專(zhuān)利名稱(chēng)：直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，尤指ー種直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在電信通信及電腦等消費(fèi)性電子產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展下，廣泛應(yīng)用于其上的電源供應(yīng)器及電源轉(zhuǎn)換器重要性也隨之增加，不僅在體積重量上要輕薄短小，在效能及使用壽命上也要更好更長(zhǎng)。目前的電源轉(zhuǎn)換器，主要包含兩個(gè)串聯(lián)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及ー個(gè)控制回路晶粒，大多設(shè)計(jì)將所有的元件平面鋪設(shè)在同一單芯片上或使用多個(gè)芯片組合但最后皆封裝于同一個(gè)封裝引線框架(Lead Frame,基底)上。如中國(guó)臺(tái)灣發(fā)明專(zhuān)利公開(kāi)第201030938號(hào)，披露ー種電壓轉(zhuǎn)換器，包含ー個(gè)具有可形成在單一晶粒引線框架上的一個(gè)高側(cè)的元 件以及ー個(gè)低側(cè)的元件的輸出電路。該高側(cè)的元件可包含ー個(gè)橫向擴(kuò)散的金屬氧化物半導(dǎo)體(Laterally diffused metal oxide semiconductor,簡(jiǎn)稱(chēng) LDMOS),而該低側(cè)的元件可包含一個(gè)平面垂直擴(kuò)散的金屬氧化物半導(dǎo)體(Vertical diffused metal oxidesemiconductor,簡(jiǎn)稱(chēng)VDM0S)。該電壓轉(zhuǎn)換器可進(jìn)ー步包含在ー個(gè)不同的晶粒上的一個(gè)控制器電路，其可電耦接至該功率晶粒并且與該功率晶粒共同封裝。在中國(guó)臺(tái)灣新型專(zhuān)利公告第520107號(hào)中，則披露一種單相降壓型直流電源轉(zhuǎn)換器整合式封裝構(gòu)造，其中該電源轉(zhuǎn)換器包括有穩(wěn)壓用兩個(gè)串聯(lián)的垂直式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管；其中，連接于各這些晶體管漏極的各導(dǎo)線架的多個(gè)漏極接腳，是以各該導(dǎo)線架的金屬導(dǎo)電基材采用內(nèi)部連結(jié)形成，而擴(kuò)大漏極在各該導(dǎo)線架上的漏極接腳區(qū)域。并且，以連接于其中之一晶體管源極導(dǎo)線架接腳的金屬導(dǎo)電基材，采用內(nèi)部連結(jié)串接另ー導(dǎo)線架上用于連接另一晶體管漏極的擴(kuò)大漏極接腳區(qū)域。如此，不但使功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管提升散熱效果，降低焊接接腳阻抗值，還可省略晶體管間串接，及部分導(dǎo)線架與外部接腳連結(jié)的金屬線。然而，上述將兩個(gè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管以平面式鋪設(shè)的技術(shù)，使得該電壓(或電源)轉(zhuǎn)換器的面積無(wú)法有效的縮減，進(jìn)而無(wú)法減少晶粒底基的使用，應(yīng)用于較小的模塊板降低生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于解決已知的電源轉(zhuǎn)換器無(wú)法有效縮減元件面積、降低生產(chǎn)成本的問(wèn)題。經(jīng)由以上可知，為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供ー種直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包含有一封裝引線框架、ー控制回路元件、一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該控制回路元件設(shè)置于該封裝引線框架上，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置于該封裝引線框架上，并與該控制回路元件電性連接，而該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管堆疊于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管遠(yuǎn)離該封裝引線框架的ー側(cè)，并與該控制回路元件電性連接。進(jìn)ー步地，第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為一水平式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。進(jìn)ー步地，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為ー垂直式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。進(jìn)ー步地，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管串聯(lián)。 進(jìn)ー步地，第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及第ニ金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管均為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。進(jìn)ー步地，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有一與第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相鄰的第二底部及一位于第二底部的第二漏極，第二漏極與第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有的一第一源極電性連接。進(jìn)ー步地，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有ー遠(yuǎn)離第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二頂部及一位于第二頂部的第二源極，第二源極接地。進(jìn)ー步地，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有一與控制回路元件電性連接的第二柵極。進(jìn)ー步地，第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。進(jìn)ー步地，第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。進(jìn)ー步地，第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間由ー導(dǎo)電膠連接。如此ー來(lái)，本實(shí)用新型通過(guò)該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管堆疊于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管上方，至少具有下列優(yōu)點(diǎn)一、有效縮減該封裝引線框架的使用面積，進(jìn)而縮小該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的尺寸，使該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器可應(yīng)用于更小的模塊板上。ニ、降低該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的生產(chǎn)成本。三、可下降該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的阻抗并提升效率。

