專利名稱：發(fā)光二極管的光電化學(xué)偏壓技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成發(fā)光二極管(LED)，并且具體地，涉及關(guān)于一種用于在電化學(xué)蝕刻期間對暴露的LED層加電偏壓的方法。
背景技術(shù)：
典型倒裝芯片LED在該LED的底表面上具有反射性P接觸及η接觸，且這些接觸直接連接至基板上的接合襯墊。由該LED產(chǎn)生的光主要發(fā)射穿過該LED表面的頂表面。以此方式，不存在阻隔光的頂部接觸，且不需要絲焊。在制造期間，將基板晶圓布滿LED管芯陣列，且將這些LED管芯作為一批在該晶圓上進(jìn)行進(jìn)一步處理。最終，通過(例如)鋸切來單?；摼A?？赏ㄟ^在已外延生長所有LED層之后移除透明藍(lán)寶石生長襯底來增加倒裝芯片氮化鎵(GaN)LED的效率。在移除該襯底之后，蝕刻暴露的GaN層以薄化該層并產(chǎn)生粗糙化表面來增加光提取。用于該暴露的層的良好蝕刻技術(shù)是光電化學(xué)(PEC)蝕刻，其包括:對要蝕刻的層加電偏壓；將LED浸沒于含有偏壓電極的堿溶液(base solution)(例如,KOH)中；及將UV光施加至該暴露的層。暴露于UV光在半導(dǎo)體層中產(chǎn)生了電子-空穴對。空穴在電場的影響下遷移至GaN層的表面，接著在該表面處與GaN及堿溶液反應(yīng)以破壞GaN鍵(bond)。該暴露的層通常為N型限制層或該N型層上的半絕緣層(例如，緩沖層)。用于對暴露的N型LED層加偏壓的一種可能方法是在基板晶圓上提供接地金屬圖案，該金屬圖案連接至該晶圓上的所有N金屬接合襯墊，因此在PEC蝕刻期間對暴露的N型層加電偏壓。在PEC蝕刻之后，當(dāng)鋸切該基板晶圓以分割這些LED時，偏壓金屬圖案被切割，因此對每個單?；腖ED的后續(xù)操作無影響。申請人:已發(fā)現(xiàn)，使用基板上的互連金屬來加偏壓的一個問題是:在鋸切該基板晶圓以用于分割之后，連接至N金屬的跡線暴露于側(cè)壁上。這減少了在有效的N電極與背側(cè)上的接地襯墊之間的爬電距離(creepage distance)。這限制了在爬電可在N金屬與接地之間發(fā)展之前可串聯(lián)連接的LED的最大數(shù)目。此外，經(jīng)鋸切的金屬可在鋸切期間沿基板管芯的側(cè)壁遭到污染且形成跨越基板邊緣或側(cè)面或至另一引線的漏電路徑?；ミB金屬的另一問題在于，除非在單?；?singulation)鋸切之前切割了金屬，否則不能測試LED串。這添加了工藝步驟。另外，當(dāng)在單一管芯中形成多個微型LED時，N層不能與可鋸切的互連金屬互連。需要一種在PEC蝕刻期間對安裝于基板晶圓上的LED的暴露的層加偏壓的有效技術(shù)，該技術(shù)不具有上文描述的金屬互連的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
描述一種晶圓級工藝，其使用PEC蝕刻來同時蝕刻安裝于單一基板晶圓上的任何數(shù)目的LE:D。盡管本發(fā)明在實(shí)例中是使用倒裝芯片LED進(jìn)行描述，但任何類型的LED (諸如，具有一個或多個頂部絲焊電極的LED)可使用本發(fā)明。最初，在藍(lán)寶石襯底上形成LED。單?；@些LED且將其安裝于基板晶圓上。該基板晶圓具有用于接合至倒裝芯片LED的N(陰極)及P (陽極)電極的金屬襯墊。這些金屬襯墊延伸至將最終連接至電源的端子。接著(諸如)通過使用激光剝離工藝從每個LED管芯移除藍(lán)寶石襯底。接著使用PEC蝕刻工藝蝕刻所有LED的暴露的層(假設(shè)為N型)以用于薄化及粗糙化來增加光提取。替代直接連接至用于在PEC蝕刻期間對這些LED的所有N型層加偏壓的基板晶圓的全部N金屬的金屬互連，接近N金屬(諸如，與N金屬間隔50微米)在該基板晶圓上形成金屬圖案。該金屬圖案與N金屬電隔離，因此不影響這些LED的操作。