專利名稱：發(fā)光元件的制造方法及用該方法制成的發(fā)光元件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件的制造方法及用該方法制成的發(fā)光元件。本申請基于2010年3月24日向日本國提出的專利申請“特愿2010-067959號”要求優(yōu)先權，并在此將其內容援引到本申請中。
背景技術：
近年來，由具有半導體層和發(fā)光層的化合物半導體層構成的發(fā)光元件得到實用化，開始應用于照明裝置等的用途上。作為這種發(fā)光元件，可以舉出藍色發(fā)光元件、紫外發(fā)光元件等的III族氮化物半導體。III族氮化物半導體與以往的III-V族化合物半導體相比，從可見光區(qū)域至紫外 光區(qū)域的廣大范圍內的發(fā)光效率優(yōu)良，并且在其它半導體特性方面也優(yōu)良，是有望在今后的LED領域中得到發(fā)展的半導體。該III族氮化物半導體是采用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)在基板上進行制作的，但是，由于晶格一致性的問題，只有藍寶石玻璃作為基板進行了實用化。以往，以該藍寶石玻璃作為基板的面向上方式或者倒裝片方式的發(fā)光元件，由于藍寶石玻璃非常硬，所以在進行單片化時需要先進的技術，或者，由于藍寶石玻璃的導熱性差，所以有時發(fā)生在III族氮化物半導體層中產生的熱的擴散性差的問題。鑒于如上所述的問題，已提出有如下工藝將形成于藍寶石玻璃上的III族氮化物半導體層，以固定層為介固定于支承基材上，并采用激光剝離工藝對藍寶石玻璃進行剝離(專利文獻I)。在采用上述工藝的情況下，當從支承基材上剝離III族氮化物半導體層時，固定層的殘渣會殘留于III族氮化物半導體層、支承基材上，因此，需要對該殘渣進行去除的清洗工序?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2009-54693號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的課題 本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光元件的制造方法，在該方法中當采用激光剝離工藝制作發(fā)光元件時，在III族氮化物半導體層和支承基材上難以留下固定樹脂層的殘渣。另外，本發(fā)明的目的還在于提供一種采用本發(fā)明制造方法所制成的可靠性高的發(fā)光元件。解決課題所用的方法本發(fā)明的上述目的能夠通過下列(I) (9)中所記載的技術方案來實現(xiàn)。(I) 一種發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，其包括在生長用基板上形成具有半導體層和發(fā)光層的化合物半導體層的第一工序；于前述化合物半導體層形成電極的第二工序；將在支承基材上形成有熱分解性固定樹脂層的帶有熱分解性固定樹脂層的支承基材的熱分解性固定樹脂層和前述化合物半導體層進行貼合的第三工序；從前述生長用基板的與形成有前述化合物半導體層的面相反一側的面照射激光，將前述生長用基板與前述化合物半導體層進行剝離的第四工序；通過使前述熱分解性固定樹脂層熱分解而將前述化合物半導體層從前述支承基材上剝離的第五工序；以及對所述化合物半導體層進行單片化的第六工序。(2)如(I)所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述半導體層是N型半導體層和P型半導體層。(3)如(I)或(2)所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述生長用基板是藍寶石玻
