介電絕緣介質(zhì)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含氫氟單醚的介電絕緣介質(zhì)，所述氫氟單醚含有至少3個碳原子。根據(jù)本發(fā)明的絕緣介質(zhì)具有高絕緣能力、特別是高介電強度，且同時具有低GWP。本發(fā)明還允許提供在高于140℃的溫度下也化學(xué)且熱穩(wěn)定的絕緣介質(zhì)，其無毒或具有低毒性水平且其另外無腐蝕性且無爆炸性。
【專利說明】介電絕緣介質(zhì)
[0001]本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的介電絕緣介質(zhì)及分別根據(jù)權(quán)利要求34和36的氫氟單醚在介電絕緣介質(zhì)中的用途和所述介電絕緣介質(zhì)供用于產(chǎn)生、分配和/或應(yīng)用電能的設(shè)備用的用途。本發(fā)明還涉及根據(jù)權(quán)利要求37的用于產(chǎn)生、分配和/或應(yīng)用電能的設(shè)備。
[0002]液態(tài)或氣態(tài)的介電絕緣介質(zhì)常規(guī)上用于諸如開關(guān)設(shè)備或變壓器的各種電氣設(shè)備中的電氣活性元件的絕緣。
[0003]在中壓或高壓金屬封裝的開關(guān)設(shè)備中，例如，電氣活性元件布置在限定絕緣空間的氣密外殼中，所述絕緣空間包含通常處于數(shù)巴壓力下且將外殼與電氣活性元件間隔開、由此防止電流在外殼與活性元件之間流動的絕緣氣體。與安裝在室外且由周圍空氣絕緣的開關(guān)設(shè)備相比，金屬封裝的開關(guān)設(shè)備的構(gòu)造更加節(jié)省空間。為了中斷在高壓開關(guān)設(shè)備中的電流，絕緣氣體還充當(dāng)消弧氣體。
[0004]許多常規(guī)使用的絕緣介質(zhì)具有數(shù)個缺點。
[0005]一方面，具有高絕緣和開關(guān)性能的常規(guī)絕緣氣體在釋放到大氣中時常具有一些環(huán)境影響。至今，這些絕緣氣體的高全球變暖潛力(GWP)已經(jīng)通過對氣體絕緣設(shè)備的嚴格氣體泄漏控制和非常仔細的氣體處理來克服。
[0006]另一方面，諸如干燥空氣或CO2的常規(guī)環(huán)境友好的絕緣氣體具有相當(dāng)?shù)偷慕^緣性能，因此需要增加氣體壓力和/或絕緣距離。
[0007]出于以上提到的原因，過去已經(jīng)嘗試用合適的代替物替代這些常規(guī)的絕緣氣體。
[0008]例如，WO 2008/073790公開了一種介電氣態(tài)化合物，除了其他特性之外，其還具有在-20°C至_273°C范圍內(nèi)的低沸點，優(yōu)選不消耗臭氧且在100年的時標(biāo)(time scale)下具有小于22，200的GWP。具體地講，WO 2008/073790公開了不屬于一般化學(xué)定義內(nèi)的許多不同化合物。
[0009]另外，US-A-4175048涉及包含選自全氟環(huán)己烯和六氟偶氮甲烷的化合物的氣態(tài)絕緣體，且EP-A-0670294公開了全氟丙烷作為介電氣體的用途。
[0010]EP-A-1933432和同時待審的US-A-2009109604涉及三氟碘甲烷(CF3I)及其在氣體絕緣的開關(guān)設(shè)備中用作絕緣氣體的用途。
[0011]在EP-A-1146522中還概括性地公開了具有通式CxHyFzI的化合物且具體公開了具有CF3I的化合物作為用于電力傳送和分配機器的絕緣介質(zhì)的用途。
[0012]然而，盡管具有在這些文獻中提到的絕緣性質(zhì)，但CF3I具有相對低的熱穩(wěn)定性:在約100°C下，其開始分解成包括I2的危險產(chǎn)物，它們可形成固態(tài)導(dǎo)電殘余物。
[0013]考慮到現(xiàn)有技術(shù)水平的絕緣介質(zhì)的缺點且特別是CF3I的缺點，本發(fā)明的目標(biāo)因此是提供對環(huán)境影響程度低的熱穩(wěn)定的介電絕緣介質(zhì)。
[0014]根據(jù)權(quán)利要求1，本發(fā)明的目標(biāo)通過包含含有至少3個碳原子的氫氟單醚的介電絕緣介質(zhì)實現(xiàn)。本發(fā)明的優(yōu)選實施方案在從屬權(quán)利要求項中給出。
