本發(fā)明的實施例涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件。

背景技術(shù)：
在晶片級LED封裝技術(shù)中，封裝工藝在晶片狀態(tài)下共同執(zhí)行，在切割之后為了在安裝時區(qū)分陽極和陰極而提供在單個半導(dǎo)體發(fā)光元件的外形的標記會導(dǎo)致較低生產(chǎn)率。引用文獻專利文獻PTL1：美國專利申請公布No.2010／0148198。附圖說明圖1A是實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示意性截面圖，圖1B是該實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的外部端子的示意性平面圖。圖2A至圖2D示出實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的外部端子的其它特定示例。圖3A至圖14B是示出用于制造實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法的示意圖。圖15A和圖15B是另一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示意性截面圖。具體實施方式根據(jù)一個實施例，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體層、p側(cè)電極、n側(cè)電極、p側(cè)金屬柱、n側(cè)金屬柱、以及絕緣體。該半導(dǎo)體層包括第一表面、與該第一表面相對的第二表面、以及發(fā)光層。該p側(cè)電極設(shè)置在第二表面的包括發(fā)光層的區(qū)域上。該n側(cè)電極設(shè)置在第二表面的不包括發(fā)光層的區(qū)域上。該p側(cè)金屬柱設(shè)置在該第二表面?zhèn)?。該p側(cè)金屬柱電連接至p側(cè)電極。該n側(cè)金屬柱設(shè)置在第二表面?zhèn)炔⑴cp側(cè)金屬柱分離開。該n側(cè)金屬柱電連接至n側(cè)電極。該絕緣體至少設(shè)置在p側(cè)金屬柱與n側(cè)金屬柱之間。該p側(cè)金屬柱包括p側(cè)外部端子，該p側(cè)外部端子在與連接到p側(cè)電極的表面不同的表面處從絕緣體暴露出。該n側(cè)金屬柱包括n側(cè)外部端子，該n側(cè)外部端子在與連接到n側(cè)電極的表面不同的表面處從絕緣體暴露出。選自p側(cè)外部端子的面積和平面構(gòu)造中的至少一個不同于選自n側(cè)外部端子的面積和平面構(gòu)造中的至少一個。下面將參照附圖來描述各種實施例。采用相同的附圖標記來標記附圖中的類似元件。在示出制造工藝的附圖中，示出了晶片中包括多個半導(dǎo)體層15(芯片)的部分區(qū)域。圖1A是實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件10的示意性截面圖。圖1B是包括相同的半導(dǎo)體發(fā)光器件10的p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a的安裝表面的示意性平面圖。半導(dǎo)體發(fā)光器件10包括半導(dǎo)體層15。半導(dǎo)體層15包括第一表面15a和與第一表面15a相對的第二表面。電極與互連層設(shè)置在第二表面?zhèn)壬稀９庵饕獜呐c第二表面相對的第一表面15a發(fā)射到外部。半導(dǎo)體層15包括第一半導(dǎo)體層11和第二半導(dǎo)體層12。第一半導(dǎo)體層11和第二半導(dǎo)體層12都包括例如氮化物半導(dǎo)體。第一半導(dǎo)體層11包括例如基礎(chǔ)緩沖層、n型層等；并且n型層起電流的橫向路徑作用。第二半導(dǎo)體層12包括堆疊結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光層(有源層)13插置在n型層和p型層之間。半導(dǎo)體層15的第二表面被圖案化為不平坦構(gòu)造。第二表面上形成的突起包括發(fā)光層13。p側(cè)電極16設(shè)置在第二半導(dǎo)體層12的頂表面上，其為該突起的頂表面。p側(cè)電極16設(shè)置在包括發(fā)光層13的區(qū)域上。