專利名稱：Oled裝置及制造其的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明描述一種制造OLED裝置的方法。本發(fā)明還描述一種OLED裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(OLED)，例如意圖用于照明目的的OLED的現(xiàn)有技術(shù)制造方法通常涉及多個光刻步驟，從而用于應(yīng)用該裝置的電連接所需的各種金屬層。光刻是非常復(fù)雜和昂貴的，使得正在尋求可替換的方法。例如，應(yīng)用結(jié)構(gòu)化金屬接觸墊(陽極和陰極)以將電流分布在襯底上的一種成本有效的方式是在襯底上印刷金屬墨的條，從而獲得具有期望尺度的導(dǎo)電條。這些印刷的條隨后被退火以改善它們的導(dǎo)電性。銀墨基于它們有利的熱屬性和較高導(dǎo)電性而非常適合于這種印刷技術(shù)。使用墨印刷的陽極和陰極接觸墊可以具有僅僅300nm至IOMffl的厚度。然而，即使銀的電屬性是非常有利的，這種薄的銀層在暴露于濕氣和氧氣時會遭受腐蝕，特別是存在電偏置時，當跨過OLED裝置的陽極和陰極接觸墊應(yīng)用電 壓時就存在電偏置。這種腐蝕會最終打斷電源和OLED裝置之間的電連接，導(dǎo)致裝置故障。因此，現(xiàn)有技術(shù)制造方法通常使用耐腐蝕的金屬用于接觸墊。例如鉻、鑰、金等的耐腐蝕金屬具有的缺點為，它們不適于印刷工藝，并且因此必須使用更昂貴和耗時的真空濺射工藝來應(yīng)用。因此，本發(fā)明的目的是提供一種更經(jīng)濟的方式來制造具有有利地長壽命的OLED
>J-U ρ α裝直。

發(fā)明內(nèi)容
此目的是通過根據(jù)權(quán)利要求I的制造OLED裝置的方法以及通過權(quán)利要求8的OLED裝置來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明，制造OLED裝置的方法包括下述步驟在襯底上應(yīng)用多個導(dǎo)電條；在導(dǎo)電條界定的區(qū)域內(nèi)在襯底上沉積有機層；在導(dǎo)電條上應(yīng)用密封劑從而封裝OLED裝置；以及至少部分地在每個導(dǎo)電條上沉積導(dǎo)電保護層，使得在密封劑外部的導(dǎo)電條的表面被導(dǎo)電保護層保護。導(dǎo)電保護層不僅在密封劑外部的關(guān)鍵區(qū)域中保護導(dǎo)電條(即接觸墊)免受腐蝕，因而有效地將這些區(qū)域從有害環(huán)境隔離，而且導(dǎo)電保護層也用作電導(dǎo)體。此處，表述’在密封劑外部的’理解為是指在密封劑外側(cè)上并且暴露于環(huán)境。根據(jù)本發(fā)明的方法的明顯優(yōu)點為顯著節(jié)約制造成本，這是由于更廉價的高導(dǎo)電和易于腐蝕的金屬可以用于導(dǎo)電條，即用于圍繞有機層的陽極和陰極接觸墊。例如，比較廉價的銀墨可以被使用，并且可以在簡單和經(jīng)濟的印刷工藝中被應(yīng)用。印刷的接觸墊隨后利用某種合適材料的導(dǎo)電保護涂層或?qū)觼肀Ｗo。導(dǎo)電保護層可以非常薄，因而需要非常少的材料，這是由于它僅僅從氣氛保護導(dǎo)電條。另外，僅僅針對接觸墊區(qū)域的某些部分需要使用導(dǎo)電保護材料，并且因此僅僅需要少量的這種材料。根據(jù)本發(fā)明，OLED裝置包括應(yīng)用在襯底上的多個導(dǎo)電條；在由導(dǎo)電條界定的區(qū)域內(nèi)沉積在襯底上的有機層；至少部分地沉積在導(dǎo)電條上的導(dǎo)電保護層；以及用于封裝OLED裝置的密封劑，該密封劑應(yīng)用到導(dǎo)電條，使得在密封劑外部的導(dǎo)電條的表面被附加導(dǎo)電保護層保護。此處，密封劑可以直接應(yīng)用在導(dǎo)電條的未被涂敷的部分上，或者應(yīng)用在先前已經(jīng)用導(dǎo)電保護層涂敷的導(dǎo)電條的部分上。以此方式制造的OLED裝置被提供了針對在陽極和陰極接觸墊的區(qū)域中的腐蝕的可靠和持久保護，所述陽極和陰極接觸墊否則將暴露于環(huán)境的有害效應(yīng)。