然而，當(dāng)將該基板晶圓浸沒于KOH溶液中以用于PEC蝕刻且在PEC蝕刻工藝期間將該金屬圖案接地(加偏壓)時，KOH溶液的相對低的電阻率(例如，0.016歐姆米)實(shí)際上將該金屬圖案短路至N金屬以用于將所有LED的N型層加偏壓至接地?？墒褂闷渌珘弘妷骸Ｔ谠揚(yáng)EC蝕刻工藝之后，該金屬圖案對這些LED的操作無影響，這是因?yàn)槠渑c該基板晶圓上的N金屬電隔離。因此，該基板不遭受因鋸切穿過連接至基板的N金屬的先前技術(shù)的金屬互連而招致的缺點(diǎn)中的任一者。因?yàn)楸景l(fā)明的金屬圖案與LED電隔離，所以可測試晶圓上的串聯(lián)連接的LED的串。在另一實(shí)施例中，P層為發(fā)光層，且在使用本發(fā)明的技術(shù)對該P(yáng)層加偏壓的同時使用PEC蝕刻來蝕刻該P(yáng)層。在另一實(shí)施例中，該蝕刻可為不使用UV的電化學(xué)(EC)蝕刻而非PEC蝕刻。PEC蝕刻是電化學(xué)蝕刻的子集?？蓪⒃摴に嚨娜舾煞矫鎽?yīng)用于并非基于GaN的LED，諸如AlGaAs及AlInGaP LED。


圖1示出布滿了 LED管芯陣列的基板晶圓。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的圖1的基板晶圓上的四個LED區(qū)域的放大俯視圖，示出加偏壓金屬圖案。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板晶圓上的兩個LED區(qū)域沿圖2的線3_3截取的簡化且壓縮的橫截面圖，示出加偏壓金屬圖案。圖4是KOH溶液的摩爾電導(dǎo)率對濃度的先前技術(shù)曲線圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板上的實(shí)際接合襯墊圖案以及PEC加偏壓金屬的表示。圖6A示出測試先前技術(shù)的LED串時的問題，這些LED在位于基板晶圓上時與加偏
壓金屬互連。圖6B示出在使用本發(fā)明時，可測試基板晶圓上的LED的串。圖7是基板晶圓上的金屬圖案的俯視圖，其圖示使用本發(fā)明在將LED安裝于晶圓上之前如何對P及N接觸襯墊加偏壓以用于電鍍、繼而以對LED加偏壓以用于PEC蝕刻。圖8是圖示基板上的電鍍襯墊的橫截面圖。相同或等效的組件以相同數(shù)字標(biāo)記。
具體實(shí)施例方式圖1示出布滿了 LED管芯12的陣列的基板晶圓10?？纱嬖跀?shù)百個管芯12接合至晶圓10。基板基底材料可為陶瓷、硅、絕緣鋁或其它材料。圖2是晶圓10上的四個鄰近LED區(qū)域的特寫，示出晶圓10表面上的N金屬14及P金屬16。金屬14/16形成用于接合至LED管芯12的電極的襯墊。LED 12及金屬14/16可為任何大小。金屬14/16可為鍍有Ni/Au的銅，用于接合至LED管芯12的底表面上的陰極與陽極Ni/Au電極?？赏ㄟ^超聲焊接或其它方法將LED電極接合至金屬14/16。金屬14/16可由延伸穿過晶圓10的通孔連接至晶圓10中的每個基板的底部襯墊。在單?；?，可接著將底部襯墊表面安裝(surface mount)于印刷電路板上。金屬圖案20形成得極其接近N金屬14(諸如50微米)以便為電絕緣的。間隙經(jīng)選擇以使得在PEC蝕刻期間，KOH溶液(或其它電解質(zhì)溶液)充當(dāng)導(dǎo)體以將金屬圖案20短路至N金屬14以在PEC蝕刻期間對LED管芯12的N層加偏壓。在一實(shí)施例中，KOH溶液(例如，使用4摩爾/公升的濃度)的電阻率為約0.016歐姆米。在典型實(shí)例中，這將導(dǎo)致跨越50微米的間隙小于1.4歐姆，假設(shè)間隙的寬度約為11.56毫米且金屬化的厚度為50微米[(0.016歐姆米X50微米間隙)/(11.56毫米X50微米厚度)=1.384歐姆]。該間隙可為10微米或10微米以下至幾百微米(例如，300)以便在干燥環(huán)境中將金屬圖案20與N金屬14電隔離，同時在PEC蝕刻期間提供足夠偏壓。