沒有第二半導(dǎo)體層12的區(qū)域設(shè)置在半導(dǎo)體層15中的該突起旁邊的第二表面上，并且n側(cè)電極17設(shè)置在該區(qū)域的第一半導(dǎo)體層11的頂表面上。n側(cè)電極17設(shè)置在不包括發(fā)光層13的區(qū)域上。在如圖5B所示的半導(dǎo)體層15的第二表面上，包括發(fā)光層13的第二半導(dǎo)體層12的面積大于不包括發(fā)光層13的第一半導(dǎo)體層11的面積。在如圖6B所示的半導(dǎo)體層15中，設(shè)置在包括發(fā)光層13的區(qū)域上的p側(cè)電極16的面積大于設(shè)置在不包括發(fā)光層13的區(qū)域上的n側(cè)電極17的面積。因此，可以得到寬的發(fā)光區(qū)域。圖6B所示的p側(cè)電極16和n側(cè)電極17的布局是一個示例，并不限于此。絕緣層18設(shè)置在半導(dǎo)體層15的第二表面?zhèn)壬?。絕緣層18覆蓋半導(dǎo)體層15、p側(cè)電極16、和n側(cè)電極17。也可以是以下情況：另一絕緣膜(例如氧化硅膜)設(shè)置在絕緣層18和半導(dǎo)體層15之間。絕緣層18例如是樹脂，諸如具有優(yōu)良的可圖案化的聚酰亞胺，來用于超精細開口?？商鎿Q地，例如氧化硅、氮化硅等無機物質(zhì)可用作絕緣層18。絕緣層18包括在與半導(dǎo)體層15相對一側(cè)的互連表面18c。p側(cè)互連層21和n側(cè)互連層22以相互分離的方式設(shè)置在互連表面18c上。p側(cè)互連層21還設(shè)置在絕緣層18中所產(chǎn)生的第一通孔18a的內(nèi)部以到達p側(cè)電極16，并且電連接到p側(cè)電極16。p側(cè)互連層21并不總是必需形成在絕緣層18上。例如，可采用如下結(jié)構(gòu)，其中p側(cè)互連層21僅設(shè)置在p側(cè)電極16上。n側(cè)互連層22還設(shè)置在絕緣層18中所產(chǎn)生的第二通孔18b的內(nèi)部以到達n側(cè)電極17，并且電連接到n側(cè)電極17。p側(cè)金屬柱23設(shè)置在p側(cè)互連層21中的與p側(cè)電極16相對的一側(cè)的表面上。n側(cè)金屬柱24設(shè)置在n側(cè)互連層22中的與n側(cè)電極17相對的一側(cè)的表面上。樹脂層25作為絕緣體而設(shè)置在絕緣層18的互連表面18c上。樹脂層25覆蓋p側(cè)互連層21和n側(cè)互連層22。樹脂層25覆蓋p側(cè)金屬柱23和n側(cè)金屬柱24的全部側(cè)表面。樹脂層25填充在p側(cè)金屬柱23與n側(cè)金屬柱24之間。p側(cè)金屬柱23的與p側(cè)互連層21相對的一側(cè)的表面起p側(cè)外部端子23a的作用。n側(cè)金屬柱24的與n側(cè)互連層22相對的一側(cè)的表面起n側(cè)外部端子24a的作用。p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a從樹脂層25暴露出，且以諸如焊料、另一金屬、導(dǎo)電材料等結(jié)合劑來結(jié)合到形成在安裝基板上的焊盤。暴露于安裝表面的p側(cè)外部端子23a與n側(cè)外部端子24a之間的距離大于絕緣層18的互連表面18c上的p側(cè)互連層21與n側(cè)互連層22之間的距離。換句話說，p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a所分隔開的距離能夠使得p側(cè)外部端子23a與n側(cè)外部端子24a在安裝到安裝基板時不會由于焊料等而造成彼此短路。p側(cè)互連層21的平面尺寸大于p側(cè)外部端子23a的平面尺寸?？墒褂弥T如銅的低電阻金屬來形成p側(cè)互連層21。因此，可以隨著p側(cè)互連層21的面積增加而以更加均勻的分布將電流提供給第二半導(dǎo)體層12。此外，也可以增加p側(cè)互連層21的熱傳導(dǎo)性，且也可以有效地釋放第二半導(dǎo)體層12的熱量。p側(cè)電極16伸展到包括發(fā)光層13的區(qū)域。因此，經(jīng)由多個第一通孔18a連接p側(cè)互連層21與p側(cè)電極16，可以改善到發(fā)光層13的電流分布，并還可以提高發(fā)光層13的散熱。