這種OLED因此可以具有比現(xiàn)有技術(shù)OLED更長的壽命。從屬權(quán)利要求和后續(xù)說明書公開了本發(fā)明的特別有利的實施例和特征。在本發(fā)明的上下文中提到的導(dǎo)電條通?？梢允顷枠O和陰極接觸墊，其經(jīng)常圍繞OLED裝置的周邊在較寬的帶中被應(yīng)用并且被連接到電源的正極和負極。較大的接觸墊面積確保均勻的電流流過有機層以及相應(yīng)地均勻的光輸出。因此，在下文中但是不以任何方式限制本發(fā)明，術(shù)語’導(dǎo)電條’和’接觸墊’可以可互換地使用。OLED的封裝中使用的密封劑可以是粘合劑線(line)(沿著圍繞有機層的密封路 徑以及沿著接觸墊被應(yīng)用)以及被壓到粘合劑上的罩蓋(經(jīng)常為金屬或玻璃蓋)?？商鎿Q地，密封劑可以是一個或多個密封層，其沉積在有機發(fā)光層和部分的接觸墊上以形成氣密密封，從而保護有機發(fā)光層免受環(huán)境中的水分。由導(dǎo)電保護層保護的接觸墊的部分在密封劑外部，即在粘合劑/罩蓋組合的外側(cè)上或者在沉積的密封劑層的外側(cè)上。導(dǎo)電保護層至少部分地應(yīng)用在導(dǎo)電條上，其中導(dǎo)電保護層可以涂敷或者鄰接導(dǎo)電條的任何表面或邊緣。導(dǎo)電保護層可以在任何合適工藝中被應(yīng)用。例如導(dǎo)電保護層可以通過下述被應(yīng)用將合適金屬的非常薄的片壓在待保護的接觸墊的區(qū)域上。然而，由于該片優(yōu)選地非常薄，并且待涂敷區(qū)域可能非常窄，因此使用這種方法來精確地應(yīng)用保護層會有點困難。因此，在本發(fā)明的特別優(yōu)選實施例中，應(yīng)用隔離層的步驟包括從載體傳遞部分的傳遞層或者一系列傳遞層。例如，載體可以利用傳遞材料的薄層來制備，并且這可被壓在接觸墊上，使得傳遞層的部分附連到接觸墊的特定部分。例如，傳遞材料可具有粘合劑性質(zhì)，并且選擇性地應(yīng)用到載體層的壓力可以起作用以致使傳遞層的相應(yīng)部分附連到接觸墊。載體可包括傳遞材料的均勻涂層可以應(yīng)用到其的任何合適材料。例如，載體層可包括具有可重用性的優(yōu)點的玻璃片。然而，為了促進傳遞材料從載體層傳遞到接觸墊上，載體優(yōu)選地由柔性材料制成。因此，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，載體包括諸如聚乙烯的塑料箔。傳遞層可以容易地被印刷從而涂敷該箔，并且經(jīng)涂敷的箔可以方便地以卷的形式被供應(yīng)。使用壓力從載體層釋放傳遞材料會不如期望的那么精確。因此，在本發(fā)明的特別優(yōu)選實施例中，在接觸墊上沉積導(dǎo)電保護層的步驟包括執(zhí)行激光質(zhì)量傳遞(LMT)，從而將部分的傳遞層從載體傳遞到導(dǎo)電條上。對于這種LMT工序，載體箔可以涂敷有基本上任何金屬或者甚至不同金屬的組合的非常薄的涂層，從而允許用于陽極/陰極的金屬和用于電力連接的材料之間的最佳匹配。例如，傳遞材料可以有利地包括諸如鉻、鑰、金等的金屬。在已知LMT技術(shù)中，待涂敷項目放置在傳遞層下方，并且載體層面朝上。激光能量致使傳遞層的選定部分熔化并且向下滴在待涂敷部分上，這種情況下待涂敷部分為接觸墊。如果載體層包括玻璃片，激光束可以被引導(dǎo)在玻璃中的一個點從而加熱玻璃并且熔化下方的金屬，使得熔融金屬的液滴隨后可以從載體落下或者有力地噴射離開載體而落到接觸墊上。然而，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，執(zhí)行激光質(zhì)量傳遞的步驟包括在傳遞層中特定位置沉積能量，從而致使傳遞層被至少部分地傳遞到導(dǎo)電條上。能量沉積致使壓力的局部增強，從而將傳遞層’噴射’離開載體并且落在導(dǎo)電條上。以此方式，被傳遞到導(dǎo)電條上的傳遞材料的數(shù)量或形狀可以非常精確地被控制。這具有的優(yōu)點為，沉積到接觸墊上的金屬的數(shù)量可以保持最小，使得該工序非常經(jīng)濟，即使諸如金或鑰的昂貴金屬被用作傳遞金屬。