[0015]在本發(fā)明的上下文中使用的術(shù)語“氫氟單醚”是指具有一個且是唯一一個醚基的化合物，所述醚基連接兩個烷基，這兩個烷基可彼此獨立地為直鏈或支鏈的。該化合物因此與在US-B-7128133中公開的化合物形成鮮明對比，US-B-7128133涉及含有兩個醚基的化合物(即氫氟二醚)在傳熱流體中的用途。
[0016]在本發(fā)明的上下文中使用的術(shù)語“氫氟單醚”應(yīng)進一步理解為部分氫化且部分氟代的化合物。
[0017]術(shù)語“氫氟單醚”應(yīng)進一步理解為其可包括結(jié)構(gòu)不同的氫氟單醚的混合物。術(shù)語“結(jié)構(gòu)不同”將廣泛涵蓋在氫氟單醚的總式或結(jié)構(gòu)式方面的任何不同。
[0018]本發(fā)明基于如下意外的發(fā)現(xiàn)，通過使用氫氟單醚，得到具有高絕緣能力、特別是高介電強度(或擊穿場強)且同時具有低GWP的絕緣介質(zhì)。
[0019]由于使用特定的氫氟單醚，本發(fā)明還允許提供對高于140°C的溫度的化學(xué)穩(wěn)定和熱穩(wěn)定、無毒或具有低毒水平并且另外無腐蝕性且無爆炸性的絕緣介質(zhì)。
[0020]如上所述，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明的氫氟單醚具有相對高的介電強度。具體地講，根據(jù)本發(fā)明的氫氟單醚的介電強度與SF6的介電強度的比率大于約0.4。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的氫氟單醚可參與包括由OH基奪氫的非常有效的對流層(tropospheric)去除過程。最終，這導(dǎo)致該化合物相對低的大氣壽命。
[0022]由于其相對低的大氣壽命，本發(fā)明的氫氟單醚還具有如已經(jīng)提到的相對低的GWP。具體地講，根據(jù)本發(fā)明可以獲得具有經(jīng)100年小于I’ 000、更具體地經(jīng)100年小于700的GffP的絕緣介質(zhì)。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的氫氟單醚具有相對低的大氣壽命且另外沒有在臭氧破壞催化循環(huán)中起作用的鹵素原子，即Cl、Br或I。因此，根據(jù)本發(fā)明的介電絕緣介質(zhì)具有零ODP的另外優(yōu)點，從環(huán)境觀點來看，這非常有利。
[0024]根據(jù)權(quán)利要求1 ，本發(fā)明的氫氟單醚含有至少3個碳原子。
[0025]在環(huán)境壓力下，含有至少3個碳原子的氫氟單醚通常具有高于_20°C的沸點。這與現(xiàn)有技術(shù)水平且特別是WO 2008/073790的教導(dǎo)形成鮮明對比，WO 2008/073790教導(dǎo)_20°C或更低的沸點是可用的介電化合物的必要特征。
[0026]對于含有至少3個碳原子且因此具有大于_20°C的相對高的沸點的氫氟單醚的優(yōu)先選擇基于較高沸點的氫氟單醚通常具有較高介電強度的發(fā)現(xiàn)。
[0027]在下文中，給出本發(fā)明的一些例示性實施方案，它們可單獨或組合存在。
[0028]在實施方案中，所述介電絕緣介質(zhì)包含不同于所述氫氟單醚的氣體組分a)，且特別是，所述氣體組分a)包括至少兩種氣體組分成分al)、a2)、……an)的混合物。
[0029]在實施方案中，所述介電絕緣介質(zhì)包含具有至少50K、優(yōu)選至少70K、特別是至少100K的常壓沸點，其常壓沸點低于所述氫氟單醚的常壓沸點。
[0030]在實施方案中，所述介電絕緣氣體組分a)具有大于IOkV/(cm bar)、優(yōu)選大于20kV/(cm bar)、特別是大于30kV/(cm bar)的介電強度。在實施方案中，所述介電絕緣氣體組分a)為本身具有比所述氫氟單醚低的介電強度的載氣。在這方面，術(shù)語“介電強度”應(yīng)理解為“減壓介電強度(pressure-reduced dielectric strength) ”或“在標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力下的介電強度”。例如，所述標(biāo)準(zhǔn)溫度由此限定為25°C且所述標(biāo)準(zhǔn)壓力限定為I巴。
[0031]在實施方案中，所述介電絕緣氣體組分a)包含具有比在所述氫氟單醚中存在的原子少的原子的分子，特別是包含三原子和/或二原子分子或者由三原子分子和/或二原子分子組成。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，所述氫氟單醚含有3或4或5或6個碳原子，特別是含有3或4個碳原子，最優(yōu)選正好含有3個碳原子。