3 ο(4)如(I)至(3)中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述第五工序中使熱分解性固定樹脂層熱分解的溫度為50 500°C。 (5)如(I)至(4)中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述熱分解性固定樹脂層含有至少一種以上選自由聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚氨酯系樹脂、降冰片烯系樹脂所構成的組中的熱分解性樹脂成分。(6)如(I)至(5)中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述熱分解性樹脂成分是聚碳酸酯系樹脂；(7)如(I)至(6)中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述熱分解性固定樹脂層含有光產酸劑；(8)如(5)至(7)中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，前述聚碳酸酯系樹脂含有至少一種以上選自由碳酸丙烯酯、碳酸亞環(huán)己酯(cyclohexylene carbonate)、碳酸丁烯酯、降冰片基碳酸酯(norbonane carbonate)所構成的組中的結構單元；(9) 一種發(fā)光元件，其特征在于，其是采用(I)至(8)中任一項所述的制造方法來制成。發(fā)明效果基于本發(fā)明能夠提供一種發(fā)光元件的制造方法，在該方法中當采用激光剝離工藝制作發(fā)光元件時，在III族氮化物半導體層和支承基材上難以留下固定樹脂層的殘渣。另夕卜，基于本發(fā)明能夠提供可靠性高的發(fā)光元件。


圖I是表示本發(fā)明發(fā)光元件的實施方式之一的示意性縱向剖面圖。圖2是表示本發(fā)明發(fā)光元件的實施方式之一的示意性縱向剖面圖。圖3是表示本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法的實例之一的示意性縱向剖面圖。圖4是表示本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法的實例之一的示意性縱向剖面圖。圖5是表示本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法的實例之一的示意性縱向剖面圖。
具體實施例方式下面，基于附圖所示的優(yōu)選實施方式詳細說明本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法和本發(fā)明的發(fā)光兀件。圖I和圖2是表示采用本發(fā)明發(fā)光元件的制造方法所制造的發(fā)光元件的一個實例的縱剖面圖。此外，在下面的說明中，將圖I和圖2中的上側稱為“上”、下側稱為“下”。圖I所示的發(fā)光元件100，具有依次由P型半導體層20、發(fā)光層30、N型半導體層10進行層疊而成的化合物半導體層1，并在N型半導體層10之下以及在P型半導體層20之下分別形成有N型電極50和P型電極40。圖2所示的發(fā)光元件200，具有依次由P型半導體層20、發(fā)光層30、N型半導體層10進行層疊而成的化合物半導體層1，并在N型半導體層10之上以及在P型半導體層20之下分別形成有N型電極50和P型電極40。對前述N型半導體層10和P型半導體層20沒有特別限制，能夠使用GaN系單晶、GaP系單晶、GaAs系單晶等公知的半導體材料，但優(yōu)選在生長用基板(監(jiān)寶石玻璃基板等)表面上能夠容易地進行外延生長的GaN系單晶。作為前述發(fā)光層30所用的材料，并沒有特別限制，可以舉出InsGa1J (O < S< O. 3)等GaN系半導體(GaN類半導體)。另外，發(fā)光層30具有由禁帶寬度較寬的阻擋層 和禁帶寬度較窄的阱層所構成的量子阱層，前述量子阱層可以是單量子阱層(SQW)或者多量子阱層(MQW)。對前述阻擋層的厚度沒有特別限制，但優(yōu)選為5 15nm左右，對阱層的厚度而言，優(yōu)選為2 IOOnm左右。并且，對發(fā)光層30的總厚度沒有特別限制，但優(yōu)選為25 150nm左右。作為前述P型電極40所用的材料，并沒有特別限制，但可以舉出銅單質、銅-鎢合金等，優(yōu)選為導熱性優(yōu)良的銅單質。另外，前述P型電極40也可以具有種子層和阻擋層，作為前述種子層所用的材料可以舉出鈦等金屬，作為前述阻擋層所用的材料可以舉出鉭等金屬。對前述N型電極50沒有特別限制，但能夠使用由鉻、鋁、鈦、金等的薄膜進行層疊而成的N型電極，前述N型電極50能夠采用公知的濺射法、蒸鍍法進行制作。