專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件，更具體地涉及這樣一種發(fā)光器件，其能夠?qū)崿F(xiàn)光提取效率的提高，并且當(dāng)發(fā)光器件為了易于散熱而是倒裝芯片類型時(shí)能夠防止電極的剝離和分離。
背景技術(shù)：
熒光燈由于出現(xiàn)黑斑、使用壽命短等問題而需要頻繁更換。此外，由于使用了熒光材料，所以熒光燈并不符合對(duì)于更加環(huán)境友好的照明器件的需求。因此，熒光燈逐漸被其它光源取代。在發(fā)光器件中，人們對(duì)用發(fā)光二極管(LED)作為替代光源頗感興趣。LED具有諸如處理速度快和功耗低等半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)環(huán)境友好，并具有高的節(jié)能效果。因此，LED是一種主導(dǎo)型下一代光源?？紤]到這一點(diǎn)，用LED取代現(xiàn)有的熒光燈的實(shí)際應(yīng)用正在積極付諸實(shí)施。當(dāng)前，諸如LED等半導(dǎo)體發(fā)光器件被用于電視、監(jiān)視器、筆記本電腦、移動(dòng)電話和多種具有顯示器件的應(yīng)用設(shè)備。特別是，它們被廣泛用作取代冷陰極熒光燈(CCFL)的背光單元。隨著LED應(yīng)用范圍的擴(kuò)展，對(duì)具有增加的亮度的LED的需求日益增加，因?yàn)樵诩彝ズ徒ㄖ飪?nèi)使用的燈、用于救援信號(hào)的燈等都需要很高亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，其被配置為在保證對(duì)發(fā)光器件的保護(hù)的同時(shí)防止電極的分離和實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的提高。在一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、 第二半導(dǎo)體層和插入在該第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電連接至該第一半導(dǎo)體層；第二電極，電連接至該第二半導(dǎo)體層；以及第一反射層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第一反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層和具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層，其中，該第一反射層被進(jìn)一步設(shè)置在該第二電極的側(cè)表面上和該第二電極的部分頂表面上。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，和插入在該第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電連接至該第一半導(dǎo)體層；第二電極，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第二電極包括第二電極焊盤，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層的一側(cè)；以及至少一個(gè)第二電極翼，其連接至該第二電極焊盤，同時(shí)沿與該第二電極焊盤相反的方向延伸；以及第一反射層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第一反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層以及具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層；其中，該第一反射層從該發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面沿著該第二電極焊盤的側(cè)表面延伸至該第二電極焊盤的部分頂表面。在又一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，和插入在該第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電連接至該第一半導(dǎo)體層；第二電極，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第二電極包括第二電極焊盤，被設(shè)置在第二半導(dǎo)體層的一側(cè)；以及至少一個(gè)第二電極翼，其連接至該第二電極焊盤，同時(shí)沿與該第二電極焊盤相反的方向延伸；第一反射層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上， 該第一反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層以及具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層；以及第二反射層，形成在該第二半導(dǎo)體層上，使得至少部分該第二反射層與該第二電極焊盤縱向重疊；其中，該第一反射層從該發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面沿著該第二電極焊盤的側(cè)表面延伸至該第二電極焊盤的部分頂表面。在再一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件封裝包括任一如上所述的發(fā)光器件。當(dāng)該發(fā)光器件為倒裝芯片類型時(shí)，設(shè)置形成在該發(fā)光器件的外表面上的第一反射層可實(shí)現(xiàn)提高的發(fā)光效率和提高的散熱效率。


根據(jù)下文中結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，實(shí)施例的細(xì)節(jié)將更為清楚易懂，其中圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖；圖2中的(a)是沿著圖1的A-A’線的剖面視圖，圖2中的(b)是(a)中虛線區(qū)域 D的局部放大視圖；圖3是沿著圖1的B-B’線的剖面視圖；圖4是示出根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件以倒裝芯片方式接合至封裝襯底的狀態(tài)的視圖；圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面視圖；圖6是示出根據(jù)又一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面視圖；圖7是示出根據(jù)再一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖；圖8是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的剖視圖；圖9是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的照明裝置的透視圖；圖10是沿著圖9中的C-C’線的剖面視圖；圖11是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器裝置的分解透視圖；以及圖12是示出包括根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器裝置的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式下面將具體參考實(shí)施例，在附圖中示出其實(shí)例。