專(zhuān)利名稱(chēng)：片材粘附裝置及粘附方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將粘接片粘附在被粘物上的片材粘附裝置及粘附方法。
背景技術(shù)：
目前，在半導(dǎo)體制造工序中使用有在作為被粘物的半導(dǎo)體晶片(以下有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為晶片)的表面粘附保護(hù)片及安裝用片、切割膠帶、小片接合用帶等粘接片的片材粘附裝置(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。該片材粘附裝置將粘附有粘接片的環(huán)形框架支承在腔室內(nèi)的框架保持部，并且在粘接片的表面上方配置晶片，通過(guò)在使腔室內(nèi)為減壓環(huán)境的狀態(tài)下使晶片與粘接片抵接而將粘接片粘附在晶片表面。另一方面，公知有如下的晶片，S卩，在半導(dǎo)體制造工序中的切割的前工序中，為了使半導(dǎo)體芯片薄型化而對(duì)晶片的背面進(jìn)行研削，在該研削工序中，通過(guò)比外緣部更深地研肖IJ晶片的內(nèi)側(cè)，與外緣部相比，內(nèi)側(cè)更薄地形成，即向厚度方向突出的環(huán)狀的凸部設(shè)于外緣部，并且在由該凸部包圍的內(nèi)側(cè)具有凹部(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2 )。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:(日本)特開(kāi)平10 - 233430號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:(日本)特開(kāi)2007 - 19461號(hào)公報(bào)但是，在利用專(zhuān)利文獻(xiàn)I記載的現(xiàn)有的片材粘附裝置將比晶片的外形大的粘接片粘附在專(zhuān)利文獻(xiàn)2記載的外緣部具有凸部的晶片上的情況下，在將粘接片粘附在晶片的凹部的整個(gè)底面之前，已將其粘附在晶片外緣部的凸部。因此，具有在晶片的凹部的內(nèi)周面與底面之間的角部不將粘接片粘附在晶片上，在該部位，在粘接片以及晶片之間產(chǎn)生空隙的不良情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠盡量不產(chǎn)生空隙地將粘接片粘附于外緣部具有凸部的被粘物的片材粘附裝置及粘附方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的片材粘附裝置包括:片材支承裝置，其對(duì)與所述被粘物相對(duì)配置的粘接片進(jìn)行支承；片材變形裝置，其使被支承的粘接片向所述被粘物側(cè)撓曲并粘附在該被粘物上；變形限制裝置，其對(duì)俯視所述被粘物時(shí)位于被粘物外緣的外側(cè)的粘接片區(qū)域向所述被粘物側(cè)的變形進(jìn)行限制。在本發(fā)明的片材粘附裝置中，優(yōu)選的是，具有減壓裝置，其將所述被粘物及與該被粘物相對(duì)配直的粘接片保持在減壓環(huán)境中。另外，在本發(fā)明的片材粘附裝置中，優(yōu)選的是，所述減壓裝置形成以所述粘接片為邊界而獨(dú)立的第一空間及第二空間，所述片材變形裝置通過(guò)所述第一空間以及所述第二空間的壓力差使所述粘接片向所述被粘物側(cè)撓曲并粘附。另一方面，本發(fā)明的片材粘附方法，對(duì)與被粘物相對(duì)配置的粘接片進(jìn)行支承，在使被支承的粘接片向所述被粘物側(cè)撓曲并粘附于該被粘物時(shí)，對(duì)俯視所述被粘物時(shí)位于被粘物外緣的外側(cè)的粘接片區(qū)域向所述被粘物側(cè)的變形進(jìn)行限制。
