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      一種提高顯色指數(shù)及出光效率的led及方法

      文檔序號:7169653閱讀:378來源:國知局
      專利名稱:一種提高顯色指數(shù)及出光效率的led及方法
      技術領域
      本發(fā)明型涉及LED和方法。
      背景技術
      半導體照明燈具進入通用照明領域,生產(chǎn)成本是制約其發(fā)展的重要因素之一,目前常用的白光LED的COB封裝是將多顆藍光芯片直接固定在金屬基印刷電路板MCPCB上, 雖然相對傳統(tǒng)的器件集成封裝可以降低熱阻,同時減少支架的制造工藝及成本,但表面連續(xù)涂敷熒光膠的用量仍然很大。此外,光源的顯色性也是制約其在照明領域發(fā)展的另一個重要因素,為了提高COB LED的顯色性,如圖1所示,采用的方法主要是白光LED中加入紅光 LED,并將白光LED和紅光LED安裝在同一平面上,在美國專利US6577073B2中及申請?zhí)枮?200710008637. 5申請日為2007. 2. 1
      公開日為2008. 8. 20的中國專利文獻中均公開了這樣的COB LED結(jié)構(gòu),這種將藍光芯片和紅光芯片都封裝在基板同一表面的結(jié)構(gòu)和方法,紅光芯片被熒光膠覆蓋,將會降低紅光芯片的出光效率,從而影響了 LED光源整體的發(fā)光效率。

      發(fā)明內(nèi)容
      為了提高出光效率和顯色指數(shù),本發(fā)明提供了一種提高顯色指數(shù)及出光效率的 LED及方法。提高顯色指數(shù)及出光效率的LED的技術方案是一種提高顯色指數(shù)及出光效率的 LED包括基板,基板上表面設有一種深度的凹位,凹位的底面為LED芯片的安裝位,基板上表面也設有LED芯片的安裝位,凹位上的安裝位安裝有波長為380-470nm的芯片,基板上表面上的安裝位安裝有波長為580-660nm的芯片;在凹位內(nèi)涂布有覆蓋在波長為380-470nm 的芯片上的熒光粉,在基板上表面涂布有透明膠層。上述結(jié)構(gòu)的LED,由于具有階梯性的LED芯片安裝位,并在凹位上的安裝位安裝波長為380-470nm的芯片,基板上表面上的安裝位安裝波長為580-660nm的芯片,這樣,當LED 芯片發(fā)光時,相互之間的影響小,且安裝到基板上表面上的LED芯片未覆蓋熒光粉,可以消除熒光粉的吸光作用,使得自身的光效要遠高于熒光膠受激發(fā)時的光效,這樣,就可以顯著提高LED光源的顯色性指數(shù)和出光效率。同時,只在凹位內(nèi)涂布一層與基板表面齊平的熒光膠,可更大地節(jié)約熒光粉和膠水的用量,這樣就可以明顯降低LED的封裝成本。另外,涂布一層高折射率的透明膠層,能提高出光的均勻性,同時起來到保護發(fā)光芯片和電路的作用。作為改進,凹位的側(cè)壁上設有反光層。所述的反光層能將LED芯片的光更多的反射出去,因此,能進一步提高出光效率。作為改進,所述的基板包括金屬層、絕緣層和電路層,絕緣層設在金屬層和電路層之間。作為改進,凹位的安裝位延伸至金屬層。此結(jié)構(gòu),安裝到凹位內(nèi)的LED芯片所產(chǎn)生的熱量能直接傳遞到金屬層上,從而提高對安裝到凹位內(nèi)的LED芯片的散熱效果,提高LED芯片的使用壽命。作為具體化,凹位的深度為0. 4-0. 6mm。作為改進,在基板上位于透明膠層的外圍設有圍壩,圍壩的高度與透明膠層的高度相等。此結(jié)構(gòu)能防止透明膠層溢出,提高LED透明膠層的均勻性。提高LED顯色指數(shù)及出光效率方法的技術方案是通過將不同波段的LED芯片對應的設置到不同高度的安裝位上,并使最上層的LED芯片未覆蓋熒光粉,其他安裝位上的 LED芯片覆蓋熒光粉來實現(xiàn),其中,最上層安裝位安裝波長為580-660nm的芯片,其他安裝位安裝波長為380-470nm的芯片。上述方法,由于將不同波段的LED芯片對應的設置到不同高度的安裝位上,這樣, 當LED芯片發(fā)光時,不同高度安裝位上的LED芯片相互之間的影響小,且安裝到最上層安裝位的LED芯片未覆蓋熒光粉,可以消除熒光粉的吸光作用,使得自身的光效要遠高于熒光膠受激發(fā)時的光效,這樣,就可以顯著提高LED光源的顯色性指數(shù)和出光效率。作為改進,最上層安裝位為基板的上表面,其他安裝位為設置在基板上的凹位的底面,熒光粉涂布在凹位內(nèi)。只在凹位內(nèi)涂布一層與基板表面齊平的熒光膠,可更大地節(jié)約熒光粉和膠水的用量并控制熒光粉的均勻性,這樣就可以明顯降低LED的封裝成本。作為改進,所述的基板包括金屬層、絕緣層和電路層,絕緣層設在金屬層和電路層之間,凹位的安裝位延伸至金屬層。此結(jié)構(gòu),安裝到凹位內(nèi)的LED芯片所產(chǎn)生的熱量能直接傳遞到金屬層上,從而提高對安裝到凹位內(nèi)的LED芯片的散熱效果,提高LED芯片的使用壽命。