[0033]更詳細地講，根據(jù)本發(fā)明的氫氟單醚因此為選自由以下結(jié)構(gòu)式限定的化合物中的至少一種化合物，其中一部分氫原子被氟原子替代:
【權(quán)利要求】
1.介電絕緣介質(zhì)，其包含氫氟單醚，其特征在于所述氫氟單醚含有至少3個碳原子。
2.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述氫氟單醚包括結(jié)構(gòu)不同的氫氟單醚的混合物。
3.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述介電絕緣介質(zhì)包含不同于所述氫氟單醚的氣體組分a)，且特別是，所述氣體組分a)包括至少兩種氣體組分成分al)、a2)、……an)的混合物。
4.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚含有3或4個碳原子，優(yōu)選正好含有3個碳原子。
5.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚具有高于_20°C的沸點。
6.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚具有低于55°C、優(yōu)選低于40°C、更優(yōu)選低于30°C的沸點。
7.前述權(quán)利 要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚的氟原子數(shù)與氟原子和氫原子的總數(shù)的比率為至少5:8。
8.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚的氟原子數(shù)與碳原子數(shù)的比率為1.5:1至2:1。
9.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚具有經(jīng)100年小于I’ 000、優(yōu)選經(jīng)100年小于700的全球變暖潛力。
10.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述介電絕緣介質(zhì)具有經(jīng)100年小于1000、優(yōu)選小于700、優(yōu)選小于300、優(yōu)選小于100、優(yōu)選小于50、優(yōu)選小于20、最優(yōu)選小于10的全球變暖潛力GWP。
11.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚具有為O的臭氧消耗潛力。
12.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中所述氫氟單醚具有通用結(jié)構(gòu): CaHbFc-O-CdHeFf⑴， 其中a和d獨立地為1-3的整數(shù)，其中a + d = 3或4或5或6，特別是3或4 ;b和c獨立地為0-11、特別是0-7的整數(shù)，其中b + c = 2a + I ;且e和f獨立地為0_11、特別是0-7的整數(shù)，其中e + f = 2d + 1，另外b和e中的至少一個為I或更大且c和f中的至少一個為I或更大。
13.權(quán)利要求12的介電絕緣介質(zhì)，其中，在所述氫氟單醚的通用結(jié)構(gòu)(I)中: a為I ;b和c獨立地為0-3的整數(shù)；其中b + c = 3 ;d為2 ;e和f獨立地為0_5的整數(shù)，其中b + C = 5，另外b和e中的至少一個為I或更大且c和f中的至少一個為I或更大。
14.權(quán)利要求12或13的介電絕緣介質(zhì)，其中，在所述通用結(jié)構(gòu)⑴中，正好c和f?中的一個為O。
15.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述氫氟單醚選自五氟-乙基-甲基醚和/或2，2，2-三氟乙基-三氟甲基醚。
16.前述權(quán)利要求中的任一項介電絕緣介質(zhì)，其還包含混合氣體，特別是含有4-15個碳原子、優(yōu)選4-12個碳原子、更優(yōu)選4-10個碳原子、甚至更優(yōu)選4-8個碳原子、甚至還更優(yōu)選5-8個碳原子的含氟酮，最優(yōu)選正好含有5個碳原子和/或正好含有6個碳原子和/或正好含有7個碳原子和/或正好含有8個碳原子的含氟酮。
