專利名稱：焦平面陣列及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及焦平面陣列的制造，特別是使用傳感材料的轉移鍵合制造用在熱成像設備中的焦平面陣列。
背景技術：
成像設備的分辨率非常大地取決于在其焦平面陣列中提供的像素的數量。像素的數量又被焦平面陣列的尺寸限制。在現有焦平面陣列中，像素通常由從相對側延伸的腿支撐。然而，以這種方式布置的腿占據焦平面陣列內的有價值的空間，這限制了可用的傳感材料的量，并因此限制了成像設備的性能。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的是提供焦平面陣列，其中有源傳感區(qū)域被最大化。根據本發(fā)明，提供了形成包括一個或多個像素的焦平面陣列的方法，焦平面陣列通過下列步驟來制造形成具有設置在表面上的傳感材料的第一晶片，所述表面由第一犧牲層覆蓋，所述傳感材料限定第一晶片上的一個或多個像素；為第一犧牲層內的所述一個或多個像素中的每一個提供支撐腿，使用另一犧牲層覆蓋它們，并為在犧牲層的表面中的所述一個或多個像素中的每一個形成與相應的支撐腿接觸的第一傳導部分；形成具有讀出集成電路(ROIC)的第二晶片，第二晶片由第二犧牲層覆蓋，在第二犧牲層內有為所述一個或多個像素的每一個形成的與ROIC接觸的第二傳導部分；將第一晶片和第二晶片的犧牲層放到一起，使得所述一個或多個像素的每一個的第一和第二傳導部分對齊，并將它們鍵合在一起，使得當第一晶片的犧牲體層被移除時，傳感材料從第一晶片轉移到第二晶片；以及移除犧牲層，以釋放所述至少一個像素，其中每個支撐腿是與像素和ROIC都直接物理接觸的單個部件，以提供其間的電連接，并被布置成完全在它們被提供給的像素的傳感材料之下。支撐腿是獨立的，并充當機械支撐物，以使像素與ROIC襯底分離，同時由于腿被布置成完全在焦平面陣列中的每個像素的傳感材料之下，而確保有源傳感區(qū)域被最大化。腿也提供每個像素到位于焦平面陣列之下的ROIC的電連接。因為像素腿不占據像素的側面的任何空間，所以與具有在側面處有腿的常規(guī)像素的陣列中可獲得的區(qū)域比較時，有源傳感材料在陣列中的總區(qū)域可被最大化。此外，根據本發(fā)明的方法制造的焦平面陣列是二級結構，其通過晶片鍵合的使用來實現。除了最大化可用的有源傳感區(qū)域以外，本發(fā)明還提供了使多個真空封裝的焦平面陣列能夠同時在單個ROIC襯底上以晶片級形成的制造方法，該襯底可隨后被切成小方塊，以提供單獨的焦平面陣列。傳感材料到ROIC上的晶片級轉移允許高性能晶體材料的利用，所述晶體材料以前由于所需要的層狀結構而未被使用。根據本發(fā)明的方法，可實現具有在7到14μπι波長區(qū)中的峰值響應率的高性能焦平面陣列。陣列分辨率一般在四分之一 VGA到全VGA的范圍內，但不限于這個范圍。對這個波長的像素間距一般在13到40 μ m的范圍內。


現在將參考附圖描述本發(fā)明的例子，在附圖中圖I是根據本發(fā)明的例子的焦平面陣列(FPA)的平面圖；
圖2是穿過截面A-A截取的圖I的焦平面陣列的像素的示意性表示；圖3是穿過B-B截取的穿過密封在圖I的焦平面內的像素的截面圖的表示；圖4示出用于在熱敏電阻材料的轉移鍵合之前形成紅外(IR)晶片的步驟；圖5示出用于在紅外(IR)晶片上形成第一傳導部分的步驟；圖6示出用于在熱敏電阻材料的轉移鍵合之前制備具有第二傳導部分的預先制造的讀出集成電路(ROIC)晶片的步驟；圖7是在IR晶片被鍵合到ROIC晶片之后的像素的截面圖；圖8示出用于在熱敏電阻材料從IR晶片轉移到ROIC晶片之后完成像素結構的過程步驟；圖9示出用于在ROIC晶片上形成鍵合框架的過程步驟；圖10是準備用于蓋晶片密封的所釋放的像素的截面圖；以及圖11示出用于形成用于密封焦平面陣列的蓋晶片的步驟。
