被封閉。因此，基板W被保持在封閉空間內(nèi)。接著，容置空間471的環(huán)境被氮?dú)猸h(huán)境置換。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在遮擋板452位于封閉位置的狀態(tài)下，打開氮?dú)忾y466，從噴出口 472噴出氮?dú)?。由此，向容置空間471供給氮?dú)?。因此，容置空間471的氣壓上升，調(diào)壓閥473打開。因此，容置空間 471的氣體從排出口 432排出。由此，容置空間471的環(huán)境氣體被氮?dú)庵脫Q。此后，控制裝置4關(guān)閉氮?dú)忾y466。由此，調(diào)壓閥473關(guān)閉，停止從容置空間471排出氣體。因此，維持氮?dú)獬錆M容置空間471的狀態(tài)。接著，將作為甲硅烷化劑的一個(gè)例子的HMDS蒸氣供給至基板W。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在遮擋板452位于封閉位置的狀態(tài)下，打開甲硅烷化劑閥465，從噴出口 472 噴出HMDS蒸氣。由此，將HMDS蒸氣供給至容置空間471。因此，調(diào)壓閥473打開，充滿容置空間471的氮?dú)獗籋MDS蒸氣置換。此后，控制裝置4關(guān)閉甲硅烷化劑閥465。由此，調(diào)壓閥 473關(guān)閉，停止從容置空間471排出氣體。因此，維持HMDS蒸氣充滿容置空間471的狀態(tài)。 通過使HMDS蒸氣充滿容置空間471，來向被基板保持臺(tái)414保持在保持位置Pl的基板W供給HMDS蒸氣。另外，被基板保持臺(tái)414保持著的基板W，通過加熱器417的加熱，保持為比室溫高的規(guī)定的溫度(例如，50 100°C的范圍內(nèi)的規(guī)定的溫度)。因此，向保持為規(guī)定的溫度的基板W供給HMDS蒸氣。由此，進(jìn)行甲硅烷化處理(甲硅烷化工序)，使基板W的整個(gè)上表面甲娃燒化。接著，容置空間471的環(huán)境被氮?dú)猸h(huán)境置換。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在遮擋板452位于封閉位置的狀態(tài)下，打開氮?dú)忾y466，從噴出口 472噴出氮?dú)?。由此，氮?dú)夤┙o至容置空間471。因此，調(diào)壓閥473打開，容置空間471中所充滿的HMDS蒸氣、基板W 與HMDS反應(yīng)而生成的氣體被氮?dú)庵脫Q。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，在容置空間471的環(huán)境氣體被氮?dú)庵脫Q之后，關(guān)閉氮?dú)忾y466。由此，調(diào)壓閥473關(guān)閉，停止從容置空間471排出氣體。因此，維持氮?dú)獬錆M容置空間471的狀態(tài)。接著，從甲硅烷化單元407a搬出基板W。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，通過遮擋板升降機(jī)構(gòu)269使遮擋板452上升至退避位置。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過升降銷升降機(jī)構(gòu)421使多個(gè)升降銷419上升至突出位置。由此，被基板保持臺(tái)414保持著的基板 W被多個(gè)升降銷419支撐，而配置在保持位置Pl的上方?？刂蒲b置4進(jìn)行控制，在使多個(gè)升降銷419移動(dòng)至突出位置之后，通過中央機(jī)械手CR搬出被多個(gè)升降銷419支撐著的基板 W。由此，從甲硅烷化單元407a搬出基板W。圖15是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的蝕刻單元407b的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。以下，說明蝕刻單元407b的概略結(jié)構(gòu)以及在蝕刻單元407b中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。首先，說明蝕刻單元407b的概略結(jié)構(gòu)。蝕刻單元407b具有在封閉狀態(tài)下儲(chǔ)存氫氟酸水溶液474蒸氣生成容器475 (蝕刻劑供給單元)、容置蒸氣生成容器475的外殼476。在該蒸氣生成容器475的下方設(shè)置有多孔板477，在所述多孔板477上形成有向下方噴出作為蝕刻劑的一個(gè)例子的氫氟酸蒸氣的多個(gè)貫通孔。而且，在多孔板477的下方配置有，以使基板W與多孔板477相向的狀態(tài)，將該基板W水平地保持在保持位置P2的加熱板478。加熱板478固定在旋轉(zhuǎn)軸479的上端。 在包括馬達(dá)等的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)480使旋轉(zhuǎn)軸479旋轉(zhuǎn)時(shí)，加熱板478與旋轉(zhuǎn)軸479 —起圍繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)。被加熱板478保持的基板W被加熱板478加熱。蝕刻單元407b還具有設(shè)置在加熱板478周圍的筒狀的波紋管482。加熱板478配置在波紋管482內(nèi)。波紋管482能夠相對(duì)于外殼476的底面476a在上下方向上收縮。未
19圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使波紋管482在封閉位置(實(shí)線所示的位置)與退避位置(虛線所示的位置)之間伸縮，所述封閉位置指，波紋管482的上端緣與多孔板477抵接而加熱板478的周圍的空間被密封的位置，所述退避位置指，波紋管482的上端緣退避至加熱板478的上表面 478a的下方的位置。波紋管482內(nèi)的氣體經(jīng)由與外殼476的底面476a相連接的排氣管483 通過排氣機(jī)構(gòu)484排出。另外，在外殼476的側(cè)壁上形成有位于加熱板478的側(cè)方的開口 485。通過擋板 486使開口 485開閉。在要向蝕刻單元407b搬入基板W時(shí)，預(yù)先使波紋管482配置在退避位置(虛線的位置)，并且使開口 485打開。然后，在該狀態(tài)下，通過中央機(jī)械手CR，向加熱板478上載置基板W。此后，通過擋板486關(guān)閉開口 485。另一方面，在要從蝕刻單元407b 搬出基板W時(shí)，使波紋管482配置在退避位置，并且打開開口 485。然后，在該狀態(tài)下，通過中央機(jī)械手CR搬出被加熱板478保持著的基板W。此后，通過擋板486關(guān)閉開口 485。在蒸氣生成容器475上連接有氮?dú)夤┙o管488，該氮?dú)夤┙o管488向蒸氣生成容器475的蒸氣填充空間487供給作為運(yùn)載氣體的氮?dú)狻碜缘獨(dú)夤┙o源489的氮?dú)饨?jīng)由流量控制器(MFC)490、閥491以及氮?dú)夤┙o管488供給至蒸氣填充空間487。