專利名稱：天線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種天線結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種利用多導(dǎo)體單元及負(fù)載金屬片設(shè)定輻射模態(tài)的天線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)對(duì)于替代能源的需求大幅增加，在各國(guó)政府的鼓勵(lì)投資之下，太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換裝置產(chǎn)業(yè)大幅成長(zhǎng)，并隨著太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換 效率的提升，其應(yīng)用從較大面積布建產(chǎn)生綠色替代能源外，目前太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換裝置亦大量應(yīng)用于手持端移動(dòng)通信裝置充電模塊，提供臨時(shí)電源或延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。為提供手持端移動(dòng)通信裝置足夠的補(bǔ)充電力，充電模塊必須具有一定面積的太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換裝置，因此若能充分利用其電極作為天線輻射金屬片的一部分，提供射頻電流路徑，以解決手持端移動(dòng)通信裝置低頻段天線模態(tài)激發(fā)及輻射效率問(wèn)題。整合后充電模塊可作為移動(dòng)通信裝置主輻射天線或分集天線，兩類型應(yīng)用原則上皆可提高充電模塊附加價(jià)值。然而，在特定太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換裝置輸出功率下(即固定光能轉(zhuǎn)換面積下)，要能有效激發(fā)天線模態(tài)，則需要有特殊的技術(shù)手段才能同時(shí)達(dá)到兩目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種天線結(jié)構(gòu)，包含基板，具有第一表面及第二表面；導(dǎo)體單元陣列，設(shè)置于該第一表面且包含至少二個(gè)彼此耦合的導(dǎo)體單元，該導(dǎo)體單元包含介質(zhì)材料及二個(gè)導(dǎo)體設(shè)置于該介質(zhì)材料的二表面；以及至少一負(fù)載金屬片，設(shè)置于該第一表面或該第二表面或該第一表面及該第二表面。上文已相當(dāng)廣泛地概述本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，以使下文的本發(fā)明詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本發(fā)明的權(quán)利要求的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或制作工藝而實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無(wú)法脫離權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍。


圖I為本發(fā)明一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)體單元的結(jié)構(gòu)；圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例的導(dǎo)體單元的結(jié)構(gòu)；
圖9為本發(fā)明另一實(shí)施例的導(dǎo)體單元的結(jié)構(gòu)；圖10為本發(fā)明一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)的立體圖；圖11為圖10的天線結(jié)構(gòu)的局部放大圖；圖12為圖10的天線結(jié)構(gòu)IOG的局部放大圖；圖13為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖14為圖13的天線結(jié)構(gòu)的仿真天線增益圖；圖15為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖16為圖15的天線結(jié)構(gòu)的仿真天線增益圖；·圖17為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖18為圖17的天線結(jié)構(gòu)的仿真折返損耗圖；圖19為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖20為圖19的天線結(jié)構(gòu)的仿真折返損耗圖；圖21為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖22為圖21的天線結(jié)構(gòu)的仿真折返損耗圖；圖23為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖24為圖23的天線結(jié)構(gòu)的仿真折返損耗圖；圖25為