具體實施例方式圖I示出在密封之前根據本發(fā)明的焦平面陣列(FPA) I的平面圖，FPA包括布置在陣列中的多個像素2。本例的焦平面陣列I適合于熱成像設備，因此每個像素2是包括傳感材料3的測輻射熱儀像素，其在本例中由被構造為例如Si和SiGe的層堆棧的熱敏電阻組成，該層堆棧具有接觸和緩沖層，如將在下面詳細描述的。在該材料具有強的溫度相關電阻率的基礎上選擇熱敏電阻3的材料。在層中吸收的能量產生熱，導致在熱敏電阻3的電阻中的可測量的變化。紅外(IR)波6的吸收通過位于熱敏電阻3的上表面上的吸收層4在離反射層5的波長優(yōu)化距離處的引入而被增強，反射層5被沉積在熱敏電阻3的反面上，如圖2所示。一旦FPA I形成，如將在下面描述的，蓋晶片10就被密封在FPA I上方的真空中，因而從像素2到周圍環(huán)境的傳熱低。鍵合框架11被設置在FPA I周圍，以使蓋晶片10密封到上面。在FPA I的外邊緣周圍布置的像素2被熱致短路或“遮蔽”參考像素。此外，FPA也可包含溫度傳感器和真空級傳感器。來自像素2的模擬信號由設置在ROIC晶片9上的讀出集成電路(ROIC)轉換成數字格式，且這個信息用于顯示圖像。圖2示出圖I中的FPA的截面(A-A)的示意性表示，其示出了通過本發(fā)明的方法形成的一般像素2的基本結構。特別是，可以看出每個像素2如何通過設置在像素2之下的獨立支撐腿7與ROIC晶片9間隔開。這些腿7提供了充當對像素2的機械支撐以及提供了在像素2和位于它下面的在ROIC晶片9上的ROIC之間的電連接的雙重功能。像素腿7的材料和設計都選擇成確保從像素2到周圍環(huán)境的傳熱被最小化。圖3是在圖I中的截面(B-B)的示意性表示，其示出通過本發(fā)明的方法形成的所產生的像素2。在所有下面的附圖中，根據圖I的截面B-B來表示像素2，雖然應理解，像素2實際上被限定為兩半，如在圖2的表示中示出的。像素在整個溝槽16上被鏡像，溝槽16被蝕刻到IR晶片8中，如將在下面描述的。從圖3中可看到，用于支撐蓋晶片10的鍵合框架11的結構被設置到像素2的側面。有蓋的FPA I起初是三個單獨的晶片R0IC晶片9、包括熱敏電阻材料3的IR晶片12和蓋晶片10。IR晶片12和ROIC晶片9通過熱敏電阻材料3的轉移鍵合來接合，以形成像素2，接著使用適當的鍵合方法例如Cu-Sn鍵合由蓋晶片10將其密封，以將它鍵合到鍵合框架11?！OIC晶片9使用標準CMOS處理技術來預先制造，該技術是公知的，因此不進一步在這里描述。然而，在ROIC晶片9的頂表面13上示出不規(guī)則性，以說明可能從標準CMOS處理產生的一般頂表面的表面形貌。在本例中通過使用具有BOX層14和設備層的標準絕緣體上硅(SOI)晶片12來產生IR晶片8，所述設備層具有適合于在形成傳感材料3的層堆棧中的第一高摻雜p+Si層的厚度。當然，任何適當的載體可代替SOI晶片來使用。層的其余部分——包括所需的摻雜層一通過單晶Si和SiGe的外延生長來構造，以在未圖案化的SOI晶片的頂部上產生量子阱。這些量子阱層因而提供IR敏感的熱敏電阻材料3?？筛鶕阅苄枰獊硎褂脝蝹€或多個量子阱層。在IR晶片12中使用的熱敏電阻材料3優(yōu)選地基于在US 6292089中描述的材料概念，并由單晶Si和SiGe量子阱層組成。該熱敏電阻3的材料具有高溫電阻系數以及低噪聲特性，且完全與標準CMOS過程兼容。在量子阱層結構的兩側上使用高摻雜P+Si層(在IO19CnT3左右)，以向熱敏電阻3提供歐姆接觸。此外，未摻雜Si勢壘層必須存在于高摻雜P+Si層和量子阱層之間。