然而，本發(fā)明的公開內(nèi)容可具體實(shí)現(xiàn)為多種不同形式，并且不應(yīng)該解釋為受限于此處闡述的實(shí)施例。確切地講，這些實(shí)施例被設(shè)置為使得本發(fā)明的公開內(nèi)容將是全面和完整的，并將本公開內(nèi)容的范圍全面?zhèn)鬟_(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。本發(fā)明的公開內(nèi)容僅由權(quán)利要求的范疇限定。在某些實(shí)施例中，為避免本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)該公開內(nèi)容的認(rèn)識(shí)含糊不清，可以省略對(duì)本領(lǐng)域中公知的器件結(jié)構(gòu)或工藝的詳細(xì)描述。只要有可能，在全部附圖中將使用相同的附圖標(biāo)記來指代相同的或類似的部件。諸如“下方”、“之下”、“下部”、“上方”或“上部”等空間相關(guān)的術(shù)語在此可用于描述如圖所示的一個(gè)元件與另一個(gè)元件的關(guān)系。應(yīng)理解，空間相關(guān)的術(shù)語還用以涵蓋器件的除了圖中所示的方位之外的不同方位。例如，如果在其中一幅附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件“下方”或“之下”的元件則會(huì)定位于上述其它元件“上方”。因此，示例性術(shù)語“下方”或“之下”能夠涵蓋上方和下方這兩個(gè)方位。因?yàn)樵撈骷杀欢ㄎ挥诹硪环较颍?所以可按照該器件的方位來解釋所述空間相關(guān)的術(shù)語。在本發(fā)明的公開內(nèi)容中使用的術(shù)語僅用于描述具體實(shí)施例的目的，并且不用于限制所述公開內(nèi)容。當(dāng)在本公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求中使用時(shí)，單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該” 還用于包含其復(fù)數(shù)形式，除非在上下文中另有清楚的指定。應(yīng)進(jìn)一步理解，在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和/或“包含”指示所描述的特征、整體(integer)、步驟、操作、元件和 /或部件的存在，但并不排除一個(gè)或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其群組的存在或添加。除非另有限定，在此所用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有等同于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所通常理解的含義。應(yīng)進(jìn)一步理解，諸如那些在通用詞典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和本發(fā)明公開內(nèi)容的上下文中的含義相一致的含義， 并且將不被解釋為理想化的或過度拘謹(jǐn)?shù)囊饬x，除非此處有明確限定。為便于描述和清楚起見，圖中每一層的厚度或尺寸可被夸大、省略或示意性示出。 而且，每個(gè)組件的尺寸或面積并不是全然反映其實(shí)際尺寸。用于描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)的角度或方向是基于圖中所示的角度或方向。在說明書中，如果沒有限定參考點(diǎn)來描述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中的角度位置關(guān)系，則可參閱相關(guān)附圖。圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。圖2中的(a)是沿著圖1的 A-A'線的剖面視圖，圖2中的(b)是(a)中虛線區(qū)域D的局部放大視圖。圖3是沿著圖1 的B-B’線的剖面視圖。參見圖1至圖3，由附圖標(biāo)記“100”指代的根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件可包括襯底 110、第一半導(dǎo)體層120、有源層130、第二半導(dǎo)體層140、以及形成在該第二半導(dǎo)體層140上的第一反射層160。根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件100可進(jìn)一步包括第一電極170，電連接至該第一半導(dǎo)體層120 ；以及第二電極180，電連接至該第二半導(dǎo)體層140。特別是，參見圖2(a)，襯底110具有光透射特性。襯底110可以是由與待形成于其上的半導(dǎo)體層的材料不同的材料制成的襯底(例如是由藍(lán)寶石(Al2O3)制成的襯底)，或是由與半導(dǎo)體層材料相同的材料制成的襯底(例如是由GaN制成的襯底)?？蛇x地，襯底110 可以是由具有比藍(lán)寶石(Al2O3)襯底更高的導(dǎo)熱性的碳化硅(SiC)制成的襯底。當(dāng)然，襯底 110不限于上述材料。可在該襯底110的下表面形成表面不規(guī)則(irregularity)圖案112，以實(shí)現(xiàn)提高的光提取效率。
其上形成表面不規(guī)則圖案112的表面與襯底110的其上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面相對(duì)。可使用蝕刻法形成表面不規(guī)則圖案112。例如，可使用干蝕刻法或濕蝕刻法，不過本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于此。依照該表面不規(guī)則圖案，就能夠防止光的全反射，并因此實(shí)現(xiàn)提高的光提取效率。同時(shí)，雖然沒有示出，但可在該襯底110的下表面處進(jìn)一步形成用以實(shí)現(xiàn)提高的光提取效率的抗反射層。該抗反射層被稱為是抗反射(AR)涂層。該抗反射層主要利用了從多個(gè)界面反射的反射光之間的干涉。也就是說，抗反射層用于對(duì)從不同的界面反射的光進(jìn)行相移，使其具有180°的相位差，即，對(duì)所述光進(jìn)行抵消(offset)，從而減少反射光的強(qiáng)度，不過本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于此。