專(zhuān)利名稱(chēng)：引線(xiàn)框架以及用于分立封裝的引線(xiàn)框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型一般涉及半導(dǎo)體 封裝，并且具體涉及引線(xiàn)框架。
背景技術(shù)：
引線(xiàn)框架，也稱(chēng)為導(dǎo)線(xiàn)架，用于IC封裝以在芯片(即裸片)組裝成為最終產(chǎn)品的過(guò)程中為芯片提供機(jī)械支撐。引線(xiàn)框架通常包括芯片焊盤(pán)和引線(xiàn)，其中，芯片焊盤(pán)用于供芯片固定于其上，引線(xiàn)作為將芯片電學(xué)連接到外部，例如印刷電路板的手段。芯片經(jīng)由金屬線(xiàn)通過(guò)金線(xiàn)鍵合或者通過(guò)帶式自動(dòng)鍵合而連接到引線(xiàn)。然而，可能發(fā)生這樣的情形，固定了芯片的芯片焊盤(pán)在從ー個(gè)設(shè)備轉(zhuǎn)移到另ー個(gè)設(shè)備的過(guò)程中，由于施加到芯片焊盤(pán)上的外力而失去正確的方位。結(jié)果是，芯片焊盤(pán)必須被重新定位，需要耗費(fèi)較多的操作時(shí)間和精力。此外，引線(xiàn)和芯片之間的連線(xiàn)在被拉伸時(shí)易于損壞，這將導(dǎo)致電連接失效并且降低封裝的成品率。因此，需要ー種不易于改變?nèi)∠蚧蛘咦冃蔚囊€(xiàn)框架。

實(shí)用新型內(nèi)容提供了ー種引線(xiàn)框架，包括第一多個(gè)芯片焊盤(pán)；第二多個(gè)引線(xiàn)，從所述第一多個(gè)芯片焊盤(pán)延伸；以及第三多個(gè)連接元件，所述第三多個(gè)連接元件的每個(gè)將所述第一多個(gè)芯片焊盤(pán)的ー個(gè)連接到另ー個(gè)。提供了ー種用于分立封裝的引線(xiàn)框架，包括根據(jù)本發(fā)明的引線(xiàn)框架。上文已經(jīng)概括而非寬泛地給出了本公開(kāi)內(nèi)容的特征。本公開(kāi)內(nèi)容的附加特征將在此后描述，其形成了本實(shí)用新型權(quán)利要求的主題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以容易地使用所公開(kāi)的構(gòu)思和具體實(shí)施方式
，作為修改和設(shè)計(jì)其他結(jié)構(gòu)或者過(guò)程的基礎(chǔ)，以便執(zhí)行與本實(shí)用新型相同的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)理解，這些等同結(jié)構(gòu)沒(méi)有脫離所附權(quán)利要求書(shū)中記載的本實(shí)用新型的主g和范圍。

為了更完整地理解本公開(kāi)以及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考以下描述，其中圖I示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一方面的引線(xiàn)框架的一個(gè)實(shí)施例的局部平面視圖；圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一方面的引線(xiàn)框架的另ー個(gè)實(shí)施例的局部平面視圖；圖3示出了使用圖I所示的引線(xiàn)框架的示例性的方法的流程圖，除非指明，否則不同附圖中的相應(yīng)標(biāo)記和符號(hào)一般表示相應(yīng)的部分。繪制附圖是為了清晰地示出本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式的有關(guān)方面，而未必是按照比例繪制的。為了更為清晰地示出某些實(shí)施方式，在附圖標(biāo)記之后可能跟隨有字母，其指示相同結(jié)構(gòu)、材料或者過(guò)程步驟的變形。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)討論實(shí)施例的實(shí)施和使用。然而，應(yīng)當(dāng)理解，所討論的具體實(shí)施例僅僅示范性地說(shuō)明實(shí)施和使用本實(shí)用新型的特定方式，而非限制本實(shí)用新型的范圍。