專利名稱：多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的引線框結(jié)構(gòu)主要有兩種 第一種采用金屬基板進(jìn)行化學(xué)蝕刻及電鍍后，在金屬基板的背面貼上ー層耐高溫的膠膜形成可以進(jìn)行封裝過程的引線框載體(如圖2所示)；第二種采用首先在金屬基板的背面進(jìn)行化學(xué)半蝕刻，再將前述已經(jīng)過化學(xué)半蝕刻的區(qū)域進(jìn)行塑封料的包封，之后將金屬基板的正面進(jìn)行內(nèi)引腳的化學(xué)蝕刻，完成后再進(jìn)行引線框內(nèi)引腳表面的電鍍，即完成引線框的制作(如圖4所示)。而上述兩種引線框在封裝過程中存在了以下不足點第一種I、此種的引線框架因背面必須要貼上ー層昂貴可抗高溫的膠膜，所以直接増加了高昂的成本；2、也因為此種的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的裝片エ藝只能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)，而完全不能采用共晶エ藝以及軟焊料的エ藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類就有較大的局限性；3、又因為此種的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的金屬線鍵合エ藝中，因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質(zhì)，所以造成了金屬線鍵合參數(shù)的不穩(wěn)定，嚴(yán)重的影響了金屬線鍵合的質(zhì)量及產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性；4、再因為此種的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑封エ藝過程，因為塑封時的注膠壓カ很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應(yīng)屬金屬腳是導(dǎo)電的型態(tài)因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖3所示)。第二種I、因為分別進(jìn)行了二次的蝕刻作業(yè)，所以多増加了エ序作業(yè)的成本；2、引線框的組成是金屬物質(zhì)加環(huán)氧樹脂物質(zhì)(塑封料)所以在高溫下容易因為不同物質(zhì)的膨脹與收縮應(yīng)カ的不相同，產(chǎn)生引線框翹曲問題；3、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝エ序中的裝置芯片的精準(zhǔn)度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；4、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝エ序中的金屬線鍵合的對位精度與弓I線框傳送過程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；5、因為引線框正面的內(nèi)引腳是采用蝕刻的技術(shù)，所以蝕刻內(nèi)引腳的腳寬必須大于lOOMffl，而內(nèi)引腳與內(nèi)引腳的間隙也必須大于lOOMffl，所以較難做到內(nèi)引腳的高密度能力。
發(fā)明內(nèi)容[0017]本實用新型的目的在于克服上述不足，提供ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產(chǎn)品種類廣，金屬線鍵合的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實現(xiàn)了內(nèi)引腳的高密度能力。 本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特點是它包括外基島、外引腳和外靜電釋放圈，所述外基島設(shè)置有多個，所述外引腳設(shè)置有ー圈，所述外靜電釋放圈設(shè)置于外基島與外引腳之間，所述外引腳正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳，所述外基島正面設(shè)置有芯片，所述芯片正面與內(nèi)引腳正面之間以及芯片正面與芯片正面之間用金屬線連接，所述內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間跨接有無源器件，所述內(nèi)引腳上部以及芯片、金屬線和無源器件外包封有塑封料，所述外引腳外圍的區(qū)域、外基島與外靜電釋放圈之間的區(qū)域、外靜電釋放圈與外引腳之間的區(qū)域以及外引腳與外引腳之間的區(qū)域均嵌置有填縫劑，且外基島、外引腳和外靜電釋放圈的背面露出填縫劑夕卜，在露出填縫劑外的外基島、外引腳和外靜電釋放圈的背面設(shè)置有錫球。所述外基島正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)基島，所述芯片設(shè)置于內(nèi)基島正面。所述外靜電釋放圈正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圏。所述第一金屬層可以采用鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層，或者其他類似結(jié)構(gòu)。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例，其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用，而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結(jié)合增高的作用，最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是I、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜，所以直接降低了高昂的成本；2、也因為此種引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的エ藝除了能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)外，還能采用共晶エ藝以及軟焊料的エ藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的種類較廣；3、又因為此種的引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，確保了金屬線鍵合參數(shù)的穩(wěn)定性，保證了金屬線鍵合的質(zhì)量和產(chǎn)品的可靠度的穩(wěn)定性；4、再因為此種的引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，因而在封裝的エ藝過程中完全不會造成引線框與膠膜之間滲入塑封料；5、由于正面采用了細(xì)線電鍍的方法，所以正面的引腳寬度最小可以達(dá)到25Mffl，以及內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間的距離最小達(dá)到25Mm，充分地體現(xiàn)出引線框內(nèi)引腳的高密度能力；6、由于應(yīng)用了正面內(nèi)引腳的電鍍方式與背面蝕刻技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳盡可能的延伸到基島的旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如此金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線);7、也因為金屬線的縮短使得芯片的信號輸出速度也大幅的增速(尤其存儲類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計算更為突出)，由于金屬線的長度變短了，所以在金屬線所存在的寄生電阻、寄生電容與寄生電感對信號的干擾也大幅度的降低；8、因運用了內(nèi)引腳的電鍍延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小；[0031 ] 9、因為將封裝后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降，由于材料用量的減少，也大幅度地減少了廢棄物等環(huán)保問題困擾。10、在塑封體貼片到PCB板上吋，因在塑封體引腳和基島的部位植入或涂布有錫球，塑封體背面與PCB板之間的間距變大，尤其是塑封體的內(nèi)圈引腳或是基島區(qū)域不會因熱風(fēng)吹不進(jìn)去而造成錫熔解困難的問題。11、如果塑封體貼片到PCB板上不是很好時，需要再進(jìn)行返エ重貼，由于錫膏處有足夠的高度，清潔劑容易清潔，焊上錫球后容易維修，如錫球沒焊好拿掉錫球后重新再焊ー個球即可。