沿間隙的相對邊緣的寬度及跡線厚度直接決定兩個金屬之間的導(dǎo)電性。在PEC蝕刻期間存在極少電流，因此通過KOH溶液的任何電阻率不會顯著影響PEC工藝。金屬圖案20包括匯流條22及24，其連接至偏壓電壓V，諸如接地或其它電壓。金屬圖案20可為任何寬度或厚度。在PEC蝕刻之后，金屬圖案20變成隔離的，且在單粒化期間匯流條22及24的鋸切不影響LED管芯12的性能。在另一實(shí)施例中，對不使用UV的電化學(xué)(EC)蝕刻執(zhí)行加偏壓以加速蝕刻工藝。圖3是沿圖2中的線3-3截取的LED管芯12及基板晶圓10的簡化且壓縮的橫截面圖。LED管芯12是簡化的但大體上包括外延地(印itaxially)生長的半導(dǎo)體N型層26、半導(dǎo)體有源層28及半導(dǎo)體P型層30。對于倒裝芯片而言，將P型層30及有源層28的部分蝕刻掉以暴露N型層26，且沉積N電極32以接觸N型層26。P電極34接觸P型層30。在一實(shí)施例中，這些LED為AlInGaN且發(fā)射藍(lán)光至琥珀光。在一實(shí)施例中，這些半導(dǎo)體層是在藍(lán)寶石襯底上外延地生長。在LED管芯12自LED晶圓單粒化且安裝于基板晶圓10上之后(其中可選底部填充材料沉積于LED管芯12下方)，通過(例如)激光剝離移除藍(lán)寶石襯底，這暴露了 N型層26。N型層26可包括用于成核、應(yīng)力消除及包層的各種層?？山又褂酶鞣N方法中的任一者(包括PEC蝕刻)來薄化N型層26。PEC蝕刻可用于所有薄化，或可與其它方法組合以用于薄化N型層26。優(yōu)選地，PEC蝕刻至少用于粗糙化N型層26的表面以獲得改良的光提取?；寰A10上已形成有用于在PEC蝕刻期間加偏壓的金屬14和16，以及金屬圖案20。圖3中的金屬圖案20示意性地示出為由表示圖2中的總線22的線36電連接至其它金屬圖案20。金屬14及16由延伸穿過晶圓10的通孔42連接至底部陰極襯墊38及底部陽極襯墊40。在PEC蝕刻中，電場產(chǎn)生于待蝕刻的表面與溶液之間以增加蝕刻速率且控制蝕刻速率。為了實(shí)現(xiàn)這種加偏壓，LED管芯12的N型層26經(jīng)由金屬圖案20、KOH溶液及N金屬襯墊14耦接至接地(或其它合適的偏壓電壓)。圖4是來自2003公開案的簡化曲線圖，其說明KOH溶液的電導(dǎo)率對其濃度。對于小于幾百微米的間隙而言，KOH溶液的電阻低得足以在金屬圖案20 (圖2)與N金屬14之間提供足夠低的電流橋以用于在PEC蝕刻期間對N型層26加偏壓。如圖3中所示出，執(zhí)行了層26的暴露的表面的PEC蝕刻46。箭頭46也表示導(dǎo)電溶液。可在PEC蝕刻期間完全蝕刻穿過層26以產(chǎn)生多孔層。為了執(zhí)行PEC蝕刻，至少待蝕刻的層浸沒于電解質(zhì)溶液中且通過施加至金屬圖案20的電位來加偏壓。將具有正電位的電極浸沒于電解質(zhì)溶液中以對堿溶液加偏壓。合適的電解質(zhì)溶液的實(shí)例為0.2 M至4 M的Κ0Η，但也可使用許多其它合適的電解質(zhì)溶液，無論是堿性溶液或是酸性溶液。所使用的溶液及其濃度取決于待蝕刻的材料的組份及期望的表面紋理。層26的外延表面暴露于能量大于表面層的帶隙的光。在一實(shí)例中，使用波長為約365 nm及強(qiáng)度介于約10 mW/cm2和約100 mW/cm2之間的紫外光。暴露于光會在半導(dǎo)體層中產(chǎn)生電子-空穴對。空穴在電場的影響下遷移至GaN層的表面。空穴接著根據(jù)反應(yīng)式2GaN+60F +6e+ =2Ga (OH)3 +N2在表面處與GaN及堿溶液反應(yīng)以破壞GaN鍵。通過N型層26的電流對于每個1X1 mm2的LED管芯12可為約10 μ A。PEC電壓應(yīng)保持低于二極管擊穿電壓(例如，低于5伏特)。GaN層的PEC蝕刻的額外細(xì)節(jié)可見于John Epler的美國公開案第2006/0014310號及第2010/0006864號中，這些公開案讓與本受讓人且以引用的方式并入本文中。