圖I為本實(shí)用新型一實(shí)施例用于壓降電路的示意圖。圖2A為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的等效電路示意圖。圖2B為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2C為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖3A為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的等效電路示意圖。圖3B為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3C為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
[0029]有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合圖式說(shuō)明如下請(qǐng)參閱圖I所示，為本實(shí)用新型一實(shí)施例用于壓降電路的示意圖，本實(shí)用新型為ー種直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器I的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，此種直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器I通常應(yīng)用于如圖I所示的壓降電路中。請(qǐng)搭配參閱圖2A所示，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的等效電路示意圖，在此實(shí)施例中，該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器I包含有ー控制回路元件20、一與該控制回路元件20電性連接的第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30 (MOSFET)、以及一與該控制回路元件20電性連接的第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40 (MOSFET)，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30與該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40皆為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，且該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30與該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40串聯(lián)，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30還與一外部電源V。的正極電性連接。再請(qǐng)搭配參閱圖2B及圖2C所示，圖2B為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)示意圖，圖2C為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器I的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含有一封裝引線框架10(Lead Frame)、該控制回路元件20、該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30及該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40。該封裝引線框架10周?chē)g隔設(shè)置多個(gè)導(dǎo)接墊11，在此實(shí)施例中，該導(dǎo)接墊11包含一第一導(dǎo)接墊111a、一第二導(dǎo)接墊111b、一第三導(dǎo)接墊111c、一第四導(dǎo)接墊llld、一第五導(dǎo)接墊llle、一第六導(dǎo)接墊lllf、一第七導(dǎo)接墊lllg、一第八導(dǎo)接墊Illh共八個(gè)。該控制回路元件20連同該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30設(shè)計(jì)為一個(gè)單芯片而設(shè)置于該封裝引線框架10上，在此實(shí)施例中該控制回路元件20及該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30與該封裝引線框架10之間經(jīng)由ー黏結(jié)材料黏貼固定，該控制回路元件20及該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30并通過(guò)多個(gè)導(dǎo)線50各與該導(dǎo)接墊11電性連接，該導(dǎo)線50與該導(dǎo)接墊11可依實(shí)際需求增減之。該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30與該控制回路元件20位于同一平面上相鄰且電性連接，在此實(shí)施例中，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30與該控制回路元件20為以ー金屬層電性連接，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30為ー水平式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包含有一第一柵極31、一第一漏極32以及ー第一源極33，該第一柵極31、該第一漏極32及該第一源極33皆位于同一水平面上，該第一柵極31及該第一漏極32與該控制回路元件20以ー金屬層電性連接，該第一漏極32還通過(guò)該導(dǎo)線50電性連接至該第一導(dǎo)接墊11 Ia上,進(jìn)而與該外部電源V。的正極電性連接,該第一源極33位于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30遠(yuǎn)離該封裝引線框架10的一第一頂部34，通過(guò)該導(dǎo)線50電性連接至該第六導(dǎo)接墊Illf上。該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40以ー導(dǎo)電膠黏結(jié)堆疊于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30的該第一頂部34，在此該導(dǎo)電膠為ー銀膠，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40具有一第二頂部44及一相對(duì)該第二頂部44的第二底部45，該第ニ頂部44遠(yuǎn)離該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30，該第二底部45與該第一頂部34相鄰，在此實(shí)施例中，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40為ー垂直式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包含有一第二柵極41、一第二源極43以及ー第二漏極42，該第二柵極41位于該第二頂部44，經(jīng)由該導(dǎo)線50與該控制回路元件20電性連接，該第二源極43同樣位于該第二頂部44，經(jīng)由該導(dǎo)線50與該第二導(dǎo)接墊Illb電性連接，并進(jìn)ー步與該外部電源Vc電性連接(在此為接地)，而該第二漏極42則位于該第二底部45，經(jīng)由涂布于該第一頂部34及該第二底部45之間的該導(dǎo)電膠，與該第一源極33電性連接。請(qǐng)搭配參閱圖I及圖3A所示，圖3A為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的等效電路示意圖，在此實(shí)施例中，與第一實(shí)施例相較之下，其特征在于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該第一柵極31與該控制回路元件20電性連接，該第一漏極32與該第二漏極42電性連接，該第一源極33電性連接至該外部電源V。的正扱，該第二柵極41與該控制回路元件20電性連接，而該第二源極43則電性連接至該外部電源Vc而接地。 