根據(jù)以上的本發(fā)明，在使粘接片向被粘物側(cè)撓曲并粘附于該被粘物時(shí)，能夠?qū)Ρ徽澄锿饩壍耐鈧?cè)的粘接片區(qū)域向被粘物側(cè)的撓曲進(jìn)行限制。因此，作為被粘物，即使在例如以具有外緣部的凸部以及中間部的凹部的晶片為對(duì)象的情況下，也能夠在粘接片粘附于晶片的凸部之前，將粘接片粘附在晶片的凹部底面的較大范圍，故而能夠盡量不產(chǎn)生空隙而粘附粘接片。在本發(fā)明中，若設(shè)置將被粘物以及與該被粘物相對(duì)配置的粘接片保持在減壓環(huán)境中的減壓裝置，則能夠在減壓狀態(tài)下將粘接片粘附于被粘物，能夠防止在粘接片以及被粘物之間產(chǎn)生空隙。另外，通過(guò)相對(duì)于以粘接片為邊界而獨(dú)立的第一空間以及第二空間，將第一空間的壓力設(shè)定得比第二空間的壓力高，通過(guò)第一空間以及第二空間的壓力差使粘接片向被粘物側(cè)撓曲，能夠?qū)⒃撜辰悠瑥谋徽澄锏闹行膮^(qū)域向外緣方向粘附，故而能夠防止粘接片先粘附在被粘物的外緣部。


圖1是將本發(fā)明一實(shí)施方式的片材粘附裝置部分地剖切表示的側(cè)面圖；圖2是片材粘附裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖；圖3是片材粘附裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖；圖4是片材粘附裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖；圖5是片材粘附裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖；圖6是將對(duì)一部分構(gòu)成進(jìn)行了更換后的片材粘附裝置部分地剖切表示的側(cè)面圖。標(biāo)記說(shuō)明1:片材粘附裝置3:減壓裝置4A、4B:變形限制部件(變形限制裝置)6:蓋部件(片材支承裝置)7:下腔室(片材支承裝置)8A、8B:壓力調(diào)整裝置(片材變形裝置)MS:安裝用片(粘接片)Vl:第一空間V2:第二空間W:晶片(被粘物)
具體實(shí)施例方式以下，基于附圖對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，本實(shí)施方式的片材粘附裝置I將以堵塞環(huán)形框架RF的開(kāi)口部RFl的方式預(yù)先貼附的作為粘接片的安裝用片MS粘附在作為被粘物的晶片W上，利用安裝用片MS將晶片W和環(huán)形框架RF —體化。在此，晶片W為通過(guò)以外緣部比其以外的部分更厚的方式進(jìn)行研削，使向厚度方向(背面?zhèn)?突出的環(huán)狀凸部Wl形成在外緣部，在由凸部Wl包圍的內(nèi)側(cè)形成凹部W2并且在其表面?zhèn)?為研削面的相反側(cè)，圖1的下側(cè)的面?zhèn)?的電路面W3形成有電路的半導(dǎo)體晶片。在電路面W3上粘附有未圖示的保護(hù)片。另外，安裝用片MS具有在未圖示的基材片的一面上層積有粘接劑層的構(gòu)成。在圖1中，片材粘附裝置I通過(guò)將后述的臺(tái)21A更換成尺寸不同的構(gòu)成，能夠相對(duì)于多個(gè)尺寸的晶片W粘附安裝用片MS。因此，例如8英寸框架用的片材粘附裝置I能夠?qū)惭b用片MS粘附在6英寸以及8英寸的晶片W上，12英寸框架用的片材粘附裝置I能夠?qū)惭b用片MS粘附在8英寸以及12英寸的晶片W上。片材粘附裝置I具備:支承晶片W的被粘物支承裝置2 ;將安裝用片MS與晶片W相對(duì)配置并且將晶片W及安裝用片MS保持在減壓環(huán)境中的減壓裝置3 ;對(duì)俯視晶片W時(shí)晶片W外緣的外側(cè)的安裝用片MS區(qū)域向晶片W側(cè)的變形進(jìn)行限制的作為變形限制裝置的變形限制部件4A。被粘物支承裝置2具備:具有比晶片W的外緣大的外形的圓盤(pán)形狀的臺(tái)21 ;將輸出軸22k固定在臺(tái)21的下面的作為驅(qū)動(dòng)設(shè)備的直驅(qū)電機(jī)22。在臺(tái)21的上面24設(shè)有外緣部向厚度方向(圖1中上方)突出的環(huán)狀的凸部23。另外，被粘物支承裝置2以能夠支承多個(gè)尺寸的晶片W的方式構(gòu)成并且可將臺(tái)21A更換為與臺(tái)21A不同大小的臺(tái)21B(參照?qǐng)D6)。