專利名稱：圓筒形封裝體及其制造方法、電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝體及其制造方法，更具體地，涉及圓筒形封裝體 (cylindrical package)、包括圓筒形封裝體的電子裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
每個半導(dǎo)體芯片在其中都包括多個集成電路。然而，半導(dǎo)體芯片可能因外部物理和/或化學(xué)影響而易受損。因此，半導(dǎo)體芯片本身無法作為半導(dǎo)體最終產(chǎn)品。因而，可使用各種裝配工藝之一封裝半導(dǎo)體芯片。例如，可將半導(dǎo)體芯片安裝在基板(例如，引線框或印刷電路板)上，且可將半導(dǎo)體芯片電連接到基板。此外，可使用如環(huán)氧模塑化合物(EMC)材料的材料將安裝在基板上的半導(dǎo)體芯片封裝體，以保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受外部水分和/或外部污染的影響。盡管半導(dǎo)體芯片會大幅扭曲，一些半導(dǎo)體封裝體仍會構(gòu)造為具有安裝在平坦基板上的半導(dǎo)體芯片及將半導(dǎo)體芯片電連接到平坦基板的接合線(或凸塊)。在此情形下，會對半導(dǎo)體芯片和/或基板施加物理應(yīng)力。然而，隨著信息技術(shù)發(fā)展急劇地加速，會需要一些彎曲的電子產(chǎn)品。因此，未來可能越來越需要包括安裝在非平坦基板上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝體。

發(fā)明內(nèi)容
一些示范性實施例關(guān)于適合于具有彎曲的電子產(chǎn)品的圓筒形封裝體。其他示范性實施例關(guān)于適合于具有彎曲的電子產(chǎn)品的圓筒形封裝體的制造方法。其他示范性實施例關(guān)于包括圓筒形封裝體的電子產(chǎn)品。在示范性實施例中，圓筒形封裝體包括其中具有中空區(qū)域的圓筒形基板及至少一個安裝在圓筒形基板的外圍上的半導(dǎo)體芯片。圓筒形基板可以是柔性基板。圓筒形基板可包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、多芳基化合物(PAR)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯共聚物(COC)、聚苯乙烯(PQ及聚酰亞胺(PI)中的至少一種。圓筒形封裝體可進(jìn)一步包括將至少一個半導(dǎo)體裝置的芯片焊墊電連接到圓筒形基板的基板焊墊的接合線。圓筒形封裝體可進(jìn)一步包括在圓筒形基板的外圍與至少一個半導(dǎo)體芯片的底面之間的粘著劑。圓筒形封裝體可進(jìn)一步包括將至少一個半導(dǎo)體裝置的芯片焊墊電連接到圓筒形基板的基板焊墊的互連部分?；ミB部分可包括金屬凸塊及焊料凸塊。互連部分可包括各向異性導(dǎo)電膜。圓筒形封裝體可進(jìn)一步包括覆蓋至少一個半導(dǎo)體芯片的模塑材料。在另一示范性實施例中，電子產(chǎn)品包括圓筒形封裝體，且該圓筒形封裝體包括其中具有中空區(qū)域的圓筒形基板及至少一個安裝在圓筒形基板的外圍上的半導(dǎo)體芯片。
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電子產(chǎn)品可進(jìn)一步包括流經(jīng)圓筒形封裝體的中空區(qū)域的冷卻介質(zhì)。在再一個示范性實施例中，該方法包括在具有第一表面及與第一表面相反的第二表面的平坦柔性基板上形成電路圖案、連接柔性基板的兩端而形成圓筒形柔性基板以及將至少一個半導(dǎo)體芯片安裝在圓筒形柔性基板的外圍上。柔性基板可包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、多芳基化合物(PAR)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯共聚物(COC)、聚苯乙烯(PQ及聚酰亞胺(PI)中的至少一種。