17.權(quán)利要求16的介電絕緣介質(zhì)，所述混合氣體包含至少一種含氟酮，所述含氟酮為全氟酮和/或具有支鏈烷基鏈和/或為完全飽和的化合物。
18.權(quán)利要求16-17中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述混合氣體包含具有分子式C5FltlO或C6F12O且選自以下各物的含氟酮:1，1，1，3，4，4，4-七氟-3-(三氟甲基)丁 -2-酮、1，I, I, 3，3，4，4，5，5，5-十氟戊-2-酮、1，I, I, 2，2，4，4，5，5，5-十氟戊-3-酮和1，1，1，4，4，5，5，5-八氟-3-雙(三氟甲基)-戊-2-酮且所述含氟酮優(yōu)選為I,I, I, 3, 4, 4, 4-七氟 _3_( 二氟甲基)丁-2-酮、I, I, I, 2, 4, 4, 5, 5, 5-九氟-2-(二氟甲基)戍_3_酮(還稱為十二氟-2-甲基戍-3-酮)、1，1，1，3, 3, 4, 5, 5, 5-九氟-4- ( 二氟甲基)戊-2-酮(還稱為十二氟-4-甲基戊-2-酮)、I, I, I, 3，4，4，5，5，5-九氟_3_ (三氟甲基)戊-2-酮(還稱為十二氟-3-甲基戊-2-酮)、I, I, I, 3，4，4，4-七氟，3-雙(三氟甲基)丁-2-酮(還稱為十二氟_3，3-( 二甲基)丁-2-酮)、十二氟己-2-酮和十二氟己-3-酮及十氟環(huán)己酮；且特別為1，1，1，2，4，4，5，5，5-九氟_2_(三氟甲基)戊_3_酮。
19.權(quán)利要求16-18中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述混合氣體包含十氟-2-甲基丁 -3-酮和/或十二氟-2-甲基戊-3-酮。
20.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，在所述絕緣介質(zhì)中所述氫氟單醚的摩爾分數(shù)大于1%，優(yōu)選大于2%，更優(yōu)選大于3%，特別是大于3.5%。
21.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中在操作條件下所述氫氟單醚在所述絕緣介質(zhì)中為氣相形式。
22.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其中在操作條件下所述氫氟單醚在所述絕緣介質(zhì)中作為氣溶膠(14)存在。
23.前述權(quán)利要求中任一項的介電絕緣介質(zhì),其中所述介電絕緣介質(zhì)為處于小于8巴、優(yōu)選小于7.5巴、更優(yōu)選小于7巴、特別是等于或小于6.5巴的過壓下的介電絕緣氣體；或其中所述介電絕緣介質(zhì)為處于小于2.5巴、優(yōu)選小于2.0巴、更優(yōu)選小于1.5巴、特別是等于或小于1.2巴的過壓下的介電絕緣氣體。
24.權(quán)利要求3-23中任一項的介電絕緣介質(zhì),所述介電絕緣氣體組分a)為具有比所述氫氟單醚低的介電強度的載氣。
25.權(quán)利要求3-24中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述介電絕緣介質(zhì)包含具有至少50K，優(yōu)選至少70K、特別是至少100K的常壓沸點，其常壓沸點低于所述氫氟單醚的常壓沸點。
26.權(quán)利要求3-25中任一項的介電絕緣介質(zhì),所述介電絕緣氣體組分a)為惰性和/或無毒和/或不易燃的。
27.權(quán)利要求3-26中任一項的介電絕緣介質(zhì),所述介電絕緣氣體組分a)具有大于IOkV/ (cm bar)、優(yōu)選大于20kV/ (cm bar)、特別是大于30kV/ (cm bar)的介電強度；和/或所述介電絕緣氣體組分a)為本身具有比所述氫氟單醚低的介電強度的載氣。
28.權(quán)利要求3-27中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述介電絕緣氣體組分a)為空氣或特別是選自氮氣、氧氣和二氧化碳的空氣組分和/或惰性氣體。
29.權(quán)利要求3-28中任一項的介電絕緣介質(zhì),所述介電絕緣氣體組分a)包含具有比在所述氫氟單醚中存在的原子少的原子的分子，特別是包含三原子和/或二原子分子或由三原子分子和/或二原子分子組成。