例如，圖1為12英寸的晶片W用，圖6為8英寸的晶片W用。減壓裝置3具備:對(duì)粘附于環(huán)形框架RF的安裝用片MS進(jìn)行支承使其與晶片W相對(duì)的作為片材支承裝置的蓋部件6及下腔室7 ;可將由蓋部件6及安裝用片MS形成的第一空間Vl (參照?qǐng)D2)內(nèi)減壓的作為片材變形裝置的壓力調(diào)整裝置8A ;可將由安裝用片MS及下腔室7形成的第二空間V2 (參照?qǐng)D2)內(nèi)減壓的作為片材變形裝置的壓力調(diào)整裝置SB。蓋部件6通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)設(shè)備升降自如地設(shè)置。蓋部件6的下面61側(cè)具備與環(huán)形框架RF的外形相同形狀的截面凹狀的框架保持部63、和以表面露出的狀態(tài)埋設(shè)在該框架保持部63的彈性部件64A、64B?？蚣鼙３植?3中的環(huán)形框架RF位于下方的部分設(shè)有多個(gè)吸引口 65，并且，由彈性部件構(gòu)成，追隨安裝用片MS的臺(tái)階部而能夠確保第一空間Vl的密閉性。另外，在框架保持部63設(shè)有與壓力調(diào)整裝置8A連接的壓力調(diào)整通路66，在壓力調(diào)整通路66設(shè)有檢測(cè)第一空間Vl的壓力的壓力檢測(cè)裝置9A。下腔室7形成為上面74開(kāi)口的箱狀。S卩，下腔室7具備設(shè)有被粘物支承裝置2的底面部71和從底面部71的外緣向上方延伸的側(cè)面部72。在底面部71設(shè)有與壓力調(diào)整裝置8B連接的壓力調(diào)整通路73，在壓力調(diào)整通路73設(shè)有檢測(cè)第二空間V2的壓力的壓力檢測(cè)裝置9B。另外，在側(cè)面部72的上面74設(shè)有向內(nèi)周側(cè)低一級(jí)而形成的環(huán)狀的框架支承部75、向框架支承部75的內(nèi)周側(cè)更低一級(jí)而形成的環(huán)狀的限制部件支承部76。粘附有安裝用片MS的環(huán)形框架RF被該框架支承部75支承，變形限制部件4A被限制部件支承部76支承。在這樣的減壓裝置3中，形成有以安裝用片MS為邊界而獨(dú)立的第一空間Vl及第二空間V2。另外，壓力調(diào)整裝置8A、8B通過(guò)調(diào)整第一及第二空間V1、V2內(nèi)的壓力，利用第一空間Vl及第二空間V2間的壓差按壓安裝用片MS將其粘附于晶片W。變形限制部件4A為截面形成為L(zhǎng)形的環(huán)狀部件。即，變形限制部件4A在內(nèi)緣側(cè)具有向厚度方向突出的環(huán)狀凸部41A，并且在該凸部41A的外緣側(cè)具有凹部42A。該變形限制部件4A使凸部41A朝向安裝用片MS側(cè)而被支承于下腔室7的限制部件支承部76，在蓋部件6的下面61與下腔室7的上面74抵接時(shí)，凸部41A與安裝用片MS抵接，凹部42A與環(huán)形框架RF抵接。另外，在凸部41A的與安裝用片MS的抵接面，以被粘附的安裝用片MS可剝離的方式實(shí)施有層積氟類(lèi)樹(shù)脂等的非粘接處理。對(duì)在以上的片材粘附裝置I中，在晶片W上粘附安裝用片MS的順序進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖1所示，未圖示的搬送裝置通過(guò)安裝用片MS將開(kāi)口部RFl被堵塞的12英寸用的環(huán)形框架RF吸附保持于蓋部件6，并且將12英寸的晶片W如圖1所示地載置在12英寸用的臺(tái)21上。然后，減壓裝置3通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)設(shè)備使蓋部件6下降，使蓋部件6的下面61與下腔室7的上面74抵接。在蓋部件6及下腔室7形成第一及第二空間V1、V2 (參照?qǐng)D2 圖4)后，壓力調(diào)整裝置8A、8B以相同的減壓率對(duì)第一及第二空間V1、V2進(jìn)行減壓，并且以成為相同壓力的方式使第一及第二空間V1、V2成為真空狀態(tài)或減壓狀態(tài)。