另外，蒸氣填充空間487經(jīng)由閥492與蒸氣供給路493連接。來自氮?dú)夤┙o源489的氮?dú)饨?jīng)由流量控制器 494、閥495以及氮?dú)夤┙o管496供給至蒸氣供給路493。在閥492打開的狀態(tài)下，在蒸氣填充空間487漂浮的氫氟酸蒸氣，通過氮?dú)獾臍饬?，?jīng)由閥492供給至蒸氣供給路493。然后，供給至蒸氣供給路493的氫氟酸蒸氣，通過氮?dú)獾臍饬?，?jīng)由蒸氣供給路493被引導(dǎo)至多孔板477。儲(chǔ)存在蒸氣生成容器475內(nèi)的氫氟酸水溶液474被調(diào)制為所謂的成為模擬共沸組成的濃度(例如，在一個(gè)氣壓、室溫的情況下，約39.6%)。該模擬共沸組成的氫氟酸水溶液474的水與氟化氫的蒸發(fā)速度相等，因此，即使通過閥492從蒸氣填充空間487向蒸氣供給路493導(dǎo)入氫氟酸蒸氣，而蒸氣生成容器475內(nèi)的氫氟酸水溶液474減少，導(dǎo)入蒸氣供給路493的氫氟酸蒸氣的濃度也保持恒定。接著，說明在蝕刻單元407b中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。在要蝕刻基板W的表面時(shí)，在基板W被加熱板478保持且波紋管482位于緊貼位置(實(shí)線的位置)的狀態(tài)下，控制裝置4打開三個(gè)閥491、492、495。由此，蒸氣生成容器475 內(nèi)生成的氫氟酸蒸氣通過來自氮?dú)夤┙o管488的氮?dú)?，?jīng)由閥492而被輸送至蒸氣供給路 493。進(jìn)而，該氫氟酸蒸氣通過來自氮?dú)夤┙o管496的氮?dú)?，被運(yùn)送至多孔板477。然后，該氫氟酸蒸氣經(jīng)由形成在多孔板477上的貫通孔，供給至被加熱板478保持著的基板W的上表面(表面)。在氫氟酸蒸氣正在向基板W供給時(shí)，控制裝置4進(jìn)行控制，通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)480，使基板W以規(guī)定的轉(zhuǎn)速圍繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)。而且，控制裝置4進(jìn)行控制，通過加熱板 478對(duì)基板W進(jìn)行加熱，將基板W的溫度維持在例如40 150°C的范圍內(nèi)的規(guī)定溫度。這樣，向保持為規(guī)定溫度的基板W的整個(gè)表面供給氫氟酸蒸氣，來蝕刻基板W的表面(蝕刻處理，蝕刻工序)。圖16是用于說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式的基板處理裝置401所進(jìn)行的對(duì)基板W 的處理的一個(gè)例子的圖。以下說明的甲硅烷化處理、蝕刻處理以及沖洗處理是分別通過甲硅烷化單元407a、蝕刻單元407b以及清洗單元407c進(jìn)行的處理。以下，說明向形成有作為氧化膜的一個(gè)例子的SiO2膜和作為氮化膜的一個(gè)例子的SiN膜的基板W的表面供給作為蝕刻劑的一個(gè)例子的氫氟酸蒸氣來選擇性除去SiN膜的選擇蝕刻的一個(gè)例子。在處理例4-1中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過甲硅烷化單元 407a執(zhí)行甲硅烷化處理。由此，使基板W的整個(gè)上表面甲硅烷化。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從甲硅烷化單元407a向蝕刻單元407b搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過蝕刻單元407b進(jìn)行蝕刻處理。由此，對(duì)基板W的整個(gè)上表面進(jìn)行蝕刻。 然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C 內(nèi)。在處理例4-2中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，依次執(zhí)行甲硅烷化處理以及蝕刻處理。然后，在進(jìn)行蝕刻處理之后，控制裝置進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR， 從蝕刻單元407b向清洗單元407c搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過清洗單元 407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理。由此，沖洗附著在基板W上的液體、異物。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在處理例4-3中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，依次進(jìn)行甲硅烷化處理以及蝕刻處理。然后，在進(jìn)行蝕刻處理之后，控制裝置4進(jìn)行控制，再次依次執(zhí)行甲硅烷化處理以及蝕刻處理。即，在處理例4-3中，控制裝置4執(zhí)行反復(fù)工序，在該反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化處理以及蝕刻處理的一系列處理在內(nèi)的循環(huán)周期。然后，在進(jìn)行了反復(fù)工序之后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從蝕刻單元407b向清洗單元 407c搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過清洗單元407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在處理例4-4中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4依次執(zhí)行化甲硅烷化處理、蝕刻處理、沖洗處理以及干燥處理。然后，在進(jìn)行了干燥處理之后，控制裝置4再次依次執(zhí)行甲硅烷化處理、蝕刻處理、沖洗處理以及干燥處理。即，在處理例4-4中，控制裝置4執(zhí)行反復(fù)工序，在反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化處理、蝕刻處理、沖洗處理以及干燥處理的一系列處理在內(nèi)的循環(huán)周期。然后，在進(jìn)行了反復(fù)工序之后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。圖17是表示對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的基板W的溫度與蝕刻量、選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖18表示是對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的基板W的溫度與蝕刻量以及選擇比之間的關(guān)系的曲線圖。