層26的表面的所得的粗糙化減少了在LED結(jié)構(gòu)內(nèi)的內(nèi)反射以增加提取效率。關(guān)于形成LED管芯及基板晶圓的其它描述見于John Epler的美國公開案第2010/0006864號中，該公開案讓與本受讓人且以引用的方式并入本文中。在蝕刻工藝之后，磷光體可沉積于LED上以對光進(jìn)行波長轉(zhuǎn)換。圖5不出用于基板晶圓上的單一 LED管芯的實(shí)際金屬襯墊配置,不出了用于在PEC蝕刻期間對LED管芯的暴露的N型層加偏壓的N金屬14、P金屬16及金屬圖案20。在圖5中，50微米間隙為約11.56 mm長。在已從KOH溶液移除晶圓10、將其清洗及干燥之后，可測試LED管芯12而不必?fù)?dān)心金屬圖案20的影響。圖6A示出在單一管芯中形成的微型LED (或LED單元)的串的先前技術(shù)實(shí)例?？赏ㄟ^溝槽來分開單一管芯，且金屬層串聯(lián)連接這些微型LED的陽極與陰極。在通過基板晶圓上的金屬跡線48來直接互連LED陰極以用于在PEC蝕刻期間對N型層加偏壓的先前技術(shù)的情況下，僅可測試該串中的最左邊的微型LED 50，這是因?yàn)槠渌⑿蚅ED被跡線48短路。圖6B示出根據(jù)本發(fā)明的微型LED的串的實(shí)例，其中這些微型LED的陰極在不處于電解質(zhì)溶液中時與加偏壓金屬圖案20電隔離。注意到，金屬圖案20與N金屬14的指狀交叉為經(jīng)由KOH溶液實(shí)現(xiàn)的電接觸提供了長的長度。由于微型LED的陰極未一起短路，因此可通過在該串的終端54/55之間施加電流來執(zhí)行對該微型LED管芯的串的測試。
在LED管芯12安裝于晶圓10上之前，可使用圖7中示出的加偏壓互連以Ni/Au電鍍晶圓10上的銅跡線(形成至少圖3中的金屬14、16、20、38及40)。圖7示意性地說明用于對基板晶圓10上的N金屬14及P金屬16加偏壓以用于電鍍金屬14及16以及用于稍后對N金屬14加偏壓以用于PEC蝕刻的偏壓技術(shù)。圖7中示出的金屬結(jié)構(gòu)也允許通過將電流施加至特定行線及列線來獨(dú)立測試每個LED管芯。所有N金屬14由N金屬列總線54及連接總線線56在基板晶圓10之前表面上連接在一起。所有P金屬16通過以P金屬行總線58及連接總線線57來互連基板晶圓10的底表面上的陽極襯墊40 (圖3)而連接于一起，連接總線線57最終短路至連接總線線56 (諸如，通過晶圓10的外部的互連)。在金屬14及16以及基板晶圓10的底表面上的襯墊的電鍍期間，總線線56及57連接至偏壓電壓，且晶圓10上的所有金屬鍍有Ni/Au層。圖8示出鍍有Ni/Au層60的N金屬14及P金屬16的銅晶種層。也鍍了銅側(cè)壁，這是因?yàn)橐褕D案化晶種層。這加寬了用于與LED管芯12的Ni/Au電極61接合的襯墊，從而改善了基板10上的LED管芯的置放的容差。在不合乎需要的技術(shù)中，可在電鍍工藝期間使用互連的柵格將所有基板10銅襯墊一起短路，其中將稍后在單?；陂g鋸切穿過該柵格。然而，若要在單?；皽y試個別LED，將必須激光切割每個連接。因此，對于具有8X8個襯墊的陣列，將存在至少64次激光切割。這將耗時且添加費(fèi)用。圖7的結(jié)構(gòu)通過互連獨(dú)立的列中的N金屬14及連接獨(dú)立的行中的P金屬16來解決此問題。由于N金屬14僅在四列中連接至水平總線線56，因此僅需要在電鍍之后在點(diǎn)62處作四次激光切割來隔離這些列。類似地，由于P金屬16僅在四行中連接至總線(由于在外部，因此未示出)，因此僅需要在電鍍之后在點(diǎn)64處作四次激光切割來隔離這些行。因此，僅需要八次激光切割而非64次。差異隨著LED管芯位置的數(shù)目增加而呈幾何級增加。在電鍍基板10襯墊之后，接著將LED管芯安裝于基板晶圓10上。在PEC蝕刻期間，對總線線56加偏壓(諸如，通過將其連接至接地)，且通過金屬圖案20將列總線54電連接至總線線56，金屬圖案20由低電阻率PEC蝕刻溶液短路至行總線54。