雖然沒有示出，但可在襯底110上方形成緩沖層(未示出)，以減少該襯底110與該第一半導(dǎo)體層120之間的晶格錯(cuò)位，同時(shí)能夠使半導(dǎo)體層易于生長(zhǎng)。該緩沖層可包括AlN和GaN，以具有AlInN/GaN層疊結(jié)構(gòu)、InxGai_xN/GaN層疊結(jié)構(gòu)、 AlJr^amN/InfahN/feiN 層疊結(jié)構(gòu)等。第一半導(dǎo)體層120可包括用以給該有源層130提供電子的η型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層120可單獨(dú)由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成，或可進(jìn)一步包括設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之下的未摻雜的半導(dǎo)體層。當(dāng)然，第一半導(dǎo)體層120不限于這樣的結(jié)構(gòu)。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層包括η型半導(dǎo)體層時(shí)，該η型半導(dǎo)體層可由具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，且0彡x+y彡1)化學(xué)式的半導(dǎo)體材料(例如GaN、 AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN或AUnN)制成。該η型半導(dǎo)體層可摻雜有諸如Si、Ge或 Sn等η型摻雜劑。形成該未摻雜的半導(dǎo)體層以實(shí)現(xiàn)該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的結(jié)晶性的提高。該未摻雜的半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層相同，除了它與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層相比具有非常低的導(dǎo)電性之外，這是因?yàn)樵撐磽诫s的半導(dǎo)體層沒有摻雜η型摻雜劑。第一半導(dǎo)體層120可通過提供包含諸如NH3、TMfei或Si的第一摻雜劑的硅烷 (SiH4)氣體而形成。第一半導(dǎo)體層120可具有多層結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體層120可進(jìn)一步包括包覆層(clad layer)。有源層130可被設(shè)置在第一半導(dǎo)體層120上方。有源層130可以是電子和空穴再次結(jié)合的區(qū)域。根據(jù)電子和空穴的再次結(jié)合，有源層130躍遷(transit)至較低能級(jí)，使其可以產(chǎn)生具有對(duì)應(yīng)于該能級(jí)的波長(zhǎng)的光。有源層130例如可由具有hxAlfamMO彡χ彡1，0彡y彡1，且0彡x+y彡1) 化學(xué)式的半導(dǎo)體材料制成。有源層130可具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。可選地，有源層130可包括量子線結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體層140可用于將空穴注入到有源層130。第二半導(dǎo)體層140可具體實(shí)現(xiàn)為P型半導(dǎo)體層。在這種情況下，第二半導(dǎo)體層140例如可由具有化/明 ”則。彡X彡1， 0彡y彡1，且0彡x+y彡1)化學(xué)式的半導(dǎo)體材料(例如GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN或AlInN)制成。ρ型半導(dǎo)體層可摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba等ρ型摻雜劑?？墒褂媒饘儆袡C(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)、分子束外延(MBE)、氫化物氣相外延(HVPE)或?yàn)R射法來形成上述第一半導(dǎo)體層120、有源層I30和第二半導(dǎo)體層140。當(dāng)然，其形成方法不限于上述方法。
可在第一和第二半導(dǎo)體層120和140上形成第三半導(dǎo)體層(未示出)。該第三半導(dǎo)體層可包括η型或ρ型半導(dǎo)體層。結(jié)果是，發(fā)光結(jié)構(gòu)100可包括ηρ、ρη、ηρη和ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)(junction structure)中的至少之一。在第一和第二半導(dǎo)體層120和140中的摻雜劑的濃度可以是均勻的或不均勻的。 也就是說，可設(shè)置多種多層半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)，不過本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于此。與上述實(shí)施例相反，第一半導(dǎo)體層120可通過ρ型半導(dǎo)體層具體實(shí)現(xiàn)，而第二半導(dǎo)體層140可通過η型半導(dǎo)體層具體實(shí)現(xiàn)。也就是說，可以顛倒第一和第二半導(dǎo)體層120和 140相對(duì)于有源層130的形成位置。然而，下面將結(jié)合第一半導(dǎo)體層120通過使用η型半導(dǎo)體層具體實(shí)現(xiàn)并設(shè)置在襯底110附近的情況給出描述。再次參見圖2(a)，第一電極170可具有多種結(jié)構(gòu)，從而使其被電連接至第一半導(dǎo)體層120。例如，部分去除有源層130和第二半導(dǎo)體層140，使得該第一半導(dǎo)體層120的頂表面(upper surface)部分地暴露。第一電極170可形成在第一半導(dǎo)體層120的暴露部分上。當(dāng)然，本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于上述結(jié)構(gòu)。第一電極170可包括第一電極焊盤172 ；以及一個(gè)或多個(gè)第一電極翼174，連接至該第一電極焊盤172。第一電極翼174從第一電極焊盤172沿與該第一電極焊盤172相反的方向延伸。考慮到發(fā)光器件的面積和在發(fā)光器件中發(fā)生的電流擴(kuò)散，可確定第一電極翼174的排布方式和數(shù)目?？蓪?shí)施第一電極翼174的多種排布方式。通過使用特定的蝕刻法，可實(shí)現(xiàn)第一半導(dǎo)體層120的部分暴露?？稍诘诙雽?dǎo)體層140上形成第二電極180。第二電極可包括第二電極焊盤182，被設(shè)置在第二半導(dǎo)體層140的與第一電極焊盤172相對(duì)的一側(cè)；以及一個(gè)或多個(gè)第二電極翼184，連接至第二電極焊盤182。第二電極翼184從第二電極焊盤182沿與該第二電極焊盤182相反的方向延伸。