專利名稱：研磨中的終點檢測的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地來說，涉及研磨中的終點檢測。
背景技術(shù)：
在制造集成電路的過程中，研磨是通用的技術(shù)。在研磨工藝中，研磨輪被放置在晶圓的上方。研磨輪和晶圓都旋轉(zhuǎn)，使得由于通過研磨輪去除表面層而使晶圓的厚度減小。在制造器件晶圓的過程中，例如，可以在形成硅通孔(TSV)的過程中，將研磨用于硅襯底的背面減薄中。存在可以使用研磨技術(shù)的其他工藝。在扇出芯片級封裝件的形成中，可以切割器件晶圓，并且已知良好的管芯被選擇和附接至載具，已知良好的管芯彼此隔離。已知良好的管芯包括用于形成扇出連接的銅柱。然后，將模塑料填充到已知良好的管芯之間的間隙中以及已知良好的管芯上方以形成扇出晶圓。在固化模塑料之后，可以實施研磨工藝以去除模塑料的多個部分和銅柱上方的其他介電材料。在露出銅柱之后，可以制造電連接件以連接至銅柱，使得與扇出晶圓的連接延伸到大于已知良好的管芯區(qū)域的區(qū)域中。由于經(jīng)受研磨的層通常為薄層，所以在正確的時間精確停止研磨工藝對于集成制造工藝的產(chǎn)量來說極其重要。例如，在扇出晶圓的制造中，當(dāng)遍及扇出晶圓的基本所有的已知良好管芯中的銅柱被完全露出并且基本上沒有進行過研磨時，需要停止研磨。在現(xiàn)有研磨技術(shù)中，量規(guī)被用于在研磨工藝期間檢測扇出晶圓的總厚度。當(dāng)總厚度被減小到預(yù)定值時，假設(shè)銅柱被完全露出。然而，該檢測方法是不精確的并且可能導(dǎo)致產(chǎn)量損失。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種方法，包括:選擇用于晶圓研磨工藝的目標輪載荷；對晶圓實施研磨工藝，并且隨著所述研磨工藝的進行，測量所述研磨工藝的輪載荷；以及在達到所述目標輪載荷之后停止所述研磨工藝。該方法還包括:當(dāng)達到所述目標輪載荷時，實施擴展研磨以去除具有預(yù)定厚度的晶圓的層，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。該方法還包括:當(dāng)達到所述目標輪載荷時，在預(yù)定的時間周期內(nèi)實施擴展研磨，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。在該方法中，選擇所述目標輪載荷的步驟包括:研磨樣本晶圓，所述樣本晶圓具有與所述晶圓相同的結(jié)構(gòu)；在研磨所述樣本晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于研磨所述樣本晶圓的輪載荷；檢查所述樣本晶圓，從而確定所述研磨工藝的最優(yōu)終點；以及記錄與所述最優(yōu)終點相對應(yīng)的一個輪載荷作為所述目標輪載荷。在該方法中，所述晶圓包括:多個器件管芯；以及模塑料，設(shè)置在所述多個器件管芯之間的間隙中以及所述多個器件管芯上方。在該方法中，使用用于驅(qū)動研磨輪的輪電流表示所述晶圓載荷，以及其中，所述研磨輪用于研磨所述晶圓。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括:使用研磨輪研磨樣本晶圓；在研磨所述樣本晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于驅(qū)動所述研磨輪的輪電流；檢查所述樣本晶圓，從而確定研磨工藝的最優(yōu)終點；記錄與所述最優(yōu)終點相對應(yīng)的一個輪電流作為目標輪電流；對廣品晶圓實施研磨工藝，所述廣品晶圓基本上與所述樣本晶圓相同；在研磨所述廣品晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于研磨所述產(chǎn)品晶圓的輪電流；以及在達到所述目標輪電流之后，停止所述研磨工藝。