這對LED的N型層加偏壓。金屬圖案20與列總線54指狀交叉以用于增加經(jīng)由PEC蝕刻溶液實(shí)現(xiàn)的電耦合的覽度。在PEC蝕刻之后，可通過將列總線及行總線的組合連接至驅(qū)動電流來在晶圓10上獨(dú)立尋址及測試個別LED。N金屬14及P金屬16的行列連及行互連仍允許個別地尋址每個LED管芯，這是因?yàn)榱幸淹ㄟ^點(diǎn)62處的四次激光切割而彼此隔離，且行已通過點(diǎn)64處的另外四次激光切割而彼此隔離。在PEC蝕刻及任何進(jìn)一步晶圓級處理(例如，模制透鏡、密封、沉積磷光體等)之后，沿LED區(qū)域的邊界鋸切或切斷基板晶圓10以單?；疞ED。單?；@些LED可切穿金屬圖案20，但該切穿對LED的性能無影響。也切穿列總線54及行總線58以隔離N金屬14與P金屬16的襯墊。因此，所公開的工藝通過用于PEC蝕刻(或電化學(xué)蝕刻)的直接互連來克服先前描述的缺點(diǎn)且使得能夠進(jìn)行無法通過常規(guī)互連執(zhí)行的測試，常規(guī)互連需要在獨(dú)立工藝步驟中切割這些互連。在本公開中，術(shù)語“基板”意欲意謂用于至少一個LED管芯的支撐件，其中該基板上的電接觸電連接至LED管芯上的電極，且其中該基板具有待連接以接收驅(qū)動電流的電極。盡管已示出及描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將明顯的是，可作出諸多改變及修改，而不會在本發(fā)明的較廣方面中脫離本發(fā)明，且因此所附權(quán)利要求將落入于本發(fā)明的真實(shí)精神及范疇內(nèi)的所有這種改變及修改涵蓋于其范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于制造發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: 提供多個LED，每個LED包括至少第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層經(jīng)暴露且連接至每個LED的第一電極； 提供基板晶圓，其具有第一金屬部分，所述第一金屬部分電連接至每個LED的第一電極以用于向每個LED提供激勵電流，所述基板晶圓具有第二金屬部分，所述第二金屬部分接近所述第一金屬部分但并不電連接至所述第一金屬部分； 將至少所述第一半導(dǎo)體層浸沒于溶液中以用于電化學(xué)(EC)蝕刻，所述溶液具有將所述第二金屬部分電連接至所述第一金屬部分的電導(dǎo)；以及 在所述EC蝕刻期間利用第一偏壓電壓對所述第二金屬部分加偏壓以對所述第一半導(dǎo)體層加偏壓以用于蝕刻所述第一半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行EC蝕刻包括:將至少所述第一半導(dǎo)體層浸沒于堿溶液中^fUV光施加至所述第一半導(dǎo)體層；及利用第二偏壓電壓對所述堿溶液加偏壓以在所述堿溶液與所述第一半導(dǎo)體層之間產(chǎn)生電場。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一偏壓電壓是接地電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二金屬部分與所述第一金屬部分隔開約10微米至300微米之間的間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二金屬部分與所述第一金屬部分指狀交叉以用于增加通過所述溶液實(shí)現(xiàn)的電接觸的長度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中這些LED中的至少一些串聯(lián)連接，所述方法進(jìn)一步包括通過在串聯(lián)的LED的端子電極之間耦合電流來測試串聯(lián)的LED。