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      一種基于金剛石薄膜場效應(yīng)晶體管歐姆接觸電極的制備方法

      文檔序號:7164381閱讀:420來源:國知局
      專利名稱:一種基于金剛石薄膜場效應(yīng)晶體管歐姆接觸電極的制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及的是一種基于金剛石薄膜場效應(yīng)晶體管歐姆接觸電極的優(yōu)化制作方法,屬于金剛石膜場效應(yīng)晶體管器件制造工藝技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      氫終端金剛石薄膜擁有ρ型表面導(dǎo)電層,非常適用于作為場效應(yīng)器件的導(dǎo)電溝道層。隨著化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石薄膜生長技術(shù)的發(fā)展,金剛石器件的研究已取得初步成果,例如用金剛石薄膜研制了光電探測器、發(fā)光二極管、核輻射探測器、熱敏電阻器和功率場效應(yīng)晶體管等。金剛石器件作為高溫、高頻和大功率半導(dǎo)體器件,尋找歐姆接觸電極材料、制備高穩(wěn)定和低電阻的歐姆接觸成為研制過程中的重點和關(guān)鍵之一。金剛石是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料。一般來說,在寬禁帶半導(dǎo)體上制作歐姆接觸是比較困難的。通常是在金剛石薄膜上沉積一種能和金剛石反應(yīng)生成碳化物的金屬,并經(jīng)過高溫處理,使金屬和金剛石在界面處發(fā)生碳化反應(yīng)生成碳化物。目前金剛石歐姆接觸的電極結(jié)構(gòu)主要采用金的單層體系和鈦-金雙層體系。金具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和抗腐蝕能力,是理想的歐姆接觸材料。但是,實驗表明,金的單層體系熱穩(wěn)定性較差。鈦-金體系中的鈦作為金剛石和金之間的中間層,與金剛石反應(yīng)生成Tic。 TiC的形成雖然增強(qiáng)了附著力,降低了歐姆接觸的電阻率,但是其熱穩(wěn)定性依然不佳。原因是由鈦、金之間的互擴(kuò)散及接觸腐蝕所致,使得歐姆接觸退化。在鈦和金之間引入中間層鉬后,鈦可以和碳反應(yīng)生成TiC,增強(qiáng)表面摻雜,降低表面勢壘;鉬起阻擋層的作用,既能阻擋金向鈦和金剛石中擴(kuò)散,又能阻擋合金時鈦向金中擴(kuò)散,避免鈦擴(kuò)散到金層引起金的電阻升高。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是在氫終端金剛石薄膜上,設(shè)計制作Ti-Pt-Au三層金屬體系的歐姆電極。本發(fā)明的主要特點在于采用鉬作為金和鈦的中間層,起到了阻擋層的作用,能夠阻擋鈦和金之間的互擴(kuò)散,解決了鈦-金雙層金屬體系中熱穩(wěn)定性不佳的問題。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明Ti-Pt-Au三層金屬體系歐姆電極的制備采用如下技術(shù)方案及步驟。本發(fā)明是一種基于金剛石薄膜場效應(yīng)晶體管歐姆接觸電極的制備方法,其特征在于具有以下的制備過程和步驟
      a、氫終端金剛石薄膜的制備
      利用熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(HFCVD)的方法,以丙酮和氫氣為反應(yīng)物在(100)硅片襯底上沉積金剛石薄膜;氫終端金剛石薄膜是通過微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)工藝得到的;在MPCVD系統(tǒng)中,只通入氫氣,微波使輸入其中的氫氣氣體放電擊穿形成氫等離子體球,將金剛石薄膜浸沒,氫等離子體中的氫通過化學(xué)鍵在金剛石薄膜表面形成懸掛鍵的終端,從而使薄膜表面碳原子鈍化;最終得到氫終端金剛石薄膜;
      b、金屬Ti的制備
      采用Ti靶,使用直流磁控濺射方法在金剛石薄膜上濺射金屬Ti,系統(tǒng)的本底真空 2X ΙΟ"4到5X KT4Pa ;濺射的工作氣體是Ar氣體,Ar的流量為10到15標(biāo)準(zhǔn)毫升/分; 總氣壓在0. 3-0. SPa ;濺射功率一般為100-300W ;濺射時間為12-15分鐘;Ti層厚度為 40-60nm ;
      c、金屬Pt和Au的制備
      采用Pt靶,通過離子濺射法在Ti層上制備金屬層Pt。濺射過程中,工作氣壓為 0. 75-0. 85Pa,離子流1. 8_2mA,濺射時間為12-15分鐘,Pt層厚度40-60nm ;濺射完成后,再采用Au靶,通過相同的工藝參數(shù)在Pt層上面濺射Au,Au層的厚度為120-160nm ;
      d、退火
      采用傳統(tǒng)的退火工藝,將制作好的電極在氮氣氛下退火;退火溫度為350-450°C,時間為10-20分鐘;最終制得氫終端金剛石薄膜上的Ti-Pt-Au三層歐姆電極。本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比,有如下顯著優(yōu)點
      (1)本發(fā)明采用Pt作為金和鈦的中間層,起到了阻擋層的作用,能夠阻擋鈦和金之間的互擴(kuò)散。(2)由于金和鉬之間的互擴(kuò)散被抑制,使得歐姆電極的熱穩(wěn)定性得到了很大的提