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖26為圖25的天線結(jié)構(gòu)的仿真頻率響應(yīng)圖；圖27為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖28為圖27的天線結(jié)構(gòu)的仿真折返損耗圖；圖29為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；圖30為圖29的天線結(jié)構(gòu)的仿真折返損耗圖；圖31為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)；以及圖32為圖31的天線結(jié)構(gòu)的仿真折返損耗圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明IOA 天線結(jié)構(gòu)IOB 天線結(jié)構(gòu)IOC 天線結(jié)構(gòu)IOD 天線結(jié)構(gòu)IOE 天線結(jié)構(gòu)IOF 天線結(jié)構(gòu)IOG 天線結(jié)構(gòu)IOH 天線結(jié)構(gòu)101 天線結(jié)構(gòu)IOJ 天線結(jié)構(gòu)IOK 天線結(jié)構(gòu)IOL 天線結(jié)構(gòu)IOM 天線結(jié)構(gòu)ION 天線結(jié)構(gòu)
IOP 天線結(jié)構(gòu)IOR 天線結(jié)構(gòu)IOS 天線結(jié)構(gòu)11 基板IlA 第一表面IlB 第二表面13 導(dǎo)體單元陣列15 導(dǎo)體單元17 下導(dǎo)體18 介質(zhì)材料19上導(dǎo)體21負(fù)載金屬片21A負(fù)載金屬片21B負(fù)載金屬片23接地金屬片24接地點(diǎn)25激發(fā)源26饋入點(diǎn)27導(dǎo)電件29耦合金屬片
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖I為本發(fā)明一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10A。該天線結(jié)構(gòu)IOA包含基板11，具有第一表面IlA及第二表面IlB ;導(dǎo)體單元陣列13，設(shè)置于該第一表面IlA且包含至少二個(gè)彼此耦合的導(dǎo)體單元15 ;以及至少一負(fù)載金屬片21，設(shè)置于該第二表面11B，并與該導(dǎo)體單元15的導(dǎo)體呈直流開路；接地端23，其可以面向該負(fù)載金屬片21且與該負(fù)載金屬片21直流開路的接地金屬片予以實(shí)現(xiàn)(參考圖10);其中激發(fā)源25連接于該負(fù)載金屬片21與該接地金屬片23之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該負(fù)載金屬片21部分面積與該導(dǎo)體單元15的間隙的垂直投影重疊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各該導(dǎo)體單元15包含介質(zhì)材料18、下導(dǎo)體17、上導(dǎo)體19，其中該下導(dǎo)體17及該上導(dǎo)體19分別設(shè)置于該介質(zhì)材料18的上下二表面，且該導(dǎo)體單元陣列13通過(guò)導(dǎo)電件27連接二相鄰導(dǎo)體單元15(連接二相鄰的下導(dǎo)體17與上導(dǎo)體19)或通過(guò)導(dǎo)電件29連接二相鄰導(dǎo)體單元15 (連接二相鄰的下導(dǎo)體17或連接二相鄰的上導(dǎo)體)。該導(dǎo)體單元15之間的電磁能量耦合可使該導(dǎo)體單元陣列13激發(fā)可輻射的模態(tài)，且該負(fù)載金屬片21則通過(guò)與該導(dǎo)體單元陣列13間的寄生效應(yīng)而于特定頻段激發(fā)可輻射的模態(tài)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該導(dǎo)體單元15的尺寸小于該天線結(jié)構(gòu)IOA的第一操作模態(tài)的四分之一波長(zhǎng)，且相鄰的導(dǎo)體單元15的間距小于10mm。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該導(dǎo)體單元15為太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元，其中該介質(zhì)材料作為該太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元的太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換材料(例如單晶或多晶硅)，該導(dǎo)體單元15的下導(dǎo)體17及上導(dǎo)體19分別作為該太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元二傳導(dǎo)電極，通過(guò)導(dǎo)電件27與導(dǎo)電件29決定兩太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元為并聯(lián)或串聯(lián)。