接著，減壓裝置3在維持第一及第二空間V1，V2的減壓狀態(tài)的狀態(tài)下，通過(guò)壓力調(diào)整裝置8A、8B將第一空間Vl的壓力設(shè)定得比第二空間V2的壓力高。于是，如圖2A所示，安裝用片MS利用第一及第二空間V1、V2間的壓差被按向第二空間V2側(cè)，中心部以最接近晶片W的方式撓曲。在該狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)直驅(qū)電機(jī)22使臺(tái)21上升時(shí)，如圖3所示，安裝用片MS從晶片W的中心部分向外緣側(cè)逐漸粘附。而且，如圖4所示，通過(guò)凸部Wl的頂面Wll將安裝用片MS壓靠在蓋部件6的彈性部件64上并維持該狀態(tài)時(shí)，在第一空間Vl中，在彈性部件64的內(nèi)側(cè)與安裝用片MS之間形成新的第三空間V3，并且在第二空間V2中，在安裝用片MS與晶片W之間形成新的第四空間V4 (空隙)。在此，安裝用片以從晶片W的外緣伸出的大小預(yù)先粘附在環(huán)形框架RF的開(kāi)口部RFl，并且經(jīng)由環(huán)形框架RF支承于蓋部件6以及下腔室7。即，安裝用片MS以與晶片W相對(duì)配置的狀態(tài)在比晶片W外緣更靠外側(cè)并且從晶片外緣離開(kāi)的位置支承于蓋部件6以及下腔室7。因此，在未設(shè)置變形限制部件4A的情況下，如圖2的雙點(diǎn)劃線(xiàn)所示，安裝用片MS從比晶片外緣更靠外側(cè)的環(huán)形框架RF部分開(kāi)始撓曲，故而如圖3中的雙點(diǎn)劃線(xiàn)所示，安裝用片MS在從晶片W的凹部W2的中央部分粘附于底面W21的較大范圍之前，粘附在晶片W的凸部Wl的頂面W11。在這樣的狀態(tài)下即使將氣體導(dǎo)入第一空間Vl內(nèi)并對(duì)安裝用片MS作用大氣壓，如圖4中的雙點(diǎn)劃線(xiàn)所示，也不能夠使第四空間V4消失，該第四空間V4殘留。這是因?yàn)?，若將第一以及第二空間V1、V2減壓而成為完全真空的狀態(tài)(無(wú)壓力的狀態(tài))，第四空間V4雖不殘留，但形成完全真空的狀態(tài)在技術(shù)上具有難度，而且為了接近完全真空的狀態(tài)，出了需要相應(yīng)的減壓裝置、導(dǎo)致裝置大型化之外，在減壓至這樣的狀態(tài)時(shí)耗費(fèi)大量時(shí)間，故而在通常的生產(chǎn)設(shè)備使用的減壓裝置中，不能夠形成為完全真空或者與其接近的狀態(tài)。對(duì)此，若設(shè)置變形限制部件4A，則俯視晶片W時(shí)位于晶片W外緣的更外側(cè)的安裝用片MS區(qū)域與變形限制部件4A的凸部41A抵接，凸部41A對(duì)安裝用片MS的該區(qū)域向晶片W側(cè)的變形。因此，能夠限制位于比晶片W外緣更靠外側(cè)的安裝用片MS區(qū)域的位移，能夠防止安裝用片MS的該區(qū)域向晶片W側(cè)的撓曲。因此，與未設(shè)置變形限制部件4A的情況相比，在安裝用片MS粘附于凸部Wl的頂面Wll之前，能夠?qū)⒄掣接诎疾縒2的底面W21的區(qū)域設(shè)為較大范圍，故而能夠盡量縮小第四空間V4。之后，通過(guò)壓力調(diào)整裝置SB將第二空間V2的壓力設(shè)定為與第一空間Vl的壓力相等。接著，減壓裝置3利用壓力調(diào)整裝置8A、8B將第三及第二空間V3、V2的壓力以相同的增壓率進(jìn)行增壓，并且通過(guò)逐漸返回到大氣壓，使第四空間V4經(jīng)由安裝用片MS被第三空間V3的壓力按壓而逐漸變小，以安裝用片MS緊密貼合在晶片W的角部W23的方式將安裝用片MS粘附在角部W23。對(duì)此時(shí)的狀態(tài)進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明，安裝用片MS雖然未緊密貼合在晶片W的角部W23，但由于盡量減小形成減壓狀態(tài)時(shí)的第四空間V4，故而看起來(lái)成為安裝用片MS緊密貼合在晶片W的角部W23的狀態(tài)。