      尚ο


      圖1為本發(fā)明Ti-Pt-Au三層金屬體系歐姆電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實施例方式現(xiàn)將本發(fā)明的具體實施例敘述于后。 實施例本實施例中的具體制備過程和步驟如下所述 一、氫終端金剛石薄膜的制備
      利用熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(HFCVD)的方法,以丙酮和氫氣為反應(yīng)物在(100)硅片襯底上沉積金剛石薄膜。成核期的反應(yīng)氣壓是lKPa。丙酮氫氣=40 :130 (體積流量比),襯底溫度為600°C,反應(yīng)時間0.證。生長期的反應(yīng)氣壓5KPa。丙酮氫氣=40 :160(體積流量比),襯底溫度為650°C,反應(yīng)時間12h。氫終端金剛石薄膜是通過氫微波等離子體濺射工藝得到的。在MPCVD系統(tǒng),真空抽到5-7Pa,然后通入氫氣,氫氣流量為100標(biāo)準(zhǔn)毫升/分,氣壓調(diào)節(jié)到2-3kpa,微波功率為^OOW,時間證。二、金屬Ti的制備
      采用Ti靶,使用直流磁控濺射方法在金剛石薄膜上濺射金屬Ti,系統(tǒng)的本底真空 4 X IO-4Pa ;濺射的工作氣體是Ar氣體,Ar的流量為10標(biāo)準(zhǔn)毫升/分;總氣壓為0. 5Pa ;減射功率為100W ;濺射時間15分鐘;Ti層厚度為50nm。三、金屬Pt層和Au層的制備采用Pt靶,通過離子濺射法在Ti上制備金屬層Pt。濺射過程中,工作氣壓0. 8Pa,離子流1. 8mA,濺射時間為15分鐘,Pt層厚度50nm。濺射完成后,再采用Au靶,通過相同的工藝參數(shù)在Pt層上面濺射Au,Au層的厚度為150nm。四、退火
      采用傳統(tǒng)的退火工藝,將制作好的電極在氮氣氛下退火。退火溫度為400°C,時間為15 分鐘。最終制得氫終端經(jīng)那個是薄膜上的Ti-Pt-Au三層歐姆電極。對Ti-Pt-Au三層金屬體系歐姆電極進(jìn)行性能測試,結(jié)果顯示能獲得線性度極高的IV測試曲線,相對于退火前薄膜漏電流顯著降低,電阻率得到明顯改善,使器件性能得到提高。圖1為本發(fā)明Ti-Pt-Au三層金屬體系歐姆電極結(jié)構(gòu)示意圖。圖中可見,在氫終端金剛石薄膜表面上設(shè)有二側(cè)源電極和漏電極。中間設(shè)有鋁柵電極;源、漏電極均為 Ti-Pt-Au三層金屬體系歐姆電極。
      權(quán)利要求
      1. 一種基于金剛石薄膜場效應(yīng)晶體管歐姆接觸電極的制備方法,其特征在于具有以下的制備過程和步驟a、氫終端金剛石薄膜的制備利用熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(HFCVD)的方法,以丙酮和氫氣為反應(yīng)物在(100)硅片襯底上沉積金剛石薄膜;氫終端金剛石薄膜是通過微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)工藝得到的;在MPCVD系統(tǒng)中,只通入氫氣,微波使輸入其中的氫氣氣體放電擊穿形成氫等離子體球,將金剛石薄膜浸沒,氫等離子體中的氫通過化學(xué)鍵在金剛石薄膜表面形成懸掛鍵的終端,從而使薄膜表面碳原子鈍化;最終制得氫終端金剛石薄膜;b、金屬Ti的制備采用Ti靶,使用直流磁控濺射方法在氫終端金剛石薄膜上濺射金屬Ti,系統(tǒng)的本底真空2 X10-4到5X KT4Pa ;濺射的工作氣體是Ar氣體,Ar的流量為10到15標(biāo)準(zhǔn)毫升/ 分;總氣壓在0. 3-0. SPa ;濺射功率一般為100-300W ;濺射時間為12-15分鐘;Ti層厚度為 40-60nm ;c、金屬Pt和Au的制備采用Pt靶,通過離子濺射法在Ti層上制備金屬層Pt ;濺射過程中,工作氣壓為 0. 75-0. 85Pa,離子流1. 8_2mA,濺射時間為12-15分鐘,Pt層厚度40-60nm ;濺射完成后,再采用Au靶,通過相同的工藝參數(shù)在Pt層上面濺射Au,Au層的厚度為120-160nm ;d、退火采用傳統(tǒng)的退火工藝,將制作好的電極在氮氣氛下退火;退火溫度為350-450°C,時間為10-20分鐘;最終制得氫終端金剛石薄膜上的Ti-Pt-Au三層歐姆電極。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種基于金剛石薄膜場效應(yīng)晶體管歐姆接觸電極的制備方法。屬于金剛石膜場效應(yīng)晶體管器件制造工藝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的要點是利用磁控濺射和離子濺射方法在金剛石薄膜上沉積制備Ti-Pt-Au三層金屬體系,并在氮氣氣氛下退火,形成歐姆接觸電極。本發(fā)明的三層Ti-Pt-Au歐姆電極是有較高的IV性能、較低的薄膜漏電流,其電阻率得到明顯改善、使器件的性能得到提高。
      文檔編號H01L21/28GK102403209SQ20111035337
      公開日2012年4月4日 申請日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月10日
      發(fā)明者唐可, 夏義本, 莊曉鳳, 張繼軍, 曾慶鍇, 潘瀟雨, 王林軍, 黃健 申請人:上海大學(xué)
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