圖17為比較例的曲線圖，圖18為本發(fā)明的實(shí)施例的曲線圖。在圖17以及圖18中，示出了向形成有SiO2膜和SiN膜的基板W的表面供給氫氟酸蒸氣來對(duì)基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)的蝕刻量以及選擇比。用于蝕刻的氫氟酸蒸氣的濃度為 39. 6 %。各曲線圖中的基板W的溫度為氫氟酸蒸氣供給至基板W時(shí)的基板W的溫度。如圖17所示，在對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)，在基板W的溫度為30°C 時(shí)，SiO2膜的蝕刻量(參照符號(hào)為■的曲線，90. OOnm)遠(yuǎn)大于SiN膜的蝕刻量(參照符號(hào)為 的曲線，4. 66nm)。即，在基板W的溫度為30°C時(shí)，選擇比(氮化膜的除去量/氧化膜的除去量)的分母遠(yuǎn)大于分子，因此選擇比小(參照符號(hào)為▲的曲線，O. 05)。另外，在基板 W 的溫度為 40°C、50°C、7(TC 時(shí)，SiN 膜的蝕刻量為 3. 97nm(40°C )、3· 39nm(50°C )、
I.68nm(70°C )，與30°C時(shí)相比沒有大的變化。另外，在基板W的溫度為40 V、50°C、70 V 時(shí)，SiO2 膜的蝕刻量為 2. 09nm(40°C )、0· 3Inm(50°C )、0· 27nm(70°C )，小于 30°C時(shí)的蝕刻量，但是SiO2膜也被蝕刻?；錡的溫度為40°C、50°C、7(TC時(shí)的選擇比為1.90(40°C )、
II.09(50°C )、6. 31 (70°C )。這樣，在通過氫氟酸蒸氣對(duì)沒有被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)，不管基板W的溫度如何，選擇比都約為11以下。另一方面，如圖18所示，在對(duì)被甲硅烷化的基板W進(jìn)行蝕刻時(shí)，在基板W的溫度為30°C時(shí)，SiO2膜的蝕刻量(參照符號(hào)為■的曲線，89. OOnm)遠(yuǎn)大與SiN膜的蝕刻量(參照符號(hào)為 的曲線，4. 65nm)，因此，選擇比(參照符號(hào)為▲的曲線)小(0.05)。另外，在基板 W 的溫度為 40°C、50°C、70°C 時(shí)，SiN 膜的蝕刻量為 3.92nm(40°C ),3. 48nm(50°C )、
I.38nm(70°C )，與30°C時(shí)相比沒有大的變化。而且，與基板W沒有被甲硅烷化時(shí)相比，也沒有大的差異。另一方面，在基板W的溫度為40°C、50°C、70°C時(shí)，SiO2膜的蝕刻量為-O. 05nm (40°C )、-O. 06nm(50°C )、-O. 07nm(70°C )。蝕刻量為負(fù)是指膜厚增加，沒有被蝕刻，即，表示蝕刻量為零。因此，在基板W的溫度為40°C以上時(shí)，選擇比的分母為零，因此選擇比無限大。 這樣，通過在蝕刻基板W之前，使該基板W甲硅烷化，能夠在基板W的溫度為40°C以上時(shí)，大幅度地提聞選擇比。在以上的第四實(shí)施方式中，蝕刻被甲硅烷化的基板W。此后，再次使被蝕刻的基板 W甲硅烷化。然后，再次蝕刻被甲硅烷化的基板W。即，蝕刻中斷，在該蝕刻的中斷期間再次使基板W甲硅烷化。在長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)供給蝕刻劑時(shí)，在此過程中，甲硅烷化劑所帶來的抑制對(duì)氧化膜的蝕刻的能力有可能降低，而不能夠充分地抑制對(duì)氧化膜的蝕刻。因此，通過再次使基板W甲硅烷化，能夠恢復(fù)抑制對(duì)氧化膜的蝕刻的能力。因此，能夠在再次蝕刻時(shí)，抑制氧化膜被蝕刻。因此，能夠抑制或防止選擇比降低。另外，在第四實(shí)施方式中，在蝕刻被甲硅烷化的基板W之后，向基板W供給沖洗液， 來沖洗附著在基板W上的液體、異物。然后，再次依次執(zhí)行甲硅烷化工序、蝕刻工序以及沖洗工序。有時(shí)在被蝕刻了的基板W上附著有因蝕刻而產(chǎn)生的異物。如果在附著有因蝕刻而產(chǎn)生的異物的狀態(tài)下使基板W甲硅烷化，則有時(shí)難于從基板W去除該異物。因此，在再次進(jìn)行甲硅烷化工序之前，通過除去附著在基板W上的異物，能夠抑制或防止難于從基板W取出該異物的情況。由此，能夠抑制或防止異物殘留在基板W上。因此，能夠提高基板W的潔凈度。[第五實(shí)施方式]接著，說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式。該第五實(shí)施方式與上述第四實(shí)施方式的主要不同點(diǎn)在于多個(gè)處理單元還包括對(duì)基板W進(jìn)行冷卻的冷卻單元。在以下的圖19 圖21中， 對(duì)于與上述圖I 圖18所示的各部分等同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注與圖I等相同的參照附圖標(biāo)記，且省略其說明。圖19是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的基板處理裝置501的布局的俯視示意圖?；逄幚硌b置501包括對(duì)基板W進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元507。多個(gè)處理單元507 配置為，俯視觀察，包圍中央機(jī)械手CR。中央機(jī)械手CR在分度器機(jī)械手IR與處理單元507之間搬運(yùn)基板W，并且在多個(gè)處理單元507之間搬運(yùn)基板W。多個(gè)處理單元507包括甲硅烷化單元407a、蝕刻單元407b、清洗單元407c。而且，多個(gè)處理單元507包括對(duì)基板W進(jìn)行冷卻的冷卻單元507d。圖20是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的冷卻單元507d的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。冷卻單元507d包括基板保持臺(tái)414、支撐構(gòu)件412、升降銷419、升降銷升降機(jī)構(gòu) 421。而且，冷卻單元507d包括對(duì)被基板保持臺(tái)414保持著的基板W進(jìn)行冷卻的冷卻裝置 517。冷卻裝置517例如為水冷式冷卻裝置。冷卻裝置517埋設(shè)在基板保持臺(tái)414中。被基板保持臺(tái)414保持著的基板W通過與基板保持臺(tái)414接觸而被冷卻(冷卻處理，冷卻工序)。由此，例如將基板W的溫度降低至室溫以下的規(guī)定的溫度，并使基板W保持該規(guī)定的溫度。圖21是用于說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式的基板處理裝置501所進(jìn)行的對(duì)基板W 的處理的一個(gè)例子的圖。圖21中的甲硅烷化處理、蝕刻處理、沖洗處理以及冷卻處理是分別通過甲硅烷化單元407a、蝕刻單元407b、清洗單元407c以及冷卻單元507d進(jìn)行的處理。 