第二電極翼184用于實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的電流擴(kuò)散。根據(jù)發(fā)光器件的尺寸和面積，第二電極翼184可具有多種結(jié)構(gòu)。而且，對(duì)第二電極翼184的形狀沒有限制。在第二電極焊盤182與每個(gè)第二電極翼184之間可形成臺(tái)階(step)。可選地，在第二電極焊盤182與每個(gè)第二電極翼184之間也可不形成臺(tái)階。然而，在所示實(shí)施例中，可將第二電極焊盤182形成在高于第二電極翼184的水平高度(level)，以限定出臺(tái)階。也就是說，第二電極180可具有能夠使得第二電極焊盤182經(jīng)過該第一反射層160而向外暴露的臺(tái)階。即使將第二電極焊盤182形成在低于第一反射層160的水平高度，因?yàn)榈谝环瓷鋵?60具有暴露區(qū)域，因而也不會(huì)有問題。第二電極焊盤182可由諸如鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鈦(Ti)或鎢(W)之類的金屬材料、或者碳納米管制成，但不限于此。每個(gè)第一電極翼174或每個(gè)第二電極翼184可包括彎曲部。也就是說，每個(gè)第一電極翼174或每個(gè)第二電極翼184可根據(jù)發(fā)光器件的形狀和尺寸而具有多種彎曲結(jié)構(gòu)。該彎曲部可具有特定曲率?？稍诘诙雽?dǎo)體層140上方形成透光電極層150。在這種情況下，第二電極180可被形成為連接至第二半導(dǎo)體層140或連接至透光電極層150。透光電極層150可包括銦錫氧化物(ITO)、In-ZnO(IZO)、Ga-ZnO(GZO)、 Al-ZnO (AZO) ,Al-Ga-ZnO (AGZO)、In-fei-ZnO (IGZO)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au 和 Ni/Ir0x/Au/IT0中的至少之一。透光電極層150被形成為完全覆蓋第二半導(dǎo)體層140的一側(cè)表面，以避免電流積聚(crowding)現(xiàn)象。同時(shí)，電流阻擋層190可被設(shè)置在有源層130上方，使得至少部分該電流阻擋層 190與形成第二電極焊盤182的位置縱向(vertically)重疊。當(dāng)然，電流阻擋層190不限于上述結(jié)構(gòu)。電流阻擋層190可被設(shè)置在有源層130的頂表面與第二半導(dǎo)體層140的頂表面之間的任何位置處。電流阻擋層190可包括非導(dǎo)電材料或具有弱導(dǎo)電性的材料。電流阻擋層190可由二氧化硅(SiO2)或包含SiA的氧化鋁(Al2O3)制成。電流阻擋層190被設(shè)置為用以避免電子積聚在電極之下的電流積聚現(xiàn)象。雖然對(duì)該電流阻擋層190的寬度沒有限制，但電流阻擋層190可具有比第二電極焊盤182大的寬度。因此，就可以有效避免電流積聚現(xiàn)象。同時(shí)，根據(jù)所示實(shí)施例，第一反射層160可形成在發(fā)光器件100的外表面上，即，形成于第二半導(dǎo)體層140上。當(dāng)根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件100是倒裝芯片類型時(shí)，借助第一反射層160的高反射率，提供形成在該發(fā)光器件100的外表面上的第一反射層160可實(shí)現(xiàn)提高的發(fā)光效率。參見圖2(b)，第一反射層160可包括具有第一折射率的第一層162和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二層164。也就是說，第一反射層160可具有這樣的多層結(jié)構(gòu)，其中具有不同折射率的層162和164交替層疊。例如，每個(gè)第一層162可以是具有較低折射率的層，而每個(gè)第二層164可以是具有較高折射率的層，不過本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于此。同時(shí)，當(dāng)假設(shè)“ λ ”表示通過該有源層130產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)，“η”表示介質(zhì)的折射率，而“m”表示奇數(shù)常量時(shí)，通過反復(fù)地和交替地層疊第一層162(其具有較低折射率)和第二層164 (其具有較高折射率)至厚度m λ /4η，第一反射層160被形成為具有對(duì)于特定波長(zhǎng)帶λ的光能夠獲得95%或更高反射率的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)。因此，每個(gè)第一層162 (其具有較低折射率)和每個(gè)第二層164 (其具有較高折射率)可具有對(duì)應(yīng)于kX/4(k是自然數(shù))的厚度。在這種情況下，每個(gè)所述層162和164的厚度可以是2 A至10 μ m。而且，第一反射層160可具有包括20至40層的多層結(jié)構(gòu)。構(gòu)成第一反射層160的每個(gè)層162和164可由MxOy或MxOyNz (M 金屬或陶瓷；0 氧化物；N 氮化物；以及X、Y和Z 常數(shù))制成。例如，對(duì)于具有較低折射率的每個(gè)第一層162，可使用具有對(duì)應(yīng)于“1. 4”的折射率的SW2或具有對(duì)應(yīng)于“1. 6”的折射率的Al2O315對(duì)于具有較高折射率的每個(gè)第二層164，可使用具有對(duì)應(yīng)于“2”或更高折射率的Ti02。當(dāng)然，本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于這些材料。同時(shí)，通過增加位于第一和第二層162和164之間的介質(zhì)的折射率，就可以增加第一反射層160的反射率。因?yàn)榈谝环瓷鋵?60與振蕩波長(zhǎng)(oscillation wavelength)相比具有高的帶隙能量，所以第一反射層160難以吸收光，使得第一反射層160呈現(xiàn)出高反射率。特別是，參見圖1和圖2(a)，第一反射層160可被設(shè)置在第二電極180的側(cè)表面上和第二電極180的部分頂表面上。換句話說，第一反射層160可被設(shè)置在第二半導(dǎo)體層 140的頂表面上，同時(shí)被設(shè)置在第二電極180的側(cè)表面和第二電極180的頂表面部分上。