n側(cè)互連層22與n側(cè)金屬柱24之間的接觸面積大于n側(cè)互連層22與n側(cè)電極17之間的接觸面積。此外，n側(cè)互連層22的一部分在絕緣層18的互連表面18c之上延伸到在發(fā)光層13下面延伸的位置。因此，可從設(shè)置在不包括發(fā)光層13的窄區(qū)域中的n側(cè)電極17經(jīng)由n側(cè)互連層22形成具有較寬引出(draw-out)的電極，同時通過形成在寬區(qū)域上的發(fā)光層13得到高亮度輸出。p側(cè)互連層21與p側(cè)金屬柱23之間的接觸面積大于p側(cè)互連層21與p側(cè)電極16之間的接觸面積。可替換地，p側(cè)互連層21與p側(cè)金屬柱23之間的接觸面積小于p側(cè)互連層21與p側(cè)電極16之間的接觸面積。經(jīng)由n側(cè)電極17和n側(cè)互連層22將第一半導(dǎo)體層11電連接到n側(cè)金屬柱24。經(jīng)由p側(cè)電極16和p側(cè)互連層21將包括發(fā)光層13的第二半導(dǎo)體層12電連接到p側(cè)金屬柱23。p側(cè)金屬柱23比p側(cè)互連層21厚，并且n側(cè)金屬柱24比n側(cè)互連層22厚。因此，甚至在沒有支撐半導(dǎo)體層15的基板的情況下，可以通過p側(cè)金屬柱23、n側(cè)金屬柱24以及p側(cè)金屬柱23與n側(cè)金屬柱24之間填充的樹脂層25來增加半導(dǎo)體發(fā)光器件10的機械強度?？梢允褂勉~、金、鎳、銀等用作p側(cè)互連層21、n側(cè)互連層22、p側(cè)金屬柱23以及n側(cè)金屬柱24的材料。在這些材料中，在使用銅的情況下，能夠獲得良好的導(dǎo)熱率、高遷移阻力以及與絕緣材料的優(yōu)良粘附力。樹脂層25加固了p側(cè)金屬柱23和n側(cè)金屬柱24。期望樹脂層25的熱膨脹系數(shù)與安裝基板的熱膨脹系數(shù)相接近或相同。這樣的樹脂層25的示例包括例如環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、碳氟樹脂等。p側(cè)金屬柱23的厚度和n側(cè)金屬柱24的厚度(圖1A中的垂直方向上的厚度)比包括半導(dǎo)體層15、p側(cè)電極16、n側(cè)電極17、以及絕緣層18的堆疊體的厚度厚。金屬柱23和24中的每一個的長寬比(厚度與平面尺寸的比)不限于不小于1，而且該比可小于1。換句話說，金屬柱23和24的厚度足可小于其平面尺寸。根據(jù)實施例，即使在半導(dǎo)體層15是薄的且沒有基板支撐半導(dǎo)體層15的情況下，也可以通過厚的p側(cè)金屬柱23、n側(cè)金屬柱24以及樹脂層25來維持機械強度。此外，在半導(dǎo)體發(fā)光器件10安裝到安裝基板的狀態(tài)下，可通過p側(cè)金屬柱23利n側(cè)金屬柱24吸收來減輕經(jīng)由焊料等施加到半導(dǎo)體層15的壓力。透鏡26和熒光層27作為透明體設(shè)置在半導(dǎo)體層15的第一表面15a上，該透明體對于從發(fā)光層13發(fā)射的光是透明的。透鏡26設(shè)置在第一表面15a上，且設(shè)置熒光層27來覆蓋透鏡26。熒光層27包括透明樹脂和分散在透明樹脂中的熒光粉。熒光層27能吸收從發(fā)光層13發(fā)射的光并發(fā)射波長轉(zhuǎn)換光。因此，半導(dǎo)體發(fā)光器件10能夠發(fā)射來自發(fā)光層13的光和熒光層27的波長轉(zhuǎn)換光的混合光。例如，在發(fā)光層13是氮化物半導(dǎo)體且熒光粉是配置為發(fā)射黃光的黃熒光粉的情況下，可以根據(jù)來自發(fā)光層13的藍光和作為熒光層27的波長轉(zhuǎn)換光的黃光的混合色來獲取白色或燈等。熒光層27可具有包括多種熒光粉(例如配置成發(fā)射紅光的紅熒光粉和配置成發(fā)射綠光的綠熒光粉)的構(gòu)造。從發(fā)光層13發(fā)射的光主要通過穿過第一半導(dǎo)體層11、第一表面15a、透鏡26、以及熒光層27行進而發(fā)射到外部。透鏡26可以設(shè)置在熒光層27上。如圖15A所示，可以不設(shè)置透鏡。當安裝時，必須辨認出半導(dǎo)體發(fā)光器件10的陽極和陰極。如下所述，在實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件10中，上述部件在晶片狀態(tài)下共同形成。