連接柔性基板的兩端可包括使用粘著劑將柔性基板的兩端接合。連接柔性基板的兩端可包括使用熔接技術(shù)將柔性基板的兩端接合。柔性基板的兩端之一可具有凹構(gòu)造，柔性基板的兩端的另一端可具有凸構(gòu)造。連接柔性基板的兩端可包括以接合帶圍繞柔性基板的兩端。該方法可進(jìn)一步包括在將至少一個半導(dǎo)體芯片安裝在圓筒形基板上之后，將該至少一個半導(dǎo)體芯片模塑。該方法可進(jìn)一步包括在將至少一個半導(dǎo)體芯片模塑之后，切割柔性基板而形成多個圓筒形封裝體。


通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，以上及其他方面、特點及其他優(yōu)點被明確地了解， 其中圖1為示出根據(jù)一個示范性實施例的圓筒形封裝體的截面圖；圖2為示出根據(jù)另一示范性實施例的圓筒形封裝體的截面圖；圖3A至3D為示出倒裝芯片的互連部分的各種示例的截面圖；圖4A至4E為示出根據(jù)示范性實施例的圓筒形封裝體的制造方法的圖；圖5A至5F為示出將柔性基板的兩端彼此物理連接的方法的各種示例的截面圖；圖6為示出包括根據(jù)示范性實施例的圓筒形封裝體的電子產(chǎn)品的透視圖；以及圖7為沿圖6的線A-A，所取的水平截面圖。
具體實施例方式以下參考附圖詳述示例性實施例。許多不同的形式及實施例為可行的，而不背離本公開的精神及教導(dǎo)，所以本公開不應(yīng)解釋為限于在此所述的示例性實施例。而是，提供這些示例性實施例以使本公開透徹而完整，且對本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本公開的范圍。在附圖中，為了清晰而可能將層及區(qū)域的大小及相對大小夸大。同樣的附圖標(biāo)記通篇指示相同的元件。在此所使用的詞語“和/或”包括一種或多個相關(guān)所列項目的任何和全部組合。圖1為描述根據(jù)一個示例性實施例的圓筒形封裝體的截面圖。參考圖1，依照一個示范性實施例的圓筒形封裝體可包括基板100、至少一個半導(dǎo)體芯片及模塑構(gòu)件300。該至少一個半導(dǎo)體芯片可包括多個半導(dǎo)體芯片200、202、204、206、 208、210、212 與 214?；?00可為其中具有中空區(qū)域H的圓筒形基板。如圖1所示，基板100在截面圖中可為圓形。然而，基板100的截面圖不限于圓形。例如在觀看截面圖時，基板100可為橢圓形?；?00應(yīng)彎曲而使得在截面圖中具有封閉環(huán)形，如圓形或橢圓形。因此，基板100 可包括柔性材料。例如，基板100可包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、多芳基化合物(PAR)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯共聚物(COC)、聚苯乙烯 (PS)及聚酰亞胺(PI)中的至少一種。然而，基板100不限于以上的材料。在另一個示范性實施例中，基板100可包括彼此連接的多個弧形分段 (subsection)以組成在截面圖為封閉環(huán)形的圓筒形基板。在此情形下，組成基板100的各弧形分段未必為柔性材料。如上所述，圓筒形封裝體可包括多個半導(dǎo)體芯片200、202、204、206、208、210、212 與214。然而，為了易于及便于解釋，以下僅以一個半導(dǎo)體芯片(例如，半導(dǎo)體芯片200)描述本示范性實施例。半導(dǎo)體芯片200可為半導(dǎo)體裝置，例如，存儲裝置、邏輯裝置、光電轉(zhuǎn)換裝置或功率裝置。該半導(dǎo)體裝置可包括至少一個無源元件，例如，至少一個電阻和/或至少一個電容。粘著劑150可提供在半導(dǎo)體芯片200的底面與基板100的一部分外圍表面IOOa 之間。