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      分立元件制作的高性能助聽(tīng)器的制作方法

      文檔序號(hào):7629176閱讀:567來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:分立元件制作的高性能助聽(tīng)器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于電子技術(shù)與低頻信號(hào)放大領(lǐng)域,是關(guān)于一種分立元件制作的高性能助 聽(tīng)器。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)在市場(chǎng)上的助聽(tīng)器多用專用集成功放電路設(shè)計(jì)制作,其電路中的集成電路外圍 元件較多,電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,且市場(chǎng)售價(jià)較貴。本發(fā)明所述的是用分立元件制作的高性能 助聽(tīng)器,其實(shí)質(zhì)上是一種低頻信號(hào)放大器。很多年前,由于鍺晶體管的質(zhì)量和性能都不過(guò) 關(guān),為了獲得比較好的信號(hào)放大效果,所以制作助聽(tīng)器往往采用鍺材料的高頻晶體管作為 電路的放大元件。如今元件的質(zhì)量和性能早已不是問(wèn)題,制作助聽(tīng)器根本無(wú)需價(jià)格較貴的 專用集成電路,選用分立元件設(shè)計(jì)制作就能夠勝任。本發(fā)明的電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、外圍元件 少、且工作電壓范圍寬、靜態(tài)電流小、耗電少、失真小和音質(zhì)好等特點(diǎn)。其輸出功率完全可以 滿足聽(tīng)覺(jué)有障礙人的要求,可提高老年者的聽(tīng)力,也可對(duì)青少年的學(xué)習(xí)和記憶帶來(lái)幫助,解 決或彌補(bǔ)了市面上有些品牌助聽(tīng)器存在價(jià)格高、不易普及等缺憾。下面詳細(xì)說(shuō)明這種分立元件制作的高性能助聽(tīng)器制作過(guò)程中所涉及的有關(guān)技術(shù) 內(nèi)容。

      發(fā)明內(nèi)容
      發(fā)明目的及有益效果本發(fā)明所述的分立元件制作的高性能助聽(tīng)器無(wú)需價(jià)格較貴 的專用集成電路,選用分立元件設(shè)計(jì)制作就能夠勝任。本發(fā)明具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、外圍元件 少、且工作電壓范圍寬、靜態(tài)電流小、耗電少、失真小和音質(zhì)好等特點(diǎn)。其輸出功率可以滿足 聽(tīng)覺(jué)有障礙人的要求,可提高老年者的聽(tīng)覺(jué),也可對(duì)青少年的學(xué)習(xí)和記憶帶來(lái)幫助,解決或 彌補(bǔ)了市面上有些品牌助聽(tīng)器存在價(jià)格高、不易普及等問(wèn)題。技術(shù)方案分立元件制作的高性能助聽(tīng)器由直流電源DC、聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換電路、前 置低頻放大電路、音量調(diào)節(jié)電路、功率放大電路組成,其特征在于功率放大電路中的PNP 三極管VT3接成發(fā)射極輸出形式,PNP三極管VT3的輸出負(fù)載回路中接有帶常開(kāi)觸點(diǎn)的耳 機(jī)插座CZ。各部分電路中元器件之間的連接特征聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換電路的特征是駐極體話筒MIC的音頻信號(hào)輸出腳與電阻Rl的一 端、電解電容Cl的正極相連,電阻Rl的另一端接電路正極VCC,駐極體話筒MIC的金屬外殼 端接電路地GND。前置低頻放大電路的特征是NPN三極管VTl的基極接電解電容Cl的負(fù)極和電阻 R2的一端,NPN三極管VTl的集電極接電阻R2的另一端與電阻R3的一端及電解電容C2的 正極,NPN三極管VTl的發(fā)射極接電路地GND。音量調(diào)節(jié)電路的特征是電位器RP的一端接電解電容C2的負(fù)極,電位器RP的活 動(dòng)臂端接電解電容C3的正極,電位器RP的另一端接電路地GND。