晶片的一個表面是發(fā)光表面，與其相對的一側(cè)的另一表面用于形成安裝表面。具體來說，在熒光層27設(shè)置在發(fā)光表面的結(jié)構(gòu)中，其下的部件的可見性是差的。因此，難以從發(fā)光表面?zhèn)缺嬲J出p側(cè)電極16和n側(cè)電極17。另外，當辨認標記設(shè)置在發(fā)光表面?zhèn)壬蠒r，會影響發(fā)光特性。此外，因為樹脂層25、p側(cè)外部端子23a、以及n側(cè)外部端子24a設(shè)置在安裝表面?zhèn)壬?，因此，難以從安裝表面?zhèn)缺嬲J出p側(cè)電極16和n側(cè)電極17。也可以構(gòu)思在半導(dǎo)體發(fā)光器件的側(cè)表面中設(shè)置辨認標記。然而，在這種情況下，制造效率非常低，這是因為從晶片狀態(tài)分割之后才進行各個半導(dǎo)體發(fā)光器件的側(cè)表面的圖案化。因此，在該實施例中，選自該p側(cè)外部端子23a的面積和平面構(gòu)造中的至少一個不同于選自該n側(cè)外部端子24a的面積和平面構(gòu)造中的至少一個。P側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24設(shè)置在晶片的其它表面?zhèn)壬稀Ｒ虼?，能夠針對晶片狀態(tài)下的多個半導(dǎo)體發(fā)光器件共同隨意地設(shè)計p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a的面積和平面構(gòu)造。因此，這將不會導(dǎo)致生產(chǎn)率的降低。具體來說，選自p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a中的一個以第一構(gòu)造來形成；并且選自p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a中的另一個以缺少第一構(gòu)造的一部分的第二構(gòu)造來形成。更具體地，如圖1B所示，p側(cè)外部端子23a以四邊形來形成；而n側(cè)外部端子24a以缺少該四邊形的部分的角的四邊形構(gòu)造來形成。因此，可以在安裝過程中通過圖像辨認或肉眼立刻區(qū)分出作為陽極端子的p側(cè)外部端子23a和作為陰極端子的n側(cè)外部端子24a。另外，連接到發(fā)光層13的p側(cè)外部端子23a必須具有比n側(cè)外部端子24a更高的散熱。因此，期望p側(cè)外部端子23a的面積大于n側(cè)外部端子24a的面積。期望n側(cè)外部端子24a為缺少該部分的構(gòu)造。在如圖1B所示的矩形安裝表面的情況下，在安裝時，半導(dǎo)體發(fā)光器件可以在短邊方向上傾斜。在設(shè)計p側(cè)外部端子23a與n側(cè)外部端子24a時，也必需做到安裝期間的穩(wěn)定性。因此，在如圖1B所示，期望p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a圍繞中心線c對稱布置，該中心線c將具有矩形構(gòu)造的安裝表面的縱向方向劃分成兩個相等部分。此外，通過使p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a之間的外部構(gòu)造和面積的差別盡可能的小，這可以在安裝期間提供較好的穩(wěn)定性。如圖1B所示，通過將選自p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a中的一個是四邊形而選自p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a中的另一個是缺少該四邊形的部分的角的四邊形，可以實現(xiàn)具有p側(cè)外部端子23a與n側(cè)外部端子24a之間較好的可辨認性的設(shè)計，而不需要將p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a之間的外部構(gòu)造和面積改變很多。除了缺少角的部分之外，n側(cè)外部端子24a的外部構(gòu)造、外形尺寸、以及面積與p側(cè)外部端子23a的外部構(gòu)造、外形尺寸、以及面積是相同的。