粘著劑150可將半導(dǎo)體芯片200固定于基板100。此外，半導(dǎo)體芯片200可以經(jīng)由接合線160電連接到基板100。即，接合線160可將半導(dǎo)體芯片200的芯片焊墊(未示出) 電連接到配置于基板100的外圍表面IOOa上的基板焊墊102。連接焊墊104可配置于基板100的內(nèi)圍表面IOOb上。連接焊墊104可用于將半導(dǎo)體芯片200電連接另一電子產(chǎn)品。 粘著劑150可包括涂覆材料或雙面膠帶。然而，粘著劑150不限于上述材料?？刹捎脤雽?dǎo)體芯片200固定于基板100的任何類型的粘著劑。半導(dǎo)體芯片200可被模塑材料300覆蓋。模塑材料300可保護(hù)半導(dǎo)體芯片200使其免受外界環(huán)境的影響。模塑材料300可為環(huán)氧模塑化合物(EMC)材料。圖2為示出依照另一示范性實施例的圓筒形封裝體的截面圖，圖3A至3D為描述倒裝芯片的互連部分的各種示例的截面圖。參考圖2、3A、;3B、3C 及 3D，多個半導(dǎo)體芯片 200、202、204、206、208、210、212 與 214
可附接到圓筒基板100的外圍表面100a。半導(dǎo)體芯片200 214可使用倒裝芯片接合法被安裝在外圍表面IOOa上。即，可通過互連部分400將半導(dǎo)體芯片200 214中的每個芯片連接到基板100?；ミB部分400可包括金屬凸塊402，該金屬凸塊402將各半導(dǎo)體芯片200 214 的芯片焊墊220電連接到配置于基板100上的基板焊墊102，如圖3A所示。圓筒形封裝體可進(jìn)一步包括填充半導(dǎo)體芯片200 214與基板100之間的空間的底填樹脂450。每個金屬凸塊402可為單層凸塊或多層凸塊，其包括金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、 鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、錫(Sn)、鉛(1 )、鋅(Zn) JB (In)Jg (Cd)、鉻(Cr)與鉬 (Mo)中的至少一種。每個金屬凸塊402還可包括導(dǎo)電有機(jī)材料。金屬凸塊402可使用無電鍍工藝、電鍍工藝、蒸發(fā)工藝或濺鍍工藝形成。每個金屬凸塊402可為金凸塊、金柱凸塊 (gold stud bump)或鎳凸塊。金凸塊可使用無電鍍法或電鍍法形成。此外，金凸塊可使用凸塊下冶金(UBM，under bump metallurgy)形成，其由 Cr/Cu、Cr/Cu/Au、TiW/Au 或 Ti/Au 形成。形成金柱凸塊可包括使用引線接合機(jī)在各半導(dǎo)體芯片200 214的芯片焊墊220上形成柱凸塊(例如，金球)。如此，可不使用凸塊下冶金(UBM)可形成金柱凸塊。鎳凸塊可使用無電鍍法或電鍍法形成。
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在一些實施例中，可在金屬凸塊402與基板焊墊102之間提供導(dǎo)電粘著劑404，如圖3B所描述。導(dǎo)電粘著劑404可改善金屬凸塊402與基板焊墊102之間的粘著強(qiáng)度。圓筒形封裝體還可包括填充半導(dǎo)體芯片200 214與基板100之間的空間的底填樹脂450。在一些實施例中，各互連部分400可包括將芯片焊墊220電連接到基板焊墊102 的焊料凸塊406及焊料408，如圖3C所描述。圓筒形封裝體可進(jìn)一步包括填充半導(dǎo)體芯片 200 214與基板100之間的空間的底填樹脂450。焊料408可表示熔點等于或低于約450 攝氏度的金屬合金。焊料凸塊406可使用蒸發(fā)法、電鍍法或絲網(wǎng)印刷法形成，且可在焊料凸塊406下方另外提供凸塊下冶金(UBM)。電鍍法可使用共晶焊料(eutectic solder)，且 UBM可包括鈦-鎢(TiW)合金。