在這種情況下，第一反射層160可被設(shè)置在第二電極焊盤182和第二電極翼184 的側(cè)表面和頂表面部分上。可選地，第一反射層160可被設(shè)置在第二電極翼184的整個(gè)頂表面上方和第二電極焊盤182的頂表面部分上方。雖然圖3中示出了第一反射層160被設(shè)置在第二電極翼184的整個(gè)頂表面上方，但本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于此。當(dāng)使用第一反射層160時(shí)，就可以防止焊盤的分離(s印aration)和剝離 (peeling-off)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)提高的光提取效率。再次參見圖1、圖2(a)和圖3，第一電極焊盤172在其頂表面部分處朝外暴露，而第二電極翼184由第一反射層160覆蓋。根據(jù)本結(jié)構(gòu)，通過第二電極翼184獲得電流擴(kuò)散效應(yīng)。當(dāng)?shù)诙姌O翼184被設(shè)置在第二半導(dǎo)體層140上時(shí)，其可對(duì)發(fā)光器件的光提取效率的提高造成干擾。然而，第一反射層160用于實(shí)現(xiàn)光提取效率的提高，同時(shí)防止第二電極翼 184的剝離。特別是，參見圖2(a)和圖3，第一反射層160可被設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面上和第一半導(dǎo)體層120的頂表面上，同時(shí)從發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面沿著第二半導(dǎo)體層140和有源層 130的側(cè)表面延伸至第一半導(dǎo)體層120的頂表面。換句話說，使用特定的蝕刻法，在待要分別設(shè)置第一電極焊盤172和每個(gè)第一電極翼174的區(qū)域從發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面蝕刻該發(fā)光結(jié)構(gòu)，以形成焊盤暴露區(qū)域1 和翼暴露區(qū)域124。第一反射層160被形成在暴露區(qū)域IM和126的側(cè)表面上，并形成在第一半導(dǎo)體層120上。當(dāng)透光電極層150被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)上時(shí)，該第一反射層160可被形成在透光電極層150的頂表面上，并形成在第一半導(dǎo)體層120的頂表面上，同時(shí)從透光電極層150 的頂表面沿著透光電極層150、第二半導(dǎo)體層140和有源層130的側(cè)表面延伸至第一半導(dǎo)體層120的頂表面。因此，當(dāng)通過有源層130產(chǎn)生的光被引向發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面時(shí)，其是在通過第一反射層160反射之后再向外發(fā)出，從而可實(shí)現(xiàn)光提取效率的提高。而且，第一反射層 160用作鈍化層，以保護(hù)透光電極層150、第二半導(dǎo)體層140和有源層130，同時(shí)防止電極的分離。第一反射層160可沿著第一半導(dǎo)體層120的頂表面延伸，同時(shí)從第一半導(dǎo)體層120 的頂表面沿著第一電極翼174的側(cè)表面延伸至每個(gè)第一電極翼174的部分頂表面。因此， 光提取效率可進(jìn)一步增加。在保護(hù)第一電極翼174的同時(shí)還能防止第一電極翼174的剝離和分離?？赏ㄟ^在發(fā)光器件的整個(gè)頂表面上方生長(zhǎng)第一反射層160的材料至期望的厚度， 同時(shí)控制疊層的生長(zhǎng)時(shí)間和數(shù)量，然后在與每個(gè)電極翼174的部分相對(duì)應(yīng)的區(qū)域處蝕刻所生長(zhǎng)的層，來形成第一反射層160。當(dāng)然，本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于這種形成方法?？稍诤副P上形成第一反射層160。稍后將對(duì)其進(jìn)行描述。圖4示出根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件以倒裝芯片方式被接合至封裝襯底的狀態(tài)。 在下文中，將具體描述在根據(jù)所示實(shí)施例的倒裝芯片接合式發(fā)光器件中通過第一反射層 160實(shí)現(xiàn)提高的光提取效率的原理。參見圖4，示出以倒裝芯片方式接合至封裝襯底390的發(fā)光器件100。同時(shí)，在封裝襯底390上形成導(dǎo)電圖案392和394。導(dǎo)電圖案392和394通過焊劑396和398分別電連接至該倒裝芯片式發(fā)光器件100的第二電極焊盤182和第一電極焊盤172。在發(fā)光器件中，隨著亮度的增加，散熱變得越來越重要。然而，倒裝芯片式發(fā)光器件由于其呈現(xiàn)的高效散熱性能而適合作為高亮度發(fā)光器件。
在用來制造倒裝芯片封裝的工藝(特別是模具接合工藝)期間可能產(chǎn)生沖擊。對(duì)此，可在第一反射層160的外表面上額外形成沖擊緩沖層(未示出)。該沖擊緩沖層可由鎢(W)或其合金制成。由于鎢(W)或其合金呈現(xiàn)了出色的導(dǎo)熱性，所以該沖擊緩沖層可用作散熱器。如上述所形成的第一反射層160不僅用作保護(hù)透光電極層150或第一半導(dǎo)體層 120的鈍化層(passivation layer)，還在防止光吸收的同時(shí)朝襯底110發(fā)光，從而實(shí)現(xiàn)光提取效率的提高。也就是說，如圖4所示，通過有源層130產(chǎn)生的光被第一反射層160反射，使得全部的光都被引向襯底110。因?yàn)橛伤{(lán)寶石(Al2O3)制成的襯底110具有對(duì)應(yīng)于約2. 4的折射率，第一半導(dǎo)體層120具有對(duì)應(yīng)于約2. 0的折射率，并且有源層130具有對(duì)應(yīng)于約1. 8的折射率，所以根據(jù)斯涅耳(Snell)定律(當(dāng)光從具有較低折射率的介質(zhì)傳播至具有較高折射率的介質(zhì)時(shí)，在介質(zhì)之間的界面處不會(huì)發(fā)生全反射)，可以實(shí)現(xiàn)光提取效率的提高。圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面視圖。參見圖5，用附圖標(biāo)記“100”指代的根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件與圖2(a)的實(shí)施例中類似，只是電極焊盤的形狀不同于圖2(a)的實(shí)施例，第一反射層160被設(shè)置在第一電極焊盤172的側(cè)表面上和第一電極焊盤172的部分頂表面上，并在第二半導(dǎo)體層140上額外形成第二反射層166，使得部分第二反射層166與第二電極焊盤182縱向重疊。對(duì)于圖5 示出的發(fā)光器件，與圖2(a)的發(fā)光器件中相同的組件不再給出描述。第一反射層160可被設(shè)置在第一半導(dǎo)體層120的頂表面上和第一電極焊盤172的部分頂表面上，同時(shí)是從第一半導(dǎo)體層120的頂表面沿著第一電極焊盤172的側(cè)表面延伸至第一電極焊盤172的頂表面部分。第一反射層160還可被設(shè)置在第二半導(dǎo)體層140的頂表面上和第二電極焊盤182的部分頂表面上，同時(shí)是從第二半導(dǎo)體層140的頂表面沿著第二電極焊盤182的側(cè)表面延伸至第二電極焊盤182的頂表面部分。通過在發(fā)光器件的頂表面上方生長(zhǎng)第一反射層160的材料至能夠完全覆蓋第一電極焊盤172或第二電極焊盤182的厚度，然后使用特定蝕刻法來蝕刻所生長(zhǎng)的層，使得第一電極焊盤172或第二電極焊盤182僅有期望的部分得以暴露，來形成第一反射層160。