該方法還包括:當(dāng)達到所述目標輪電流時，實施擴展研磨以去除具有預(yù)定厚度的產(chǎn)品晶圓的層，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。該方法還包括，其中所述預(yù)定厚度在大約I μ m和大約5 μ m之間。在該方法中，自動地實施進行所述擴展研磨的步驟。該方法還包括:當(dāng)達到所述目標輪電流時，在預(yù)定的時間周期內(nèi)實施擴展研磨，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。在該方法中，所述產(chǎn)品晶圓包括:多個器件管芯，包括金屬柱；以及模塑料，設(shè)置在所述多個器件管芯之間的間隙中以及所述多個器件管芯上方。在該方法中，所述最優(yōu)終點是當(dāng)所有器件管芯中的金屬柱被露出并且對所述金屬柱沒有進行過研磨的時刻。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括:選擇晶圓研磨工藝的目標反射率；對晶圓實施研磨工藝，并且隨著所述研磨工藝的進行，測量從所述晶圓的表面反射的光的反射率；以及在一個反射率達到所述目標反射率之后，停止所述研磨工藝。該方法還包括:當(dāng)達到所述目標反射率時，實施擴展研磨以去除所述晶圓具有預(yù)定厚度的層，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。該方法還包括:當(dāng)達到所述目標反射率時，在預(yù)定的時間周期內(nèi)實施擴展研磨，以及其中，一旦完成所述擴展研磨就實施停止所述研磨工藝的步驟。在該方法中，所述晶圓包括:多個器件管芯，以及模塑料，設(shè)置在所述多個器件管芯之間的間隙中以及所述多個器件管芯上方。在該方法中，選擇所述目標反射率的步驟包括:研磨樣本晶圓，所述樣本晶圓具有與所述晶圓相同的結(jié)構(gòu)；在研磨所述樣本晶圓的步驟期間，監(jiān)測所述樣本晶圓的頂面的反射率；周期性地檢查所述樣本晶圓，從而確定所述研磨工藝的最優(yōu)終點；以及記錄與所述最優(yōu)終端相對應(yīng)的一個反射率作為所述目標反射率。在該方法中，使用非接觸量規(guī)測量所述反射率。


為了更完整地理解本實施例及其優(yōu)點，現(xiàn)在結(jié)合附圖進行以下描述作為參考，其中:圖1示出了包括器件管芯和用于模制器件管芯的模塑料的晶圓的截面圖，其中，對晶圓實施研磨工藝并且測量輪載荷；圖2示意性示出了作為時間函數(shù)的研磨工藝中的輪電流；圖3示出了圖1所示晶圓的一部分的截面圖，其中，不同模式用于表示研磨工藝中的階段；圖4示意性示出了作為研磨工藝中的輪電流函數(shù)的銅柱的銅暴露率；
圖5示出了包括器件管芯和用于模制器件管芯的模塑料的晶圓的截面圖，其中，對晶圓實施研磨工藝并且測量晶圓的反射率；圖6示出了晶圓上發(fā)出的用于測量反射率的光，其中，晶圓進行旋轉(zhuǎn)；圖7示意性示出了作為研磨工藝中的時間函數(shù)的從晶圓反射的光的光強度；以及圖8示出了作為研磨時間函數(shù)的樣本晶圓的厚度和所接收的反射光的強度。
具體實施例方式以下詳細討論本發(fā)明的實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本實施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實現(xiàn)的可應(yīng)用發(fā)明概念。所討論的具體實施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。根據(jù)各個實施例提供了檢測研磨工藝中的終點的方法。討論實施例的變型例。在各個附圖和所示實施例中，類似的參考標號用于表示類似的元件。應(yīng)該理解，盡管用于芯片級封裝(CSP)的扇出晶圓被用作實例，但根據(jù)實施例的終點檢測方法還可以用于在研磨其他類型的晶圓(諸如器件晶圓)的過程中檢測終點。圖1示出了晶圓20的截面圖，例如，晶圓20可以為用于形成扇出連接的扇出晶圓。晶圓20包括管芯22。