絲網(wǎng)印刷法可對應(yīng)經(jīng)由模板掩模(stencil mask)形成焊料 (如，Pb/ln/Ag焊料、Sn/Pb/ln焊料或Cu/Sb/Ag/Au焊料)的方法。絲網(wǎng)印刷法可使用三種或更多組分系統(tǒng)的無鉛焊料。絲網(wǎng)印刷法具有工藝簡單的優(yōu)點。在一些實施例中，各互連部分400可包括將芯片焊墊220電連接到基板焊墊102 的金屬凸塊410及各向異性導(dǎo)電膜420，如圖3D所示。金屬凸塊410可為單層凸塊或多層凸塊，其包括金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、 錫(Sn)、鉛(Pb)、鋅(Zn) JB an)、鎘(Cd)、鉻(Cr)與鉬(Mo)中的至少一種。各金屬凸塊 410可進(jìn)一步包括導(dǎo)電有機(jī)材料。金屬凸塊410可使用無電鍍法、電鍍法、蒸發(fā)法或濺鍍法形成。各金屬凸塊410可為金凸塊、金柱凸塊或鎳凸塊。各向異性導(dǎo)電膜420可含有多個導(dǎo)電粒子420a。如果各向異性導(dǎo)電膜420可被加熱及加壓，則金屬凸塊410可經(jīng)由導(dǎo)電粒子420a電連接到對應(yīng)的基板焊墊102。導(dǎo)電粒子420a可包括金屬粒子、涂有金屬的塑膠粒子或涂有絕緣樹脂的導(dǎo)電粒子。金屬粒子可包括鎳粒子、焊料粒子或銀粒子，塑膠粒子可包括碳粒子、聚苯乙烯粒子或環(huán)氧樹脂粒子。然而，導(dǎo)電粒子不限于上列材料。各向異性導(dǎo)電膜420可包含賦予各向異性導(dǎo)電膜420粘著性質(zhì)的粘著劑。粘著劑可包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂與紫外線可固化樹脂中的至少一種。熱塑性樹脂可為聚乙烯型樹脂或聚丙烯型樹月旨，熱固性樹脂可包括環(huán)氧型樹脂、聚亞安酯型樹脂或丙烯酸型樹脂。然而，粘著劑不限于上列材料。圖4A至4E為示出根據(jù)一個示范性實施例制造圓筒形封裝體的方法的圖，圖5A至 5F為示出將柔性基板兩端物理地彼此連接的方法的各種示例的截面圖。參考圖4A，可在基板100之中及之上形成例如通孔(未示出)及導(dǎo)電焊墊的電路圖案。通孔及導(dǎo)電焊墊可形成為將半導(dǎo)體芯片電連接到外部電子裝置。例如，導(dǎo)電焊墊可包括基板焊墊102及連接焊墊104?；搴笁|102可形成于基板100的第一表面IOOa上且可電連接到配置于第一表面IOOa上的半導(dǎo)體芯片，連接焊墊104可形成于基板100的與第一表面IOOa相反的第二表面IOOb上且可電連接外部電子裝置。基板100可由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PEQ、多芳基化合物(PAR)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯共聚物(COC)、聚苯乙烯(PQ及聚酰亞胺(PI)中的至少一種塑膠材料形成。 然而，基板100不限于上列塑膠材料。參考圖4B及圖5A至5F，可將圖4A所示的平坦基板100彎曲為將基板100的兩端 (第一與第二端)彼此物理連接。結(jié)果平坦基板100可變形成為其中具有中空區(qū)域H的圓筒形基板100。在一些實施例中，一端(例如，第一端)100c與另一端(例如，第二端)IOOd可使用粘著劑110而彼此物理地結(jié)合。此外，基板100的兩端(例如第一與第二端)IOOc與IOOd 可被接合帶(bonding band) 112圍繞，以防止第一端與第二端彼此脫離(參考圖5A)。在一些實施例中，第一端IOOc與第二端IOOd可彼此接觸且可被加熱一段時間以將它們彼此物理連接。即，第一端IOOc與第二端IOOd可使用熔接技術(shù)彼此接合。在此情形下，可將第一端IOOc與第二端IOOd熔化及彼此結(jié)合，因而在第一端IOOc與第二端IOOd 之間形成熔接界面100e。此外，熔化區(qū)114可形成為鄰近熔接界面100e(參考圖5B)。