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個LED為倒裝芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括通過蝕刻所述第一半導(dǎo)體層來執(zhí)行所述PEC蝕刻以粗糙化所述第一半導(dǎo)體層的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括單粒化所述基板晶圓，包括電隔離所述第二金屬部分，所述單?；磺懈钏龅谝唤饘俨糠值娜魏尾糠?。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 通過經(jīng)由第一互連器將電鍍偏壓電壓耦合至所述第一金屬部分而在浸沒的步驟之前電鍍所述第一金屬部分；以及 在浸沒的步驟之前將所述互連器與所述第一金屬部分?jǐn)嚅_。
11.一種發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)，包括: LED，其包括至少第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層連接至所述LED的第一電極；以及 基板，其具有第一金屬部分，所述第一金屬部分電連接至所述LED的所述第一電極以用于向所述LED提供激勵電流，所述基板具有第二金屬部分，所述第二金屬部分沿著所述第一金屬部分延行且接近所述第一金屬部分但并不電連接至所述第一金屬部分， 所述第二金屬部分與所述LED電隔離，所述第二金屬部分經(jīng)配置以用于在所述第一半導(dǎo)體層的電化學(xué)(EC)蝕刻期間對所述第一半導(dǎo)體層加偏壓，藉此用于所述EC蝕刻的溶液將所述第二金屬部分電連接至所述第一金屬部分以用于將偏壓電壓耦合至所述第一金屬部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)， 其中所述第二金屬部分與所述第一金屬部分指狀交叉。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第二金屬部分與所述第一金屬部分隔開約10微米至300微米之間的間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中所述基板已從基板晶圓單?；渲袉瘟；瘜⑺龅诙饘俨糠峙c所述晶圓的其它部分電隔離。
15.根據(jù)權(quán)利要求11 所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第一半導(dǎo)體層是已經(jīng)受EC蝕刻的N型層。
全文摘要
安裝于基板晶圓上的LED陣列中的每個LED具有至少一個第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層經(jīng)暴露且連接至每個LED的第一電極。該基板晶圓具有第一金屬部分，該第一金屬部分接合至每個LED的該第一電極以用于向每個LED提供激勵電流。該基板晶圓還具有第二金屬部分，該第二金屬部分沿著該第一金屬部分延行且接近該第一金屬部分但并不電連接至該第一金屬部分。該第二金屬部分可與該第一金屬部分指狀交叉。該第二金屬部分連接至偏壓電壓。當(dāng)該晶圓浸沒于導(dǎo)電溶液中以用于該暴露的第一半導(dǎo)體層的電化學(xué)(EC)蝕刻時,該溶液將該第二金屬部分電連接至該第一金屬部分以用于在該EC蝕刻期間對該第一半導(dǎo)體層加偏壓。
文檔編號H01L33/22GK103155190SQ201180049514
公開日2013年6月12日 申請日期2011年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月12日
發(fā)明者Y.魏 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司