SOI晶片及其形成在本領域中是公知的。在本發(fā)明的這個例子中，設置在SOI晶片12的BOX層14之上的所有層的總厚度應是波長優(yōu)化的，其對于本發(fā)明將理想地是大約O. 5到O. 7 μ m?，F在將參考單個像素2詳細描述本發(fā)明的制造過程，雖然應理解，可使用這個方法在陣列中同時形成多個像素。圖4示出用于處理IR晶片8以限定像素2并構造支撐腿7的步驟，如下所述。首先，IR晶片8被設置(a)，如上所述。薄膜金屬層例如AlSi或TiAl被沉積(b)以充當反射層5，反射層5也用于歐姆接觸。有效地將像素2分成兩半的溝槽16接著被蝕刻(c)穿過反射層5，并進入熱敏電阻3中。接著，通過蝕刻(d)穿過反射層5、熱敏電阻3和SOI晶片的BOX層14來界定像素2的區(qū)域。接著絕緣材料例如Al2O3的薄層優(yōu)選地通過原子層沉積(ALD)被沉積(e)，以形成第一電絕緣層17，使被蝕刻到熱敏電阻3中的溝渠16的垂直側壁絕緣。在此之后，通過例如等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)來沉積一層低溫氧化物18(f)，接著通過拋光來使其平面化。通過蝕刻(g)穿過第一低溫氧化物層18和它下面的絕緣層17來打開腿7的接觸窗口 19，且薄膜材料被沉積(h)并被圖案化，以形成像素的腿7.進一步低溫氧化物被沉積(i)在表面上，如以前一樣，并接著通過拋光而被平面化U)。如上所述，腿7的材料必須被選擇成提供足夠的機械強度以支撐像素2，確保良好的電連接，同時防止經由腿7在像素2和ROIC晶片9上的ROIC之間的熱傳導。該材料也必須經受得住犧牲氧化層的隨后蝕刻，以釋放像素2。腿7的適當材料的例子是非晶形TiAl。圖5示出IR晶片8的處理如何繼續(xù)形成第一傳導部分25，第一傳導部分25與腿7物理接觸，如下所述。首先，通過蝕刻穿過犧牲氧化層18打開腿7的接觸窗口 22(a)，且接著薄金屬層23例如TiW/Cu被沉積(b)在IR晶片的表面上。該金屬層23用作用于接下來的電鍍的籽晶和粘結劑，由此良好的導體材料24例如銅(Cu)被電鍍在IR晶片8的表面上。隨后，暴露在犧牲氧化層18的表面之上的任何傳導材料24通過拋光被移除(d)。因此，導體材料24只保留在接觸窗口 22中，形成與下面的腿7接觸的第一傳導部分25。此時，IR晶片8準備被鍵合到ROIC晶片9。

圖6示出用于制備用于鍵合的預先制造的ROIC晶片的步驟。首先，例如Al2O3的薄絕緣層26優(yōu)選地通過原子層沉積(ALD)被沉積在ROIC晶片9的表面上(b)。該絕緣層26將被用作蝕刻阻擋層來阻擋在隨后階段使用的氣相HF，以釋放像素2。然而，該絕緣層26需要從金屬ROIC襯墊21移除，且因此它通過光刻術被圖案化并被蝕刻。蝕刻應在下面的金屬ROIC襯墊21處停止，但選擇性一般在這個步驟不是關鍵的(通常使用的ROIC襯墊材料是 AlSi、AlCu 或 AlSiCuX在上面的過程步驟之后，低溫氧化物層27使用例如等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)被沉積(c)在ROIC晶片9上，并接著被拋光以使其平面化。類似于在IR晶片上的第一傳導部分的形成，接著通過蝕刻穿過氧化物層27打開到ROIC襯墊21的接觸窗口 28(d)。類似于設置在IR晶片8上的金屬層23的薄金屬層29接著被沉積在ROIC晶片9的表面上。隨后，在犧牲氧化物層27的表面上暴露的任何導體材料30通過拋光被移除之前，良好的導體材料30例如銅(Cu)被電鍍在ROIC晶片9的整個表面上。