請(qǐng)搭配參閱圖3B及圖3C所示，圖3B為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)示意圖，圖3C為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，在此要說(shuō)明的是，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30為水平式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40為垂直式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，堆疊于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30之上，并為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。另外，要補(bǔ)充說(shuō)明的是，該第二實(shí)施例中的該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30也可為N型金屬氧化物半場(chǎng)效場(chǎng)晶體管，而該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40則改為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并同樣使為垂直式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管40堆疊于為水平式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管30之上。綜上所述，由于本實(shí)用新型通過(guò)該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管堆疊于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管之上，有效縮減該封裝引線框架的使用面積，進(jìn)而縮小該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的尺寸，不僅降低該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的生產(chǎn)成本，還使該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器可應(yīng)用于更小的模塊板上，再者，本實(shí)用新型將該垂直式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與該水平式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管堆疊串聯(lián)，與已知使用兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管平面式的串聯(lián)架構(gòu)相比，使兩個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間不需另以金屬線連接，進(jìn)ー步降低該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器整體的導(dǎo)通電阻，且垂直式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻比水平式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管小超過(guò)一倍以上，固可大幅提升該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的效能。以上已將本實(shí)用新型做一詳細(xì)說(shuō)明，然而以上所述者，僅為本實(shí)用新型的ー優(yōu)選實(shí)施例而已，當(dāng)不能限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍。即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)范圍所作的均等變化與修飾等，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型的專(zhuān)利涵蓋范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含有 一封裝引線框架； ー控制回路元件，所述控制回路元件設(shè)置于所述封裝引線框架上； 一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置于所述封裝引線框架上，并與所述控制回路元件電性連接；以及 一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管堆疊于所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的遠(yuǎn)離所述封裝引線框架的ー側(cè)，并與所述控制回路元件電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為一水平式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為ー垂直式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管串聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管均為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有一與所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相鄰的第二底部及一位于所述第二底部的第二漏極，所述第二漏極與所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有的一第一源極電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有ー遠(yuǎn)離所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二頂部及一位于所述第二頂部的第二源極，所述第二源極接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有一與所述控制回路元件電性連接的第二柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間由ー導(dǎo)電膠連接。
專(zhuān)利摘要一種直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包含有一封裝引線框架、一控制回路元件、一第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及一第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該控制回路元件與該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相鄰的設(shè)置于該封裝引線框架上，并彼此之間電性連接，而該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管堆疊于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管遠(yuǎn)離該封裝引線框架的一側(cè)，并與該控制回路元件電性連接。據(jù)此，本實(shí)用新型通過(guò)該第二金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管堆疊于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管上方，有效縮減該封裝引線框架的使用面積，不僅降低該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器的生產(chǎn)成本，還使該直流電源降壓型轉(zhuǎn)換器可應(yīng)用于更小的模塊板上。
文檔編號(hào)H01L27/088GK202394975SQ201120520200
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月13日
發(fā)明者葉錦祥 申請(qǐng)人:久昌科技股份有限公司