如圖I所示的發(fā)光元件100,例如，能夠通過如下所述地進行制造。《發(fā)光元件的制造》下面，使用圖3 圖5來說明作為第一實施方式的獲得發(fā)光元件100的發(fā)光元件的制造方法。另外，將圖3 圖5中的上側稱為“上”、下側稱為“下”。<第一實施方式>[第一工序](A-I)首先，如圖(3-a)所示，在生長用基板60上，依次層疊N型半導體層10、發(fā)光層30、P型半導體層20，形成化合物半導體層I。此時，基板60與N型半導體層10在晶格常數(shù)上存在顯著差異，因此優(yōu)選預先在基板60上形成具有介于基板60和N型半導體層10之間的晶格常數(shù)的緩沖層。由此，能夠提高N型半導體層的結晶性。作為前述緩沖層所用的材料，并沒有特別限制，但當使用藍寶石玻璃基板作為基板時，可以舉出AlN、AlGaN。作為前述N型半導體層10、發(fā)光層30、P型半導體層20的形成方法，并沒有特別限制，可以舉出濺射法、MOCVD (金屬有機化學氣相沉積法)、MBE (分子束外延法)、HVPE (氫化物氣相外延法)等，但優(yōu)選能夠控制膜厚的M0CVD。作為前述生長用基板60，并沒有特別限制，可以舉出藍寶石玻璃基板、GaAs基板、硅基板等，優(yōu)選使半導體層容易外延生長的藍寶石玻璃基板。(B-I)接著，如圖(3-b)所示，在化合物半導體層I中形成溝70以分區(qū)各發(fā)光元件。對形成前述溝70的方法，并沒有特別限制，但優(yōu)選采用蝕刻等通常的攝影(7 ^卜夕^ )技術來進行。[第二工序](C-I)接著，如圖(3-c)所示，在P型半導體層20上形成P型電極40。對前述P型電極40沒有特別限制，但優(yōu)選具有歐姆接觸層、反射層。前述P型電極40通過具有前述反射層而能夠將發(fā)光層30發(fā)出的光在光取出面上反射。
前述P型電極40，能夠通過具有歐姆接觸層來降低與P型半導體層20之間的接觸 電阻。作為前述歐姆接觸層所用的材料，并沒有特別限制，但優(yōu)選為鉬、釕、鋨、銠、銥、鈀等鉬族或者銀，更優(yōu)選為鉬、銥、銠或釕，特別優(yōu)選為鉬。為了穩(wěn)定地獲得低接觸電阻，優(yōu)選前述歐姆接觸層厚度在O. Inm以上、特別優(yōu)選在Inm以上。通過使歐姆接觸層厚度設在上述范圍能夠獲得與P型半導體層20之間的穩(wěn)定接觸電阻。作為前述反射層所用的材料，并沒有特別限制，但優(yōu)選為能夠確保良好反射率的金合金、銀合金。優(yōu)選前述反射層的厚度為O. I 300nm,特別優(yōu)選為I 200nm。通過使反射層厚度設在上述范圍能夠兼?zhèn)淞己玫姆瓷渎屎湍瓦w移性。(D-I)接著，如圖(3-d)所示，在N型半導體層10上形成N型電極50。對前述N型電極50沒有特別限制，但能夠在鉻、鈦、鋁等的基底金屬層上層疊金層來形成。由此，在不進行退火處理的情況下在N型電極50與N型半導體層10之間得到歐姆接觸。具體地，作為前述N型電極50的結構，例如，可以舉出鉻/鈦/金的三層結構、鈦/鋁/鈦/金的四層結構。[第三工序](E-I)接著，如圖(4-a)所示，準備支承基材80，并在支承基材80上形成熱分解性固定樹脂層90。對前述支承基材80沒有特別限制，只要具有支承化合物半導體層I的功能即可。作為前述支承基材80，例如，可以舉出玻璃、石英、硅、陶瓷、金屬、以及有機基板等，但優(yōu)選為光透過性優(yōu)良并通過對熱分解性固定樹脂層90進行曝光而能夠使熱分解性固定樹脂層90的熱分解溫度有效降低的玻璃、石英。對前述熱分解性固定樹脂層90沒有特別限制，在25°C下的液狀樹脂組合物或膜狀樹脂組合物即可，在25°C下的液狀樹脂組合物的情況下，能夠通過對支承基材80進行分配或旋涂而在支承基材80上形成熱分解性固定樹脂層90。另外，在25°C下的膜狀樹脂組合物的情況下，能夠通過對支承基材80進行層壓而在支承基材80上形成熱分解性固定樹脂層90。<熱分解性樹脂組合物>在此，針對構成熱分解性固定樹脂層90的熱分解性樹脂組合物進行說明。前述熱分解性的樹脂組合物，是以熱分解性樹脂成分作為必需成份，根據(jù)需要可以含有活化劑、增敏劑、抗氧化劑、溶劑等其它樹脂成分。優(yōu)選構成前述熱分解性樹脂組合物的熱分解性樹脂成分的50%重量減少溫度為50 500°C，特別優(yōu)選為100 400°C。