p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a的平面構(gòu)造可以是圓形或橢圓形。然而，當相比于相同的安裝表面時，p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a的四邊形的面積大于圓形或橢圓形的面積。將參照圖3A至圖14B來描述制造實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件10的方法。在示出工藝的附圖中，示出了晶片狀態(tài)的部分區(qū)域。圖3A示出了形成在基板5的主表面上的第一半導(dǎo)體層11和第二半導(dǎo)體層12的推疊體。圖3B對應(yīng)于圖3A的底視圖。第一半導(dǎo)體層11形成在基板5的主表面上，并且包括發(fā)光層13的第二半導(dǎo)體層12形成在其上。在第一半導(dǎo)體層11和第二半導(dǎo)體層12例如是氮化物半導(dǎo)體層的情況下，可以通過例如金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)在藍寶石基板上進行其晶體生長。例如，第一半導(dǎo)體層11包括基礎(chǔ)緩沖層和n型GaN層。第二半導(dǎo)體層12包括發(fā)光層(有源層)13和p型GaN層。發(fā)光層13可以配置成發(fā)射藍光、紫光、藍紫光及紫外光等。接觸基板5的第一半導(dǎo)體層11的表面是半導(dǎo)體層15的第一表面15a，并且第二半導(dǎo)體層12的頂表面是半導(dǎo)體15的第二表面15b。隨后，通過例如使用未示出的抗蝕劑的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，如圖4A和作為其底視圖的圖4B所示，刺穿在切塊區(qū)d1和d2中的半導(dǎo)體層15來產(chǎn)生溝槽以到達基板5。在例如晶片狀態(tài)下的基板5上以晶格構(gòu)造來形成切塊區(qū)d1和d2。在切塊區(qū)d1和d2中產(chǎn)生的溝槽也以晶格構(gòu)造來產(chǎn)生，以將半導(dǎo)體層15分隔成多個芯片?？稍谙率龅诙雽?dǎo)體層12的選擇性去除之后或在形成電極之后執(zhí)行將半導(dǎo)體層15分離成多個的工藝。隨后，通過例如使用未示出的抗蝕劑的RIE，如圖5A和作為其底視圖的圖5B所示，去除第二半導(dǎo)體層12的一部分來暴露出第一半導(dǎo)體層口的一部分。第一半導(dǎo)體層11被暴露的區(qū)域不包括發(fā)光層13。如圖6A和作為其底視圖的圖6B所示的繼續(xù)，p側(cè)電極16和n側(cè)電極17形成在第二表面上。p側(cè)電極16形成在第二半導(dǎo)體層12的頂表面上。n側(cè)電極17形成在第一半導(dǎo)體層11的暴露表面上?？梢酝ㄟ^例如濺射、氣相沉積等形成p側(cè)電極16和n側(cè)電極17。可以首先形成p側(cè)電極16或n側(cè)電極17中的任一個；并且可以由相同材料同時形成p側(cè)電極16和n側(cè)電極17。p側(cè)電極16包括例如銀、銀合金、鋁、鋁合金等，其相對于從發(fā)光層13的發(fā)射光是反射的。此外，可以使用包括防止p側(cè)電極16硫化和氧化的金屬保護膜的構(gòu)造。此外，可通過使用化學(xué)氣相沉積(CVD)形成例如氮化硅膜或氧化硅膜，作為在p側(cè)電極16和n側(cè)電極17之間和在發(fā)光層13的端表面(側(cè)表面)上的鈍化膜。如果必須的話，可以實施用于提供電極和半導(dǎo)體層之間的歐姆接觸的活化退火等。隨后，如圖7A所示，在采用絕緣層18覆蓋基板5的主表面上的整個暴露部分之后，通過使用例如濕蝕刻圖案化絕緣層18，來在絕緣層18中選擇性地產(chǎn)生第一通孔18a和第二通孔18b。可以形成多個第一通孔18a。每個第一通孔18a到達p側(cè)電極16。第二通孔18b到達n側(cè)電極17。有機材料(例如光敏聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯等)可用作絕緣層18。在這種情況下，可以直接對絕緣層18進行曝光和顯影，而不使用抗蝕劑?？商鎿Q地，無機膜(例如氮化硅膜、氧化硅膜等)可用作絕緣層18。在無機膜的情況下，在抗蝕劑被圖案化之后，通過蝕刻來獲得期望的構(gòu)造。