以上，安裝用片MS的粘附完成，經(jīng)由安裝用片MS將晶片W和環(huán)形框架RF —體化，故而如圖5所示，在蓋部件6經(jīng)由吸引口 65吸附保持環(huán)形框架RF的狀態(tài)下，通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)設(shè)備使蓋部件6上升到規(guī)定的位置。之后，通過(guò)未圖示的搬運(yùn)裝置將晶片W以及環(huán)形框架RF搬運(yùn)到下一工序，例如保護(hù)片的剝離工序等。另一方面，在尺寸不同的晶片、例如8英寸的晶片W上經(jīng)由安裝用片MS安裝于12英寸以的環(huán)形框架RF時(shí)，如圖6所示，將12英寸用的臺(tái)21A更換為8英寸用的臺(tái)21B，并且將變形限制部件4A更換為與臺(tái)21A的大小匹配的大小的變形限制部件4B。S卩，在臺(tái)21B比臺(tái)21A小的情況下，與變形限制部件4A相比，使用外徑以及凹部42B的大小相同且內(nèi)徑較小，凸部41B的徑向長(zhǎng)度更長(zhǎng)的變形限制部件4B。由此，在與小尺寸的晶片W匹配而使用有小的臺(tái)21B的情況下，限制安裝用片MS比晶片W外緣更外側(cè)的區(qū)域的變形，防止安裝用片MS的該區(qū)域向晶片W側(cè)的撓曲。與上述同樣地，將安裝用片MS粘附于晶片W。這樣，即使在晶片W的尺寸較小的情況下，在安裝用片MS以及在晶片W之間看起來(lái)也不產(chǎn)生第四空間V4，能夠?qū)惭b排MS粘附于晶片W。根據(jù)以上的本實(shí)施方式，具有如下的效果。S卩，片材粘附裝置I使安裝用片MS向晶片W側(cè)撓曲并粘附于晶片W時(shí)，限制安裝用片MS的比晶片W外緣更靠外側(cè)的區(qū)域向晶片W側(cè)的變形，故而能夠限制安裝用片MS的該區(qū)域向晶片W側(cè)的撓曲。因此，在安裝用片MS粘附于晶片W外緣的凸部Wl的頂面Wll之前，能夠?qū)惭b用片MS粘附在晶片W的凹部W2的底面W21的較大范圍，故而能夠防止在安裝用片MS以及晶片W之間產(chǎn)生第四空間V4。如上所述，用于實(shí)施本發(fā)明的最佳構(gòu)成、方法等在上述記載在進(jìn)行了公開(kāi)，但本發(fā)明不限于此。即，本發(fā)明雖然主要對(duì)特定的實(shí)施方式特別地進(jìn)行了圖示且進(jìn)行了說(shuō)明，但不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想及目的的范圍，對(duì)于以上所述的實(shí)施方式，在形狀、材質(zhì)、數(shù)量、其它的詳細(xì)構(gòu)成上，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)ζ涫┘痈鞣N變形。另外，上述公開(kāi)的限定了形狀、材質(zhì)等的記載是便于容易地理解本發(fā)明而示例的記載，不限定本發(fā)明，故而除了對(duì)其形狀、材質(zhì)等的限定的一部分或全部的限定外的部件的名稱(chēng)中的記載均包含于本發(fā)明。例如，在上述實(shí)施方式中，表示了被粘物為晶片W的情況，但被粘物不限于晶片W，也可以沒(méi)有環(huán)形框架RF，除了晶片W以外，也可以將玻璃板、鋼板或樹(shù)脂板等其它板狀部件等、或板狀部件以外的部件作為對(duì)象。而且，晶片W能夠示例硅半導(dǎo)體晶片或化合物半導(dǎo)體晶片等。而且，這樣的粘附于被粘物的粘接片不限于安裝用片MS，可適用粘附于其它任意片材、薄膜、帶等板狀部件的任意用途、形狀的粘接片。另外，在上述實(shí)施方式中，采用了在電路面上粘附有保護(hù)片的晶片W，但也可以采用未粘附有保護(hù)片的晶片W。在上述實(shí)施方式中，粘附有環(huán)形框架RF的安裝用片MS被減壓裝置3的蓋部件6及下腔室7支承，但作為片材支承裝置，不限于蓋部件6及下腔室7。