在實施例中，管芯22是包括諸如晶體管(未示出)的有源器件的器件管芯。管芯22可以通過粘合劑42粘附至載具40上方。與管芯22的頂面相鄰的是金屬柱26 (例如，可以為銅柱)，金屬柱預(yù)形成在管芯22中并且可以電連接至管芯22中的有源器件。在一些實施例中，可以為聚酰亞胺層的聚合物層28形成在金屬柱26上方。模塑料30被填充到管芯22之間的間隙中以及管芯22上方。注意，晶圓20的材料和結(jié)構(gòu)是用于解釋實施例概念的實例，并且具有不同材料和結(jié)構(gòu)的晶圓可以使用根據(jù)實施例的終點檢測方法進行研磨。根據(jù)示例性實施例，研磨工藝用于去除模塑料30和聚合物層28的多個部分并且露出金屬柱26，使得可以形成扇出連接件以電連接至金屬柱26。通過研磨工具44研磨晶圓20,研磨工具44包括研磨輪46,該研磨輪具有用于研磨晶圓20的頂面的粗砂。在研磨工藝期間，研磨輪46和晶圓20都旋轉(zhuǎn)。研磨工具44還包括控制單元48，用于控制研磨工藝以及用于控制研磨輪46的運轉(zhuǎn)。在研磨工藝期間，控制單元48能夠檢測正在被研磨的表面，并相應(yīng)地調(diào)節(jié)研磨工藝的輪載荷。在一些實施例中，研磨工具44調(diào)整用于驅(qū)動研磨輪46的輪電流，并且因此根據(jù)示例性實施例，輪電流可用于表示輪載荷。示例性研磨工具(其輪電流可用作輪載荷的指示)包括由Disco Corporation制造的DGP8761。在可選實施例中，可以使用其他參數(shù)表示研磨表面的阻力和/或輪載荷。圖2示意性示出了樣本晶圓的示例性研磨工藝中的作為研磨時間函數(shù)的輪電流。在研磨工藝中，輪載荷包括多個部分，包括50A、50B和50C，它們分別對應(yīng)于研磨樣本晶圓的模塑料層、聚酰亞胺層和銅層。圖2示出了針對不同的材料，輪電流(輪載荷)不同。隨著研磨工藝的進行，去除上面的層，并露出和研磨下面的層。圖3示出了圖1中結(jié)構(gòu)的一部分的截面圖，該部分包括金屬柱26、聚合物層28和模塑料30。圖3示意性示出了通過多種模式，即，A模式、B模式、C模式和O模式表示研磨工藝的多個階段。在A模式期間，研磨模塑料30和聚合物層28，并且基本上沒有研磨金屬柱26。在B模式期間，暴露并研磨整個晶圓20上的一些金屬柱26，并且暴露的金屬柱26可以具有正在被研磨的頂端，而下面的具有較大截面積的部分還沒有被研磨。在C模式期間，基本上所有的金屬柱都被露出并研磨，并且整個晶圓20上的金屬柱26基本上沒有發(fā)生過研磨。在O模式期間，發(fā)生過研磨。期望研磨的最優(yōu)終點位于C模式中，或者至少位于B模式中，而不期望A模式和O模式,并且A模式和O模式可以為失敗模式。由于對于研磨不同的材料，輪載荷也不同(如圖2所示)，所以A模式、B模式和C模式下的輪載荷不同。可以通過研磨樣本晶圓來找到對應(yīng)于A、B和C模式的輪載荷，并且在研磨工藝期間周期性地檢查樣本晶圓以找到模式和對應(yīng)輪載荷之間的相關(guān)性。然后，相關(guān)性可用于確定研磨工藝的最優(yōu)終點，研磨工藝用于研磨具有與樣本晶圓相同的結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品晶圓(production wafer)。圖4示出了從樣本扇出晶圓的研磨工藝中獲得的實驗結(jié)果，其中，將(金屬柱26的)露銅率(copper exposure rate)示出為輪載荷的函數(shù),將該輪載荷表示為輪電流。點52A、52B、52C和52D是檢查樣本扇出晶圓的點。點52A對應(yīng)于8.8安培的輪電流，此時，在937個管芯中，A、B、C和O模式中管芯的數(shù)量分別為936個、O個、O個和I個。點52B對應(yīng)于9.1安培的輪電流，此時，A、B、C和O模式中管芯的數(shù)量分別為666個、265個、2個和I個。點52C對應(yīng)于9.4安培的輪電流，此時，A、B、C和O模式中管芯的數(shù)量分別為150個、711個、73個和I個。