隨后，如圖7B所示，籽晶金屬19形成在絕緣層18的互連表面18c上，該互連表面18c為與半導(dǎo)體層15相對的一側(cè)的表面。籽晶金屬19也可形成在第一通孔18a的內(nèi)壁和底部以及第二通孔18b的內(nèi)壁和底部。可使用例如濺射法來形成籽晶金屬19。籽晶金屬19包括例如從絕緣層18側(cè)起依次堆疊的鈦(Ti)和銅(Cu)的堆疊層。隨后，如圖7C所示，抗蝕劑41選擇性地形成在籽晶金屬19上；并且使用籽晶金屬19作為電流路徑來進行Cu電鍍。由此，如圖8A及作為其底視圖的圖8B所示，p側(cè)互連層21和n側(cè)互連層22選擇性地形成在絕緣層18的互連表面18c上。p側(cè)互連層21利n側(cè)互連層22由例如通過電鍍而同時形成的銅材料制成。p側(cè)互連層21也形成在第一通孔18a的內(nèi)部并經(jīng)由籽晶金屬19電連接到p側(cè)電極16。n側(cè)互連層22也形成在第二通孔18b的內(nèi)部并經(jīng)由籽晶金屬19電連接到n側(cè)電極17。p側(cè)互連層21可接近n側(cè)互連層22一直到工藝極限；并且p側(cè)互連層21的表面積可以是寬的。因此，可通過多個第一通孔18a連接p側(cè)互連層21和p側(cè)電極16；并可以改善電流分布和散熱。使用溶劑或氧等離子體來去除針對p側(cè)互連層21和n側(cè)互連層22的電鍍而使用的抗蝕劑41。隨后，如圖9A及作為其底視圖的圖9B所示，形成用于形成金屬柱的抗蝕劑42。抗蝕劑42比上述抗蝕劑41厚。先前工藝的抗蝕劑41可以保留不被去除；并且可以形成抗蝕劑42用以疊蓋抗蝕劑41。第一開口42a和第二開口42b形成在抗蝕劑42中。如圖9B所示，例如第一開口42a的平面構(gòu)造是四邊形；并且第二開口42b的平面構(gòu)造是開口42a的缺少該四邊形的部分的角的四邊形。繼續(xù)，使用抗蝕劑42作為掩模，使用籽晶金屬19作為電流路徑來進行Cu電鍍。由此，如圖10A及作為其底視圖的圖10B所示，形成p側(cè)金屬柱23和n側(cè)金屬柱24。p側(cè)金屬柱23形成在由抗蝕劑42產(chǎn)生的第一開口42a的內(nèi)部且在p側(cè)互連層21的頂表面上。n側(cè)金屬柱24形成在由抗蝕劑42產(chǎn)生的第二開口42b的內(nèi)部且在n側(cè)互連層22的頂表面上。p側(cè)金屬柱23和n側(cè)金屬柱24由例如通過電鍍同時形成的銅材料制成。p側(cè)外部端子23a的平面構(gòu)造是四邊形，其與抗蝕劑42的第一開口42a的平面構(gòu)造相一致。n側(cè)外部端子24a的平面構(gòu)造是p側(cè)外部端子的缺少四邊形的部分的角的四邊形，其與抗蝕劑42的第二開口42b的平面構(gòu)造相一致?？梢酝ㄟ^將抗蝕劑42圖案化，在晶片狀態(tài)下以合適的設(shè)計共同形成多個p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a。不需為每個已分割的單個器件提供用于辨認陽極和陰極的標記；并且可以大幅降低生產(chǎn)成本。隨后，使用例如溶劑或氧等離子體來去除抗蝕劑42(圖11A)。隨后，使用p側(cè)金屬柱23、n側(cè)金屬柱24、以及p側(cè)互連層21中的從p側(cè)金屬柱23伸出的部分作為掩模，通過濕蝕刻來去除籽晶金屬19的暴露部分。因而，如圖11B所示，在p側(cè)互連層21和n側(cè)互連層22之間經(jīng)由籽晶金屬19的電連接被分割開。繼續(xù)，如圖12A所示，將樹脂層25堆疊在絕緣層18上。樹脂層25覆蓋p側(cè)互連層21、n側(cè)互連層22、p側(cè)金屬柱23和n側(cè)金屬柱24。樹脂層25是絕緣性的。此外，樹脂層25可以含有例如碳黑，使其相對于從發(fā)光層發(fā)射的光能夠遮蔽光。此外，樹脂層25可以含有粉末，其相對于從發(fā)光層發(fā)射的光是反射的。隨后，如圖12B所示，去除基板5?？梢允褂美缂す鈩冸x來去除基板5。具體來說，從基板5的背表面?zhèn)瘸虻谝话雽?dǎo)體層11照射激光。激光具有相對于基板5是透射的波長且在第一半導(dǎo)體層11的吸收區(qū)內(nèi)。當激光到達基板5和第一半導(dǎo)體層11之間的界面時，鄰近該界面的第一半導(dǎo)體層11通過吸收激光的能量而分解。例如，在第一半導(dǎo)體層11為GaN的情況下，第一半導(dǎo)體層11分解成鎵(Ga)和氮氣。