專利名稱：鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。本發(fā)明還涉及一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
在射頻應(yīng)用中，需要越來(lái)越高的器件特征頻率，RFCMOS雖然在先進(jìn)的工藝技術(shù)中可實(shí)現(xiàn)較高頻率，但還是難以完全滿足射頻要求，如很難實(shí)現(xiàn)40GHz以上的特征頻率，而且先進(jìn)工藝的研發(fā)成本也是非常高；化合物半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)非常高的特征頻率器件，但由于材料成本高、尺寸小的缺點(diǎn)，加上大多數(shù)化合物半導(dǎo)體有毒，限制了其應(yīng)用。鍺硅(SiGe)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)則是超高頻器件的很好選擇，首先其利用SiGe與Si的能帶差別，提高發(fā)射區(qū)的載流子注入效率，增大器件的電流放大倍數(shù)；其次利用SiGe基區(qū)的高摻雜，降低基區(qū)電阻，提高特征頻率；另外SiGe工藝基本與硅工藝相兼容，因此SiGe HBT已經(jīng)成為超高頻器件的主力軍。為了最大化器件性能和集成度以及最小化功耗，越來(lái)越多的應(yīng)用希望能夠把三極管和場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)合，形成BiCMOS工藝。既利用了場(chǎng)效應(yīng)管高集成度，低功耗的優(yōu)點(diǎn)，又利用了三極管高速度，高增益的特點(diǎn)。現(xiàn)有三極管中有比較好性能的類型為異質(zhì)結(jié)三極管，而能夠和CMOS兼容的為SiGe異質(zhì)結(jié)三極管，因此更為重要。為了提高器件的性能，現(xiàn)有鍺硅異質(zhì)結(jié)三極管往往非常薄，尤其是鍺硅基區(qū)寬度，往往小于800埃的厚度。同時(shí)還摻入碳元素以進(jìn)一步抑制基區(qū)硼參雜在高溫下的擴(kuò)散導(dǎo)致的基區(qū)展寬。這是因?yàn)榛鶇^(qū)只有在足夠薄的情況下，器件的工作截止頻率才有可能達(dá)到比較理想的值。但是由于器件的基區(qū)非常薄，容易導(dǎo)致器件的波動(dòng)比較大，片內(nèi)均勻性以及片間均勻性比較差。如圖1所示，是現(xiàn)有鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1中顯示了現(xiàn)有鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)和發(fā)射區(qū)的結(jié)構(gòu)?；鶇^(qū)由由下往上依次形成于有源區(qū)表面的硅緩沖層1、鍺硅單晶層2和硅帽層3組成；所述硅緩沖層I和所述硅帽層3為本征硅，所述硅緩沖層I和形成于所述有源區(qū)中的集電區(qū)接觸，所述硅緩沖層I和所述硅帽層3的厚度在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好。所述鍺硅單晶層2中摻入有中性的碳雜質(zhì)和P型雜質(zhì)。在所述硅帽層3上形成有一發(fā)射區(qū)窗口，所述發(fā)射區(qū)窗口由發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層5刻蝕后形成的，所述發(fā)射所區(qū)窗口露出述硅帽層3。在所述發(fā)射區(qū)窗口中填充有N型多晶硅6，該N型多晶硅6的頂部還延伸到所述發(fā)射區(qū)窗口外的所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層5上；在所述發(fā)射區(qū)窗口底部所述硅帽層3和所述N型多晶硅6相接觸，所述N型多晶硅6中的N型雜質(zhì)會(huì)擴(kuò)散到所述硅帽層3中形成一 N型摻雜區(qū)4。由所述N型多晶硅6和所述硅帽層3的N型摻雜區(qū)4 一起組成發(fā)射區(qū)。在所述硅帽層3和所述N型多晶硅6的交界面處，存在著界面態(tài)，由于所述發(fā)射區(qū)還延伸到所述硅帽3中，而所述硅帽層3的N型摻雜區(qū)4為從而所述N型多晶硅6中的N型雜質(zhì)擴(kuò)散后得至IJ，故N型摻雜區(qū)4的很薄，這樣界面態(tài)對(duì)器件性能的影響很大，電流放大能力beta可以從 正常值波動(dòng)2 4倍，無(wú)法進(jìn)行量產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，能減少基區(qū)和發(fā)射區(qū)的交界面的界面態(tài)對(duì)器件的性能的影響，使器件的電流放大能力保持穩(wěn)定，能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。