點52D對應(yīng)于10安培的輪電流，此時，在937個管芯中，A、B、C和O模式中管芯的數(shù)量分別為9個、501個、424個和I個?？梢杂^察到，在點52D處，只有9個管芯仍然處于A模式中，而937個管芯中的925個管芯處于B模式或C模式中。在點52D之后，為了使更多的管芯從A和B模式變?yōu)镃模式，實施進一步的研磨(使用10安培的輪電流)，以去除晶圓中具有等于大約1.1 μ m的厚度的附加層。結(jié)果，A、B、C和O模式中管芯的數(shù)量分別為O個、16個、918個和I個。這相當(dāng)于99.7%的露銅率(圖4)。這些實驗結(jié)果表明，諸如輪電流的輪載荷可以用作用于確定最優(yōu)終點的指示信號(indicator)。通常，根據(jù)實施例，例如，可以通過對樣本晶圓實施研磨工藝并找到目標輪載荷(諸如圖4中的10安培電流)，可以找到對應(yīng)于最優(yōu)終點的目標輪載荷。在具有與樣本晶圓相同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品晶圓上，最優(yōu)終點可以為達到目標輪載荷的時刻。在其他實施例中，如下確定終點:在達到目標輪載荷之后，實施擴展研磨以將晶圓的厚度減小預(yù)定的研磨厚度(諸如圖4所示實例中的1.1 μ m)。預(yù)定研磨厚度還可以在大約I μ m和大約5 μ m之間。應(yīng)該理解，該預(yù)定研磨厚度是一個實例，并且可以針對研磨不同晶圓以及露出不同部件而進行變化。在又一些實施例中，如下確定終點:在達到目標輪載荷之后，在延伸的研磨時間周期內(nèi)實施擴展研磨(extended grinding)。在示例性實施例中，可以在大約10秒至大約50秒之間實施擴展研磨。可以通過實驗找到用于擴展研磨的最優(yōu)持續(xù)時間。在一些實施例中，在達到目標輪載荷之后，如圖1的研磨工具44可以自動地實施擴展研磨，然后停止研磨工藝。在其他實施例中，可以手動地實施擴展研磨工藝。圖5至圖7示出了根據(jù)可選實施例的用于確定研磨工藝的終點的方法，除了將從正在研磨的晶圓的表面測量的反射率(而不是輪載荷)用作用于確定最優(yōu)終點的標準之夕卜，這些實施例類似于圖1至圖4所示的實施例。除非另有指定，否則這些實施例中的部件的材料和形成方法都基本上與類似部件相同，其中，通過圖1至圖4所示實施例中的類似參考標號指示該類似部件。參照圖5，光發(fā)射/接收量規(guī)60被用于測量反射率，其中，光發(fā)射/接收量規(guī)60可以包括:用于發(fā)射光62的光發(fā)射量規(guī)60A和用于接收反射光64的光接收量規(guī)60B。光發(fā)射/接收量規(guī)60是非接觸量規(guī)，其在研磨工藝期間不接觸晶圓20。光發(fā)射/接收量規(guī)60可以是反射率測量工具的一部分，其中，反射率測量工具被配置為通過發(fā)射光62測量反射率、測量反射光的強度以及計算反射率。由于光64可以從表面反射并且還從晶圓20的內(nèi)部部件反射，所以反射率可以為表面材料和晶圓20的表面下方埋入的材料的函數(shù)。反射率還可以為晶圓20中的部件的拓撲函數(shù)。參照圖6，在研磨工藝期間，通過光發(fā)射/接收量規(guī)60發(fā)射的光62被投射到晶圓20的點68上(其實際上隨著晶圓20的旋轉(zhuǎn)形成圓圈)。應(yīng)該理解，即使光62可以投射到固定方向并且可以一次投射到一個金屬柱26上(圖1)，但隨著晶圓20的旋轉(zhuǎn)，在不同時間點處，光62可以投射到晶圓20的其他部件上，諸如管芯22之間的模塑料30(圖5)。因此，測量的反射率為從圓圈68獲得的平均結(jié)果。圖7示意性地示出了作為示例性研磨工藝中的時間函數(shù)的反射光64(圖5)的強度。由于圖5中的入射光62可以具有固定強度,所以反射光64的強度還可以表不反射率，這是因為可以通過反射光64的強度除以入射光62的強度來計算反射率。在研磨工藝中，所示光強度包括多個部分，包括70A、70B和70C，它們分別對應(yīng)于研磨模塑料層、聚酰亞胺層和銅層。