圖I為本實用新型ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I的俯視圖。圖3為以往四面無引腳引線框背面貼上耐高溫膠膜的示意圖。圖4為以往背面貼上耐高溫膠膜的四面無引腳引線框封裝時溢料的示意圖。圖5為以往預(yù)包封雙面蝕刻引線框的結(jié)構(gòu)示意圖。其中外基島I外引腳2外靜電釋放圈3內(nèi)基島3內(nèi)引腳4內(nèi)靜電釋放圈6芯片I金屬線8塑封料9導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10錫球11填縫劑12無源器件13。
具體實施方式
參見圖1，本實用新型ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，它包括外基島I、外引腳2和外靜電釋放圈3，所述外基島I設(shè)置有多個，所述外引腳2設(shè)置有ー圈，所述外靜電釋放圈3設(shè)置于外基島I與外引腳2之間，所述外基島I正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)基島4，所述外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳5，所述外靜電釋放圈3正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈6，所述內(nèi)基島4、內(nèi)引腳5和內(nèi)靜電釋放圈6統(tǒng)稱第一金屬層，所述內(nèi)基島4正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10設(shè)置有芯片7，所述芯片7正面與內(nèi)引腳5正面之間以及芯片7正面與芯片7正面之間用金屬線8連接，所述內(nèi)引腳5與內(nèi)引腳5之間通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10跨接有無源器件13，所述內(nèi)基島4、內(nèi)引腳5和內(nèi)靜電釋放圈6上部以及芯片7、金屬線8和無源器件13外包封有塑封料9，所述外引腳2外圍的區(qū)域、外基島I與外靜電釋放圈3之間的區(qū)域、外靜電釋放圈3與外引腳2之間的區(qū)域以及外引腳2與外引腳2之間的區(qū)域均嵌置有填縫劑12，且外基島I、外引腳2和外靜電釋放圈3的背面露出填縫劑12タト，在露出填縫劑12外的外基島I、外引腳2和外靜電釋放圈3的背面設(shè)置有錫球11。
所述外基島I正面可不通過多層電鍍方式形成內(nèi)基島4，所述外靜電釋放圈3正面也可不通過多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈6，若外基島I正面不形成內(nèi)基島4，則此時芯片7直接通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10設(shè)置于外基島I的正面。
權(quán)利要求1.一種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括外基島(I)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)，所述外基島(I)設(shè)置有多個，所述外引腳(2)設(shè)置有一圈，所述外靜電釋放圈(3)設(shè)置于外基島(I)與外引腳(2)之間，所述外引腳(2)正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(5)，所述外基島(I)正面設(shè)置有芯片(7)，所述芯片(7)正面與內(nèi)引腳(5)正面之間以及芯片(7)正面與芯片(7)正面之間用金屬線(8)連接，所述內(nèi)引腳(5)與內(nèi)引腳(5)之間跨接有無源器件(13)，所述內(nèi)引腳(5)上部以及芯片(7)、金屬線(8)和無源器件(13)外包封有塑封料(9)，所述外引腳(2)外圍的區(qū)域、外基島(I)與外靜電釋放圈(3)之間的區(qū)域、外靜電釋放圈(3)與外引腳(2)之間的區(qū)域以及外引腳(2)與外引腳(2)之間的區(qū)域均嵌置有填縫劑(12)，且外基島(I)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)的背面露出填縫劑(12)外，在露出填縫劑(12)外的外基島(I)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)的背面設(shè)置有錫球(11)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述外基島(I)正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)基島(4)，所述芯片(7)設(shè) 置于內(nèi)基島(4)正面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述外靜電釋放圈(3)正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈(6)0
專利摘要本實用新型涉及一種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無源器件球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)，它包括外基島(1)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)，所述外基島(1)設(shè)置有多個，所述外引腳(2)設(shè)置有一圈，所述外引腳(2)正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(5)，所述內(nèi)基島(4)正面設(shè)置有芯片(7)，所述內(nèi)引腳(5)與內(nèi)引腳(5)之間跨接有無源器件(13)，所述外基島(1)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)的背面設(shè)置有錫球(11)。本實用新型的有益效果是它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，金屬線鍵合的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實現(xiàn)了內(nèi)引腳的高密度能力。
文檔編號H01L23/60GK202394916SQ20112047388
公開日2012年8月22日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者吳昊, 梁志忠, 王新潮, 謝潔人 申請人:江蘇長電科技股份有限公司