      圖1為現(xiàn)有技術COB LED的結(jié)構(gòu)圖。圖2為本發(fā)明的俯視圖。圖3為本發(fā)明的剖視圖。
      具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
      對本發(fā)明進行進一步詳細說明。如圖2和圖3所示,提高顯色指數(shù)及出光效率的LED包括基板1,基板1包括金屬層11、絕緣層12和電路層13,絕緣層12位于金屬層11和電路層13之間,基板1上表面設有一種以上深度的凹位7,凹位7的底面為LED芯片的安裝位,凹位中的安裝位延伸至金屬層11,以提高散熱效率,基板1上表面設有LED芯片的安裝位8,凹位7中的安裝位用于安裝波長為380-470nm的芯片3,基板上表面上的安裝位用于安裝波長為580-660nm的芯片4。 為了將波長為380-470nm的芯片3的光更多的反射出來,在凹位的側(cè)壁上設有反光層14,在凹位7內(nèi)設有熒光粉2,熒光粉2的高度與基板1的上表面齊平。在基板1上設有圍壩6, 圍壩6內(nèi)涂布有與圍壩高度相等的高折射率的透明膠5。在本發(fā)明中還提供了一種提高LED顯色指數(shù)及出光效率的方法,具體是通過將不同波段的LED芯片對應的設置到不同高度的安裝位上,并使最上層的LED芯片未覆蓋熒光粉,其他安裝位上的LED芯片覆蓋熒光粉來實現(xiàn),其中,最上層安裝位安裝波長為 580-660nm的芯片,其他安裝位安裝波長為380-470nm的芯片。在本實施方式中,最上層的安裝位指基板的上表面,其他的安裝位指設置在基板上的凹位的底面,所述的基板包括金屬層、絕緣層和電路層,絕緣層設在金屬層和電路層之間,凹位的安裝位延伸至金屬層,當 LED芯片安裝到凹位上后,可提高散熱效率;所述的熒光粉涂布在凹位中,熒光粉的高度與基板的上表面齊平;為了提高出光的均勻性,在基板上涂布有高折射率的透明膠層,為了在涂布透明膠時防止溢出,在透明膠外圍設有圍壩。 下表是利用本發(fā)明的LED和方法測試出顯示指數(shù)和出光效率的相關參數(shù),下表中 “傳統(tǒng)的LED”指將不同顏色的芯片安裝到同一平面上的LED。
      權(quán)利要求
      1.一種提高顯色指數(shù)及出光效率的LED,包括基板,其特征在于基板上表面設有一種以上深度的凹位,凹位的底面為LED芯片的安裝位,基板上表面設有LED芯片的安裝位, 凹位上的安裝位安裝有波長為380-470nm的芯片,基板上表面上的安裝位安裝有波長為 580-660nm的芯片;在凹位內(nèi)涂布有覆蓋在波長為380-470nm的芯片上的熒光粉,在基板上表面涂布有透明膠層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高顯色指數(shù)及出光效率的LED,其特征在于凹位的側(cè)壁上設有反光層。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高顯色指數(shù)及出光效率的LED,其特征在于所述的基板包括金屬層、絕緣層和電路層,絕緣層設在金屬層和電路層之間。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高顯色指數(shù)及出光效率的LED,其特征在于凹位的安裝位延伸至金屬層。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高顯色指數(shù)及出光效率的LED,其特征在于凹位的深度為 0. 4-0. 6mm。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高顯色指數(shù)及出光效率的LED,其特征在于在基板上位于透明膠層的外圍設有圍壩,圍壩的高度與透明膠層的高度相等。
      7.一種提高LED顯色指數(shù)及出光效率的方法,其特征在于通過將不同波段的LED芯片對應的設置到不同高度的安裝位上,并使最上層的LED芯片未覆蓋熒光粉,其他安裝位上的LED芯片覆蓋熒光粉來實現(xiàn),其中,最上層安裝位安裝波長為580-660nm的芯片,其他安裝位安裝波長為380-470nm的芯片。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的提高LED顯色指數(shù)及出光效率的方法,其特征在于最上層安裝位為基板的上表面,其他安裝位為設置在基板上的凹位的底面,熒光粉涂布在凹位內(nèi)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高LED顯色指數(shù)及出光效率的方法,其特征在于所述的基板包括金屬層、絕緣層和電路層,絕緣層設在金屬層和電路層之間,凹位的安裝位延伸至
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種提高顯色指數(shù)及出光效率的LED及方法,包括基板,基板上表面設有一種以上深度的凹位,凹位的底面為LED芯片的安裝位,基板上表面也設有LED芯片的安裝位,凹位上的安裝位安裝有波長為380-470nm的芯片,基板上表面上的安裝位安裝有波長為580-660nm的芯片;在凹位內(nèi)涂布有覆蓋在波長為380-470nm的芯片上的熒光粉,在基板上表面涂布有透明膠層;方法通過將不同波段的LED芯片對應的設置到不同高度的安裝位上,并使最上層的LED芯片未覆蓋熒光粉,其他安裝位上的LED芯片覆蓋熒光粉來實現(xiàn)。該結(jié)構(gòu)和方法能同時提高出光效率和顯色指數(shù)。
      文檔編號H01L33/48GK102569279SQ20111044744
      公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
      發(fā)明者周志勇, 尹曉鴻, 張奕聰, 李國平, 李文清, 毛卡斯, 王躍飛, 石超 申請人:廣州市鴻利光電股份有限公司
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