專(zhuān)利名稱(chēng)：全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及全局對(duì)準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及全局對(duì)準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)：
全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(GlcAal alignment mark)主要用于Nikon曝光機(jī)臺(tái)的粗對(duì)準(zhǔn)，幫助定位精對(duì)準(zhǔn)所需標(biāo)記的位置。圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常需要三根信號(hào)源，這些信號(hào)皆由設(shè)計(jì)的三根圖形(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記) 產(chǎn)生。因此，如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，在密封圈中布置了三個(gè)線(xiàn)形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1、2、3。密封圈主要位于電路版圖外圈，是一種挖下去的溝槽，用于阻擋水汽進(jìn)入電氣電路，從而保護(hù)器件。圖1中的標(biāo)號(hào)A和B示出了密封圈的兩個(gè)側(cè)壁，例如稱(chēng)為第一側(cè)壁A(yíng)和第二側(cè)壁B。并且，圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的局部放大圖。如圖2所示，密封圈的第一側(cè)壁A(yíng)和第二側(cè)壁B之間布置了三個(gè)相互平行的線(xiàn)形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1、2、3。其中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1與第一側(cè)壁A(yíng)之間的距離為a，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記2之間的距離為b，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記2與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3之間的距離為b，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記4與第一側(cè)壁B之間的距離為d。例如， a = 5um, b = 19um, c = 13um, d = 5um。因此，圖1所示的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的橫向尺寸至少為 a+b+c+d，并且更具體地說(shuō)，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的橫向尺寸一般不小于 50um。該橫向尺寸較大，會(huì)占用較大的切割道面積，從而減少了晶圓中實(shí)際可獲得的有效芯
片數(shù)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠減少切割道尺寸的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及全局對(duì)準(zhǔn)方法。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其包括布置在密封圈的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁用作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記， 并且所述第一側(cè)壁、所述單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二側(cè)壁被用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所需的三根信號(hào)源。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種全局對(duì)準(zhǔn)方法，其包括在密封圈的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間布置單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并且將所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁用作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記， 并且將所述第一側(cè)壁、所述單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二側(cè)壁用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所需的三根信號(hào)源。根據(jù)本發(fā)明，利用第一側(cè)壁和第二側(cè)壁代替現(xiàn)有技術(shù)的兩根信號(hào)源(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記) 來(lái)用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常所需的三根信號(hào)源中的兩根，從而可以減小全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的橫向尺寸，能夠減少切割道尺寸。并且，根據(jù)本發(fā)明的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記能減少錯(cuò)誤的信號(hào)， 這是因?yàn)橥ǔＣ芊馊螂娐吠鈬矔?huì)產(chǎn)生信號(hào)，從而會(huì)導(dǎo)致正常的3根信號(hào)源變?yōu)?根信號(hào)源。將原有的第一信號(hào)源、第三信號(hào)源用密封圈代替則確保了只有3根信號(hào)源，從而避免誤識(shí)別。


結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的局部放大圖。圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的局部放大圖。圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的信號(hào)仿真圖。需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類(lèi)似的元件標(biāo)有相同或者類(lèi)似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記僅僅在密封圈的第一側(cè)壁A(yíng)和第二側(cè)壁B之間布置單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 4。在本實(shí)施例中，第一側(cè)壁A(yíng)和第二側(cè)壁B也用作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，第一側(cè)壁A(yíng)和第二側(cè)壁B用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常所需的三根信號(hào)源中的兩根，即第一側(cè)壁A(yíng)、單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記4和第二側(cè)壁B被用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所需的三根信號(hào)源。圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的局部放大圖。如圖 4所示，在本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中，原來(lái)全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的總的橫向尺寸 "a+b+c+d"變?yōu)閮H僅只有“b+c”。這樣，對(duì)于“a = 5um, b = 19um, c = 13um, d = 5um”的具體示例，原來(lái)全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的總的橫向尺寸“a+b+c+d = 42um”變?yōu)閮H僅只有“b+c = 32um”，大大減小了全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的總的橫向尺寸。利用第一側(cè)壁A(yíng)和第二側(cè)壁B代替圖1和圖2所示的左右兩根信號(hào)源(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 1、3)來(lái)用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常所需的三根信號(hào)源中的兩根，從而可以減小全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的橫向尺寸，能夠減少切割道尺寸。并且，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記能減少錯(cuò)誤的信號(hào)，這是因?yàn)橥ǔＣ芊馊螂娐吠鈬矔?huì)產(chǎn)生信號(hào)，從而會(huì)導(dǎo)致正常的3根信號(hào)源變?yōu)?根信號(hào)源。將原有的第一信號(hào)、第三信號(hào)用密封圈代替則確保了只有3根信號(hào)源，從而避免誤識(shí)別。圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的信號(hào)仿真圖。從圖5可以看出，圖中的三個(gè)信號(hào)很清晰。可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于包括布置在密封圈的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁用作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并且所述第一側(cè)壁、所述單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二側(cè)壁被用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所需的三根信號(hào)源。
2.一種全局對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于包括在密封圈的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間布置單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并且將所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁用作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并且將所述第一側(cè)壁、所述單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二側(cè)壁用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所需的三根信號(hào)源。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及全局對(duì)準(zhǔn)方法。根據(jù)本發(fā)明的全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括布置在密封圈的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁用作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并且所述第一側(cè)壁、所述單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二側(cè)壁被用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所需的三根信號(hào)源。根據(jù)本發(fā)明，利用第一側(cè)壁和第二側(cè)壁代替現(xiàn)有技術(shù)的兩根信號(hào)源來(lái)用作全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常所需的三根信號(hào)源中的兩根，從而可以減小全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所占用的橫向尺寸，能夠減少切割道尺寸。并且，根據(jù)本發(fā)明，將原有的第一信號(hào)源、第三信號(hào)源用密封圈代替則確保了只有3根信號(hào)源，從而避免誤識(shí)別。
文檔編號(hào)H01L23/544GK102566339SQ20111034206
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者孔蔚然, 孫賢波 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司