熔化區(qū)114可對應(yīng)于基板100的鄰近第一端IOOc與第二端IOOd的部分被熔化且冷卻的區(qū)域。在一些實施例中，第一端IOOc與第二端IOOd的每個可包括具有放大的表面面積以增強(qiáng)第一端IOOc與第二端IOOd之間的粘著強(qiáng)度的結(jié)構(gòu)。例如，第一端IOOc可具有t L, 形截面，第二端IOOd可具有'π ’形截面，如圖5C所示。第一端IOOc與第二端IOOd可通過配置于其間的粘著劑110而彼此物理接合。在一些實施例中，第一端IOOc可具有t L,形截面，第二端IOOd可具有'π ’形截面， 如參考圖5C所描述。此外，第一端IOOc與第二端IOOd可使用參考圖5B所揭示的熔接技術(shù)而物理地彼此結(jié)合。因此，可在第一端IOOc與第二端IOOd之間形成熔接界面110e，且熔化區(qū)114可形成為鄰近熔接界面IlOe (參考圖5D)。在一些實施例中，第一端IOOc可具有t L,形截面，第二端IOOd可具有'π ’形截面， 如參考圖5C所揭示。此外，第一端IOOc與第二端IOOd可使用固定構(gòu)件120而物理地彼此組合(參考圖5E)。在一些實施例中，第一端IOOc可具有凹構(gòu)造(female configuration)，第二端 IOOd可具有凸構(gòu)造(male configuration)?；蛘?，第一端100c可具有凸構(gòu)造，第二端100d 可具有凹構(gòu)造?？蓪⒌谝欢?00c與第二端IOOd之一(具有凸構(gòu)造)插入另一個(具有凹構(gòu)造)而將它們彼此組合。另外，第一端100c與第二端IOOd可使用固定構(gòu)件120更緊密地彼此組合(參考圖5F)。在其他實施例中，第一端100c與第二端IOOd的接合方法可使用參考圖5A至
描述的實施例的組合而進(jìn)行。例如，在將具有凸構(gòu)造和凹構(gòu)造的第一端100c和第二端IOOd 彼此組合之后，第一端100c與第二端IOOd可使用參考圖5B所揭示的熔接技術(shù)、使用參考圖5A所揭示的接合帶112和/或使用參考圖5E所揭示的固定構(gòu)件120而更緊密地接合。參考圖4C，可將至少一個半導(dǎo)體芯片，例如，多個半導(dǎo)體芯片200、202、204、206、 208,210,212與214，安裝在圓筒形基板100的外圍表面100a上?？墒褂靡€接合技術(shù)或倒裝芯片接合技術(shù)將至少一個半導(dǎo)體芯片安裝在外圍表面100a上。具體而言，可在圓筒形基板100的中空區(qū)域H中裝設(shè)轉(zhuǎn)軸(未示出)，且可在圓筒形基板100轉(zhuǎn)動時將至少一個半導(dǎo)體芯片安裝在圓筒形基板100的外圍表面100a上?；蛘?，可不必轉(zhuǎn)動圓筒形基板100而使用轉(zhuǎn)動芯片安裝裝置將至少一個半導(dǎo)體芯片安裝在圓筒形基板100的外圍表面100a上。參考圖4D，至少一個半導(dǎo)體芯片可被模塑材料覆蓋。模塑材料可包括環(huán)氧樹脂。 模塑材料可進(jìn)一步包括硬化劑、硬化加速劑、填料及其他添加劑中的至少一種。環(huán)氧樹脂可包括雙酚型環(huán)氧、苯酚酚醛(phenol novolac)型環(huán)氧、甲酚酚醛(cresol novolac)型環(huán)氧、多官能環(huán)氧、胺型環(huán)氧、含雜環(huán)環(huán)氧(heterocycle containing印oxy)、取代環(huán)氧 (substitutional印oxy)、萘酚型環(huán)氧及其衍生物中的至少一種。然而，環(huán)氧樹脂可不限于上列材料。硬化劑可包括胺硬化劑、酸酐硬化劑、聚酰胺樹脂、聚硫樹脂及苯酚樹脂中的至少一種。然而，硬化劑可不限于上列材料。硬化加速劑可用于將環(huán)氧樹脂與硬化劑之間的硬化反應(yīng)加速，且可使用任何將該硬化反應(yīng)加速的材料。