當傳遞金屬的小區(qū)域被激光能量加熱時，它熔化，并且也可能在金屬和載體箔(其不熔化)之間的界面處蒸發(fā)，致使壓力的局部增強。這會導(dǎo)致熔融金屬液滴被有力地從載體向外噴射，并且可以’飛濺’在待涂敷項目上。對于部分地完成的OLED的情形，密封路徑內(nèi)的TCO層或有機層應(yīng)保持沒有任何這樣的飛濺，這是因為這些會有損成品的視覺外觀。因此，在本發(fā)明的更優(yōu)選實施例中，載體和傳遞層定位為使得傳遞層直接接觸由密封路徑界定的區(qū)域。于是，傳遞材料的節(jié)段在LMT工藝中可以選擇性地傳遞到接觸墊的相應(yīng)區(qū)域上，同時利用某種力從載體層噴射的傳遞金屬被防止飛濺該有機表面。例如，接觸墊的僅僅外部區(qū)域可以被涂敷。粘合劑可以隨后沿著傳遞金屬的界線被應(yīng)用，使得一旦罩蓋就位，接觸墊的僅僅那些位于密封劑外部的表面被傳遞金屬覆蓋。當然，可以對成品OLED裝置實施導(dǎo)電保護層的應(yīng)用，從而延長其有效壽命。然而， 在接觸墊上沉積導(dǎo)電保護層的步驟優(yōu)選地在封裝OLED裝置的步驟之前，特別是如果密封劑包括被壓在粘合劑線上的罩蓋，這是因為由于上文給出的原因，當載體和傳遞層緊密接觸該接觸墊和有機層時，傳遞金屬可以最佳地被傳遞到接觸墊上。應(yīng)用到接觸墊的傳遞金屬不限于單層的一種類型的金屬。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，導(dǎo)電保護層包括一層至少一種基本上無腐蝕性金屬，諸如鑰、鉻、金等。例如，會期望用不同金屬的多層來涂敷接觸墊。第一層可以在第一 LMT步驟中被應(yīng)用，并且第二層可以隨后在第二 LMT步驟中被應(yīng)用。優(yōu)選地，在更高效方法中，載體箔可以預(yù)先涂敷有不同金屬或金屬混合物的兩個或更多層，并且這些可以在單個LMT步驟中被應(yīng)用。薄金屬傳遞層與厚層相比更容易在LMT工藝中傳遞，這是因為小的金屬液滴將更容易形成。另外，導(dǎo)電保護層可以非常薄，這是因為由上述材料的均勻薄層給出的腐蝕保護與更厚層一樣地有效。因此，導(dǎo)電保護層優(yōu)選地具有至多I. O μ m，更優(yōu)選地至多O. 3 μ m以及最優(yōu)選地至多IOOnm的厚度。典型OLED的接觸墊可以具有300 μ m至30mm的寬度。如果導(dǎo)電保護層將僅僅應(yīng)用于在封裝后將暴露的區(qū)域，導(dǎo)電保護層的寬度可以小到ΙΟΟμπι至3mm。如果LMT工藝被使用，激光優(yōu)選地被精確地控制從而獲得期望傳遞寬度。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，導(dǎo)電保護層基本上完全覆蓋導(dǎo)電條。例如，接觸墊可以完全用涂覆有傳遞金屬層。這會是最簡單和最成本有效的方法。即使傳遞金屬為較不良的導(dǎo)體，它將不會有損接觸墊的導(dǎo)電性。然而，如果傳遞金屬為良導(dǎo)體，導(dǎo)電保護層于是不僅用于保護否則將暴露于環(huán)境的接觸墊的區(qū)域，而且具有也對接觸墊的整體導(dǎo)電性有貢獻的附加優(yōu)點。在本發(fā)明另一實施例中，導(dǎo)電保護層不是被應(yīng)用為涂敷接觸墊，而是應(yīng)用為直接毗鄰接觸墊，使得導(dǎo)電保護層鄰接在毗鄰接觸墊的邊緣上。以此方式，電接觸形成于導(dǎo)電保護層和接觸墊之間。這種情況下，襯底可以利用導(dǎo)電保護層圖案來預(yù)先處理。例如，LMT工藝可以被實施從而將傳遞金屬(例如具有良好導(dǎo)電性的耐腐蝕金屬)的’界線’應(yīng)用到與外陽極區(qū)域和外陰極區(qū)域?qū)?yīng)的襯底的外部區(qū)域。在隨后步驟中，可以使用諸如銀墨的合適金屬印刷陽極和陰極接觸墊的其余部分，從而位于傳遞金屬區(qū)域內(nèi)并且毗鄰(或鄰接)這些。可替換地，銀墨可以首先被印刷在比否則將被印刷的更窄的帶內(nèi)，并且傳遞金屬的導(dǎo)電保護層隨后可以在LMT工藝中沉積在印刷區(qū)域的外邊緣。