本發(fā)明還提供一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，在有源區(qū)表面由下往上依次形成有硅緩沖層、鍺硅單晶層和硅帽層；所述鍺硅單晶層中摻入有中性的碳雜質(zhì)和P型雜質(zhì)。所述硅帽層上形成有一發(fā)射區(qū)窗口，所述發(fā)射區(qū)窗口由發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層刻蝕后形成的，所述發(fā)射區(qū)窗口露出所述硅帽層。在所述發(fā)射區(qū)窗口中填充有N型多晶硅，該N型多晶硅的頂部還延伸到所述發(fā)射區(qū)窗口外的所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層上。在所述發(fā)射區(qū)窗口底部所述硅帽層和所述N型多晶硅相接觸，在所述硅帽層和所述N型多晶硅的接觸面的正下方、且深度為50埃到100埃的所述硅帽層中摻入有N型雜質(zhì)，其它區(qū)域的所述硅帽層為本征硅；在所述硅帽層的N型摻雜區(qū)的底部到所述硅帽層和所述鍺硅單晶層的接觸面之間的距離在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好。所述硅緩沖層為本征硅，所述硅緩沖層和形成于所述有源區(qū)中的集電區(qū)接觸，所述硅緩沖層的厚度在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好。由所述硅緩沖層、所述鍺硅單晶層和所述硅帽層中的本征硅部分組成基區(qū)；由所述硅帽層的N型摻雜區(qū)和所述N型多晶硅組成發(fā)射區(qū)。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述基區(qū)的厚度為200埃至800埃，所述硅緩沖層的厚度為50埃至200埃，所述硅帽層的厚度為100埃至300埃。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述基區(qū)的所述鍺硅單晶層的鍺硅合金的含量比例為10% 20%，所述鍺硅單晶層的碳雜質(zhì)含量比例為小于5% ;所述鍺硅單晶層的P型雜質(zhì)為硼，硼的濃度為3E19cm 3 6E19cm 3。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述發(fā)射區(qū)的N型多晶硅的厚度為1000埃 4000埃、N型雜質(zhì)濃度為lE19cm_3 lE22cm_3 ;所述硅帽層中摻入的N型雜質(zhì)為砷。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，采用如下步驟形成鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)和發(fā)射區(qū):步驟一、在有源區(qū)表面由下往上依次形成硅緩沖層、鍺硅單晶層和硅帽層；所述硅緩沖層為本征硅，所述硅緩沖層和形成于所述有源區(qū)中的集電區(qū)接觸，所述硅緩沖層的厚度在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好；所述鍺硅單晶層中摻入有中性的碳雜質(zhì)和P型雜質(zhì)；所述硅帽層為本征硅，所述硅緩沖層的厚度等于由在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好時(shí)的取值加上一 50埃到100埃的值。步驟二、在所述硅帽層上形成發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層，對(duì)所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕形成發(fā)射區(qū)窗口，所述發(fā)射區(qū)窗口露出所述硅帽層。步驟三、所述發(fā)射區(qū)窗口形成后，采用離子注入工藝在所述發(fā)射區(qū)窗口底部的所述硅帽層中注入N型雜質(zhì)，該離子注入的注入深度為50埃到100埃。步驟四、淀積N型多晶硅，所述N型多晶硅完全填充所述發(fā)射區(qū)窗口且所述N型多晶硅的頂部還延伸到所述發(fā)射區(qū)窗口外的所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層上；在所述發(fā)射區(qū)窗口底部所述硅帽層的N型摻雜區(qū)和所述N型多晶硅相接觸，由所述硅帽層的N型摻雜區(qū)和所述N型多晶硅組成發(fā)射區(qū)；由所述硅緩沖層、所述鍺硅單晶層和所述硅帽層中的本征硅部分組成基區(qū)。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述基區(qū)的厚度為200埃至800埃，所述硅緩沖層的厚度為50埃至200埃，所述硅帽層的厚度為100埃至300埃。