例如，硬化加速劑可為胺化合物材料(例如，三乙胺、芐基二甲胺、α-甲基芐基二甲胺或1，8_ 二氮雙環(huán)-十一碳烯-7(l，8-diazabicyclo-undecene-7))、咪唑化合物材料(例如，2-甲基咪唑、2-苯基咪唑(2-phenilimidazole)或2-苯基-4-甲基咪唑)或有機(jī)磷化合物材料(例如，柳酸、 酚、三苯膦、三丁膦(tributhylphosphine)、三(對甲基苯基)膦(tri (p-methylphenil) phosphine)、三苯膦三苯基硼酸酉旨(triphenilphosphine triphenilborate)或四苯膦四苯基硼酸酯(tetrapheni lphosphine tetrapheni lborate))。然而，硬化加速劑可不限于上列材料。填料可包括有機(jī)填料和無機(jī)填料中的至少一種。無機(jī)填料可包括滑石、砂、硅石、碳酸鈣、石英、玻璃纖維、石墨、氧化鋁、氧化銻、BaTiO3及膨潤土中的至少一種。有機(jī)填料可包括酚樹脂及脲甲醛中的至少一種。然而，填料可不限于上列材料。模塑材料可進(jìn)一步包括氣溶膠(具有膠體相的硅石)和/或膨潤土型粘土填料，以賦予環(huán)氧樹脂觸變特性。其他的添加劑可包括著色劑(例如，有機(jī)染料或無機(jī)染料)、偶聯(lián)劑(coupling agent)和/或消泡劑。參考圖4E，可對包括模塑半導(dǎo)體芯片的圓筒形基板施加分割工藝(singulation process)。分割工藝對應(yīng)于將包括模塑半導(dǎo)體芯片的圓筒形基板分為多個圓筒形封裝體 PI、P2、P3、P4和P5的切割工藝。在僅將單一半導(dǎo)體芯片安裝在圓筒形基板100上的情況下，可省略分割工藝。根據(jù)圖4A至4E所示的示范性實施例，至少一個半導(dǎo)體芯片是在形成圓筒形基板 100之后安裝在圓筒形基板100上。然而，本發(fā)明不限于圖4A至4E所示的示范性實施例。 例如，在將至少一個半導(dǎo)體芯片安裝到平坦柔性基板100之后，可將平坦柔性基板100彎曲，而形成截面圖中為封閉環(huán)形1 (如，圓形或橢圓形)的圓筒形基板100。圖6為示出包括根據(jù)示范性實施例的圓筒形封裝體的電子產(chǎn)品的透視圖，圖7為沿圖6的線A-A’所取的水平截面圖。參考圖6及7，可將電子模塊500配置在依照示范性實施例的圓筒形封裝體的內(nèi)部區(qū)域(例如，中空區(qū)域)中。電子模塊500可電連接到圓筒形封裝體。電子模塊500中亦可具有中空區(qū)域，且冷卻介質(zhì)600可流經(jīng)電子模塊500的中空區(qū)域以將被加熱的圓筒形封裝體及電子模塊500冷卻。由于先前的實施例已描述了圓筒形封裝體，所以以下省略對圓筒形封裝體的說明。冷卻介質(zhì)600可包括水，如去離子水(或蒸餾水)，或其他冷卻劑。依照上述示范性實施例，圓筒形封裝體可提供為包括圓筒形基板及安裝在圓筒形基板的外圍上的至少一個半導(dǎo)體芯片。如此，即使半導(dǎo)體芯片扭曲，圓筒形封裝體仍可承受半導(dǎo)體芯片的扭曲而降低半導(dǎo)體芯片與圓筒形基板之間的物理應(yīng)力。結(jié)果，圓筒形封裝體可增加半導(dǎo)體芯片的設(shè)計彈性，且可用于彎曲的電子產(chǎn)品。以上僅為了例證的目的而描述了本發(fā)明的示范性實施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求的精神和范圍的前提下，可以進(jìn)行各種修改、添加及替代。本發(fā)明要求于2010年11月19日向韓國專利局提交的韓國申請第 10-2010-0115716號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
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權(quán)利要求
1.一種圓筒形封裝體，包括 具有中空區(qū)域的圓筒形基板；以及至少一個安裝在所述圓筒形基板的外圍上的半導(dǎo)體芯片。
