專利名稱：作為用于電子器件的材料的橋接三芳基胺和三芳基膦的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通式(I)的化合物，和涉及其在電子器件中的用途，以及涉及包含一種或多種通式(I)化合物的電子器件。
背景技術：
有機電致發(fā)光器件的一般結構例如描述在US 4539507、US5151629、EP 0676461和 WO 1998/27136 中?，F(xiàn)有技術中已知的空穴傳輸和注入材料尤其是芳基胺化合物?；谲岵④痰脑擃愋筒牧侠绻_在WO 2006/100896和W02006/122630中。然而，已知的空穴傳輸材料通常具有低的電子穩(wěn)定性，這降低了包含這些化合物·的電子器件的壽命。此外，希望在發(fā)熒光的有機電致發(fā)光器件效率方面和在壽命方面的改進，特別是在藍色熒光器件的情況下。根據(jù)現(xiàn)有技術，通常將咔唑衍生物，例如雙(咔唑基)聯(lián)苯用作基質材料。在此處對優(yōu)選具有高玻璃化轉變溫度并能延長電子器件壽命的代用材料仍然有需求。此外，酮(W0 2004/093207)、氧化膦及砜(W0 2005/003253)用作磷光發(fā)光體的基質材料。特別是使用酮的情況下實現(xiàn)低的工作電壓和長的壽命。在此處仍需要改進，特別是在效率和與含有二酮陰離子配體例如乙酰丙酮陰離子的金屬絡合物的相容性方面。此外，金屬絡合物，例如BAlq或雙[2_(2_苯并噻唑基)酚]鋅(II)，用作磷光發(fā)光體的基質材料。在此處特別是在工作電壓和化學穩(wěn)定性方面需要改進。純粹地有機化合物通常比金屬絡合物更加穩(wěn)定。因此，一些金屬絡合物對水解敏感，這使得其操作更加困難。同樣引起興趣的是提供作為混合基質體系的基質組分的代用材料。在本申請意義上，混合基質體系被認為是指其中兩種或更多種不同的基質化合物與一種(或多種)摻雜劑化合物混合在一起用作發(fā)光層的體系。這些體系作為發(fā)磷光的有機電致發(fā)光器件的構成成分是特別令人感興趣的。對于更多的詳細信息，參見申請WO 2010/108579。現(xiàn)有技術中已知的可作為混合基質體系中的基質組分被提到的化合物，尤其是CBP (二咔唑基聯(lián)苯)和TCTA (三咔唑基三苯胺)。然而，對用作混合基質體系中的基質組分的備選化合物仍存在需求。特別是，對實現(xiàn)電子器件工作電壓和壽命改進的化合物存在需求?？傊陔娮悠骷墓δ懿牧项I域中，對具有新穎的，更優(yōu)選改進的性能的代用材料存在需求。申請WO 2006/033563和WO 2007/031165尤其公開了三芳基胺衍生物，其中單個的芳基基團彼此橋接。該化合物用作電子器件中的空穴傳輸材料和/或發(fā)光材料。申請WO2010/083871公開了其中芳基稠合到哌啶環(huán)上的化合物。該化合物用作電子器件中的空穴傳輸材料和/或發(fā)光材料。然而，關于器件的壽命、效率和工作電壓，仍然需要改進。另外，對于所述化合物有利的是具有高的熱穩(wěn)定性和高玻璃化轉變溫度，并在不分解情況下可升華。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及通式(I)的化合物，當其用于電子器件中時，優(yōu)選用于有機電致發(fā)光器件中時顯示有利的性能。所述化合物優(yōu)選用作空穴傳輸或空穴注入材料，用作磷光發(fā)光體的基質材料或用作發(fā)光體材料。因此，本發(fā)明涉及通式(I)的化合物
權利要求
1.通式(I)的化合物
2.根據(jù)權利要求I的化合物，其特征在于X等于N。
3.根據(jù)權利要求I或2的化合物，其特征在于Y在每一次出現(xiàn)時相同或者不同地代表C (R1)2^S, O, C=O, NR1或單鍵，其中至少一個基團Y代表單鍵。
4.根據(jù)權利要求I至3的一項或多項的化合物，其特征在于所述標記η和m的值的總和等于2或3。
5.根據(jù)權利要求I至4的一項或多項的化合物，其特征在于一個或多個選自Ar、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的基團在每一次出現(xiàn)時相同或不同地代表具有6至14個芳環(huán)原子的芳基基團或者具有5至14個芳環(huán)原子的雜芳基基團，所述基團中的每一個可被一個或多個基團R2取代。
6.根據(jù)權利要求I至5的一項或多項的化合物，其特征在于所述基團Ar2代表以下通式(II)的基團，其中所述虛線表示與基團X和A結合的鍵，而且Z在每一次出現(xiàn)時相同或者不同地是CR2或N，或者，如果基團X或A與Z鍵合，則Z等于C :
7.根據(jù)權利要求I至6的一項或多項的化合物，其具有通式(I-I)至(1-4)之一
8.根據(jù)權利要求I至7的一項或多項的化合物，其具有通式(1-5)至(1-16)之一
9.低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其包含一種或多種根據(jù)權利要求I至8的一項或多項的化合物，其中一個或多個與所述低聚物、聚合物或樹枝狀大分子結合的鍵代替一個或多個與一個或多個取代基結合的鍵。
10.制劑，其包含至少一種根據(jù)權利要求I至8的一項或多項的化合物或者根據(jù)權利要求9的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，和至少一種溶劑。
11.制備根據(jù)權利要求I至8的一項或多項的化合物的方法，其包括如下的反應步驟 a)合成前體分子，其在相關位置未被橋接并載帶基團Y*和/或T*， b)進行閉環(huán)反應，借助于該閉環(huán)反應引入所述橋連基Y和/或T。
12.根據(jù)權利要求I至8的一項或多項的化合物或者根據(jù)權利要求9的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子在電子器件中的用途，其中所述電子器件優(yōu)選選自有機集成電路(0-IC)、有機場效應晶體管(O-FET )、有機薄膜晶體管(O-TFT )、有機發(fā)光晶體管(O-LET )、有機太陽能電池(O-SC)、有機光學探測器、有機光感受器、有機場粹熄器件(O-FQD)、發(fā)光電化學電池(LEC)、有機激光二極管(O-Iaser)和有機電致發(fā)光器件(OLED)。
13.電子器件，其包含至少一種根據(jù)權利要求I至8的一項或多項的化合物或者根據(jù)權利要求9的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子。
14.根據(jù)權利要求13的電子器件，其特征在于根據(jù)權利要求I至8的一項或多項的化合物用作發(fā)光層中的基質材料，所述發(fā)光層優(yōu)選包含一種或多種磷光發(fā)光體，和/或用作空穴傳輸層和/或空穴注入層中的空穴傳輸材料，和/或用作發(fā)光層中的發(fā)光材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及通式(I)的化合物，涉及其在電子器件中的用途，以及涉及包含一種或多種通式(I)化合物的電子器件。通式(I)
文檔編號H01L51/54GK102971319SQ201180018947
公開日2013年3月13日 申請日期2011年3月16日 優(yōu)先權日2010年4月14日
發(fā)明者埃米爾·侯賽因·帕勒姆, 克里斯托夫·普夫盧姆 申請人:默克專利有限公司