30.權(quán)利要求3-29中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其包含與選自由以下各物組成的第一集合的至少一種氣體組分a)或氣體組分成分al)混合的所述氫氟單醚:一氧化氮NO、二氧化氮NO2、一氧化二氮N2OXF31、氬氣、甲烷、六氟化硫SF6 ;全氟化碳、特別是四氟化碳CF4、C2F6、C3F8或C-C4F8 ;全氟醚且特別是全氟單醚；及其混合物。
31.權(quán)利要求3-30中任一項的介電絕緣介質(zhì)，其包含與選自由以下各物組成的第二集合的至少一種氣體組分a)或氣體組分成分a2)混合的所述氫氟單醚:CHF3、(C2F5)2O,(CF3) 20 ;另外的全氟化碳且特別是 C2F4、C3F6、C4F10、C4F6、C4F8、C6F10、C6F12、C6F14、C6F6、C2F5COF、C5F8O2' C-C4F7I' CF3CF(CF3) CF(CF3) CF2I, CF3CF2CF2CF2I' CF3CF2CF2I' CF3CF2I' CF3CHFCF2I'CF3SF5、CH2F2、CH3-C-C4F6I, CH3CF (CF3) CF (CF3) CF2I, CH3CF2CF2I, CH3CHFCF (CF2CF3) CF2I, CO ；惰性氣體且特別是He、Kr、Ne ;N2、全氟二乙基硫醚、全氟甲基乙基硫醚、全鹵代有機化合物、十四烷基氟己烷、XeF2、XeF4 ;及其混合物。
32.權(quán)利要求3-31中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述氣體組分a)為以比所述氫氟單醚大的摩爾分數(shù)存在的大體積氣體或緩沖氣體或載氣，特別是，所述氣體組分a)以占所述絕緣介質(zhì)大于60%、優(yōu)選大于70%、更優(yōu)選大于80%、甚至更優(yōu)選大于90%、特別優(yōu)選大于95%、甚至更特別優(yōu)選大于97%的量存在。
33.權(quán)利要求3-31中任一項的介電絕緣介質(zhì)，所述氣體組分a)、特別是SF6和/或CF4以比所述氫氟單醚小的摩爾分數(shù)存在，特別是，所述氣體組分a)以占所述絕緣介質(zhì)小于40%、優(yōu)選小于30%、更優(yōu)選小于20%、甚至更優(yōu)選小于10%、特別優(yōu)選小于5%、甚至更特別優(yōu)選小于3%且最優(yōu)選小于1%的量存在。
34.含有至少3個碳原子的氫氟單醚、特別是如前述權(quán)利要求中任一項限定的氫氟單醚在供用于產(chǎn)生、分配和/或應(yīng)用電能的電氣設(shè)備(2)用的介電絕緣介質(zhì)中的用途。
35.權(quán)利要求34的用途 ，所述氫氟單醚為氣態(tài)的且與選自以下各物的氣體組分a)混合使用:空氣、空氣組分、氮氣、氧氣、二氧化碳、一氧化氮NO、二氧化氮NO2、一氧化二氮N20、CF3I ;惰性氣體，特別是氬氣；甲烷；六氟化硫SF6 ;全氟化碳，特別是四氟甲烷CF4、C2F6、C3F8或C-C4F8 ;含氟酮，特別是正好含有5或6或7或8個碳原子的含氟酮；全氟醚，特別是全氟單醚；及其混合物。
36.權(quán)利要求1-33中任一項的介電絕緣介質(zhì)在用于產(chǎn)生、分配和/或應(yīng)用電能的電氣設(shè)備(2)中用于介電絕緣的用途。
37.用于產(chǎn)生、分配和/或應(yīng)用電能的設(shè)備(2)，所述設(shè)備(2)包括限定絕緣空間(6)的外殼(4)和布置在所述絕緣空間(6)中的電氣活性元件(8)，所述絕緣空間(6)包含絕緣介質(zhì)，其以權(quán)利要求1-33中任一項的介電絕緣介質(zhì)為特征。
38.權(quán)利要求37的設(shè)備(2)，其特征在于，在所述介電絕緣介質(zhì)中，所述氫氟單醚以使得所述氫氟單醚的冷凝溫度低于所述設(shè)備(2)的額定操作溫度，特別是低于+5°C、優(yōu)選低于_5°C、更優(yōu)選低于-20°C、甚至更優(yōu)選低于-30°C、最優(yōu)選低于-40°C的量存在。
39.權(quán)利要求37-38中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述介電絕緣介質(zhì)包含氣態(tài)組分，所述氣態(tài)組分的摩爾體積使得所述氣態(tài)組分的混合物的冷凝溫度低于所述設(shè)備(2)的額定操作溫度，特別是低于+5°C、優(yōu)選低于_5°C、更優(yōu)選低于_20°C、甚至更優(yōu)選低于_30°C、最優(yōu)選低于_40°C。