通過使熱分解性樹脂組合物的熱分解溫度在上述范圍，能夠在具有耐加工性的同時防止發(fā)光元件的損傷。本發(fā)明中，所謂5%重量減少溫度、50%重量減少溫度、95%重量減少溫度，分別是指對熱分解性樹脂成分測定TG/DTA (熱重/差熱分析)時的重量失去5%、50%、95%的溫度。在此，TG/DTA測定能夠通過精確稱量約IOmg樹脂成分并采用TG/DTA裝置(日本精工株式會社制造)進行測定(環(huán)境為氮，升溫速度為5°C /分鐘)。作為前述熱分解性樹脂成分，并沒有特別限制，例如可以舉出聚碳酸酯系樹脂，聚酯系樹脂，聚酰胺系樹脂，聚酰亞胺系樹脂，聚醚系樹脂，聚氨酯系樹脂，降冰片烯系樹月旨，(甲基)丙烯酸酯系樹脂，聚乳酸樹脂等。在這些熱分解性樹脂成分中，優(yōu)選在發(fā)光元件制造工藝中能夠有效防止熱分解性固定樹脂層90的熱分解、并且在后述第五工序中能夠有效縮短熱分解性固定樹脂層90的熱分解時間的聚碳酸酯系樹脂、降冰片烯系樹脂、聚乳Ife樹.月旨。 當前述熱分解性樹脂成分是聚碳酸酯系樹脂時，優(yōu)選5%重量減少溫度中的分解時間為I分鐘以上且60分鐘以下。通過將分解溫度設在上述下限值以上，能夠抑制熱分解性固定樹脂層發(fā)生急劇熱分解，并且可采用排氣裝置排出熱分解的氣體，因此能夠防止發(fā)光元件和制作發(fā)光元件的設備發(fā)生污染。另外，通過設在上述上限值以下，能夠縮短第五工序需要的時間，因此能夠提高發(fā)光元件的生產效率。在此，前述熱分解時間能夠采用如下方法進行測定。首先，采用前述方法求出5%重量減少溫度，其次，使用TG/DTA裝置并精確稱量前述熱分解性樹脂成分約10mg，接著經過30分鐘從25°C升溫至5%重量減少溫度，進而將測定溫度保持在5%重量減少溫度并實施測定。根據(jù)所得到的測定值，將達到5%重量減少溫度的時間作為起始點(O分鐘)，并將達到95%重量減少溫度的時間作為前述分解時間。作為聚碳酸酯系樹脂，并沒有特別限制，例如，可以舉出具有下列碳酸酯以及它們的組合的骨架的聚碳酸酯系樹脂碳酸丙烯酯、碳酸乙烯酯、1，2-碳酸丁烯酯、1，3-碳酸丁烯酯、1，4-碳酸丁烯酯、順式-2，3-碳酸丁烯酯、反式-2，3-碳酸丁烯酯、α，β -碳酸異丁烯酯、α，Y-碳酸異丁烯酯、順式-1，2-碳酸環(huán)丁烯酯、反式-1，2-碳酸環(huán)丁烯酯、順式-1，3-碳酸環(huán)丁烯酯、反式-1，3-碳酸環(huán)丁烯酯、碳酸己烯酯、碳酸環(huán)丙烯酯、碳酸環(huán)己烯酯、碳酸甲基環(huán)己烯酯、碳酸乙烯基環(huán)己烯酯、二氫萘碳酸酯、六氫苯乙烯碳酸酯、環(huán)己烷丙烯碳酸酯、苯乙烯碳酸酯、3-苯基丙烯碳酸酯、3-三甲基甲硅氧基碳酸丙烯酯、3-甲基丙烯酰氧基碳酸丙烯酯、全氟丙烯碳酸酯、降冰片烯碳酸酯。作為前述聚碳酸酯系樹脂，更具體而言，例如，可以舉出聚碳酸丙烯酯/聚碳酸環(huán)己烯酯共聚物，聚[(氧羰基氧-1，1，4，4-四甲基丁烷)-alt-(氧羰基氧-5-降冰片烯_2_內型-3-內型-二甲燒)]，聚[(氧擬基氧-1，4-二甲基丁燒)-alt-(氧擬基氧-5-降冰片烯-2-內型-3-內型-二甲烷)]，聚[(氧羰基氧-1，I, 4，4-四甲基丁烷)-alt-(氧羰基氧-對二甲苯)]，以及聚[(氧羰基氧-1，4-二甲基丁烷)-alt-(氧羰基氧-對二甲苯)]，聚碳酸環(huán)己烯酯/聚降冰片烯碳酸酯共聚物，聚[(氧羰基氧-5-降冰片烯-2-內型-3-內型-二甲烷)]，聚[(氧羰基氧-5-降冰片烯-2-外型-3-外型-二甲烷)]，聚[反式-(氧羰基氧-5-降冰片烯_2，3- 二甲烷)]，聚(氧羰基氧)-順式-外型-2，3- 二甲基降冰片燒-2, 3-聚(氧擬基氧)-順式_內型-2，3- 二甲基降冰片燒-2, 3- 二基)共聚物，聚(氧擬基氧環(huán)己燒_1，3- 二基)-聚(氧擬基氧-順式-外型-2，3- 二甲基降冰片燒~2, 3- 二基)共聚物，聚(氧擬基氧環(huán)己燒_1，3- 二基)-聚(氧擬基氧-順式-內型-2，3- 二甲基降冰片烷_2，3- 二基)共聚物等。優(yōu)選前述聚碳酸酯系樹脂的重均分子量(Mw)為1000 1000000，更優(yōu)選為5000 800000。