圖7揭示出對于不同的材料，反射光64的強度是不同的，因此反射率不同。因此，反射率可以用作用于確定研磨工藝的最優(yōu)終點的指示信號。圖8示出了從樣本扇出晶圓的研磨工藝獲得的實驗結(jié)果，其中，將樣本晶圓的厚度和反射光的強度示出為研磨時間的函數(shù)。左邊的Y軸示出了晶圓厚度，并對應(yīng)于線82和84。右邊的Y軸示出了光強度，并對應(yīng)于波形86。線82表示作為研磨時間函數(shù)的模塑料30(圖1)的厚度，而線84表示作為研磨時間函數(shù)的硅襯底24(圖1)的厚度。如圖8所示，模塑料30的厚度隨著研磨工藝的進行而減小。同時，由于可以隨著研磨的進行露出諸如聚合物層28和銅層的其他部件，所以光強度(波形86)增加。模塑料30、聚合物層28、金屬柱26和硅襯底24被研磨的區(qū)域還可以示出為區(qū)域88A、88B、88C和88D。當(dāng)金屬柱26和聚合物層28都被研磨時，可以選擇最優(yōu)終點。因此，時間點TO可以被選擇為示例性最優(yōu)終點，并且對應(yīng)的光強度IO被用于計算目標反射率。通常，根據(jù)實施例，例如，可以通過對樣本晶圓實施研磨工藝、周期性地實施檢查并計算目標反射率(諸如來自圖8中的強度等級10)來找到對應(yīng)于最優(yōu)終點的目標反射率。在具有與樣本晶圓相同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品晶圓上，最優(yōu)終點為達到目標反射率的時刻。在其他實施例中，如下確定最優(yōu)終點:在達到目標反射率之后，在研磨時間的擴展周期內(nèi)實施擴展研磨，或者將晶圓20的厚度減小預(yù)定值?？梢酝ㄟ^實驗找到用于擴展研磨的最優(yōu)持續(xù)時間。根據(jù)實施例，用于實施研磨的方法包括:選擇用于晶圓研磨工藝的目標輪載荷；對晶圓實施研磨工藝。隨著研磨工藝的進行，測量研磨工藝的輪載荷。在達到目標輪載荷之后停止研磨工藝。根據(jù)其他實施例，一種方法包括:使用研磨輪研磨樣本晶圓；在研磨樣本晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于驅(qū)動研磨輪的輪電流；檢查樣本晶圓以確定研磨工藝的最優(yōu)終點；以及記錄與最優(yōu)終點相對應(yīng)的一個輪電流作為目標輪電流。對基本上與樣本晶圓相同的產(chǎn)品晶圓實施研磨工藝。在研磨產(chǎn)品晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于研磨產(chǎn)品晶圓的輪電流。在達到目標輪電流之后停止研磨工藝。
根據(jù)又一些實施例，一種方法包括:選擇晶圓研磨工藝的目標反射率；以及對晶圓實施研磨工藝。隨著研磨工藝的進行，測量從晶圓的表面反射的光的反射率。在一個反射率達到目標反射率之后停止研磨工藝。盡管已經(jīng)詳細描述了實施例及其優(yōu)點，但應(yīng)該理解，在不背離由所附權(quán)利要求定義的實施例的主旨和范圍的情況下，可以進行各種改變、替換和變化。此外，本申請的范圍不限于說明書中描述的工藝、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法和步驟的特定實施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該容易地從發(fā)明中理解，可以根據(jù)發(fā)明利用現(xiàn)有或稍后開發(fā)的實施與本文所描述對應(yīng)實施例基本相同的功能或?qū)崿F(xiàn)基本相同的結(jié)果的工藝、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求用于在它們的范圍內(nèi)包括這些工藝、機器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法和步驟。