因此，就可以防止第一電極焊盤172或第二電極焊盤182的分離和剝離。第一電極焊盤172或第二電極焊盤182在其側(cè)表面處可具有傾斜表面。結(jié)果是， 能夠進(jìn)一步防止第一電極焊盤172或第二電極焊盤182從發(fā)光結(jié)構(gòu)分離?？紤]到隨后執(zhí)行的倒裝芯片接合，可將延長(zhǎng)電極(extension electrode)連接至第一電極焊盤172或第二電極焊盤182。在第二半導(dǎo)體層140上形成第二反射層166，使得部分第二反射層166與第二電極焊盤182縱向重疊。第二反射層166可具有與第一反射層160相同的配置。借助于第二反射層166，就能夠防止通過有源層130產(chǎn)生的光被吸收到第二電極焊盤182中，并且因此實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件的光提取效率的提高。圖6是示出根據(jù)又一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖面視圖。參見圖6，由附圖標(biāo)記“100”指代的根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件與圖5的實(shí)施例中類似，只是第一電極焊盤172或第二電極焊盤182可在其側(cè)表面處具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階。對(duì)臺(tái)階的數(shù)目沒有限制。也就是說，第一電極焊盤172或第二電極焊盤182可具有各種數(shù)量的臺(tái)階。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，就能夠防止電極焊盤的分離。圖7是示出根據(jù)再一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。參見圖7，由附圖標(biāo)記“100”指代根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件，其發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面上的電極排布方式不同于圖1中示出的發(fā)光器件100。也就是說，根據(jù)圖7的實(shí)施例的發(fā)光器件100可包括第二電極焊盤182，被設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面的中心部；多個(gè)第一電極焊盤172，圍繞第二電極焊盤182，同時(shí)按照預(yù)定距離與第二電極焊盤182隔開；以及第一電極翼174，每個(gè)第一電極翼174被連接在相鄰的第一電極焊盤172之間。當(dāng)發(fā)光器件100被設(shè)計(jì)用于滿足高亮度要求時(shí)，可設(shè)置如上所述的多個(gè)第一電極焊盤172以提供電穩(wěn)定性。為了在倒裝芯片接合工藝期間提供結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，可如圖7所示設(shè)置四個(gè)第一電極焊盤172。為了電流擴(kuò)散，發(fā)光器件100可進(jìn)一步包括第二電極翼184，第二電極翼184具有外圍部和連接部，該外圍部沿著發(fā)光器件的外圍表面(peripheral surface)設(shè)置并按照預(yù)定距離與該外圍表面隔開，所述連接部連接至第二電極焊盤182，同時(shí)連接至第二電極翼 184的外圍部。電極焊盤和電極翼的排布方式可根據(jù)發(fā)光器件所需亮度和尺寸而自由改變，而不限于上述排布方式。使用第一反射層160時(shí)，第二電極翼184的排布方式和結(jié)構(gòu)可改變。進(jìn)而，發(fā)光器件就能夠?qū)崿F(xiàn)增強(qiáng)的電流擴(kuò)散和提高的光提取效率。圖8是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的剖視圖。參見圖8，由附圖標(biāo)記“500”指代根據(jù)所示實(shí)施例的發(fā)光器件封裝，其包括本體 531 ；第一電極層538，形成在本體531上；第二電極層539，形成在本體531上；以及發(fā)光器件536，安裝在本體531上，同時(shí)電連接至第一和第二電極層538和539。具有根據(jù)示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件536可通過焊劑538以倒裝芯片方式被電連接至第一和第二電極層 538 和 539。本體531可由硅材料、合成樹脂材料或金屬材料制成。對(duì)于發(fā)光器件536可形成傾斜表面。形成為彼此電性隔絕的第一和第二電極層538和539為發(fā)光器件536提供電力。 第一和第二電極層538和539可反射從發(fā)光器件536產(chǎn)生的光，以實(shí)現(xiàn)提高的光利用效率。 第一和第二電極層538和539還可用于向外散發(fā)從發(fā)光器件536產(chǎn)生的熱。同時(shí)，可在本體531上形成反射層532，以使得來自發(fā)光器件536的光沿前向方向更有效地集中發(fā)射。通常，具有上述功能的反射層532可由具有高反射系數(shù)的金屬(例如銀(Ag)或鋁(Al))制成。此外，可在反射層532上方形成絕緣層533，以便防止反射層532 與電極層538和539形成電接觸。在本體531中可形成腔537，以允許發(fā)光器件536安裝在該腔537中。發(fā)光器件 536可以是發(fā)光二極管?？稍谇?37中填充成型材料以包裹發(fā)光二極管536。同時(shí)，該成型材料可包含熒光物質(zhì)，用以改變從發(fā)光二極管536發(fā)出的光的波長(zhǎng)。雖然上述實(shí)施例涉及的是倒裝芯片式發(fā)光器件，但不限于此。例如，還可將上述實(shí)施例應(yīng)用于具有水平結(jié)構(gòu)或垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。圖9是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的照明裝置的透視圖。圖10是沿著圖9中的C-C’線的剖面視圖。參見圖9和圖10，由附圖標(biāo)記“600”指代的照明裝置可包括本體610 ；蓋子630， 被耦接至該本體610 ；以及終端帽650，位于該本體610的兩端。將發(fā)光器件模塊640耦接至本體610的下表面。本體610可由呈現(xiàn)出出色的傳導(dǎo)性(conductivity)和出色的熱輻射效應(yīng)的金屬材料制成，以通過本體610的頂表面向外散發(fā)從發(fā)光器件封裝644產(chǎn)生的熱?？蓪l(fā)光器件封裝644按照多行方式(同時(shí)具有多種顏色)安裝在印刷電路板 (PCB)642上，以形成多色彩陣列。可按照相同距離或不同距離安裝發(fā)光器件封裝644，從而在必要時(shí)能夠進(jìn)行亮度調(diào)節(jié)。