      功率放大電路的特征是NPN三極管VT2的基極接電解電容C3的負(fù)極、負(fù)反饋電 阻R5的一端,NPN三極管VT2的集電極接PNP三極管VT3的基極和電阻R4的一端,電阻R4 的另一端接電路正極VCC,NPN三極管VT2的發(fā)射極接電路地GND,PNP三極管VT3的發(fā)射 極接耳機(jī)插座CZ的座體端和負(fù)反饋電阻R5的另一端,PNP三極管VT3的集電極接電路地 GND。 耳機(jī)插座CZ的連接特征是耳機(jī)插座CZ的座體端接PNP三極管VT3的發(fā)射極,耳 機(jī)插座CZ的靜觸點(diǎn)接電路正極VCC,耳機(jī)插座CZ的動(dòng)觸點(diǎn)接直流電源DC的正極。電路工作原理附圖中電路由直流電源、駐極體話筒、前置低放、音量調(diào)節(jié)電路、功 率放大電路和耳塞機(jī)組成。駐極體話筒MIC作換能器,它將聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換為音頻信號(hào),并通過(guò)耦合電容Cl送 至前置低頻放大電路進(jìn)行放大,電阻Rl是駐極體話筒MIC的偏置電阻,為給駐極體話筒正 常工作提供偏置電壓。整個(gè)電路實(shí)質(zhì)上是一個(gè)由三極管VTl VT3構(gòu)成的多級(jí)音頻放大器。NPN三極管 VT1、電阻R2、電阻R3組成前置低頻放大電路,將經(jīng)Cl耦含來(lái)的音頻信號(hào)進(jìn)行前置放大,放 大后的音頻信號(hào)經(jīng)電解電容C2加到電位器RP上,電位器RP用來(lái)調(diào)節(jié)音量大小。NPN三極 管VT2、PNP三極管VT3組成功率放大電路,PNP三極管VT3接成發(fā)射極輸出形式,電阻R5 起到負(fù)反饋?zhàn)饔茫饕獮殡娐饭ぷ鞯姆€(wěn)定和改善音頻信號(hào)的音質(zhì)。音頻信號(hào)經(jīng)過(guò)功率放大 后,它的輸出阻抗較低,通過(guò)耳機(jī)插座CZ推動(dòng)16Ω低阻耳塞機(jī)工作。


      附圖是本發(fā)明提供一個(gè)分立元件制作的高性能助聽(tīng)器的實(shí)施例電路工作原理圖; 為減少電磁信號(hào)對(duì)駐極體話筒MIC的干擾,要求駐極體話筒MIC的金屬外殼端接電路地 GND。
      具體實(shí)施例方式按照附圖所示分立元件制作的高性能助聽(tīng)器的電路工作原理圖和

      及以 下所述的元器件技術(shù)要求進(jìn)行實(shí)施,即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。元器件的選擇及其技術(shù)參數(shù)駐極體話筒MIC應(yīng)選用兩端輸出式駐極體話筒,其漏極D為音頻信號(hào)輸出腳,駐極 體話筒的金屬外殼端與源極S相連后接電路地GND。將場(chǎng)效應(yīng)管接成漏極D為輸出端,其輸 出信號(hào)具有一定的電壓增益,可使駐極體話筒的靈敏度比較高。駐極體話筒MIC選用CM-18W型(Φ IOmmX 6. 5mm)高靈敏度駐極體話筒,其靈敏度 分為五擋,分別用色點(diǎn)表示紅色為_(kāi)66dB,小黃為-62dB,大黃為-58dB,蘭色為-MdB,白色 大于-52dB ;本實(shí)施例選用白色點(diǎn)的產(chǎn)品。VTU VT2采用NPN三極管2SC9014等型號(hào),VT3采用PNP三極管2SC9012等型號(hào), 要求3只晶體管的放大倍數(shù)β > 100 ;電阻使用RTX-1/16W型金屬膜電阻,電阻Rl的阻值5. 1ΚΩ、電阻R2的阻值 100Κ Ω ;電阻R3的阻值1.阢Ω、電阻R4的阻值820 Ω、電阻R5的阻值180Κ Ω ;RP選用實(shí)心 電位器,其阻值為IOK Ω ;
      Cl選用滌綸電容,其容量分別是0. 22 μ F ;C2 C3選耐壓為16V的電解電容,容量均是47 μ F ;耳塞機(jī)選用動(dòng)圈式耳塞機(jī),耳塞機(jī)的阻抗為16 Ω,選用耳塞機(jī)的阻抗越小,音頻輸 出的功率越大,但音質(zhì)略有降低。電路制作及安裝與調(diào)試設(shè)計(jì)布線與安裝駐極體話筒MIC的安裝應(yīng)盡可能地遠(yuǎn)離功率放大電路,話筒引線不宜過(guò)長(zhǎng),且應(yīng) 采用屏蔽線,杜絕對(duì)后級(jí)放大電路對(duì)前級(jí)電路的造成干擾,否則容易引起外界各種雜波信 號(hào)感應(yīng)給引出線而導(dǎo)致頻率失真,甚至引起嘯叫。認(rèn)真檢測(cè)各個(gè)元器件的性能,各元器件均不能接錯(cuò),特別要注意有極性元件不能 接反,如三極管、駐極體話筒和電解電容等。要保證元器件的焊接質(zhì)量,焊好后剪掉多余的 引線。電路調(diào)試首先,通過(guò)調(diào)整電阻R2的阻值,使NPN三極管VTl的集電極電流在ImA 左右;然后,測(cè)試助聽(tīng)器的總靜態(tài)電流在6mA左右即可。因使用的駐極體話筒MIC的參數(shù)不 同,有時(shí)Rl的阻值需作適當(dāng)調(diào)整,應(yīng)調(diào)到聲音清晰、響亮為準(zhǔn);電阻R5的負(fù)反饋?zhàn)饔每筛纳?音質(zhì),其阻值越小改善音質(zhì)的效果越明顯,但影響音頻信號(hào)的輸出功率,調(diào)試中注意音量、 音質(zhì)兩者兼顧。使用時(shí),將助聽(tīng)器置于使用者的上衣口袋內(nèi),注意駐極體話筒MIC的受音孔應(yīng)朝 外。戴上耳塞機(jī),并將耳塞機(jī)插頭插入助聽(tīng)器的耳機(jī)插座CZ內(nèi),電路將自動(dòng)接通直流電源 DC ;拔出耳塞機(jī)插頭,助聽(tīng)器即自動(dòng)斷電停止工作。