通過將前述重均分子量設在上述下限以上，能夠提高熱分解性樹脂組合物對支承基材或者化合物半導體層的濕潤性，并能夠獲得提高成膜性的效果。另外，通過將前述重均分子量設在上述上限值以下，能夠獲得提高與構成熱分解性樹脂組合物的各樹脂成分的相溶性、對各種溶劑的溶解性、還有第五工序中的熱分解性固定樹脂層的熱分解性的效果。作為前述聚碳酸酯系樹脂的聚合方法，并沒有特別限制，例如能夠使用光氣法(溶劑法)或酯交換反應法(熔融法)等公知的聚合方法。優(yōu)選前述熱分解性樹脂成分是以熱分解性樹脂組合物總量的10% 100%的比例進行配合。更優(yōu)選以20% 100%的比例進行配合。通過設定熱分解性樹脂成分的含量在 上述下限值以上，能夠防止后述第五工序后熱分解性固定樹脂層殘留于支承基材或者發(fā)光元件上。作為前述熱分解性樹脂成分，特別優(yōu)選為聚碳酸丙烯酯聚合物、1，4-聚碳酸丁烯酯聚合物、聚碳酸環(huán)己烯酯/聚降冰片烯碳酸酯共聚物。另外，前述熱分解性的樹脂組合物也可以含有活化劑，并且該活化劑通過在活性能量線的照射下增加能量來產生活性物種(active species)。由此,能夠降低前述熱分解性樹脂成分的分解溫度。作為前述活化劑，并沒有特別限定，例如可以舉出光產酸劑、光產堿劑等。作為前述光產酸劑，并沒有特別限定，可以舉出四(五氟苯基)硼酸酯-4-甲苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]碘鎗(DPI-TPFPB)，三(4-叔丁基苯基)锍-四(五氟苯基)硼酸酯(TTBPS-TPFPB)，三(4-叔丁基苯基)锍-六氟磷酸酯(TTBPS-HFP)，三苯基锍三氟甲磺酸酯(TPS-Tf )，雙(4-叔丁基苯基)碘鎗三氟甲磺酸酯(DTBPI-Tf )，三嗪(TAZ-101 )，三苯基锍六氟銻酸酯(TPS-103)，三苯基锍雙(全氟甲磺?；?酰亞胺(TPS-Nl )，二 -(對叔丁基)苯基碘鎗，雙(全氟甲磺?；?酰亞胺(DTBPI-N1)，三苯基锍，三(全氟甲磺酰基)甲基化物(TPS-C1)，二-(對叔丁基苯基)碘鎗-三(全氟甲磺酰基)甲基化物(DTBPI-C1)，三{4-[(4_乙?；交?硫基]苯基}锍-三(全氟甲磺?；?甲基化物、以及它們中的兩種以上的組合。其中，特別是，從能夠有效降低前述熱分解性樹脂成分的熱分解溫度的緣故出發(fā)，優(yōu)選為四(五氟苯基)硼酸酯-4-甲苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]碘鎗(DPI-TPFPB)，三{4-[ (4-乙?；交?硫基]苯基}锍-三(全氟甲磺?；?甲基化物。作為前述光產堿劑，并沒有特別限制，可以舉出5_芐基-1，5-二氮雜雙環(huán)(4. 3. O)壬烷、1-(2-硝基苯甲?；奔柞；?咪唑等。其中，特別是，從能夠有效降低前述熱分解性樹脂成分的熱分解溫度的緣故出發(fā)，優(yōu)選為5-芐基-1，5-二氮雜雙環(huán)(4. 3. O)壬烷及其衍生物。優(yōu)選前述活化劑是以熱分解性樹脂組合物總量的O. 01% 50%的比例進行配合。更優(yōu)選以O. 1% 30%的比例進行配合。通過設在上述下限值以上，可穩(wěn)定地降低前述熱分解性樹脂成分的熱分解溫度；通過設在上述上限值以下，可有效防止熱分解性固定樹脂層以殘渣形式殘留于支承基材或者發(fā)光元件上。作為前述聚碳酸酯系樹脂、活化劑的組合，特別是，優(yōu)選作為聚碳酸酯系樹脂為聚碳酸丙烯酯聚合物、1，4-聚碳酸丁烯酯聚合物、碳酸新戊酯聚合物、碳酸環(huán)己烯酯/降冰片烯碳酸酯共聚物，優(yōu)選作為活化劑為四(五氟苯基)硼酸酯-4-甲苯基[4-(1-甲基乙基)苯基]碘鎗(DPI-TPFPB)、三{4-[ (4-乙?；交?硫基]苯基}锍-三(全氟甲磺酰基)甲基化物。此時，優(yōu)選熱分解性樹脂成分為熱分解性樹脂組合物總量的20% 100%、活化劑為熱分解性樹脂組合物總量的O. 1% 30%、熱分解性樹脂組合物的重均分子量(Mw)為5000 800000。其原因在于，能夠確保對支承基材或化合物半導體層的濕潤性、熱分解性樹脂組合物的成膜性、對與構成熱分解性樹脂組合物的各樹脂成分的相溶性或者對各種溶劑的溶解性，進而確保第五工序中的熱分解性固定樹脂層的熱分解性。 