PCB 642可以是金屬芯PCB (MCPCB)或由阻燃劑_4(FR4)材料制成的PCB。每個(gè)發(fā)光器件封裝644可包括延長(zhǎng)的引線框(未示出)，以使其可以具有增強(qiáng)的散熱功能。因此，可以增加發(fā)光器件封裝644的可靠性和效率。此外，還可以延長(zhǎng)包括該發(fā)光器件封裝644的照明裝置600的使用壽命。蓋子630可具有環(huán)繞本體610的下表面的圓形，不過本發(fā)明的公開內(nèi)容不限于此。蓋子630保護(hù)發(fā)光器件模塊640免于遭遇外部雜質(zhì)等。蓋子630可包含光擴(kuò)散粒子，用以實(shí)現(xiàn)防眩效果，并將從發(fā)光器件封裝644產(chǎn)生的光均勻發(fā)射。蓋子630的內(nèi)外表面至少之一可設(shè)置有棱柱(prism)圖案。而且，可在蓋子630的內(nèi)外表面至少之一上涂覆熒光物質(zhì)層。因?yàn)閺陌l(fā)光器件封裝644產(chǎn)生的光是通過蓋子630向外發(fā)出的，所以蓋子630應(yīng)該具有高透光率和足以耐受從發(fā)光器件封裝644產(chǎn)生的熱的耐熱性。為此，蓋子630可由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。終端帽650可被設(shè)置在本體610的兩端并用于密封電源器件(未示出)。每個(gè)終端帽650設(shè)置有功率插頭652，使得根據(jù)所示實(shí)施例的照明裝置600可以無需附加連接器而直接連接至為傳統(tǒng)熒光燈設(shè)置的終端。圖11是示出包括根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器裝置的分解透視圖。圖11示出側(cè)光式液晶顯示器裝置700。液晶顯示器裝置700可包括液晶顯示器面板710和用以給液晶顯示器面板710提供光的背光單元770。液晶顯示器面板710可使用從背光單元770提供的光來顯示圖像。液晶顯示器面板710可包括彼此相對(duì)的濾色鏡基板712和薄膜晶體管基板714，且有液晶夾在其間。濾色鏡基板712可實(shí)現(xiàn)液晶顯示器面板710上顯示的圖像的色彩。借助于驅(qū)動(dòng)膜717，薄膜晶體管基板714電連接至其上安裝有多個(gè)電路元件的PCB 718。薄膜晶體管基板714可響應(yīng)于從PCB 718發(fā)送的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而向液晶施加由PCB 718 提供的驅(qū)動(dòng)電壓。薄膜晶體管基板714可包括薄膜晶體管和像素電極，所述像素電極以薄膜形式形成在由諸如玻璃或塑料等透明材料制成的另一個(gè)基板上。背光單元770包括用來發(fā)光的發(fā)光器件模塊720 ；導(dǎo)光板730，用來將從發(fā)光器件模塊720發(fā)出的光變成平面光，并將該平面光傳輸至液晶顯示器面板710 ；多個(gè)膜750、 766和764，用以實(shí)現(xiàn)均勻的亮度分布并改善來自于導(dǎo)光板730的光的垂直入射；以及反射板740，用來將從導(dǎo)光板730向后發(fā)出的光反射向?qū)Ч獍?30。 發(fā)光器件模塊720可包括多個(gè)發(fā)光器件封裝7M和其上安裝所述多個(gè)發(fā)光器件封裝724以形成陣列的PCB 722。同時(shí)，背光單元770可包括擴(kuò)散膜766，用以將從導(dǎo)光板730入射于其上的光朝液晶顯示器面板710漫射；以及棱柱膜750，用以會(huì)聚該漫射光以增強(qiáng)垂直光入射。背光單元770可進(jìn)一步包括用以保護(hù)該棱柱膜750的保護(hù)膜764。圖12是示出包括根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件的液晶顯示器裝置的分解透視圖。與如圖11所示和參照?qǐng)D11描述的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)將不再重復(fù)地具體描述。圖12示出包括液晶顯示器面板810和背光單元870的直下式(direct type)液晶顯示器裝置800，該背光單元870用以給液晶顯示器面板810提供光。液晶顯示器面板810與圖11中的液晶顯示器面板相同，因而不再給出其詳細(xì)描述。背光單元870可包括多個(gè)發(fā)光器件模塊823 ；反射板824 ；下部底盤830，其中容納有發(fā)光器件模塊823和反射板824 ；以及擴(kuò)散板840和多個(gè)光學(xué)膜860，其被設(shè)置在發(fā)光器件模塊823上方。每個(gè)發(fā)光器件模塊823可包括多個(gè)發(fā)光器件封裝822和其上安裝所述多個(gè)發(fā)光器件封裝822以形成陣列的PCB 821。反射板擬4朝液晶顯示器面板810反射發(fā)光器件封裝822產(chǎn)生的光，以實(shí)現(xiàn)提高的光利用效率。同時(shí)，從發(fā)光器件模塊823產(chǎn)生的光入射至擴(kuò)散板840之上。光學(xué)膜860被設(shè)置在擴(kuò)散板840上方。光學(xué)膜860可包括擴(kuò)散膜866、棱柱膜850和保護(hù)膜864。雖然已經(jīng)參照其多個(gè)示意性實(shí)施例對(duì)各實(shí)施例加以描述，但應(yīng)該理解，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可能設(shè)計(jì)出的許多其它改型和應(yīng)用將落在這些實(shí)施例的本質(zhì)方案之內(nèi)。更具體地，可以對(duì)這些實(shí)施例的具體組件進(jìn)行多種變化和改型。此外，應(yīng)能理解，與這些變化和改型相關(guān)的差異也落在由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明公開內(nèi)容的精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，和插入在該第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電連接至該第一半導(dǎo)體層； 第二電極，電連接至該第二半導(dǎo)體層；以及第一反射層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第一反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層以及具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層；其中，該第一反射層被進(jìn)一步設(shè)置在該第二電極的側(cè)表面上和該第二電極的部分頂表面上。