以下，說明向形成有作為氧化膜的一個(gè)例子的SiO2膜和作為氮化膜的一個(gè)例子的SiN膜的基板W的表面供給作為蝕刻劑的一個(gè)例子的氫氟酸蒸氣來選擇性地除去SiN膜的選擇蝕刻的一個(gè)例子。在處理例5-1中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過甲硅烷化單元 407a執(zhí)行甲硅烷化處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從甲硅烷化單元 407a向冷卻單元507d搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過冷卻單元507d執(zhí)行冷卻處理。由此，基板W的溫度降低至室溫以下的規(guī)定的溫度。然后，控制裝置4進(jìn)行控制， 通過中央機(jī)械手CR,從冷卻單元507d向蝕刻單元407b搬運(yùn)基板W。此后,控制裝置4進(jìn)行控制，通過蝕刻單元407b執(zhí)行蝕刻處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR 以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在處理例5-2中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，依次執(zhí)行甲硅烷化處理、冷卻處理以及蝕刻處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR從蝕刻單元 407b向清洗單元407c搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過清洗單元407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手 CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在處理例5-3中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4依次執(zhí)行甲硅烷化處理、冷卻處理以及蝕刻處理。然后，在進(jìn)行了蝕刻處理之后，控制裝置4再次依次執(zhí)行甲硅烷化處理、冷卻處理以及蝕刻處理。即，在處理例5-3中，控制裝置4執(zhí)行反復(fù)工序，在該反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化處理、冷卻處理以及蝕刻處理的一系列處理在內(nèi)的循環(huán)周期。然后，在進(jìn)行反復(fù)工序之后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從蝕刻單元407b向清洗單元407c搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過清洗單元407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板 W搬入托架C內(nèi)。
在處理例5-4中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向甲硅烷化單元407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4依次執(zhí)行甲硅烷化處理、冷卻處理、蝕刻處理、沖洗處理以及干燥處理。然后，在進(jìn)行干燥處理之后，控制裝置4再次依次執(zhí)行甲硅烷化處理、冷卻處理、蝕刻處理、沖洗處理以及干燥處理。即，在處理例5-4中，控制裝置4執(zhí)行反復(fù)工序，在該反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化處理、冷卻處理、蝕刻處理、沖洗處理以及干燥處理的一系列處理在內(nèi)的循環(huán)周期。然后，在進(jìn)行反復(fù)工序之后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。[第六實(shí)施方式]接著，說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式。該第六實(shí)施方式與上述第五實(shí)施方式的主要不同點(diǎn)在于多個(gè)處理單元還包括使紫外線(ultraviolet radiation)照射基板W的紫外線照射單元。在以下的圖22 圖25中，對(duì)于與上述圖I 圖21所示的各部分等同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注與圖I等相同的參照附圖標(biāo)記，且省略其說明。圖22是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的基板處理裝置601的布局的俯視示意圖?；逄幚硌b置601包括對(duì)基板W進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元607。多個(gè)處理單元607 配置為，俯視觀察，包圍中央機(jī)械手CR。中央機(jī)械手CR在分度器機(jī)械手IR與處理單元607 之間搬運(yùn)基板W，并且在多個(gè)處理單元607之間搬運(yùn)基板W。多個(gè)處理單元607包括甲硅烷化單元407a、蝕刻單元407b、清洗單元407c、冷卻單元507d。而且，多個(gè)處理單元607還包括使紫外線照射基板W的紫外線照射單元607e。圖23以及圖24是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的紫外線照射單元607e的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。紫外線照射單元607e具有基板保持臺(tái)414、容置基板保持臺(tái)414的腔室608。腔室608包括形成有門622的分隔壁649、使門622開閉的門擋板623、對(duì)分隔壁649與門擋板623之間進(jìn)行封閉的密封構(gòu)件670 (例如，O形圈)、使門622開閉的門開閉機(jī)構(gòu)624。密封構(gòu)件670沿著門622安裝在分隔壁649上。密封構(gòu)件670不限于安裝在分隔壁649上， 可以安裝在門擋板623上。門擋板623與門開閉機(jī)構(gòu)624結(jié)合。門開閉機(jī)構(gòu)624使門擋板 623在門622被門擋板623關(guān)閉的關(guān)閉位置和門622被打開的打開位置之間移動(dòng)。在門擋板623配置在關(guān)閉位置時(shí)，通過密封構(gòu)件670封閉門擋板623與分隔壁649之間的間隙。由此，封閉腔室608內(nèi)的空間。另外，紫外線照射單元607e還包括多個(gè)升降銷419、升降銷升降機(jī)構(gòu)421。在分隔壁649的底壁612和基板保持臺(tái)414上分別形成有在鉛垂方向上貫通基板保持臺(tái)414以及底壁612的多個(gè)貫通孔。