因此，導體材料30只保留在以前蝕刻的接觸窗口 28中，形成與ROIC晶片9的下面的金屬ROIC襯墊21接觸的第二傳導部分31。此時，ROIC晶片9準備被鍵合到IR晶片8?？蛇x的過程是首先通過使用例如PECVD沉積具有比晶片表面13的表面形貌更大的厚度的低溫氧化物來平面化ROIC晶片9的表面。該氧化物層被拋光，以在接觸孔蝕穿它，直到ROIC金屬襯墊21之前使其平面化。隨后，金屬層可被沉積并圖案化，以在ROIC金屬襯墊21的頂部上創(chuàng)建第二傳導部分31，且上述方法的步驟(b)到(g)接著發(fā)生。在這個可選的過程中，絕緣層26被沉積在平面化的表面上，而不是具有表面不規(guī)則13的表面上。另一可選的過程是記錄該過程，使得在步驟(b)中絕緣層的圖案結構替代地與步驟(d)組合，在(c)之后，作為雙蝕刻過程，使得ALD層的圖案可在接觸窗口被打開之后完成。圖7示出通過使用轉移鍵合過程接合在一起的IR晶片8和ROIC晶片9，在此期間，兩個晶片8、9被鍵合在一起，且IR敏感的熱敏電阻層3和反射層5被轉移到ROIC晶片。在這兩個晶片8、9 (由虛線示出)之間的鍵合界面由SiO2和第一傳導部分25的傳導材料24和第二傳導部分31的傳導材料30組成，該材料在本例中是Cu。晶片鍵合可因此是熱壓縮金屬鍵合和在低于400° C的溫度處執(zhí)行的氧化物-氧化物鍵合。然而，當氧化物18、27以后在像素2的釋放期間在轉移鍵合過程之后被移除時，在鍵合界面中形成的所產生的傳導接觸塞子20之間是金屬鍵合，該鍵合界面對像素2起作用是必不可少的。雖然不是必須的，但至少部分地鍵合氧化物層18、27可能仍然是有利的，理由如下。首先，氧化物-氧化物鍵合在室溫開始，將晶片8、9保持在一起，同時溫度斜升，用于熱壓縮鍵合。這確保這兩個晶片8、9之間的對齊保持在與在室溫得到的相同水平處。其次，在所產生的傳導接觸塞子20中的鍵合金屬25、31的區(qū)域很小，且不必一定提供足夠的強度來經受得住在隨后的研磨期間增強的剪切力，以移除犧牲的IR晶片8。可選的過程可分別用于傳導部分25和31以及IR晶片和ROIC的晶片鍵合界面的形成，這也落在本發(fā)明的范圍內。在這個備選方案中，金屬部分25和31的金屬沉積和圖案化被首先執(zhí)行。氧化物層接著被沉積，并接著被拋光以使其平面化，使得暴露在金屬部分的表面上的任何氧化物材料被移除。在這種情況下，鍵合界面構成SiO2的阱以及第一傳導部分25和第二傳導部分31的傳導材料的阱。
圖8示出在熱敏電阻材料的轉移鍵合之后完成像素2的制備過程的步驟，如下所述。用于創(chuàng)建IR晶片8的原始載體晶片12的犧牲處理層15優(yōu)選地通過研磨和/或蝕刻而被移除，隨后移除絕緣層17。原始SOI晶片12的BOX氧化物層14接著被移除(C)。最后，薄膜材料被沉積，例如MoSi2或TiAl，以充當電磁頻譜在7-14 μ m范圍內的吸收層4。吸收層4接著被圖案化。圖9示出在ROIC晶片9上形成的鍵合框架11，所述鍵合框架11被布置成環(huán)繞焦平面陣列I的周圍，以使它準備由蓋晶片10進行封裝。鍵合框架11以如下過程形成。首先，保護氧化物層32被沉積并圖案化(a)，使得它覆蓋像素2的區(qū)域，以保護它們免受接下來的金屬層34的沉積(如下將解釋的)。接著，接觸窗口 33被蝕刻(b)穿過氧化物層32，直到絕緣層26，絕緣層以前在其制備期間被沉積在ROIC晶片9上。薄金屬層34接著被沉積(c)在ROIC晶片9的表面上，類似于分別在IR晶片8和ROIC晶片9的制備期間沉積在IR晶片8和ROIC晶片9上的金屬層23、29。隨后，在形成鍵合框架的適當的材料36、37例如Cu和Sn被電鍍(d)到接觸窗口33內的ROIC晶片9的表面上，以形成鍵合框架11之前，厚電鍍抗蝕劑35被沉積和圖案化。