通過這種分解反應(yīng)，在基板5和第一半導(dǎo)體層11之間形成了微間隙；并且基板5和第一半導(dǎo)體層11分離。通過針對每個設(shè)定區(qū)域進行多重(multiply)來在整個晶片上進行激光照射；并且去除基板5?？赏ㄟ^從第一表面15a去除基板5來增加光提取效率。因為厚樹脂層25加固了形成在基板5主表面上的上述堆疊體，因此甚至在沒有基板5的情況下，也可以維持晶片狀態(tài)。此外，樹脂層25和包括在互連層和金屬柱中的金屬是比半導(dǎo)體層15更軟的材料。因此，可避免器件毀壞，即使在當剝離基板5時在將半導(dǎo)體層15形成在基板5上的外延工藝中所產(chǎn)生的大內(nèi)部應(yīng)力突然被釋放的情況下。清潔半導(dǎo)體層15(基板5從半導(dǎo)體層15去除)的第一表面15a。例如，使用鹽酸等來去除粘附到第一表面15a的鎵(Ga)。另外，使用例如KOH(氫氧化鉀)水溶液、TMAH(氫氧化四甲銨)等對第一表面15a進行蝕刻。由此，由于取決于晶體平面取向(圖13A)的蝕刻率的差異，而在第一表面15a中形成不平坦。可替換地，可通過在使用抗蝕劑圖案化之后執(zhí)行蝕刻來在第一表面15a中形成不平坦?？赏ㄟ^在第一表面15a中形成不平坦而增加光提取效率。隨后，如圖13B所示，透鏡26形成在第一表面15a上。透鏡26對于從發(fā)光層發(fā)射的光是透明的；并可使用例如硅酮樹脂、丙烯酸樹脂、玻璃等?？赏ㄟ^使用例如灰度級掩模的蝕刻或刻印來形成透鏡26。繼續(xù)，熒光層27形成在第一表面15a上和暴露在相互相鄰的半導(dǎo)體層15之間的絕緣層18上，以覆蓋透鏡26。例如，使用諸如印刷、澆注、模塑、壓縮模塑等方法來提供分散熒光粉顆粒的液體透明樹脂，并隨后對其熱固化。透明樹脂對于從發(fā)光層發(fā)射的光和由熒光劑發(fā)射的光是透射的，并可使用諸如硅酮樹脂、丙烯酸樹脂、液態(tài)玻璃等材料。隨后，對樹脂層25的頂表面進行拋光，以暴露出p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a。繼續(xù)，如圖14A和圖14B所示，在以晶格構(gòu)造來形成的切塊區(qū)d1和d2的位置處切割熒光層27、絕緣層18和樹脂層25來分割成多個半導(dǎo)體發(fā)光器件10。例如，使用切塊刀片來執(zhí)行切割?？商鎿Q地，可使用激光照射來執(zhí)行切割。在切塊時，已經(jīng)去除基板5。此外，因為半導(dǎo)體層15并不存在于切塊區(qū)d1和d2中，可以避免在切塊期間對半導(dǎo)體層15的損壞。此外，可以獲得以下結(jié)構(gòu)，其中半導(dǎo)體層15的端部(側(cè)表面)在分割之后通過利用樹脂覆蓋而被保護。被分割的半導(dǎo)體發(fā)光器件10可以具有包括一個半導(dǎo)體層15的單芯片結(jié)構(gòu)或包括多個半導(dǎo)體層15的多芯片結(jié)構(gòu)。因為直到切塊之前的上述每個工藝可在晶片狀態(tài)中共同執(zhí)行，所以不必對每個分割的單個器件執(zhí)行互連和封裝；且能夠大幅降低生產(chǎn)成本?；ミB和封裝在分割狀態(tài)中已經(jīng)完成。因此，可增加生產(chǎn)率；且作為結(jié)果，可易于降低價格。此外，基板5可以薄薄地保留在第一表面15a上，如圖15B所示。例如，可使用用于對半導(dǎo)體晶片背面進行拋光的研磨機等來對基極5進行拋光。基板5例如是藍寶石基板，且對于從氮化物半導(dǎo)體型的發(fā)光層發(fā)射的光是透射的。在這樣的情況下，因為沒有熒光層，具有與從發(fā)光層發(fā)射的光相同的波長的光從發(fā)光器件發(fā)射到外部。當然，熒光層可形成在基板5上。通過留下基板5，可增加機械強度；且可提供具有高可靠性的結(jié)構(gòu)。在切塊時，使用切塊刀片從樹脂層25側(cè)進行半切割；并隨后，可使用激光照射對基板5進行再分?？商鎿Q地，可使用激光照射切割所有部分。圖2A至圖2D示出p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a的其它設(shè)計示例。如圖2A所示，n側(cè)外部端子24a可以是在兩個位置處沒有角的四邊形。在這樣的情況下，同樣可以實現(xiàn)在p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a之間具有良好的可辨認性的設(shè)計，而不需要將p側(cè)外部端子23a利n側(cè)外部端子24a之間的外部構(gòu)造和面積改變很多。