在升降銷升降機(jī)構(gòu)421使多個(gè)升降銷419從退避位置(圖23所示的位置)上升至突出位置(圖24所示的位置)時(shí)，多個(gè)升降銷419分別插入多個(gè)貫通孔， 各升降銷419的上端從基板保持臺(tái)414的上表面突出。另外，在升降銷升降機(jī)構(gòu)421使多個(gè)升降銷419從突出位置下降至退避位置時(shí)，各升降銷419的上端移動(dòng)至基板保持臺(tái)414 的上表面的下方。通過多個(gè)升降銷419的升降，在基板保持臺(tái)414與多個(gè)升降銷419之間交接基板W。另外，紫外線照射單元607e還具有將氮?dú)鈱?dǎo)入腔室608內(nèi)的側(cè)方導(dǎo)入管625。側(cè)方導(dǎo)入管625安裝在分隔壁649的側(cè)壁609上。在側(cè)方導(dǎo)入管625上安裝氮?dú)忾y626。在打開氮?dú)忾y626時(shí)，從形成在側(cè)壁609上的噴出口 697向腔室608內(nèi)噴出氮?dú)狻?br> 另外，在底壁612的上表面形成有俯視觀察包圍基板保持臺(tái)414的環(huán)狀的排氣口 632。排氣口 632與腔室608內(nèi)連通。排氣管433的一端部與排氣口 632相連接。在排氣管433上安裝有調(diào)壓閥473。在門622被關(guān)閉的狀態(tài)下，從噴出口 697噴出氮?dú)鈺r(shí)，腔室608 內(nèi)的氣壓變高。而且，在腔室608內(nèi)的氣壓達(dá)到規(guī)定值時(shí)，調(diào)壓閥473打開，氣體從腔室608 內(nèi)向排出口 632排出。由此，腔室608內(nèi)的氣壓降低。另外，在腔室608內(nèi)的氣壓小于規(guī)定值時(shí)，調(diào)壓閥473關(guān)閉。另外，紫外線照射單元607e還具有紫外線照射燈698 (紫外線照射單元)。紫外線照射燈698安裝在分隔壁649的上壁611上。紫外線照射燈698配置在與被基板保持臺(tái) 414保持的基板W相向的位置上。紫外線照射燈698向被基板保持臺(tái)414保持的基板W的上表面照射紫外線。由此，紫外線均勻地照射在基板W的上表面上。紫外線照射燈698照射例如波長(zhǎng)為185 254nm的紫外線，或波長(zhǎng)20 200nm的紫外線。接著，說明紫外線照射單元607e中進(jìn)行的對(duì)基板W的處理的一個(gè)例子。首先，說明紫外線照射燈698照射波長(zhǎng)185 254nm的紫外線時(shí)的處理。在要向紫外線照射單元607e搬入基板W時(shí)，預(yù)先將門擋板623配置在打開位置， 并將多個(gè)升降銷419配置在突出位置。在該狀態(tài)下，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手 CR，將基板W載置在多個(gè)升降銷419上。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，在使中央機(jī)械手CR退出之后，通過升降銷升降機(jī)構(gòu)421，使多個(gè)升降銷419下降至退避位置。由此，被多個(gè)升降銷 419支撐的基板W載置在基板保持臺(tái)414上，通過基板保持臺(tái)414保持基板W。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，在使多個(gè)升降銷419移動(dòng)至退避位置之后，通過門開閉機(jī)構(gòu)624使門擋板 623下降至關(guān)閉位置。由此，封閉腔室608。因此，基板W保持在封閉空間內(nèi)。接著，使紫外線照射基板W。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在使門擋板623位于關(guān)閉位置的狀態(tài)下，從紫外線照射燈698照射紫外線。由此，向被基板保持臺(tái)414保持的基板W的上表面均勻地照射紫外線。通過照射紫外線，來加熱基板W。而且，通過照射紫外線，來除去附著在基板W上的有機(jī)物等異物。這樣，進(jìn)行UV處理(紫外線照射工序)。然后，在紫外線照射了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4停止從紫外線照射燈698照射紫外線。接著，腔室608內(nèi)的環(huán)境被氮?dú)猸h(huán)境置換。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在門擋板623位于關(guān)閉位置的狀態(tài)下，打開氮?dú)忾y626，從噴出口 697噴出氮?dú)狻Ｓ纱?，氮?dú)夤┙o至腔室608內(nèi)。因此，腔室608內(nèi)的氣壓上升，調(diào)壓閥473打開。因此，腔室608內(nèi)的環(huán)境氣體從排出口 632排出。由此，腔室608內(nèi)的環(huán)境氣體被氮?dú)庵脫Q。接著，從紫外線照射單元607e搬出基板W。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，通過門開閉機(jī)構(gòu)624，使門擋板623移動(dòng)至打開位置。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過升降銷升降機(jī)構(gòu)421，使多個(gè)升降銷419上升至突出位置。由此，被基板保持臺(tái)414保持的基板W被多個(gè)升降銷419支撐?？刂蒲b置4進(jìn)行控制，在使多個(gè)升降銷419移動(dòng)至突出位置之后，通過中央機(jī)械手CR搬出被多個(gè)升降銷419支撐的基板W。由此，從紫外線照射單元607e搬出基板W。接著，說明紫外線照射燈698照射波長(zhǎng)20 200nm的紫外線時(shí)的處理。在要向紫外線照射單元607e搬入基板W時(shí)，預(yù)先將門擋板623配置在打開位置， 并將多個(gè)升降銷419配置在突出位置。在該狀態(tài)下，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手 CR，將基板W載置在多個(gè)升降銷419上。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，在使中央機(jī)械手CR退出之后，通過升降銷升降機(jī)構(gòu)421，使多個(gè)升降銷419下降至退避位置。由此，被多個(gè)升降銷 419支撐的基板W載置在基板保持臺(tái)414上，通過基板保持臺(tái)414保持基板W。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，在使多個(gè)升降銷419移動(dòng)至退避位置之后，通過門開閉機(jī)構(gòu)624使門擋板 623下降至關(guān)閉位置。由此，封閉腔室608。因此，基板W保持在封閉空間內(nèi)。接著，向腔室608內(nèi)的環(huán)境氣體導(dǎo)入氮?dú)?。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在門擋板623位于關(guān)閉位置的狀態(tài)下，打開氮?dú)忾y626，從噴出口 697噴出氮?dú)?。