該太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換材料將光能轉(zhuǎn)換成電能，再通過(guò)該傳導(dǎo)電極將電能收集并傳導(dǎo)另一個(gè)太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換裝置單元或是傳導(dǎo)至電力系統(tǒng)。圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10B。相較于圖I所示的天線結(jié)構(gòu)IOA將該激發(fā)源25連接于該負(fù)載金屬片21與該接地金屬片23之間，圖2的天線結(jié)構(gòu)IOB將該激發(fā)源25連接于該導(dǎo)體單元15的下導(dǎo)體17與該接地金屬片23之間。圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10C。相較于圖I所示的天線結(jié)構(gòu)IOA將該負(fù)載金屬片21設(shè)置于該第二表面11B，圖3的天線結(jié)構(gòu)IOC將該負(fù)載金屬片21設(shè)置于該基板11與該導(dǎo)體單元陣列13之間(亦即設(shè)置于該第一表面11A)，使得該負(fù)載金屬片21與導(dǎo) 體單元15的下導(dǎo)體17直接接觸，形成直流短路狀態(tài)。圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10D。相較于圖I所示的天線結(jié)構(gòu)IOA將所有負(fù)載金屬片21設(shè)置于該第二表面11B，圖4的天線結(jié)構(gòu)IOD分別于該第一表面IlA及該第二表面IlB設(shè)置第一負(fù)載金屬片21A、第二負(fù)載金屬片21B,亦即將該第一負(fù)載金屬片21A設(shè)置于該第二表面IlB以及該第二負(fù)載金屬片21B設(shè)置于該第一表面11A。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10E。相較于圖I所示的天線結(jié)構(gòu)IOA將該激發(fā)源25直接連接于該負(fù)載金屬片21，圖5的天線結(jié)構(gòu)IOE將該激發(fā)源25連接于耦合金屬片31，該耦合金屬片31再將能量耦合至于該負(fù)載金屬片21，亦即該激發(fā)源25的能量經(jīng)由該金屬片31耦合至該負(fù)載金屬片21。圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10F。相較于圖5所示的天線結(jié)構(gòu)IOE將所有負(fù)載金屬片21設(shè)置于該第二表面IlB ;圖4的天線結(jié)構(gòu)IOD分別于該第一表面IlA及該第二表面IlB設(shè)置第一負(fù)載金屬片21A、第二負(fù)載金屬片21B,亦即將該第一負(fù)載金屬片21A設(shè)置于該第二表面IlB以及該第二負(fù)載金屬片21B設(shè)置于該第一表面11A。圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)體單元15A的結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)體單元15A的下導(dǎo)體17A覆蓋該介質(zhì)材料18的下表面，該導(dǎo)體單元15A的上導(dǎo)體19A則呈魚骨狀。圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例的導(dǎo)體單元15B的結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)體單元15B的下導(dǎo)體17B覆蓋該介質(zhì)材料18的下表面，該導(dǎo)體單元15B的上導(dǎo)體19B則呈長(zhǎng)條狀。圖9為本發(fā)明另一實(shí)施例的導(dǎo)體單元15C的結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)體單元15C的下導(dǎo)體17C覆蓋該介質(zhì)材料18的下表面，該導(dǎo)體單元15C的上導(dǎo)體19C覆蓋該介質(zhì)材料18的上表面。圖10為一立體圖，為本發(fā)明一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10G。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該天線結(jié)構(gòu)IOG的接地金屬片23設(shè)置于該基板11的第一表面(下表面)11A，該導(dǎo)體單元陣列13亦設(shè)置于該基板11的第一表面11A，該接地金屬片23與該導(dǎo)體單元陣列13不重疊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該天線結(jié)構(gòu)IOG的負(fù)載金屬片21呈分支狀，且設(shè)置于該基板11的第二表面(上表面)11B，并與該導(dǎo)體單元陣列13重疊。圖11為圖10的天線結(jié)構(gòu)IOG的局部放大圖，顯示該導(dǎo)體單元陣列13的導(dǎo)電件27 ;圖12為圖10的天線結(jié)構(gòu)IOG的局部放大圖，顯示該天線結(jié)構(gòu)IOG的短路點(diǎn)24及饋入點(diǎn)26。