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述鍺硅單晶層的鍺硅合金的含量比例為10% 20%，所述鍺硅單晶層的碳雜質(zhì)含量比例為小于5% ;所述鍺硅單晶層的P型雜質(zhì)為硼，硼的濃度為3E19cm 3 6E19cm 3。進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述發(fā)射區(qū)的N型多晶硅的厚度為1000埃 4000埃、N型雜質(zhì)濃度為 lE19cm 3 lE22cm 3。進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟三中所述硅帽層中的注入的N型雜質(zhì)為砷、注入的劑量為lE14cm2 lE15cm2。本發(fā)明的發(fā)射區(qū)由N型多晶硅和N型摻雜的硅帽層兩部分組成，通過增加發(fā)射區(qū)的位于硅帽層中的部分的厚度，能使發(fā)射區(qū)中起作用部分的主要為硅帽層中的N型摻雜區(qū)，而N型多晶硅在發(fā)射區(qū)中主要起連接作用，這樣就能顯著減少硅帽層和N型多晶硅的交界面的界面態(tài)對(duì)器件的性能的影響，使器件的電流放大能力保持穩(wěn)定，從而能顯著的提高器件的穩(wěn)定型，同一硅襯底上形成的所有器件的性能的片內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)偏差能從15%降低到5%左右，有利于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:圖1是現(xiàn)有鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)和發(fā)射區(qū)的結(jié)構(gòu)如下:在有源區(qū)表面由下往上依次形成有硅緩沖層101、鍺硅單晶層102和硅帽層103。所述鍺硅單晶層102中摻入有中性的碳雜質(zhì)和P型雜質(zhì)。所述基區(qū)的所述鍺硅單晶層102的鍺硅合金的含量比例為10% 20%，所述鍺硅單晶層102的碳雜質(zhì)含量比例為小于5% ;所述鍺硅單晶層102的P型雜質(zhì)為硼，硼的濃度為3E19cnT3 6E19cnT3。所述硅帽層103上形成有一發(fā)射區(qū)窗口，所述發(fā)射區(qū)窗口由發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層105刻蝕后形成的，所述發(fā)射區(qū)窗口露出所述硅帽層103。在所述發(fā)射區(qū)窗口中填充有N型多晶硅106，該N型多晶硅106的頂部還延伸到所述發(fā)射區(qū)窗口外的所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層105上。所述N型多晶硅106的厚度為1000埃 4000埃、N型雜質(zhì)濃度為lE19cnT3 lE22cm3o在所述發(fā)射區(qū)窗口底部所述硅帽層103和所述N型多晶硅106相接觸，在所述硅帽層103和所述N型多晶硅106的接觸面的正下方、且深度為50埃到100埃的所述硅帽層103中摻入有N型雜質(zhì)即形成一 N型摻雜區(qū)104，其它區(qū)域的所述硅帽層103為本征硅。所述硅帽層103的N型摻雜區(qū)104為一離子注入摻雜區(qū)，注入的N型雜質(zhì)為砷、注入的劑量為IEHcnT2 lE15cnT2。在所述硅帽層103的N型摻雜區(qū)104的底部到所述硅帽層103和所述鍺硅單晶層102的接觸面之間的距離在滿足使所述鍺硅單晶層102不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好。較佳為，所述硅帽層103的總厚度為100埃至300埃；所述硅帽層103的N型摻雜區(qū)104的厚度為50埃到100埃。所述硅緩沖層101為本征硅，所述硅緩沖層101和形成于所述有源區(qū)中的集電區(qū)接觸，所述硅緩沖層101的厚度在滿足使所述鍺硅單晶層102不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好。較佳為，所述硅緩沖層101的厚度為50埃至200埃。由所述硅緩沖層101、所述鍺硅單晶層102和所述硅帽層103中的本征硅部分組成基區(qū)。所述基區(qū)的總厚度為200埃至800埃。由所述硅帽層103的N型摻雜區(qū)104和所述N型多晶硅106組成發(fā)射區(qū)。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法采用如下步驟形成鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)和發(fā)射區(qū):步驟一、在有源區(qū)表面由下往上依次形成硅緩沖層101、鍺硅單晶層102和硅帽層103 ;所述硅緩沖層101為本征硅，所述硅緩沖層101和形成于所述有源區(qū)中的集電區(qū)接觸，所述緩沖層的厚度在滿足使所述鍺硅單晶層102不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好，即需要由所述鍺硅單晶層102的厚度和摻雜濃度確定；在本發(fā)明實(shí)施例中，所述硅緩沖層101的較佳厚度為50埃至200埃。