專利名稱：晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池是一種通過光伏效應(yīng)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件，其作為一種新能源材料越來越受到人們的關(guān)注。目前，如何降低太陽(yáng)光的反射從而增加太陽(yáng)光的吸收為太陽(yáng)能電池制造過程中亟待解決的重要問題之一。現(xiàn)有技術(shù)中，制造太陽(yáng)能電池主要包括制絨、擴(kuò)散、去PSG、減反射膜制備、印刷電極、合金等步驟。為了減少太陽(yáng)光的反射，通常會(huì)在擴(kuò)散去PSG步驟后在硅片表面沉積減反射膜。傳統(tǒng)的減反射膜只具有一層Si3N4膜，由于太陽(yáng)光的光譜范圍較寬，因此傳統(tǒng)的減反射膜存在對(duì)光的吸收范圍窄、減反射效果差等缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有的缺陷，提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，能有效擴(kuò)大對(duì)光的吸收范圍，同時(shí)有效降低太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射，提高對(duì)光的吸收率。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案本實(shí)用新型提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，所述晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜包括在硅片表面依次沉積形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和S^2薄膜。優(yōu)選的，所述Si3N4薄膜的厚度為5 50nm。優(yōu)選的，所述TW2薄膜厚度為20 80nm。優(yōu)選的，所述SW2薄膜的厚度為10 lOOnm。本實(shí)用新型的有益效果如下通過使用本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，由于其包括Si3N4 薄膜、T^2薄膜和SiA薄膜，從而擴(kuò)大了晶體硅太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收范圍，降低了光反射效果；另外，由于這三種薄膜由硅表面向外是按照折射率依次降低的順序排列的，從而提高了減反射鈍化膜的鈍化作用，有效降低了光反射作用。

附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中圖1是本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜的部面示意圖。其中1-硅片；2-Si3N4薄膜；3-Ti02 薄膜；4_Si02 薄膜。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜進(jìn)行說明。如圖1所示，本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜包括在硅片表面依次沉積形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和SiO2薄膜。其中，Si3N4薄膜的厚度為5 50nm， 折射率為2 3 ； TiO2薄膜厚度為20 80nm，折射率為1. 5 2. 5 ； SiO2薄膜的厚度為 10 lOOnm，折射率為1 2。下面介紹本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜的制備方法，包括以下三個(gè)步驟步驟1 在經(jīng)過制絨、擴(kuò)散去PSG后的硅片表面，采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition)法沉積 Si3N4 薄膜。具體的，以 SiH4和NH3為反應(yīng)氣體，控制SiH4和NH3的體積比例在1 1. 2 1 1. 8范圍內(nèi)，硅片溫度為 300 500°C，制備得到厚度為5 50nm，折射率為2 3的Si3N4薄膜。步驟2 在步驟1制得的Si3N4薄膜表面，利用PECVD法沉積TW2薄膜。具體的，以 Ti (OC3H7)4為源物質(zhì)，A為反應(yīng)氣體，控制SiH4和NH3的體積比例在1 :1. 2 1 :1. 8范圍內(nèi)，硅片溫度為400 800°C，制備得到厚度為20 80nm，折射率為1. 5 2. 5的TW2薄膜。步驟3 在步驟2制得的Si3N4薄膜表面，利用PECVD法沉積SiO2薄膜。具體的， 以SiH4和N2O為反應(yīng)氣體，控制SiH4和N2O的體積比例在1 :1 1 :2范圍內(nèi)，硅片溫度為 200 600°C，制備得到厚度為10 lOOnm，折射率為1 2的SW2薄膜。綜上所述，由于本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜包含三種薄膜，即=Si3N4薄膜、TiA薄膜和SiA薄膜，從而擴(kuò)大了晶體硅太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收范圍，降低了光反射效果；另外，由于這三種薄膜由硅表面向外是按照折射率依次降低的順序排列的，從而很好的解決了各薄膜之間的光學(xué)特性差異較大的問題，使得整個(gè)減反射鈍化膜的折射率變化趨于均勻，進(jìn)而提高了減反射鈍化膜的鈍化作用，有效降低了光反射作用。最后應(yīng)說明的是以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，其特征在于所述晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜包括在硅片表面依次沉積形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和SiA薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，其特征在于所述Si3N4 薄膜的厚度為5 50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，其特征在于所述打02薄膜厚度為20 80nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，其特征在于所述S^2薄膜的厚度為10 lOOnm。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，包括在硅片表面依次沉積形成的Si3N4薄膜、TiO2薄膜和SiO2薄膜。通過使用本實(shí)用新型提供的晶體硅太陽(yáng)能電池減反射鈍化膜，能有效擴(kuò)大對(duì)光的吸收范圍，同時(shí)有效降低太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射，提高對(duì)光的吸收率。
文檔編號(hào)H01L31/0216GK201956359SQ20112008927
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月30日
發(fā)明者徐世貴, 李潘劍, 王立建 申請(qǐng)人:無錫市佳誠(chéng)太陽(yáng)能科技有限公司