2.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，和插入在該第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電連接至該第一半導(dǎo)體層；第二電極，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第二電極包括第二電極焊盤，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層的一側(cè)；以及至少一個(gè)第二電極翼，其連接至該第二電極焊盤，同時(shí)沿與該第二電極焊盤相反的方向延伸；以及第一反射層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第一反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層以及具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層；其中，該第一反射層從該發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面沿著該第二電極焊盤的側(cè)表面延伸至該第二電極焊盤的部分頂表面。
3.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層，和插入在該第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電連接至該第一半導(dǎo)體層；第二電極，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第二電極包括第二電極焊盤，被設(shè)置在第二半導(dǎo)體層的一側(cè)；以及至少一個(gè)第二電極翼，其連接至該第二電極焊盤，同時(shí)沿與該第二電極焊盤相反的方向延伸；第一反射層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上，該第一反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層以及具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層；以及第二反射層，形成在該第二半導(dǎo)體層上，使得至少部分該第二反射層與該第二電極焊盤縱向重疊；其中，該第一反射層從該發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面沿著該第二電極焊盤的側(cè)表面延伸至該第二電極焊盤的部分頂表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，該第二反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層以及具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2和4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，該第一反射層的第一層和第二層或者該第二反射層的第一層和第二層反復(fù)交替地層疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括 透光電極層，形成在該第一反射層與該發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，其中，該第二電極焊盤的側(cè)表面包括傾斜表面或臺(tái)階。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括 襯底，被設(shè)置在該發(fā)光結(jié)構(gòu)之下；以及表面不規(guī)則圖案，形成在該襯底的下表面上，以實(shí)現(xiàn)光提取效率的提高。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，該第一半導(dǎo)體層的部分頂表面被暴露；其中，該第一電極被設(shè)置在該第一半導(dǎo)體層的暴露的頂表面部分上；以及其中，該第一電極包括第一電極焊盤，被設(shè)置為與該第二電極焊盤相對(duì)；以及至少一個(gè)第一電極翼，其連接至該第一電極焊盤，同時(shí)沿與該第一電極焊盤相反的方向延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，該第一反射層被進(jìn)一步設(shè)置在該第一半導(dǎo)體層的頂表面上，從該第二半導(dǎo)體層的頂表面沿著該第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面和該有源層的側(cè)表面延伸至該第一半導(dǎo)體層的頂表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中，該第一反射層從該第一半導(dǎo)體層的頂表面沿著該第一電極翼的側(cè)表面延伸至該第一電極翼的部分頂表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中，該第一反射層從該第一半導(dǎo)體層的頂表面沿著該第一電極焊盤的側(cè)表面延伸至該第一電極焊盤的部分頂表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中，該第一電極焊盤的側(cè)表面包括傾斜表面或臺(tái)階。
14.根據(jù)權(quán)利要求1、2和4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，該第一層或該第二層具有 2 A至IOym的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光器件，還包括電流阻擋層，被設(shè)置在該有源層上，使得至少部分該電流阻擋層與該第二電極焊盤縱向重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中，該電流阻擋層具有大于該第二電極焊盤的寬度。
17.一種發(fā)光器件封裝，包括根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件。所公開的發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和插入在該第一與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電連接至該第一半導(dǎo)體層；第二電極，電連接至該第二半導(dǎo)體層；以及第一反射層，被設(shè)置在該第二半導(dǎo)體層上。該第一反射層包括至少一個(gè)具有第一折射率的第一層和具有不同于該第一折射率的第二折射率的第二層。該第一反射層被進(jìn)一步設(shè)置在該第二電極的側(cè)表面上和該第二電極的部分頂表面上。本發(fā)明能夠在保證對(duì)發(fā)光器件的保護(hù)的同時(shí)防止電極的分離和實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的提高。
文檔編號(hào)H01L33/60GK102468420SQ20111034259
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者朱炫承, 秋圣鎬, 金省均 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司