所述鍺硅單晶層102中摻入有中性的碳雜質(zhì)和P型雜質(zhì)。所述鍺硅單晶層102的鍺硅合金的含量比例為10% 20%，所述鍺硅單晶層102的碳雜質(zhì)含量比例為小于5% ；所述鍺硅單晶層102的P型雜質(zhì)為硼，硼的濃度為3E19cnT3 6E19cnT3。所述鍺硅單晶層102的厚度根據(jù)最后形成的基區(qū)的厚度進(jìn)行設(shè)定，本發(fā)明實(shí)施例中，所述基區(qū)的厚度為200埃至800埃。所述硅帽層103為本征硅，所述緩沖層的厚度等于由在滿足使所述鍺硅單晶層102不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好時(shí)的取值加上一 50埃到100埃的值。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述硅帽層103的較佳厚度為100埃至300埃。步驟二、在所述硅帽層103上形成發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層105，對(duì)所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層105進(jìn)行刻蝕形成發(fā)射區(qū)窗口，所述發(fā)射區(qū)窗口露出所述硅帽層103。步驟三、所述發(fā)射區(qū)窗口形成后，采用離子注入工藝在所述發(fā)射區(qū)窗口底部的所述硅帽層103中注入N型雜質(zhì)形成N型摻雜區(qū)104，該離子注入的注入深度為50埃到100埃。N型雜質(zhì)為砷、注入的劑量為lE14cm_2 lE15cm_2。步驟四、淀積N型多晶硅106，所述N型多晶硅106完全填充所述發(fā)射區(qū)窗口且所述N型多晶硅106的頂部還延伸到所述發(fā)射區(qū)窗口外的所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層105上；所述發(fā)射區(qū)的N型多晶硅106的厚度為1000埃 4000埃、N型雜質(zhì)濃度為lE19cnT3 lE22cm3o在所述發(fā)射區(qū)窗口底部所述硅帽層103的N型摻雜區(qū)104和所述N型多晶硅106相接觸，由所述硅帽層103的N型摻雜區(qū)104和所述N型多晶硅106組成發(fā)射區(qū)；由所述硅緩沖層101、所述鍺硅單晶層102和所述硅帽層103中的本征硅部分組成基區(qū)。以上通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于: 在有源區(qū)表面由下往上依次形成有硅緩沖層、鍺硅單晶層和硅帽層；所述鍺硅單晶層中摻入有中性的碳雜質(zhì)和P型雜質(zhì)； 所述硅帽層上形成有一發(fā)射區(qū)窗口，所述發(fā)射區(qū)窗口由發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層刻蝕后形成的，所述發(fā)射區(qū)窗口露出所述硅帽層； 在所述發(fā)射區(qū)窗口中填充有N型多晶硅，該N型多晶硅的頂部還延伸到所述發(fā)射區(qū)窗口外的所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層上； 在所述發(fā)射區(qū)窗口底部所述硅帽層和所述N型多晶硅相接觸，在所述硅帽層和所述N型多晶硅的接觸面的正下方、且深度為50埃到100埃的所述硅帽層中摻入有N型雜質(zhì)，其它區(qū)域的所述硅帽層為本征硅；在所述硅帽層的N型摻雜區(qū)的底部到所述硅帽層和所述鍺硅單晶層的接觸面之間的距離在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好； 所述硅緩沖層為本征硅，所述硅 緩沖層和形成于所述有源區(qū)中的集電區(qū)接觸，所述硅緩沖層的厚度在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好； 由所述硅緩沖層、所述鍺硅單晶層和所述硅帽層中的本征硅部分組成基區(qū)；由所述硅帽層的N型摻雜區(qū)和所述N型多晶硅組成發(fā)射區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于:所述基區(qū)的厚度為200埃至800埃，所述硅緩沖層的厚度為50埃至200埃，所述硅帽層的厚度為100埃至300埃。
3.如權(quán)利要求1所述的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于:所述基區(qū)的所述鍺硅單晶層的鍺硅合金的含量比例為10% 20%，所述鍺硅單晶層的碳雜質(zhì)含量比例為小于5%;所述鍺硅單晶層的P型雜質(zhì)為硼，硼的濃度為3E19cnT3 6E19cnT3。