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該負(fù)載金屬片21包含第一負(fù)載金屬片21A及數(shù)片第二負(fù)載金屬片21B，該短路點(diǎn)24穿透該基板11而連接該第一負(fù)載金屬片21A及該接地金屬片23，該饋入點(diǎn)26穿透該基板11而連接該第二負(fù)載金屬片21B及該接地金屬片23。圖13為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10H，圖14為該天線結(jié)構(gòu)IOH的仿真天線增益對(duì)頻率響應(yīng)圖；圖15為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)101，圖16為該天線結(jié)構(gòu)101的仿真天線增益對(duì)頻率響應(yīng)圖。圖13的天線結(jié)構(gòu)IOH的負(fù)載金屬片21的形狀略呈梯形；相對(duì)地，圖15的天線結(jié)構(gòu)101的負(fù)載金屬片21的形狀為分支狀。圖17為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10J，圖18為該天線結(jié)構(gòu)IOJ的仿真天線增益對(duì)頻率響應(yīng)圖。圖17的天線結(jié)構(gòu)IOJ包含第一負(fù)載金屬片21A及數(shù)片第二負(fù)載金屬片21B，其中該饋入點(diǎn)26連接于該第一負(fù)載金屬片21A。參考該天線結(jié)構(gòu)IOH的仿真天線增益圖(圖14)、天線結(jié)構(gòu)101的仿真天線增益圖 (圖16)及天線結(jié)構(gòu)IOJ的仿真天線增益圖(圖18)，可知于相同尺寸導(dǎo)體單元陣列13配置不同負(fù)載金屬片21形式，其相互間寄生效應(yīng)不同而改變電磁能量的耦合，增加負(fù)載金屬片21B可提供低頻射頻電流路徑，因此使天線結(jié)構(gòu)IOJ較天線結(jié)構(gòu)IOH增加低頻可操作頻段。圖19為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10K，圖20為該天線結(jié)構(gòu)IOK的仿真折返損耗圖。該天線結(jié)構(gòu)IOK的接地金屬片23與該導(dǎo)體單元陣列13設(shè)置于同一表面，彼此不重疊；該第一負(fù)載金屬片21A及該第二負(fù)載金屬片21B設(shè)置于同一表面,與該導(dǎo)體單兀陣列13分別設(shè)置于該基板的兩表面；該第一負(fù)載金屬片21A呈分支狀，該短路點(diǎn)24穿透該基板11而連接該第一負(fù)載金屬片21A及該接地金屬片23 ;該饋入點(diǎn)26穿透該基板11而連接該第二負(fù)載金屬片21B及該接地金屬片23。參考圖20的模擬折返損耗圖可知在頻率介于O. 5至I. OGHz之間，該天線結(jié)構(gòu)IOK的折返損耗小于_7dB，表示該激發(fā)源25的能量于該頻段可饋入該天線結(jié)構(gòu)10K。換言之，圖19所示的天線結(jié)構(gòu)IOK可操作GSM900及數(shù)字電視頻段信號(hào)。此外，新一代無(wú)線通信系統(tǒng)LTE (Long Term Evolution)的操作頻率可能包含2· 3至2. 69GHz的頻段，參考圖20的模擬折返損耗圖可知在頻率介于2. 3至2. 69GHz之間，該天線結(jié)構(gòu)IOK的折返損耗小于_7dB，表示該激發(fā)源25的能量于該頻段可饋入該天線結(jié)構(gòu)10K。換言之，圖19所示的天線結(jié)構(gòu)IOK亦可適用于未來(lái)LTE無(wú)線通信系統(tǒng)。圖21為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10L，圖22為該天線結(jié)構(gòu)IOL的仿真折返損耗圖。該天線結(jié)構(gòu)IOL的接地金屬片23與該導(dǎo)體單元陣列13設(shè)置于同一表面，但彼此不重疊；該天線結(jié)構(gòu)IOL包含第一負(fù)載金屬片21A及第二負(fù)載金屬片21B，該短路點(diǎn)24穿透該基板11而連接該第一負(fù)載金屬片21B及該接地金屬片23 ;該饋入點(diǎn)26穿透該基板11而連接該第二負(fù)載金屬片21A及該接地金屬片23。參考圖22的模擬折返損耗圖可知在頻率介于O. 5至I. OGHz之間，該天線結(jié)構(gòu)IOL的折返損耗小于_7dB，此頻率范圍包含GSM850/900通信系統(tǒng)與數(shù)字電視系統(tǒng)的頻段，表示該激發(fā)源25的大部分能量均可饋入該天線結(jié)構(gòu)IOL于該頻段。換言之，圖21所示的天線結(jié)構(gòu)IOL可應(yīng)用操作于GSM900通信系統(tǒng)及或數(shù)字電視頻段系統(tǒng)。此外，GSM1800通信系統(tǒng)的頻率介于I. 6至2. OGHz之間，參考圖22的模擬折返損耗圖可知在頻率介于I. 6至2. OGHz之間，該天線結(jié)構(gòu)IOL的折返損耗小于_7dB，，此頻率范圍包含GSM1800通信系統(tǒng)頻段，表示該激發(fā)源25的能量可饋入該天線結(jié)構(gòu)IOL于該頻段。換言之，圖21所示的天線結(jié)構(gòu)IOL亦可操作于GSM1800頻段。圖23為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10M，圖24為該天線結(jié)構(gòu)IOM的仿真頻率響應(yīng)變化，其中該天線結(jié)構(gòu)IOM的導(dǎo)體單元15的數(shù)量(η)分別為2、4、6、8、10。如圖24所示，該天線結(jié)構(gòu)IOM的折返損耗波形隨著其導(dǎo)體單元15的數(shù)量不同而改變；換言之，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)IOM可通過(guò)改變其導(dǎo)體單元15的數(shù)量而調(diào)整折返損耗，改變天線操作頻段。