一旦有機層就位，密封劑被應(yīng)用在導(dǎo)電保護層和接觸墊之間的邊界，從而封裝OLED。例如，此邊界可以是用于粘合劑線的密封路徑，在后續(xù)放置罩蓋就位之前該粘合劑線沿著此邊界被應(yīng)用?？商鎿Q地，密封劑的多個層可以沉積在有機發(fā)光層上，一直到該邊界。在這種實施例中，例如金或鑰的良導(dǎo)體優(yōu)選地用作傳遞金屬。即使這些金屬是昂貴的，在LMT工藝中可以實現(xiàn)的非常薄的層仍然可以使這種OLED實現(xiàn)起來比較經(jīng)濟。本發(fā)明的其它目的和特征將通過結(jié)合附圖考慮的下述詳細描述而變得顯而易見。然而將理解，附圖僅僅設(shè)計成用于說明的目的而不是用作定義本發(fā)明的限制。


圖I示出現(xiàn)有技術(shù)OLED裝置的俯視 圖2示出圖I的現(xiàn)有技術(shù)OLED裝置的截面；
圖3說明使用根據(jù)本發(fā)明的方法將導(dǎo)電保護層應(yīng)用到接觸墊；
圖4示出使用根據(jù)本發(fā)明第一實施例的方法獲得的OLED裝置的截面；
圖5示出使用根據(jù)本發(fā)明第二實施例的方法獲得的OLED裝置的截面；
圖6示出使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的方法獲得的OLED裝置的截面；
圖7示出使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的OLED裝置的俯視圖。在圖中，相似的數(shù)字始終指代相似對象。圖的各元件不一定按比例繪制，特別是OLED裝置層厚度以及接觸墊和導(dǎo)電保護層的厚度。
具體實施例方式圖I示出現(xiàn)有技術(shù)OLED裝置8的俯視圖。用于陽極和陰極的接觸墊4圍繞襯底I的周邊被應(yīng)用，例如作為印刷金屬線。如此處所示，取決于OLED的實現(xiàn)方式，陽極和陰極接觸墊可以覆蓋同一區(qū)域，或者所述接觸墊其中之一可以覆蓋比另一個更多的區(qū)域。粘合劑5線用于附連罩蓋3從而保護有機層2免受任何水分。接觸墊4部分在粘合劑5內(nèi)并且部分在外部。在粘合劑線5內(nèi)的接觸墊4的部分被保護免受水分和氧氣，并且因此不受腐蝕影響。在封裝外部，即在粘合劑線5外側(cè)或外部的接觸墊4的部分暴露于環(huán)境，并且因此容易遭受腐蝕，其中當電源7的正極和負極連接到陽極和陰極接觸墊4時，這種腐蝕會發(fā)生。圖2示出圖I的現(xiàn)有技術(shù)OLED裝置的截面，更詳細示出了應(yīng)用到襯底I的接觸墊4、有機層2、粘合劑5以及罩蓋3。粘合劑5內(nèi)的所有部件被保護免受環(huán)境影響，而粘合劑5外部的所有部件暴露于氣氛的腐蝕效應(yīng)。圖3說明使用根據(jù)本發(fā)明的方法將導(dǎo)電保護層應(yīng)用到接觸墊。接觸墊4可以通過印刷銀墨的帶或條而已經(jīng)被應(yīng)用，并且可具有約O. 5 μ m-20 μ m的寬度。此處，有機層2已經(jīng)被應(yīng)用從而部分地覆蓋接觸墊4。聚乙烯載體箔62置于接觸墊4上方，使得例如鉻或鑰涂的薄層的傳遞層60面向接觸墊4和有機發(fā)光層2。實際上，載體箔優(yōu)選地定位為使得傳遞層60直接接觸有機層2，但是為了清楚起見，在此圖中它們被示為彼此相距一距離。傳遞層60可以具有僅僅幾微米的涂層厚度。例如納秒UV激光的脈沖激光系統(tǒng)被控制使得激光束L被引導(dǎo)通過載體箔62，使得它在接觸墊4上方的特定位置局部地加熱傳遞層60的金屬。在載體箔62和傳遞層60之間界面處在這一點，金屬蒸發(fā)，載體箔62和熔融金屬之間局部壓力增強。由于氣體膨脹，金屬液滴61被加速并且噴射著陸在下方的接觸墊4上。當金屬液滴61撞擊接觸墊4時，金屬液滴附著到其表面。此工藝被重復(fù)從而從一系列單獨金屬液滴獲得金屬線，由此得到接觸墊4的期望覆蓋度。典型層厚度為幾微米向下至幾百納米的量級?？蓪崿F(xiàn)的電導(dǎo)率典型地為所使用的體材料的體電阻率的7倍。