2.如權(quán)利要求1的圓筒形封裝體，其中所述圓筒形基板為柔性基板。
3.如權(quán)利要求1的圓筒形封裝體，其中所述圓筒形基板包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、 聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、多芳基化合物、聚碳酸酯、環(huán)烯共聚物、聚苯乙烯及聚酰亞胺中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1的圓筒形封裝體，還包括將至少一個半導(dǎo)體裝置的芯片焊墊電連接到所述圓筒形基板的基板焊墊的接合線。
5.如權(quán)利要求4的圓筒形封裝體，還包括在所述圓筒形基板的外圍與所述至少一個半導(dǎo)體芯片的底面之間的粘著劑。
6.如權(quán)利要求1的圓筒形封裝體，還包括將至少一個半導(dǎo)體裝置的芯片焊墊電連接到所述圓筒形基板的基板焊墊的互連部分。
7.如權(quán)利要求6的圓筒形封裝體，其中所述互連部分包括金屬凸塊及焊料凸塊。
8.如權(quán)利要求6的圓筒形封裝體，其中所述互連部分包括各向異性導(dǎo)電膜。
9.如權(quán)利要求1的圓筒形封裝體，還包括覆蓋所述至少一個半導(dǎo)體芯片的模塑材料。
10.一種電子產(chǎn)品，包括 圓筒形封裝體，其中所述圓筒形封裝體包括具有中空區(qū)域的圓筒形基板；以及至少一個安裝在所述圓筒形基板的外圍上的半導(dǎo)體芯片。
11.如權(quán)利要求10的電子產(chǎn)品，還包括流經(jīng)所述圓筒形封裝體的中空區(qū)域的冷卻介質(zhì)。
12.一種制造圓筒形封裝體的方法，所述方法包括在具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面的平坦柔性基板上形成電路圖案；連接所述柔性基板的兩端，以形成圓筒形柔性基板；以及將至少一個半導(dǎo)體芯片安裝在所述圓筒形柔性基板的外圍上。
13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述柔性基板包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、多芳基化合物、聚碳酸酯、環(huán)烯共聚物、聚苯乙烯及聚酰亞胺中的至少一種。
14.如權(quán)利要求12的方法，其中連接所述柔性基板的兩端包括使用粘著劑將所述柔性基板的兩端接合。
15.如權(quán)利要求12的方法，其中連接所述柔性基板的兩端包括使用熔接技術(shù)將所述柔性基板的兩端接合。
16.如權(quán)利要求12的方法，其中所述柔性基板的兩端之一具有凹構(gòu)造，所述柔性基板的兩端的另一端具有凸構(gòu)造。
17.如權(quán)利要求12的方法，其中連接所述柔性基板的兩端包括以接合帶圍繞所述柔性基板的兩端。
18.如權(quán)利要求12的方法，還包括在將所述至少一個半導(dǎo)體芯片安裝在所述圓筒形基板上之后，將所述至少一個半導(dǎo)體芯片模塑。
19.如權(quán)利要求18的方法，還包括在將所述至少一個半導(dǎo)體芯片模塑之后，切割所述柔性基板以形成多個圓筒形封裝體。
全文摘要
本發(fā)明提供圓筒形封裝體及其制造方法、電子裝置。該圓筒形封裝體包括具有中空區(qū)域的圓筒形基板以及至少一個安裝在圓筒形基板的外圍上的半導(dǎo)體芯片。
文檔編號H01L23/14GK102479757SQ201110371629
公開日2012年5月30日 申請日期2011年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者李圭濟(jì), 李強(qiáng)遠(yuǎn), 金賢周 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司