40.權(quán)利要求37-39中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述設(shè)備為開關(guān)設(shè)備(2)，特別是空氣絕緣或氣體絕緣的金屬封裝的開關(guān)設(shè)備(2)或混合的開關(guān)設(shè)備或中壓閉塞開關(guān)設(shè)備或環(huán)網(wǎng)柜或接地箱殼斷路器或PASS模塊(插頭-和-開關(guān)模塊)或其元件和/或組件，特別是匯流條、絕緣套管、電纜、氣體絕緣的電纜、電纜接頭、電流變壓器、電壓變壓器和/或避雷器。
41.權(quán)利要求37-40中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述設(shè)備(2)為開關(guān)，特別是接地開關(guān)、斷路器、組合的斷路器和接地開關(guān)、負載斷連開關(guān)和/或電路斷路器。
42.權(quán)利要求37-41中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述設(shè)備為具有用于提供加壓的滅弧氣體的壓力累積室的高壓電路斷路器，使得在開關(guān)操作中，所述氫氟單醚在滅弧期期間在所述壓力累積室和/或燃弧區(qū)域中分解。
43.權(quán)利要求41-42中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述設(shè)備包含與作為滅弧氣體、特別是用于減少在電極上的碳沉積且用于減少毒性燃弧副產(chǎn)物的量的選自二氧化碳、空氣和氧氣的組分混合的氫氟單醚。
44.權(quán)利要求37-39中任一項的設(shè)備，其特征在于所述設(shè)備為變壓器，特別是配電變壓器或電力變壓器。
45.權(quán)利要求37-39中任一項的設(shè)備,其特征在于所述設(shè)備為旋轉(zhuǎn)電機、發(fā)電機、發(fā)動機、驅(qū)動器、半導(dǎo)體器件、大功率電子裝置和/或其部件。
46.權(quán)利要求37-45中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于其還包括用于單個或組合地控制所述絕緣介質(zhì)或其各個組分中的至少一種的組成、溫度、絕對壓力、分壓、氣體密度和/或分氣體密度的控制單元(10a、10b)。
47.權(quán)利要求46的設(shè)備，其特征在于所述控制單元(IOaUOb)包括用于控制所述氫氟單醚的分壓且特別是用于保 持所述分壓高于所需要的分壓水平的加熱器和/或蒸發(fā)器(16)。
48.權(quán)利要求46-47中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述控制單元(IOaUOb)包括溫度控制單元(10a)，所述溫度控制單元(IOa)包括用于將所述設(shè)備(2)的外殼(4)或所述外殼(4)的至少一部分設(shè)定到所需溫度的加熱系統(tǒng)，和/或所述控制單元(IOaUOb)包括流體處理單元(IOb),所述流體處理單元(IOb)用于設(shè)定所述介電絕緣介質(zhì)、特別是在所述絕緣介質(zhì)中所述氫氟單醚的濃度且用于將所得絕緣介質(zhì)注入所述設(shè)備(2)中。
49.權(quán)利要求37-48中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述設(shè)備(2)具有一定儲備量的液態(tài)氫氟單醚和/或含氟酮、特別是含有4-12個碳原子的含氟酮；和/或限制所述絕緣介質(zhì)的最大容許操作溫度使得絕對填充壓力保持低于所述設(shè)備(2)的給定壓力極限的設(shè)備。
50.權(quán)利要求37-49中任一項的設(shè)備(2)，其特征在于所述設(shè)備(2)具有用六氟化硫SF6填充的常規(guī)壓力設(shè)計且作為替代用權(quán)利要求1-33中任一項的介電絕緣介質(zhì)填充。
【文檔編號】H01B3/56GK103430244SQ201180067508
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2010年12月14日
【發(fā)明者】N.馬迪扎德, T.A.保羅, J.凱斯勒, M.布喬澤克, P.斯托勒, M-S.克拉伊森斯, P.斯卡拜 申請人:Abb研究有限公司