圖4示出使用根據(jù)本發(fā)明第一實施例的方法獲得的OLED裝置的外部區(qū)域的截面，其中導(dǎo)電保護層6應(yīng)用在接觸墊4的外部區(qū)域上。為了封裝0LED，粘合劑5沿著導(dǎo)電保護層6和露出的接觸墊4之間的界線被應(yīng)用。當然，粘合劑5可以應(yīng)用到恰好位于導(dǎo)電保護層6邊緣的內(nèi)部，而不接觸接觸墊表面。罩蓋3隨后放置就位，并且露出的接觸墊4，即不被導(dǎo)電保護層6覆蓋的表面，有效地被保護免受氣氛的腐蝕效應(yīng)。圖5示出使用根據(jù)本發(fā)明第二實施例的方法獲得的OLED裝置的外部區(qū)域的截面，其中導(dǎo)電保護層6被應(yīng)用以覆蓋整個接觸墊4，并且粘合劑被應(yīng)用在導(dǎo)電保護層6上。
圖6示出使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的方法獲得的OLED裝置的外部區(qū)域的截面，其中接觸墊4比在上述實現(xiàn)方式中窄。此處，導(dǎo)電保護層6應(yīng)用為毗鄰窄的接觸墊4，并且粘合劑5沿著導(dǎo)電保護層6和接觸墊4之間的界線被應(yīng)用。接觸墊可以使用上述技術(shù)的任何組合來隔離。例如，圖4的實現(xiàn)方式可以用于更大的接觸墊(經(jīng)常為陰極)，而更短的接觸墊可以如圖6所示來實現(xiàn)。圖5所示的實現(xiàn)方式考慮到其簡單性而會是的優(yōu)選的。由于將低材料消耗與從環(huán)境的有害效應(yīng)的最佳隔離組合，并且決不有損接觸墊的導(dǎo)電性，圖4的實現(xiàn)方式會是優(yōu)選的。圖7示出使用在上面圖4或圖6中描述的根據(jù)本發(fā)明方法制造的OLED裝置10的俯視圖。用于陽極和陰極的接觸墊4圍繞襯底I的周邊被應(yīng)用，例如作為印刷金屬線。薄導(dǎo)電保護層6在LMT工藝中被應(yīng)用，從而涂敷將位于粘合劑線5外部或者毗鄰更窄接觸墊4的接觸墊4的部分。罩蓋3置于粘合劑線5頂部上，它們一起用作密封劑來封裝OLED 10并且保護該有機層2。接觸墊4被保護免受導(dǎo)電保護層6腐蝕。盡管本發(fā)明已經(jīng)在附圖和前述說明書中予以詳細說明和描述，這種說明和描述被認為是說明性或示例性的，而不是限制性的；本發(fā)明不限于所公開的實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員通過研究附圖、公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求可以理解和達成對所公開實施例的其它變型。為了清楚起見，將理解，在本申請通篇中使用〃一〃(〃a〃或〃an")不排除多個，并且〃包括"不排除其它步驟或元件。在互不相同的從屬權(quán)利要求中列舉某些措施的純粹事實不表示不能有利地使用這些措施的組合。權(quán)利要求中的任何附圖標記不應(yīng)解讀為限制范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造OLED裝置(10)的方法，該方法包括 在襯底(I)上應(yīng)用多個導(dǎo)電條(4)； 在導(dǎo)電條⑷界定的區(qū)域內(nèi)在襯底⑴上沉積有機層⑵； 在導(dǎo)電條(4)上應(yīng)用密封劑從而封裝OLED裝置(10);以及 至少部分地在每個導(dǎo)電條(4)上沉積導(dǎo)電保護層￠)，使得在密封劑外部的導(dǎo)電條(4)的表面被導(dǎo)電保護層(6)保護。