由此，氮?dú)夤┙o至腔室608內(nèi)。因此，腔室608內(nèi)的氣壓上升，調(diào)壓閥473打開。因此，腔室608內(nèi)的環(huán)境氣體從排出口 632排出。由此，向腔室608內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)狻４藭r(shí)，導(dǎo)入氮?dú)?，以使腔?08內(nèi)的環(huán)境氣體中的氧濃度為I 10%。此后，控制裝置4關(guān)閉氮?dú)忾y626。由此，調(diào)壓閥473 關(guān)閉，停止從腔室608內(nèi)排出氣體。因此，維持空氣以及氮?dú)獬錆M腔室608內(nèi)的狀態(tài)。接著，紫外線照射基板W。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在門擋板623位于關(guān)閉位置的狀態(tài)下，從紫外線照射燈698照射紫外線。由此，向被基板保持臺(tái)414保持的基板W 的上表面均勻地照射紫外線。另外，由于腔室608內(nèi)的環(huán)境被氮?dú)猸h(huán)境置換，所以在氮?dú)猸h(huán)境下，向基板W的上表面照射紫外線。通過照射紫外線，加熱基板W。而且，通過照射紫外線除去附著在基板W上的有機(jī)物等異物。這樣，進(jìn)行UV處理(紫外線照射工序)。然后，在紫外線照射了規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4停止從紫外線照射燈698照射紫外線。接著，腔室608內(nèi)的環(huán)境被氮?dú)猸h(huán)境置換。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，在門擋板623位于關(guān)閉位置的狀態(tài)下，打開氮?dú)忾y626，從噴出口 697噴出氮?dú)?。由此，將氮?dú)夤┙o至腔室608內(nèi)。因此，腔室608內(nèi)的氣壓上升，調(diào)壓閥473打開。因此，腔室608內(nèi)的環(huán)境氣體從排出口 632排出。由此，腔室608內(nèi)的環(huán)境氣體被氮?dú)庵脫Q。接著，從紫外線照射單元607e搬出基板W。具體地說，控制裝置4進(jìn)行控制，通過門開閉機(jī)構(gòu)624，使門擋板623移動(dòng)至打開位置。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過升降銷升降機(jī)構(gòu)421，使多個(gè)升降銷419上升至突出位置。由此，被基板保持臺(tái)414保持的基板W被多個(gè)升降銷419支撐。控制裝置4進(jìn)行控制，在使多個(gè)升降銷419移動(dòng)至突出位置之后，通過中央機(jī)械手CR搬出被多個(gè)升降銷419支撐的基板W。由此，從紫外線照射單元607e搬出基板W。圖25是用于說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式的基板處理裝置601所進(jìn)行的對(duì)基板W 的處理的一個(gè)例子的圖。圖25中的甲硅烷化處理、蝕刻處理、沖洗處理以及UV處理是分別由甲硅烷化單元407a、蝕刻單元407b、清洗單元407c以及紫外線照射單元607e進(jìn)行的處理。以下，說明向形成有作為氧化膜的一個(gè)例子的SiO2膜和作為氮化膜的一個(gè)例子的SiN 膜的基板W的表面供給作為蝕刻劑的一個(gè)例子的氫氟酸蒸氣來選擇性地除去SiN膜的選擇蝕刻的一個(gè)例子。在處理例6-1中，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR， 從托架C向紫外線照射單元607e搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過紫外線照射單元607e，執(zhí)行UV處理(甲硅烷化前紫外線照射工序)。由此，從基板W除去有機(jī)物。 然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從紫外線照射單元607e向甲硅烷化單元 407a搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過甲硅烷化單元407a執(zhí)行甲硅烷化處理。 然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從甲硅烷化單元407a向蝕刻單元407b搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過蝕刻單元407b執(zhí)行蝕刻處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在處理例6-2中，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，從托架C向紫外線照射單元607e搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4依次執(zhí)行UV處理(甲硅烷化前紫外線照射工序)、甲硅烷化處理以及蝕刻處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從蝕刻單元407b向紫外線照射單元607e搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過紫外線照射單元607e執(zhí)行UV處理(甲硅烷化后紫外線照射工序)。由此，從基板W除去甲硅烷化劑 (例如，HMDS)。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在上述的處理例6-1中，控制裝置4進(jìn)行控制，可以在執(zhí)行蝕刻處理之后，通過清洗單元407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理，來沖洗附著在基板W上的液體、異物(參照處理例6-3)。而且，控制裝置4進(jìn)行控制，可以在處理例6-1、6-3中，在執(zhí)行了甲硅烷化處理之后，執(zhí)行蝕刻處理之前，通過冷卻單元507d執(zhí)行冷卻處理。同樣，控制裝置4進(jìn)行控制，可以在處理例6-2中，在執(zhí)行第二次的UV處理之后，通過清洗單元407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理，來沖洗附著在基板W上的液體、異物(參照處理例6-4)。而且，控制裝置4進(jìn)行控制，可以在處理例6-2以及處理例6-4中，在進(jìn)行了甲硅烷化處理之后，進(jìn)行蝕刻處理之前， 通過冷卻單元507d執(zhí)行冷卻處理。在處理例6-5中，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，從托架C向紫外線照射單元607e搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4依次執(zhí)行UV處理(甲硅烷化前紫外線照射工序)、甲硅烷化處理以及蝕刻處理。