在根據(jù)本實(shí)用新型的引線(xiàn)框架(附圖標(biāo)記為20)的一個(gè)實(shí)施例中，引線(xiàn)框架20包括固定芯片的第一多個(gè)芯片焊盤(pán)(固定和封裝的過(guò)程將在下文描述)，從該第一多個(gè)芯片焊盤(pán)延伸的第二多個(gè)引線(xiàn)，以及第三多個(gè)連接元件，該第三多個(gè)連接元件的每個(gè)將該第一多個(gè)芯片焊盤(pán)的ー個(gè)連接到另ー個(gè)。圖I是引線(xiàn)框架20的局部平面視圖，其示出了兩個(gè)芯片焊盤(pán)21，六個(gè)引線(xiàn)23和連接這兩個(gè)芯片焊盤(pán)21的一個(gè)完整的連接元件25。本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解，引線(xiàn)框架20可以具有在ー維或者ニ維方向上重復(fù)的圖I所示的単元。引線(xiàn)框架20具有改進(jìn)的機(jī)械穩(wěn)定性。具體地，在例如將引線(xiàn)框架20從ー個(gè)設(shè)備轉(zhuǎn)移到另ー個(gè)設(shè)備的過(guò)程中，意外的外力可能被施加在芯片焊盤(pán)21上，由于芯片焊盤(pán)21經(jīng)由連接元件25被連接到鄰近的芯片焊盤(pán)上，該外力可以被轉(zhuǎn)移到該鄰近的芯片焊盤(pán)上。以此方式，芯片焊盤(pán)21對(duì)外力較不敏感。由于連接元件25，引線(xiàn)框架20還具有降低的熱收縮率和彎曲率。在ー個(gè)收縮率測(cè)試中，傳統(tǒng)的引線(xiàn)框架表現(xiàn)出大約40ppm的平均收縮率，而引線(xiàn)框架20未表現(xiàn)出任何收縮。在ー個(gè)彎曲率測(cè)試中，傳統(tǒng)的引線(xiàn)框架表現(xiàn)出約200ppm的彎曲率，而引線(xiàn)框架20未表現(xiàn)出任何彎曲。在ー個(gè)溢膠測(cè)試中，使用傳統(tǒng)引線(xiàn)框架的封裝表現(xiàn)出約540ppm的溢膠，使用引線(xiàn)框架20的封裝表現(xiàn)出約120ppm的溢膠。引線(xiàn)框架20可以由銅、鎳合金或者任何其他適合的材料制成，并且可以使用制造引線(xiàn)框架的エ業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法，例如沖壓、刻蝕，或者任何其他適合的方法制造。在一個(gè)例子中，引線(xiàn)框架20通過(guò)沖壓形成。具體地，在ー個(gè)或更多沖壓步驟中，從金屬板上去除ー些材料以限定由多個(gè)連接元件25互連的芯片焊盤(pán)21，并且該多個(gè)芯片焊盤(pán)21可以保持為與該多個(gè)連接元件25 —體。與該多個(gè)芯片焊盤(pán)21和該多個(gè)連接元件25 —起形成多個(gè)引線(xiàn)23也是可行的。在另ー個(gè)例子中，引線(xiàn)框架20通過(guò)刻蝕形成。具體地，根據(jù)圖I示出的預(yù)期的圖樣，使用光刻膠選擇性地覆蓋金屬板，之后使其與化學(xué)刻蝕劑接觸，該化學(xué)刻蝕劑去除沒(méi)有被光刻膠覆蓋的區(qū)域。結(jié)果是，該多個(gè)芯片焊盤(pán)21、多個(gè)引線(xiàn)23和多個(gè)連接元件25—體地形成。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，此處描述的引線(xiàn)框架不限于圖I示出的結(jié)構(gòu)。根據(jù)所要封裝的晶體管的類(lèi)型、集成電路、或者其他器件，多個(gè)芯片焊盤(pán)21的每個(gè)可以對(duì)應(yīng)兩個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、七個(gè)或者其他數(shù)目的引線(xiàn)23。此外，多個(gè)連接元件25可以具有不同的形狀，例如，條形、多邊形、等。仍參考圖I，可選地，引線(xiàn)框架20還包括條狀元件26，其連接到第二多個(gè)引線(xiàn)23從而便于對(duì)引線(xiàn)框架20執(zhí)行操作。圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的ー個(gè)方面的引線(xiàn)框架的另ー個(gè)實(shí)施例。引線(xiàn)框架30包括固定芯片的第一多個(gè)芯片焊盤(pán)31，從該第一多個(gè)芯片焊盤(pán)31延伸的第二多個(gè)引線(xiàn)33，以及第三多個(gè)連接元件35，該第三多個(gè)連接元件35的每個(gè)將該第一多個(gè)芯片焊盤(pán)31的一個(gè)連接到另ー個(gè)。引線(xiàn)框架30與引線(xiàn)框架20的不同之處在干，芯片焊盤(pán)31的每個(gè)包括位于相對(duì)第二多個(gè)引線(xiàn)33的一端的凸出部32，其可以由金屬制成并且可以固定到散熱設(shè)備。連接元件35在各個(gè)凸出部分32將ー個(gè)芯片焊盤(pán)31連接到另ー個(gè)芯片焊盤(pán)31。、[0021]引線(xiàn)框架30具有改進(jìn)的機(jī)械穩(wěn)定性。具體地，在例如將引線(xiàn)框架30從ー個(gè)設(shè)備轉(zhuǎn)移到另ー個(gè)設(shè)備的過(guò)程中，意外的外力可能被施加在芯片焊盤(pán)31上，由于芯片焊盤(pán)31經(jīng)由連接元件35被連接到鄰近的芯片焊盤(pán)上，該外力可以被轉(zhuǎn)移到該鄰近的芯片焊盤(pán)上。以此方式，芯片焊盤(pán)31對(duì)外力較不敏感。由于連接元件35，引線(xiàn)框架30還具有降低的熱收縮率和彎曲率。在ー個(gè)收縮率測(cè)試中，傳統(tǒng)的引線(xiàn)框架表現(xiàn)出大約40ppm的平均收縮率，而引線(xiàn)框架30未表現(xiàn)出任何收縮。在ー個(gè)彎曲率測(cè)試中，傳統(tǒng)的引線(xiàn)框架表現(xiàn)出約200ppm的彎曲率，而引線(xiàn)框架30未表現(xiàn)出任何彎曲。在ー個(gè)溢膠測(cè)試中，使用傳統(tǒng)引線(xiàn)框架的封裝表現(xiàn)出約540ppm的溢膠，使用引線(xiàn)框架30的封裝表現(xiàn)出約120ppm的溢膠。引線(xiàn)框架30可以由銅、鎳合金或者任何其他適合的材料制成，并且可以使用制造引線(xiàn)框架的エ業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法，例如沖壓、刻蝕，或者任何其他適合的方法制造。在一個(gè)例子中，引線(xiàn)框架30通過(guò)沖壓形成。具體地，在ー個(gè)或更多沖壓步驟中，從金屬板上去除ー些材料以限定由多個(gè)連接元件35互連的芯片焊盤(pán)31，并且該多個(gè)芯片焊盤(pán)31可以保持為與該多個(gè)連接元件35 —體。與該多個(gè)芯片焊盤(pán)31和該多個(gè)連接元件35 —起形成多個(gè)引線(xiàn)33也是可行的。在另ー個(gè)例子中，引線(xiàn)框架30通過(guò)刻蝕形成。具體地，根據(jù)圖2示出的預(yù)期的·圖樣，使用光刻膠選擇性地覆蓋金屬板，之后使其與化學(xué)刻蝕劑接觸，該化學(xué)刻蝕劑去除沒(méi)有被光刻膠覆蓋的區(qū)域。結(jié)果是，該多個(gè)芯片焊盤(pán)31、多個(gè)引線(xiàn)33和多個(gè)連接元件35—體地形成。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，此處描述的引線(xiàn)框架不限于圖2示出的結(jié)構(gòu)。根據(jù)所要封裝的晶體管的類(lèi)型、集成電路、或者其他器件，多個(gè)芯片焊盤(pán)31的每個(gè)可以對(duì)應(yīng)兩個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、七個(gè)或者其他數(shù)目的引線(xiàn)33。此外，多個(gè)連接元件35可以具有不同的形狀，例如，條形、多邊形、等。仍參考圖2，可選地，引線(xiàn)框架30還包括條狀元件36，其連接到第二多個(gè)引線(xiàn)33從而便于對(duì)引線(xiàn)框架30執(zhí)行操作。