圖25為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10Ν，圖26為該天線結(jié)構(gòu)ION的仿真折返損耗圖。該天線結(jié)構(gòu)ION包含第一負(fù)載金屬片21Α及第二負(fù)載金屬片21Β，該第一負(fù)載金屬片21Α耦接于該饋入點(diǎn)26。該第二負(fù)載金屬片21Β在X方向的寬度固定為16mm，在Y方向的寬度分別為15mm、25mm、35mm、45mm、55mm。如圖26所示，該天線結(jié)構(gòu)ION的頻率響應(yīng)隨著其第二負(fù)載金屬片21B在Y方向的寬度不同而改變；換言之，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)ION可通過(guò)改變其第二負(fù)載金屬片21B在Y方向的寬度而調(diào)整折返損耗，改變天線操作頻段。圖27為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10P，圖28為該天線結(jié)構(gòu)IOP的仿真折返損耗圖。該天線結(jié)構(gòu)IOP包含第一負(fù)載金屬片21A及數(shù)片第二負(fù)載金屬片21B，該第一負(fù)載金屬片21A耦接于該饋入點(diǎn)26。該第二負(fù)載金屬片21B在Y方向的寬度固定，在X方向的寬度分別為lmm、5mm、9mm、13mm。如圖28所示,該天線結(jié)構(gòu)IOP的折返損耗隨著其第二負(fù)載金屬片21B在X方向的寬度不同而改變；換言之，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)IOP可通過(guò)改變其第二負(fù)載金屬片21B在X方向的寬度而調(diào)整折返損耗，改變天線操作頻段。圖29為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10R，圖30為該天線結(jié)構(gòu)IOR的仿真折返損耗圖。該天線結(jié)構(gòu)IOR包含第一負(fù)載金屬片21A及第二負(fù)載金屬片21B，該第一負(fù)載金屬片21A耦接于該饋入點(diǎn)26。該第二負(fù)載金屬片21B在Y方向的寬度固定，在X方向的寬度分別為10mm、30mm、40mm、50mm。如圖30所示，該天線結(jié)構(gòu)IOR的折返損耗隨著其第二負(fù)載金屬片21B在X方向的寬度不同而改變；換言之，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)IOR可通過(guò)改變其第二負(fù)載金屬片21B在X方向的寬度而調(diào)整折返損耗，改變天線操作頻段。圖31為本發(fā)明另一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10S，圖32為該天線結(jié)構(gòu)IOS的仿真折返損耗圖。該天線結(jié)構(gòu)IOS包含第一負(fù)載金屬片21A及第二負(fù)載金屬片21B。在圖25的天線結(jié)構(gòu)ION中，該饋入點(diǎn)26連接耦合于該第一負(fù)載金屬片21A及該接地金屬片23，其中該導(dǎo)體單元15的導(dǎo)體并未接觸該第一負(fù)載金屬片21A，形成直流開路狀態(tài)。相對(duì)地，在圖31的天線結(jié)構(gòu)IOS中，該饋入點(diǎn)26連接耦合該第二負(fù)載金屬片21A及該接地金屬片23，其中該導(dǎo)體單元15的導(dǎo)體與該第二負(fù)載金屬片21A直接接觸，形成直流短路狀態(tài)。比較圖26 (圖25的天線結(jié)構(gòu)ION的折返損耗圖)及圖32 (圖31的天線結(jié)構(gòu)IOS的折返損耗圖)可知，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)IOS可通過(guò)改變?cè)撠?fù)載金屬片21與導(dǎo)體單元15的導(dǎo)體以耦合或直接相連接方式饋入電磁能量，影響天線操作頻段。此外，該天線結(jié)構(gòu)IOS的負(fù)載金屬片21在X方向的寬度固定為16_，在Y方向的寬度分別為15mm、25mm、35mm、45mm、55mm。如圖32所不，該天線結(jié)構(gòu)IOS的折返損耗隨著其負(fù)載金屬片21在Y方向的寬度不同而改變；換言之，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)IOS可通過(guò)改變其負(fù)載金屬片21在Y方向的寬度而調(diào)整頻率響應(yīng)，改變天線操作頻段。