此外，如圖2B所示，可以采用以下設(shè)計：p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a具有相同的外部構(gòu)造和外形尺寸，并且在選自p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a的之一中制成縫隙。在圖2B中，由縫隙s在安裝表面的短邊方向上將n側(cè)外部端子24a分成兩個相同的部分。在安裝期間平衡了安裝表面的短邊方向的壓力，并且通過縫隙s再分兩個n側(cè)外部端子24a而具有相同外部構(gòu)造和面積，能夠保證穩(wěn)定的安裝。同樣以圖2B的形式，可以實現(xiàn)在p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a之間具有良好的可辨認性的設(shè)計，而不需要將p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a之間的外部構(gòu)造和面積改變很多。因為p側(cè)外部端子23a的數(shù)目也不同于n側(cè)外部端子24a的數(shù)目，因此可辨認性更好。如圖2C所示，也可以由縫隙s在安裝表面的短邊方向上將p側(cè)外部端子23a分成兩個相等部分。在這種情況下，例如兩個n側(cè)外部端子24a中的一個n側(cè)外部端子24a的角被去除，以便于辨認出p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a。如圖2D所示，可以改變p側(cè)外部端子23a和n側(cè)外部端子24a的數(shù)目，且可以改變單個p側(cè)外部端子23a和單個n側(cè)外部端子24a的面積。在圖2D的情況中，設(shè)置了一個n側(cè)外部端子24a和兩個p側(cè)外部端子23a。此外，每一單個的p側(cè)外部端子23a的面積大于每一單個的n側(cè)外部端子24a的面積。因此，連接到發(fā)光層13的p側(cè)外部端子23a的散熱可以更好。下述的紅熒光層、黃熒光層、綠熒光層和藍熒光層可以被用作上述的熒光層。紅熒光層可包含例如CaAlSiN3：Eu的基于氮化物的熒光粉或基于SiAlON的熒光粉。在使用基于SiAlON的熒光粉的情況下，可使用(M1-x，Rx)a1AlSib1Oc1Nd1組分式(1)(其中M是除了Si和Al之外的至少一種類型的金屬元素，且期望M是選自Ca利Sr中的至少一項；R是光發(fā)射中心元素，由期望R是Eu；且x、a1、b1、c1和d1滿足下面的關(guān)系：x大于0且小于等于1，a1大于0.6且小于0.95，b1大于2且小于3.9，c1大于0.25且小于0.45，以及d1大于4且小于5.7)。通過使用組分式(1)的基于SiAlON的熒光粉，可提高波長轉(zhuǎn)換效率的溫度特性；且可進一步增加高電流密度區(qū)中的效率。黃熒光層可包含例如(Sr，Ca，Ba)2SiO4：Eu的基于硅酸鹽的熒光粉。綠熒光層可包含例如(Ba，Ca，Mg)10(PO4)6C12：Eu的基于鹵化磷酸鹽的熒光粉或基于SiAlON的熒光粉。在使用基于SiAlON的熒光粉的情況下，可使用(M1-x，Rx)a2AlSib2Oc2Nd2組分式(2)(其中M是除了Si和Al之外的至少一種類型的金屬元素，且期望M是選自Ca和Sr中的至少一項；R是光發(fā)射中心元素，且期望R是Eu；且x、a2、b2、c2和d2滿足下面的關(guān)系：x大于0且小于等于1，a2大于0.93且小于1.3，b2大于4.0且小于5.8，c2大于0.6且小于1，以及d2大于6且小于11)。通過使用組分式(2)的基于SiAlON的熒光粉，可提高波長轉(zhuǎn)換效率的溫度特性；且高電流密度區(qū)中的效率可進一步增加。藍熒光層可包含例如BaMgAl10O17：Eu的基于氧化物的熒光粉。雖然已描述了特定的實施例，然而這些實施例僅通過示例的方式來提出，而并不旨在限制本發(fā)明的范圍。事實上，本文描述的新穎的實施例可通過各種其它的方式來實現(xiàn)；而且，可以以本文描述的實施例形式做出各種省略、代替和改變而不背離本發(fā)明的精神。所附權(quán)利要求及其等同體旨在覆蓋將落入本發(fā)明的范圍和精神的這樣的形式和修改。