根據(jù)本實(shí)用新型的ー個(gè)方面，提供了一種用于分立封裝的引線(xiàn)框架，其包括此處所述的引線(xiàn)框架的實(shí)施例20或30。圖3示出了使用圖I所示的引線(xiàn)框架的示例性的方法的流程圖。以下參考引線(xiàn)框架20描述該方法的步驟。在步驟S41中，提供引線(xiàn)框架20。在步驟S42中，第一多個(gè)芯片被固定到引線(xiàn)框架20的第一多個(gè)芯片焊盤(pán)21。固定的方式可以是通過(guò)焊膏、軟焊料、或者銀膠，其在芯片被貼附之前施加到芯片焊盤(pán)21上，隨后是回流焊接過(guò)程或者環(huán)氧固化過(guò)程。在步驟S43中，例如鋁或者金的金屬線(xiàn)的一端被連接到第一多個(gè)芯片，另一端被連接到第一多個(gè)芯片焊盤(pán)21，從而在芯片和芯片焊盤(pán)之間形成電連接。在步驟S44中，使用例如樹(shù)脂和塑料的封裝材料塑封第一多個(gè)芯片。在步驟S45中，該第三多個(gè)連接元件25被切除，并且該塑封的芯片被分離和修整。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將容易地理解的是，材料和方法可以變化，同時(shí)仍然處于本實(shí)用新型的范圍之內(nèi)。還應(yīng)理解的是，除了用來(lái)示出實(shí)施方式的具體上下文之外，本實(shí)用新型提供了多種可應(yīng)用的創(chuàng)造性構(gòu)思。因此，所附權(quán)利要求意在將這些過(guò)程、機(jī)器、制品、組合物、裝置、方法或者步驟包括在其范圍之內(nèi) 。
權(quán)利要求1.引線(xiàn)框架，包括 第一多個(gè)芯片焊盤(pán)； 第二多個(gè)引線(xiàn)，從所述第一多個(gè)芯片焊盤(pán)延伸；以及 第三多個(gè)連接元件，所述第三多個(gè)連接元件的每個(gè)將所述第一多個(gè)芯片焊盤(pán)的一個(gè)連接到另一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述第三多個(gè)連接元件的每個(gè)連接兩個(gè)相鄰的芯片焊盤(pán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述第一多個(gè)芯片焊盤(pán)的每個(gè)包括 位于與所述第二多個(gè)引線(xiàn)相對(duì)的一端的凸出部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述第三多個(gè)連接元件的每個(gè)在所述凸出部將一個(gè)芯片焊盤(pán)連接到另一個(gè)芯片焊盤(pán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述第三多個(gè)連接元件的每個(gè)與所連接的兩個(gè)芯片焊盤(pán)是一體的。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的引線(xiàn)框架，其特征在于，所述引線(xiàn)框架還包括連接到所述第二多個(gè)引線(xiàn)的條狀元件。
7.一種用于分立封裝的引線(xiàn)框架，包括根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的引線(xiàn)框架。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及引線(xiàn)框架及用于分立封裝的引線(xiàn)框架。該引線(xiàn)框架包括第一多個(gè)芯片焊盤(pán)；第二多個(gè)引線(xiàn)，從所述第一多個(gè)芯片焊盤(pán)延伸；以及第三多個(gè)連接元件，所述第三多個(gè)連接元件的每個(gè)將所述第一多個(gè)芯片焊盤(pán)的一個(gè)連接到另一個(gè)。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202423265SQ20112038365
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者P·瑪尼, 熊會(huì)軍 申請(qǐng)人:意法半導(dǎo)體制造(深圳)有限公司, 意法半導(dǎo)體股份有限公司