最后，電鍍抗蝕劑35和暴露的金屬層34被移除(e)，留下鍵合框架11準備接納蓋晶片10。在限定像素2中的最后步驟是移除犧牲氧化物層18、27，以釋放像素2，如圖11所示。優(yōu)選地使用無水氣相HF移除犧牲氧化物層18、27，無水氣相HF與所有暴露的材料兼容。在釋放像素2之后，FPAl準備進行蓋鍵合。假定在蓋鍵合的時刻像素2已被釋放，由于FPAl的易碎性，不允許晶片的濕化學處理。圖11示出形成蓋晶片10的步驟，所述蓋晶片10用于在真空下封裝FPA1，以減小遠離像素2的傳熱。需要用于焦平面陣列I的密封真空封裝的蓋晶片10來傳輸入射IR波。Si和Ge都展示在所關注的波長范圍內的高透光率，且因此都適合于這個目的。然而，Ge的熱膨脹系數與Si的熱膨脹系數相比更高，這將導致在所鍵合的材料中引起高熱殘余應力，因此Si是優(yōu)選的選擇。選擇蓋晶片10的厚度是在最小化吸收的需要和在處理期間的安全操作之間的折衷，在最小化吸收中，晶片越薄越好。蓋晶片10可以如下步驟形成。首先，腔36被蝕刻(a)到蓋晶片中，這由于很多原因而完成，例如適應焦平面陣列的功能所需的不同薄膜，如下所述；處理由大氣壓力從蓋的頂側壓迫而產生的蓋晶片的彎曲；以及提供在線鍵合襯墊之上的足夠距離，這些鍵合襯墊設置在密封蓋(未示出)外部，以為了釋放這些襯墊而允許隨后被鋸開。抗反射涂層37接著沉積(b)在蓋晶片10的一側或兩側上，以最小化IR輻射的反射。在所示例子中，涂層37被沉積在蓋晶片10的兩側上。長波通帶(LWP)濾波器也可設置在蓋晶片10的表面上，優(yōu)選地作為抗反射涂層37的部分，以阻擋短波長并防止通過直接暴露于陽光而加熱像素2。理論上僅在蓋晶片10的外部頂表面上需要LWP濾波器。然而，在蓋晶片10的兩側上的層中的差異可能引入相當大的應力，并因此使蓋晶片10彎曲。如果嚴重，這個彎曲將阻止蓋晶片10鍵合。LWP濾波器和抗反射涂層37因此都優(yōu)選地沉積在蓋晶片10的表面上。在蓋晶片10的下側上，涂層37和濾波器可被圖案化，使得它從待鍵合的區(qū)域被移除。
接著，可選的圖案化薄膜非蒸發(fā)吸氣劑38例如通過蔭罩掩膜技術被沉積(C)，以將潛在的殘余氣體截留在鍵合腔內，并從而在FPA的整個壽命時間內確保所需的真空水平。在吸氣劑對IR輻射不是透明的情況下，吸氣劑38不應被放置在有源像素2上。因此，它位于盲參考像素和ROIC電子設備之上。類似于在ROIC晶片9上的鍵合框架11的形成，薄金屬層39例如TiW/Cu被沉積(d)在蓋晶片10的未蝕刻的凸出部分上，以在厚電鍍光致抗蝕劑40被沉積和圖案化(e)之前充當粘結劑和籽晶。最后，將形成鍵合框架的金屬層——在本例中是Cu和Sn或僅僅Cu——被電鍍(f)到蓋晶片10的表面上，以限定在蓋晶片上的鍵合框架41，這之后是光致抗蝕劑40和薄金屬層39的移除。如上所述，蓋晶片10在真空下通過將蓋晶片10上的鍵合框架41鍵合到設置在ROIC晶片9上的鍵合框架11來封裝焦平面陣列1，以密封焦平面陣列I內的像素2。雖然在上面的例子中討論了單獨的焦平面陣列I的制造，本發(fā)明的方法優(yōu)選地用于制造在單個ROIC晶片9上的多個焦平面陣列，其可接著在被切成多個單獨的焦平面陣列之前，使用適當的密封方法例如Cu-Sn鍵合(雖然其它方法例如Au-Sn鍵合同樣是可應用的)在晶片級被單個蓋晶片10封裝。本發(fā)明的方法因此在切成小方塊之前通過晶片級封裝實現設備的更有效和可靠的制造。
權利要求