簡(jiǎn)言之，本發(fā)明的技術(shù)為具多個(gè)導(dǎo)體單元結(jié)構(gòu)天線的創(chuàng)作，其在預(yù)定面積內(nèi)排列多個(gè)導(dǎo)體單元，通過(guò)導(dǎo)體單元之間以電耦合或磁耦合方式進(jìn)行電性連結(jié)成為導(dǎo)體單元陣列，可于特定頻段激發(fā)出可輻射的模態(tài)。此外，本發(fā)明通過(guò)導(dǎo)體單元陣列與負(fù)載金屬片間的寄生效應(yīng)及導(dǎo)體單元間的電磁能量耦合，可于特定頻率激發(fā)可輻射的模態(tài)，使得天線結(jié)構(gòu)可以接收或發(fā)射所需要的射頻電磁波。再者，導(dǎo)體單元的結(jié)構(gòu)與太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)相似，因此本發(fā)明將太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元經(jīng)由適當(dāng)配置而形成為多導(dǎo)體單元的天線結(jié)構(gòu)，可于特定頻段激發(fā)出可輻射的模態(tài)且原則上不會(huì)過(guò)度影響太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元的效率。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，在不背離權(quán)利要求所界定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多制作工藝可以不同的方法實(shí)施或以其它制作工藝予以取代，或者采用上述二種方式的組合。
此外，本案的權(quán)利范圍并不局限于上文揭示的特定實(shí)施例的制作工藝、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，基于本發(fā)明教示及揭示制作工藝、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟，無(wú)論現(xiàn)在已存在或日后開發(fā)者，其與本案實(shí)施例揭示者為以實(shí)質(zhì)相同的方式執(zhí)行實(shí)質(zhì)相同的功能，而達(dá)到實(shí)質(zhì)相同的結(jié)果，亦可使用于本發(fā)明。因此，以下的權(quán)利要求用以涵蓋用以此類制作工藝、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種天線結(jié)構(gòu)，包含 基板，具有第一表面及第二表面； 導(dǎo)體單元陣列，設(shè)置于該第一表面且包含至少二個(gè)彼此耦合的導(dǎo)體單元，該導(dǎo)體單元包含介質(zhì)材料及二個(gè)導(dǎo)體，該二個(gè)導(dǎo)體分別設(shè)置于該介質(zhì)材料的二表面；以及 至少一負(fù)載金屬片，設(shè)置于該第一表面或第二表面或該第一表面及該第二表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線結(jié)構(gòu)，其中激發(fā)源連接于該導(dǎo)體單元與接地金屬片之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線結(jié)構(gòu)，其中激發(fā)源連接于該負(fù)載金屬片與接地金屬片之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線結(jié)構(gòu)，其另包含耦合金屬片，耦合電磁能量至該負(fù)載金屬片，且激發(fā)源連接于該耦合金屬片與接地金屬片之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線結(jié)構(gòu)，其中該負(fù)載金屬片部分面積可與該導(dǎo)體單元間隙的垂直投影重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)體單元為太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線結(jié)構(gòu)，其中該負(fù)載金屬片設(shè)置于該第一表面，并與該導(dǎo)體單元的導(dǎo)體呈直流短路。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線結(jié)構(gòu)，其中該負(fù)載金屬片設(shè)置于該第二表面，并與該導(dǎo)體單元的導(dǎo)體呈直流開路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種天線結(jié)構(gòu)，包含基板，具有第一表面及第二表面；導(dǎo)體單元陣列，設(shè)置于該第一表面且包含至少二個(gè)彼此耦合的導(dǎo)體單元，該導(dǎo)體單元包含介質(zhì)材料及二個(gè)導(dǎo)體設(shè)置于該介質(zhì)材料的二表面；以及至少一負(fù)載金屬片，設(shè)置于該第一表面或該第二表面或該第一表面及該第二表面。
文檔編號(hào)H01Q1/44GK102956971SQ20111030395
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
發(fā)明者浦大鈞, 吳俊熠, 陳睿宏, 林弘萱 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院