例如，也可以將蓋部件6如下腔室7那樣地形成為箱狀，在蓋部件6的下面61設(shè)置支承環(huán)形框架RF及安裝用片MS的臺(tái)，或以包圍被粘物支承裝置2的方式在下腔室7的底面部71設(shè)置外周臺(tái)，用這些臺(tái)支承粘附有環(huán)形框架RF的安裝用片MS。另外，在上述實(shí)施方式中，蓋部件6及下腔室7通過(guò)保持環(huán)形框架RF部分而保持晶片W或安裝用片MS，但也可以保持安裝用片MS。在上述實(shí)施方式中，通過(guò)利用壓力調(diào)整裝置8A將未配置有晶片W的第一空間Vl的壓力設(shè)定得比配置有晶片W的第二空間V2的壓力高，使安裝用片MS向晶片W側(cè)撓曲，但作為使安裝用片MS向晶片W側(cè)撓曲的片材變形裝置，不限于此。例如，可以利用壓力調(diào)整裝置SB將第二空間V2的壓力設(shè)定得比第一空間Vl的壓力低，或者也可以設(shè)置粘附輥，通過(guò)使該粘附輥在安裝用片MS上滾動(dòng)而使安裝用片MS向晶片W側(cè)撓曲并粘附于晶片W上。在上述實(shí)施方式中，設(shè)有環(huán)狀的變形限制部件4A，但變形限制裝置不限于此。只要能夠限制安裝用片MS的晶片W外緣的外側(cè)的區(qū)域向晶片W側(cè)的變形即可，例如可以通過(guò)在蓋部件6的比晶片W外緣更外側(cè)的部分設(shè)置多個(gè)吸引口，經(jīng)由該吸引口將安裝用片MS向晶片W的方向的相反方向吸弓I，限制安裝用片MS的比晶片W外緣更外側(cè)的區(qū)域向晶片W側(cè)的變形。另外，上述實(shí)施方式中的驅(qū)動(dòng)設(shè)備可采用旋轉(zhuǎn)電機(jī)、直驅(qū)電機(jī)、線(xiàn)性電機(jī)、單軸機(jī)械手、多關(guān)節(jié)機(jī)械手等電動(dòng)設(shè)備、氣缸、液壓缸、無(wú)桿氣缸及旋轉(zhuǎn)氣缸等促動(dòng)器等，而且，也可以采用將這些設(shè)備直接或間接地進(jìn)行組合的裝置(也具有與實(shí)施方式中示例的構(gòu)成重復(fù)的構(gòu)成)。
權(quán)利要求
1.一種片材粘附裝置，其特征在于，包括: 片材支承裝置，其對(duì)與所述被粘物相對(duì)配置的粘接片進(jìn)行支承； 片材變形裝置，其使被支承的粘接片向所述被粘物側(cè)撓曲并粘附在該被粘物上；變形限制裝置，其對(duì)俯視所述被粘物時(shí)位于被粘物外緣的外側(cè)的粘接片區(qū)域向所述被粘物側(cè)的變形進(jìn)行限制。
2.如權(quán)利要求1所述的片材粘附裝置，其特征在于， 具有減壓裝置，其將所述被粘物及與該被粘物相對(duì)配置的粘接片保持在減壓環(huán)境中。
3.如權(quán)利要求2所述的片材粘附裝置，其特征在于， 所述減壓裝置形成以所述粘接片為邊界而獨(dú)立的第一空間及第二空間， 所述片材變形裝置通過(guò)所述第一空間以及所述第二空間的壓力差使所述粘接片向所述被粘物側(cè)撓曲并粘附。
4.一種片材粘附方法，其特征在于， 對(duì)與被粘物相對(duì)配置的粘接片進(jìn)行支承， 在使被支承的粘接片向所述被粘物側(cè)提曲并粘附于該被粘物時(shí)，對(duì)俯視所述被粘物時(shí)位于被粘物外緣的外側(cè)的粘接片區(qū)域向所述被粘物側(cè)的變形進(jìn)行限制。
全文摘要
一種片材粘附裝置及粘附方法。本發(fā)明的片材粘附裝置(1)包括片材支承裝置(6、7)，其對(duì)與被粘物(W)相對(duì)配置的粘接片(MS)進(jìn)行支承；片材變形裝置(8A、8B)，其使被支承的粘接片(MS)向被粘物(W)側(cè)撓曲并粘附在被粘物(W)上；變形限制裝置(4A)，其對(duì)俯視被粘物(W)時(shí)位于粘物外緣的外側(cè)的粘接片區(qū)域向被粘物(W)側(cè)的變形進(jìn)行限制。
文檔編號(hào)H01L21/683GK103180937SQ20118005052
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者高野健 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社