專利名稱：一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素電路的修補方法，尤其涉及一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示器件(OLED)是主動發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT -IXD )，OLED具有高對比度，廣視角，低功耗，體積更薄等優(yōu)點， 有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。在AMOLED制備過程中，AMOLED顯示器的像素點不良和信號線斷線不良是制備工藝中不可避免出現(xiàn)的兩類主要缺陷，而且這兩類缺陷大部分集中在陣列工藝末端以后，當(dāng)檢測出上述不良時，就需要進行相應(yīng)的修復(fù)。對于封裝之后出現(xiàn)的像素點不良，現(xiàn)有技術(shù)未給出切實可行的方案。因此，有必要提供有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，提高產(chǎn)品良率，且操作簡單，易于實施。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，能夠?qū)惓５牧咙c修成暗點，提高產(chǎn)品良率，且操作簡單，易于實施。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，所述基板像素電路包括多條絕緣交叉的掃描線和數(shù)據(jù)線， 所述掃描線和數(shù)據(jù)線分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極，所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管；多條VDD線，沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸，所述VDD線和驅(qū)動薄膜晶體管的漏極相連，并通過存儲電容和驅(qū)動薄膜晶體管的柵極相連；多條VSS線，沿所述掃描線方向延伸，所述VSS線和有機發(fā)光二極管的陰極相連，所述有機發(fā)光二極管的陽極和驅(qū)動薄膜晶體管的源極相連；所述修補方法包括如下步驟a)確認異常亮點對應(yīng)的不良像素點位置；b)將該不良像素點的驅(qū)動薄膜晶體管失效；c)將該不良像素點的像素電極和該像素所在行的VSS線相連在一起，使得該像素的有機發(fā)光二極管關(guān)斷變成暗點。上述的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，其中，所述步驟b)采用激光切割方法從顯示器陣列基板的一側(cè)將所述不良像素點的驅(qū)動薄膜晶體管的柵極斷開，使所述不良像素點的驅(qū)動薄膜晶體管失效。上述的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，其中，所述步驟C)采用激光熔接方法使該像素電極和該像素所在行的VSS線熔接在一起。本發(fā)明對比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果本發(fā)明提供的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，通過先將不良像素的驅(qū)動TFT失效，然后將其像素電極和該像素所在行的VSS線相連在一起，使得該像素的有機發(fā)光二極管關(guān)斷變成暗點。


圖1為一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)等效電路圖； 圖3為本發(fā)明的有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明實施例修補像素的方法的流程圖5為本發(fā)明實施例中使壞點的驅(qū)動TFT失效的示意圖； 圖6為本發(fā)明熔接陽極和VSS線使異常亮點修成暗點的示意圖。圖中
1數(shù)據(jù)線2掃描線3存儲電容
4 VDD線5開關(guān)薄膜晶體管6驅(qū)動薄膜晶體管
7像素電極8 VSS線9切割點
10焊接點。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的描述。圖3為本發(fā)明的有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖。請參見圖3，本發(fā)明提供的有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素電路包括多條絕緣交叉的掃描線2和數(shù)據(jù)線1，掃描線2和數(shù)據(jù)線1分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極7，掃描線2 和數(shù)據(jù)線1交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管5和驅(qū)動薄膜晶體管6 ；多條VDD線4，沿數(shù)據(jù)線 1方向延伸，VDD線4和驅(qū)動薄膜晶體管6的漏極相連，并通過存儲電容3和驅(qū)動薄膜晶體管6的柵極相連；多條VSS線8，沿掃描線2方向延伸，VSS線8和有機發(fā)光二極管的陰極相連，有機發(fā)光二極管的陽極和驅(qū)動薄膜晶體管6的源極相連。等效像素電路參見圖2，所述VDD線4和驅(qū)動薄膜晶體管T2的漏極相連，并通過存儲電容Cs和驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極相連；多條VSS線8，沿所述掃描線方向延伸，所述 VSS線8和有機發(fā)光二極管(OLED)的陰極相連，所述有機發(fā)光二極管的陽極和驅(qū)動薄膜晶體管T2的源極相連，開關(guān)薄膜晶體管Tl的柵極和掃描線2相連接收行掃描信號Vscan，源極和數(shù)據(jù)線1相連接收數(shù)據(jù)信號Vdata。圖4為本發(fā)明實施例修補像素的方法的流程圖。請參見圖4，本發(fā)明提供的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法包括如下步驟
步驟S401 確認異常亮點像素位置；
步驟S402 采用激光切割方法使所述像素驅(qū)動TFT失效；
步驟S403 將該不良像素點的像素電極和該像素所在行的VSS線相連在一起；
步驟S404 使得該像素的有機發(fā)光二極管關(guān)斷變成暗點，完成異常亮點像素的修復(fù)。上述的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，使所述像素驅(qū)動TFT 失效可采用激光切割方法，從陣列極板的一側(cè)在切割點9處將所述像素點驅(qū)動TFT柵極斷開，如圖5所示。優(yōu)選采用激光熔接方法該不良像素點的像素電極和該像素所在行的VSS線相連在一起，這樣這個壞掉像素的有機發(fā)光二極管關(guān)斷變成暗點，如圖6所示的焊接點10。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，所述基板像素電路包括 多條絕緣交叉的掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)，所述掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極(7)，所述掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管(5)和驅(qū)動薄膜晶體管(6);多條VDD線(4)，沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸，所述VDD線(4)和驅(qū)動薄膜晶體管(6)的漏極相連，并通過存儲電容(3)和驅(qū)動薄膜晶體管(6)的柵極相連；多條VSS線(8)，沿所述掃描線方向延伸，所述VSS線(8)和有機發(fā)光二極管的陰極相連，所述有機發(fā)光二極管的陽極和驅(qū)動薄膜晶體管(6)的源極相連； 其特征在于，所述修補方法包括如下步驟a)確認異常亮點對應(yīng)的不良像素點位置；b)將該不良像素點的驅(qū)動薄膜晶體管(6)失效；c)將該不良像素點的像素電極和該像素所在行的VSS線相連在一起，使得該像素的有機發(fā)光二極管關(guān)斷變成暗點。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，其特征在于，所述步驟b)采用激光切割方法從顯示器陣列基板的一側(cè)將所述不良像素點的驅(qū)動薄膜晶體管(6)的柵極斷開，使所述不良像素點的驅(qū)動薄膜晶體管(6)失效。
3.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，其特征在于，所述步驟c)采用激光熔接方法使該像素電極和該像素所在行的VSS線熔接在一起。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，所述像素電路包括多條絕緣交叉的掃描線和數(shù)據(jù)線，所述掃描線和數(shù)據(jù)線分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極，所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管；多條VDD線和VSS線，所述VSS線和有機發(fā)光二極管的陰極相連，所述有機發(fā)光二極管的陽極和驅(qū)動薄膜晶體管的源極相連。本發(fā)明提供的有源矩陣有機發(fā)光顯示器基板像素電路的修補方法，通過先將不良像素的驅(qū)動TFT失效，然后將其像素電極和該像素所在行的VSS線相連在一起，使得該像素的有機發(fā)光二極管關(guān)斷變成暗點，從而將異常的亮點修成暗點，提高產(chǎn)品良率，且操作簡單，易于實施。
文檔編號H01L21/768GK102437112SQ20111041903
公開日2012年5月2日 申請日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月15日
發(fā)明者劉周英, 張婷婷, 邱勇, 高孝裕, 黃秀頎 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司