4.如權(quán)利要求1所述的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于:所述發(fā)射區(qū)的N型多晶硅的厚度為1000埃 4000埃、N型雜質(zhì)濃度為lE19cm_3 lE22cm_3 ;所述硅帽層中摻入的N型雜質(zhì)為砷。
5.一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于，采用如下步驟形成鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基區(qū)和發(fā)射區(qū): 步驟一、在有源區(qū)表面由下往上依次形成硅緩沖層、鍺硅單晶層和硅帽層；所述硅緩沖層為本征硅，所述硅緩沖層和形成于所述有源區(qū)中的集電區(qū)接觸，所述硅緩沖層的厚度在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好；所述鍺硅單晶層中摻入有中性的碳雜質(zhì)和P型雜質(zhì)；所述硅帽層為本征硅，所述硅緩沖層的厚度等于由在滿足使所述鍺硅單晶層不產(chǎn)生晶格失配的條件下越小越好時(shí)的取值加上一 50埃到100埃的值； 步驟二、在所述硅帽層上形成發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層，對(duì)所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕形成發(fā)射區(qū)窗口，所述發(fā)射區(qū)窗口露出所述硅帽層； 步驟三、所述發(fā)射區(qū)窗口形成后，采用離子注入工藝在所述發(fā)射區(qū)窗口底部的所述硅帽層中注入N型雜質(zhì)，該離子注入的注入深度為50埃到100埃； 步驟四、淀積N型多晶硅，所述N型多晶硅完全填充所述發(fā)射區(qū)窗口且所述N型多晶硅的頂部還延伸到所述發(fā)射區(qū)窗口外的所述發(fā)射區(qū)窗口介質(zhì)層上；在所述發(fā)射區(qū)窗口底部所述硅帽層的N型摻雜區(qū)和所述N型多晶硅相接觸，由所述硅帽層的N型摻雜區(qū)和所述N型多晶硅組成發(fā)射區(qū)；由所述硅緩沖層、所述鍺硅單晶層和所述硅帽層中的本征硅部分組成基區(qū)。
6.如權(quán)利要求5所述的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于:所述基區(qū)的厚度為200埃至800埃，所述硅緩沖層的厚度為50埃至200埃，所述硅帽層的厚度為100埃至300埃。
7.如權(quán)利要求5所述的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于:所述鍺硅單晶層的鍺硅合金的含量比例為10% 20%，所述鍺硅單晶層的碳雜質(zhì)含量比例為小于5%;所述鍺硅單晶層的P型雜質(zhì)為硼，硼的濃度為3E19Cnf3 6E19cnT3。
8.如權(quán)利要求5所述的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于:所述發(fā)射區(qū)的N型多晶硅的厚度為1000埃 4000埃、N型雜質(zhì)濃度為lE19cnT3 lE22cm_3。
9.如權(quán)利要求5所述的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法，其特征在于:步驟三中所述硅帽層中的注入的N型雜 質(zhì)為砷、注入的劑量為IEHcnT2 lE15cm_2。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，基區(qū)由硅緩沖層、鍺硅單晶層和硅帽層中的本征硅部分組成基區(qū)，發(fā)射區(qū)由N型多晶硅和N型摻雜的硅帽層兩部分組成。通過增加發(fā)射區(qū)的位于硅帽層中的部分的厚度，能使發(fā)射區(qū)中起作用部分的主要為硅帽層中的N型摻雜區(qū)，而N型多晶硅在發(fā)射區(qū)中主要起連接作用，這樣就能顯著減少硅帽層和N型多晶硅的交界面的界面態(tài)對(duì)器件的性能的影響，使器件的電流放大能力保持穩(wěn)定，從而能顯著的提高器件的穩(wěn)定型，同一硅襯底上形成的所有器件的性能的片內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)偏差能從15％降低到5％左右，有利于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。本發(fā)明公開了一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制造方法。
文檔編號(hào)H01L29/08GK103137662SQ20111037688
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月23日
發(fā)明者陳雄斌, 陳帆, 薛愷 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司