然后，在進(jìn)行蝕刻處理之后，控制裝置4再次依次執(zhí)行甲硅烷化處理以及蝕刻處理。即，在處理例6-5中，控制裝置4進(jìn)行控制，在進(jìn)行了 UV處理之后執(zhí)行反復(fù)工序，在該反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化處理以及蝕刻處理的一系列處理在內(nèi)的循環(huán)周期。然后，在進(jìn)行反復(fù)工序之后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR， 從蝕刻單元407b向清洗單元407c搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過清洗單元 407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在處理例6-6中，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，從托架C向紫外線照射單元607e搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4依次執(zhí)行UV處理(甲硅烷化前紫外線照射工序)、甲硅烷化處理以及蝕刻處理。然后，在執(zhí)行蝕刻處理之后，控制裝置4再次依次執(zhí)行甲硅烷化處理以及蝕刻處理。即，在處理例6-6中，控制裝置4進(jìn)行控制，在進(jìn)行了 UV處理之后，執(zhí)行反復(fù)工序，在該反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化處理以及蝕刻處理的一系列處理在內(nèi)的循環(huán)周期。然后，在進(jìn)行反復(fù)工序之后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR， 從蝕刻單元407b向紫外線照射單元607e搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過紫外線照射單元607e執(zhí)行UV處理(甲硅烷化后紫外線照射工序)。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過中央機(jī)械手CR，從紫外線照射單元607e向清洗單元407c搬運(yùn)基板W。此后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過清洗單元407c執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理。然后，控制裝置4進(jìn)行控制，通過分度器機(jī)械手IR以及中央機(jī)械手CR，將基板W搬入托架C內(nèi)。在上述的處理例6-5中，控制裝置4可以與甲硅烷化處理以及蝕刻處理一并地反復(fù)執(zhí)行沖洗處理以及干燥處理。即，在處理例6-5中進(jìn)行了反復(fù)工序之后執(zhí)行的沖洗處理以及干燥處理可以包括在一系列處理的循環(huán)周期之中，可以依次反復(fù)執(zhí)行甲硅烷化處理、蝕刻處理、沖洗處理以及干燥處理(參照處理例6-7)。同樣，在處理例6-6中進(jìn)行了反復(fù)工序之后執(zhí)行的UV處理、沖洗處理以及干燥處理可以包括在一系列處理的循環(huán)周期之中， 可以依次反復(fù)執(zhí)行甲硅烷化處理、蝕刻處理、UV處理、沖洗處理以及干燥處理(參照處理例 6-8)。而且，在處理例6-5 6-8中，可以在執(zhí)行了甲硅烷化處理之后，執(zhí)行蝕刻處理之前， 進(jìn)行冷卻處理。即，在處理例6-5 6-8的一系列處理的循環(huán)周期中可以包括冷卻處理。 如處理例6-8所示，在UV處理(紫外線照射工序)包括在一系列處理的循環(huán)周期中的情況下，各循環(huán)周期的UV處理在同一循環(huán)周期中進(jìn)行了甲硅烷化處理(甲硅烷化工序)之后執(zhí)行，因此該UV處理為甲硅烷化后紫外線照射工序。另外，各循環(huán)周期的UV處理在下一個(gè)循環(huán)周期的甲硅烷化處理進(jìn)行之前進(jìn)行，因此該UV處理也為甲硅烷化前紫外線照射工序。在以上的第六實(shí)施方式中，向照射了紫外線的基板W依次供給甲硅烷化劑以及蝕刻劑。通過向基板W照射紫外線，能夠除去附著在基板W上的有機(jī)物等異物。因此，能夠提高甲硅烷化劑以及蝕刻劑與基板W的反應(yīng)性。由此，能夠提高選擇比。而且，在第六實(shí)施方式中，由于向甲硅烷化的基板W照射紫外線，所以能夠除去附著在基板W上的HMDS等甲硅烷化劑。因此，能夠提高基板W的潔凈度。另外，在第六實(shí)施方式中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化工序、蝕刻工序以及紫外線照射工序的一系列工序在內(nèi)的循環(huán)周期。即，在同一循環(huán)周期中，向供給了甲硅烷化劑以及蝕刻劑的基板W照射紫外線，在第二次以后的循環(huán)周期中，向照射了紫外線的基板W供給甲硅烷化劑以及蝕刻劑。如上所述，通過向被甲硅烷化的基板W照射紫外線，能夠除去附著在基板 W上的甲硅烷化劑。因此，能夠提高基板W的潔凈度。另外，在第二次以后的循環(huán)周期中，向通過照射紫外線而除去了有機(jī)物等異物的基板W供給甲硅烷化劑以及蝕刻劑。因此，在第二次以后的循環(huán)周期中，能夠提高甲硅烷化劑以及蝕刻劑與基板W的反應(yīng)性。由此，能夠提高選擇比。以上說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限于上述第一至第六實(shí)施方式的內(nèi)容，還能夠以其他方式實(shí)施。例如，在上述的第一至第六實(shí)施方式中，說明了基板處理裝置為單張式基板處理裝置的情況，但是第一至第六實(shí)施方式的基板處理裝置可以為對(duì)多張基板W統(tǒng)一處理的批量式基板處理裝置。具體地說，第一至第六實(shí)施方式的基板處理裝置可以為如下的批量式基板處理裝置，包括處理槽，其儲(chǔ)存用于浸潰多張基板W的處理液；甲硅烷化劑供給機(jī)構(gòu)， 其向處理槽供給甲硅烷化劑；蝕刻劑供給機(jī)構(gòu)，其向處理槽供給蝕刻劑。另外，在上述的第一以及第二實(shí)施方式中，將作為蝕刻劑的蝕刻液向基板供給，但是可以具有蝕刻成分的蒸氣作為蝕刻劑向基板供給。例如，可以從蝕刻劑嘴39向基板供給具有蝕刻成分的蒸氣(例如，氫氟酸蒸氣)。另外，在上述的第二實(shí)施方式中，說明了所有的處理單元207為甲硅烷化蝕刻單元207a的情況，但是在多個(gè)處理單元207中可以包括與甲硅烷化蝕刻單元207a不同的單
J Li ο另外，在上述的第一以及第二實(shí)施方式中，甲硅烷化工序以及蝕刻工序各分別進(jìn)行一次，但是可以對(duì)進(jìn)行了甲硅烷化工序以及蝕刻工序的基板W再次進(jìn)行甲硅烷化工序以及蝕刻工序。通過供給甲硅烷化劑，抑制氧化膜的蝕刻，但是若長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行蝕刻工序，則有時(shí)抑制對(duì)氧化膜的蝕刻的效果隨著時(shí)間而降低，使得選擇比降低。因此，在長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行蝕刻