      權(quán)利要求
      1.一種分立元件制作的高性能助聽(tīng)器,由直流電源DC、聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換電路、前置低頻 放大電路、音量調(diào)節(jié)電路、功率放大電路組成,其特征在于功率放大電路中的PNP三極管 VT3接成發(fā)射極輸出形式,PNP三極管VT3的輸出負(fù)載回路中接有帶常開(kāi)觸點(diǎn)的耳機(jī)插座 CZ。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立元件制作的高性能助聽(tīng)器,聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換電路的特征 是駐極體話筒MIC的音頻信號(hào)輸出腳與電阻Rl的一端、電解電容Cl的正極相連,電阻Rl 的另一端接電路正極VCC,駐極體話筒MIC的金屬外殼端接電路地GND。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立元件制作的高性能助聽(tīng)器,前置低頻放大電路的特征 是NPN三極管VTl的基極接電解電容Cl的負(fù)極和電阻R2的一端,NPN三極管VTl的集電 極接電阻R2的另一端與電阻R3的一端及電解電容C2的正極,NPN三極管VTl的發(fā)射極接 電路地GND。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立元件制作的高性能助聽(tīng)器,音量調(diào)節(jié)電路的特征是電 位器RP的一端接電解電容C2的負(fù)極,電位器RP的活動(dòng)臂端接電解電容C3的正極,電位器 RP的另一端接電路地GND。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立元件制作的高性能助聽(tīng)器,功率放大電路的特征是NPN 三極管VT2的基極接電解電容C3的負(fù)極、負(fù)反饋電阻R5的一端,NPN三極管VT2的集電極 接PNP三極管VT3的基極和電阻R4的一端,電阻R4的另一端接電路正極VCC,NPN三極管 VT2的發(fā)射極接電路地GND,PNP三極管VT3的發(fā)射極接耳機(jī)插座CZ的座體端和負(fù)反饋電 阻R5的另一端,PNP三極管VT3的集電極接電路地GND。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分立元件制作的高性能助聽(tīng)器,耳機(jī)插座CZ的連接特征是 耳機(jī)插座CZ的座體端接PNP三極管VT3的發(fā)射極,耳機(jī)插座CZ的靜觸點(diǎn)接接電路正極VCC, 耳機(jī)插座CZ的動(dòng)觸點(diǎn)接直流電源DC的正極。
      全文摘要
      本發(fā)明屬于電子技術(shù)與低頻信號(hào)放大領(lǐng)域,是關(guān)于一種分立元件制作的高性能助聽(tīng)器。該助聽(tīng)器由直流電源DC、聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換電路、前置低頻放大電路、音量調(diào)節(jié)電路、功率放大電路組成,其特征在于功率放大電路中的PNP三極管VT3接成發(fā)射極輸出形式,PNP三極管VT3的輸出負(fù)載回路中接有帶常開(kāi)觸點(diǎn)的耳機(jī)插座CZ。本發(fā)明所述的助聽(tīng)器無(wú)需價(jià)格較貴的專用集成電路,選用分立元件設(shè)計(jì)制作就能夠勝任。本發(fā)明具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、外圍元件少、且工作電壓范圍寬、靜態(tài)電流小、耗電少、失真小和音質(zhì)好等特點(diǎn)。其輸出功率可以滿足聽(tīng)覺(jué)有障礙人的要求,解決或彌補(bǔ)了市面上有些品牌助聽(tīng)器存在價(jià)格高、不易普及等問(wèn)題。
      文檔編號(hào)H04R25/00GK102123340SQ201110082808
      公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2011年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月1日
      發(fā)明者黃宇嵩 申請(qǐng)人:黃宇嵩
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