此外，每個權(quán)利要求都構(gòu)成獨立的實施例，并且各個權(quán)利要求和實施例的組合都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括: 選擇用于晶圓研磨工藝的目標輪載荷； 對晶圓實施研磨工藝，并且隨著所述研磨工藝的進行，測量所述研磨工藝的輪載荷；以及 在達到所述目標輪載荷之后停止所述研磨工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括:當(dāng)達到所述目標輪載荷時，實施擴展研磨以去除具有預(yù)定厚度的晶圓的層，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括:當(dāng)達到所述目標輪載荷時，在預(yù)定的時間周期內(nèi)實施擴展研磨，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，選擇所述目標輪載荷的步驟包括: 研磨樣本晶圓，所述樣本晶圓具有與所述晶圓相同的結(jié)構(gòu)； 在研磨所述樣本晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于研磨所述樣本晶圓的輪載荷； 檢查所述樣本晶圓，從而確定所述研磨工藝的最優(yōu)終點；以及 記錄與所述最優(yōu)終點相對應(yīng)的一個輪載荷作為所述目標輪載荷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述晶圓包括: 多個器件管芯；以及 模塑料，設(shè)置在所述多個器件管芯之間的間隙中以及所述多個器件管芯上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用用于驅(qū)動研磨輪的輪電流表示所述晶圓載荷，以及其中，所述研磨輪用于研磨所述晶圓。
7.一種方法，包括: 使用研磨輪研磨樣本晶圓； 在研磨所述樣本晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于驅(qū)動所述研磨輪的輪電流； 檢查所述樣本晶圓，從而確定研磨工藝的最優(yōu)終點； 記錄與所述最優(yōu)終點相對應(yīng)的一個輪電流作為目標輪電流； 對產(chǎn)品晶圓實施研磨工藝，所述產(chǎn)品晶圓基本上與所述樣本晶圓相同； 在研磨所述產(chǎn)品晶圓的步驟期間，監(jiān)測用于研磨所述產(chǎn)品晶圓的輪電流；以及 在達到所述目標輪電流之后，停止所述研磨工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括:當(dāng)達到所述目標輪電流時，實施擴展研磨以去除具有預(yù)定厚度的產(chǎn)品晶圓的層，其中，一旦完成所述擴展研磨，就實施停止所述研磨工藝的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括，其中所述預(yù)定厚度在大約Iμ m和大約5 μ m之間。
10.一種方法，包括: 選擇晶圓研磨工藝的目標反射率； 對晶圓實施研磨工藝，并且隨著所述研磨工藝的進行，測量從所述晶圓的表面反射的光的反射率；以及 在一個反射率達到所述目標反射率之后，停止所述研磨工藝。
全文摘要
用于實施研磨的方法包括選擇用于晶圓研磨工藝的目標輪載荷；以及對晶圓實施研磨工藝。隨著研磨工藝的進行，測量研磨工藝的輪載荷。在達到目標輪載荷之后停止研磨工藝。該方法可選地包括選擇晶圓研磨工藝的目標反射率；以及對晶圓實施研磨工藝。隨著研磨工藝的進行，測量從晶圓表面反射的光的反射率。在一個反射率達到目標反射率之后停止研磨工藝。本發(fā)明還提供了一種研磨中的終點檢測。
文檔編號H01L21/66GK103094145SQ201210027870
公開日2013年5月8日 申請日期2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者茅一超, 洪瑞斌, 林俊成, 鄭心圃, 余振華 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司