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中應(yīng)用導(dǎo)電保護層(6)的步驟包括從載體￠2)傳遞部分的傳遞層(60)或一系列傳遞層(60)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中載體￠2)包括塑料箔(62)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中在導(dǎo)電條(4)上沉積導(dǎo)電保護層￠)的步驟包括執(zhí)行激光質(zhì)量傳遞，從而將部分的傳遞層￠0)從載體￠2)傳遞到導(dǎo)電條(4)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中執(zhí)行激光質(zhì)量傳遞的步驟包括在傳遞層￠0)中特定位置沉積能量，從而致使傳遞層￠0)被至少部分地傳遞到導(dǎo)電條(4)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任意一項的方法，其中載體￠2)相對于有機層(2)定位為使得傳遞層出0)直接接觸有機層(2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任意一項的方法，其中在導(dǎo)電條(4)上沉積導(dǎo)電保護層(6)的步驟是在封裝OLED裝置(10)的步驟之前。
8.一種OLED裝置(10)，包括 應(yīng)用在襯底⑴上的多個導(dǎo)電條⑷； 在由導(dǎo)電條⑷界定的區(qū)域內(nèi)沉積在襯底(I)上的有機層(2); 至少部分地沉積在導(dǎo)電條⑷上的導(dǎo)電保護層(6);以及 用于封裝OLED裝置(10)的密封劑，該密封劑應(yīng)用到導(dǎo)電條(4)，使得在密封劑外部的導(dǎo)電條(4)的表面被導(dǎo)電保護層(6)保護。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的OLED裝置，其中導(dǎo)電保護層(6)包括至少一種耐腐蝕金屬的層(6)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的OLED裝置，其中導(dǎo)電保護層(6)具有至多I.Oy m，更優(yōu)選地至多0. 3iim,最優(yōu)選地至多IOOnm的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任意一項的OLED裝置，其中導(dǎo)電保護層(6)基本上完全覆蓋導(dǎo)電條(4)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任意一項的OLED裝置，包括導(dǎo)電保護層(6)，該導(dǎo)電保護層被應(yīng)用為鄰接導(dǎo)電條(4)，使得電接觸形成于導(dǎo)電保護層和導(dǎo)電條(4)之間，并且該密封劑應(yīng)用在導(dǎo)電保護層(6)和導(dǎo)電條⑷之間的邊界。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種制造OLED裝置(10)的方法，該方法包括在襯底(1)上應(yīng)用多個導(dǎo)電條(4)；在導(dǎo)電條(4)界定的區(qū)域內(nèi)在襯底(1)上沉積有機層(2)；在導(dǎo)電條(4)上應(yīng)用密封劑從而封裝OLED裝置(10)；以及至少部分地在每個導(dǎo)電條(4)上沉積導(dǎo)電保護層(6)，使得在密封劑外部的導(dǎo)電條(4)的表面被導(dǎo)電保護層(6)保護。本發(fā)明還描述一種OLED裝置(10)，其包括應(yīng)用在襯底(1)上的多個導(dǎo)電條(4)；在由導(dǎo)電條(4)界定的區(qū)域內(nèi)沉積在襯底(1)上的有機層(2)；至少部分地沉積在導(dǎo)電條(4)上的導(dǎo)電保護層(6)；以及用于封裝OLED裝置(10)的密封劑，該密封劑應(yīng)用到導(dǎo)電條(4)，使得在密封劑外部的導(dǎo)電條(4)的表面被導(dǎo)電保護層(6)保護。
文檔編號H01L51/52GK102986053SQ201180035011
公開日2013年3月20日 申請日期2011年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者H.施瓦布 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司