28工序時(shí)，通過在蝕刻工序之間再次進(jìn)行甲硅烷化工序，能夠在蝕刻工序中維持高的選擇比。另外，在上述的第四至第六實(shí)施方式中，說明了通過氫氟酸蒸氣蝕刻基板的情況， 但是可以通過氫氟酸以外的蝕刻劑蝕刻基板。而且，供給至基板的蝕刻劑可以為蒸氣，也可以為液體。另外，在上述的第四實(shí)施方式中，說明了甲硅烷化單元、蝕刻單元以及清洗單元分別獨(dú)立的情況，但是甲硅烷化單元、蝕刻單元以及清洗單元中的兩個(gè)以上的單元可以統(tǒng)合為一個(gè)單元。具體地說，如第二實(shí)施方式那樣，可以使甲硅烷化單元和蝕刻單元統(tǒng)合。另外， 可以使甲硅烷化單元、蝕刻單元以及清洗單元統(tǒng)合。同樣，在上述的第五實(shí)施方式中，說明了甲硅烷化單元、蝕刻單元、清洗單元、冷卻單元分別獨(dú)立的情況，但是，這些單元中的兩個(gè)以上的單元可以統(tǒng)合為一個(gè)單元。第六實(shí)施方式也同樣，可以將甲硅烷化單元、蝕刻單元、清洗單元、冷卻單元以及紫外線照射單元中的兩個(gè)以上的單元統(tǒng)合為一個(gè)單元。具體地說，如第二實(shí)施方式那樣，可以統(tǒng)合甲硅烷化單元和蝕刻單元。另外，可以在設(shè)置在紫外線照射單元中的基板保持臺(tái)中埋設(shè)冷卻裝置，統(tǒng)合冷卻單元和紫外線照射單元。雖然詳細(xì)說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是這些僅是為了使本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容明確的具體的例子，本發(fā)明不應(yīng)該解釋為限定這些具體的例子，本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求書限定。本申請(qǐng)對(duì)應(yīng)于2011年I月20日以及2011年3月23日分別向日本特許廳提出的 JP特愿2011-010154號(hào)以及特愿2011-063722號(hào)，這些申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用而記載于此。
權(quán)利要求
1.一種基板處理方法，其特征在于，包括甲娃燒化工序，向基板供給甲娃燒化劑；蝕刻工序，在進(jìn)行了所述甲硅烷化工序之后，向所述基板供給蝕刻劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，還包括與所述甲硅烷化工序并行進(jìn)行且對(duì)所述基板進(jìn)行加熱的加熱工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，還包括反復(fù)工序，在所述反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括所述甲硅烷化工序和所述蝕刻工序的一系列工序在內(nèi)的循環(huán)周期。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，所述循環(huán)周期還包括在進(jìn)行了所述蝕刻工序之后向所述基板供給沖洗液的沖洗工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，所述循環(huán)周期還包括在進(jìn)行了所述蝕刻工序之后向所述基板照射紫外線的紫外線照射工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，還包括在進(jìn)行所述甲硅烷化工序之前向所述基板照射紫外線的甲硅烷化前紫外線照射工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，還包括在進(jìn)行了所述甲硅烷化工序之后向所述基板照射紫外線的甲硅烷化后紫外線照射工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，還包括甲硅烷化前紫外線照射工序，在進(jìn)行所述甲硅烷化工序之前向所述基板照射紫外線； 甲硅烷化后紫外線照射工序，在進(jìn)行了所述甲硅烷化工序之后向所述基板照射紫外線。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，所述蝕刻劑為含有氫氟酸和乙二醇的混合液。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，所述甲硅烷化劑為非水溶性，所述蝕刻劑含有水。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，所述蝕刻劑為具有蝕刻成分的蒸氣。
12.—種基板處理裝置，其特征在于，具有基板保持單元，其將基板保持在甲硅烷化位置以及蝕刻位置；甲硅烷化劑供給單元，其向被所述基板保持單元保持于所述甲硅烷化位置的基板供給甲硅烷化劑；蝕刻劑供給單元，其向被所述基板保持單元保持于所述蝕刻位置的基板供給蝕刻劑； 控制單元，其執(zhí)行甲硅烷化工序和蝕刻工序，其中，在所述甲硅烷化工序中，該控制單元通過控制所述甲硅烷化劑供給單元，向被所述基板保持單元保持于所述甲硅烷化位置的基板供給甲硅烷化劑，在所述蝕刻工序中，該控制單元通過控制所述蝕刻劑供給單元，在進(jìn)行了所述甲硅烷化工序之后向被所述基板保持單元保持于所述蝕刻位置的所述基板供給蝕刻劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，所述甲硅烷化位置以及所述蝕刻位置為同一個(gè)位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括向所述基板照射紫外線的紫外線照射單元。
全文摘要
本發(fā)明的基板處理方法包括甲硅烷化工序，向基板供給甲硅烷化劑；蝕刻工序，在進(jìn)行所述甲硅烷化工序之后，向所述基板供給蝕刻劑。所述基板處理方法可以包括反復(fù)工序，在反復(fù)工序中，多次進(jìn)行包括甲硅烷化工序和所述蝕刻工序的一系列工序在內(nèi)的循環(huán)周期。所述循環(huán)周期還可以包括在進(jìn)行所述蝕刻工序之后向所述基板供給沖洗液的沖洗工序。而且，所述循環(huán)周期還可以包括在進(jìn)行所述蝕刻工序之后向所述基板照射紫外線的紫外線照射工序。所述基板處理方法還可以包括在進(jìn)行所述甲硅烷化工序之前或之后向所述基板照射紫外線的甲硅烷化前紫外線照射工序。
文檔編號(hào)H01L21/311GK102610514SQ20111029153
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月20日
發(fā)明者橋詰彰夫 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社