1.一種形成包括一個或多個像素的焦平面陣列的方法，所述焦平面陣列通過下列步驟來制造 形成具有設置在表面上的傳感材料的第一晶片，所述表面由第一犧牲層覆蓋，所述傳感材料限定所述第一晶片上的一個或多個像素； 為所述第一犧牲層內的所述一個或多個像素中的每一個提供支撐腿，使用另一犧牲層覆蓋它們，并為在所述犧牲層的所述表面中的所述一個或多個像素中的每一個形成與相應的支撐腿接觸的第一傳導部分； 形成具有讀出集成電路ROIC的第二晶片，所述第二晶片由第二犧牲層覆蓋，在所述第二犧牲層內有為所述一個或多個像素中的每一個形成的與所述讀出集成電路ROIC接觸的第二傳導部分； 將所述第一晶片的犧牲層和所述第二晶片的犧牲層放到一起，使得所述一個或多個像素中的每一個的所述第一傳導部分和所述第二傳導部分對齊，并將它們鍵合在一起，使得當所述第一晶片的犧牲體層被移除時，所述傳感材料從所述第一晶片轉移到所述第二晶片；以及 移除所述犧牲層，以釋放所述一個或多個像素， 其中所述支撐腿中的每一個是與所述像素和所述ROIC都直接物理接觸的單個部件，以提供其間的電連接，并被布置成完全在它們被提供給的像素的所述傳感材料之下。
2.如權利要求I所述的方法，還包括在所述第一晶片的所述表面和設置在所述表面上的所述傳感材料之間設置反射層的步驟。
3.如權利要求I或2所述的方法，還包括在所述傳感材料的表面上設置吸收層的步驟。
4.如任一前述權利要求所述的方法，其中所述傳感材料是紅外(IR)敏感的。
5.如權利要求4所述的方法，其中所述傳感材料是熱敏電阻材料，而所述像素是測輻射熱儀像素。
6.如任一前述權利要求所述的方法，還包括封裝在蓋之下的至少一個像素的步驟，所述蓋被密封在所述焦平面陣列上。
7.如權利要求6所述的方法，還包括在所述第二晶片上形成至少一個鍵合構件的步驟，以使蓋被鍵合到所述鍵合構件。
8.如權利要求7所述的方法，其中多個焦平面陣列設置在所述第二晶片上，每個焦平面陣列由多個鍵合構件限定，其中所述多個焦平面陣列由單個蓋晶片密封，其后它們能夠被劃分成單獨的焦平面陣列。
9.一種熱成像設備，包括通過任一前述權利要求的方法制造的焦平面陣列。
10.一種用于焦平面陣列的像素，所述像素包括 反射層； 傳感層，其包括在所述反射層上形成的傳感材料；以及 支撐腿，其被連接到與所述傳感層相對側上的所述反射層，并被布置成在使用中支持晶片上的所述像素，所述支撐腿被布置成完全在所述傳感材料之下， 其中所述支撐腿是與所述像素和所述支撐晶片都直接物理接觸的單個部件，以提供所述像素和所述支撐腿之間的電連接。
11.如權利要求10所述的像素，其被布置為紅外探測器。
12.—種焦平面陣列，所述焦平面陣列由多個根據權利要求10或11所述的像素形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了形成具有至少一個像素(2)的焦平面陣列的方法，焦平面陣列通過下列步驟來制造形成具有設置在表面上的傳感材料(3)的第一晶片，該表面由第一犧牲層覆蓋，傳感材料是限定至少一個像素的電熱材料；為第一犧牲層內的至少一個像素中的每個提供支撐腿(7)，使用另一犧牲層覆蓋它們，并在犧牲層的表面中形成與支撐腿接觸的第一傳導部分；形成具有讀出集成電路(ROIC)的第二晶片(9)，第二晶片由第二犧牲層覆蓋，在第二犧牲層內形成有與ROIC接觸的第二傳導部分；將第一晶片和第二晶片的犧牲氧化層放到一起，使得第一和第二傳導部分對齊，并將它們鍵合在一起，使得當第一晶片的犧牲體層被移除時，傳感材料從第一晶片轉移到第二晶片；以及移除犧牲層，以釋放所述至少一個像素，使得支撐腿被布置在它下面。
文檔編號H01L27/146GK102893401SQ201180012001
公開日2013年1月23日 申請日期2011年3月1日 優(yōu)先權日2010年3月2日
發(fā)明者阿德里亞娜·勒珀達圖, 佐蒙德·基特爾斯蘭德 申請人:森松諾爾技術有限公司