前述聚碳酸酯系樹脂，在前述活化劑的存在下，會形成使聚碳酸酯系樹脂主鏈的熱切斷變得容易的結構、或者形成使聚碳酸酯系樹脂自身容易發(fā)生熱分解的熱環(huán)化結構(熱環(huán)化反應)，因此，認為這能夠降低熱分解溫度。下述反應式(I)示出聚碳酸丙烯酯樹脂主鏈的熱切斷和形成熱環(huán)化結構的機理。首先，來自前述活化劑的H+使聚碳酸丙烯酯樹脂的羰基氧發(fā)生質子化，進而轉變成為極性遷移狀態(tài)，生成不穩(wěn)定的互變異構性中間體[A]和[B]。接下來，當主鏈熱切斷時，使中間體[A]片段化成丙酮和C02。當形成熱環(huán)化結構(a或者b)時，使中間體[B]生成碳酸丙烯酯，并使碳酸丙烯酯片段化成CO2和環(huán)氧丙烷。
權利要求
1.一種發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，其包括 在生長用基板上形成具有半導體層和發(fā)光層的化合物半導體層的第一工序； 于前述化合物半導體層形成電極的第二工序； 將在支承基材上形成有熱分解性固定樹脂層的帶有熱分解性固定樹脂層的支承基材的熱分解性固定樹脂層和前述化合物半導體層進行貼合的第三工序； 從前述生長用基板的與形成有前述化合物半導體層的面相反一側的面照射激光，將前述生長用基板與前述化合物半導體層進行剝離的第四工序； 通過使前述熱分解性固定樹脂層熱分解而將前述化合物半導體層從前述支承基材上剝離的第五工序；以及 對所述化合物半導體層進行單片化的第六工序。
2.如權利要求I所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述半導體層是N型半導體層和P型半導體層。
3.如權利要求I或2所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述生長用基板是藍寶石玻3 ο
4.如權利要求I至3中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述第五工序中使熱分解性固定樹脂層熱分解的溫度為50 500°C。
5.如權利要求I至4中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述熱分解性固定樹脂層含有至少一種以上選自由聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹月旨、聚醚系樹脂、聚氨酯系樹脂、降冰片烯系樹脂所構成的組中的熱分解性樹脂成分。
6.如權利要求I至5中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述熱分解性樹脂成分是聚碳酸酯系樹脂。
7.如權利要求I至6中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述熱分解性固定樹脂層含有光產酸劑。
8.如權利要求5至7中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，所述聚碳酸酯系樹脂含有至少一種以上選自由碳酸丙烯酯、碳酸亞環(huán)己酯、碳酸丁烯酯、降冰片基碳酸酯所構成的組中的結構單元。
9.一種發(fā)光元件，其特征在于，其采用權利要求I至8中任一項所述的制造方法來制成。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光元件的制造方法，在該方法中當采用激光剝離工藝制作發(fā)光元件時，在半導體層和支承基板上難以留下固定樹脂層的殘渣。另外，本發(fā)明的目的還在于提供一種采用本發(fā)明制造方法所制成的可靠性高的發(fā)光元件。上述目的能夠通過如下方式達成使用熱分解性樹脂組合物作為使半導體層固定于支承基板上的固定樹脂層，并且在從支承基板上剝離半導體層時，使固定樹脂層發(fā)生熱分解。
文檔編號H01L33/32GK102822997SQ201180015479
公開日2012年12月12日 申請日期2011年3月17日 優(yōu)先權日2010年3月24日
發(fā)明者楠木淳也, 竹內江津, 杉山廣道, 久保山俊治, 川田政和 申請人:住友電木株式會社