專利名稱：Cmos圖像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及CMOS圖像傳感器。
背景技術(shù)：
圖像傳感器屬于光電產(chǎn)業(yè)里的光電元件類，隨著數(shù)碼技術(shù)、半導(dǎo)體制造技術(shù)以及網(wǎng)絡(luò)的迅速發(fā)展，目前市場和業(yè)界都面臨著跨越各平臺的視訊、影音、通訊大整合時代的到來，勾劃著未來人類日常生活的美景。以其在日常生活中的應(yīng)用，無疑要屬數(shù)碼相機產(chǎn)品， 其發(fā)展速度可以用日新月異來形容。短短的幾年，數(shù)碼相機就由幾十萬像素，發(fā)展到400、 500萬像素甚至更高。其關(guān)鍵零部件-圖像傳感器產(chǎn)品成為當(dāng)前以及未來業(yè)界關(guān)注的對象，吸引著眾多廠商投入。以產(chǎn)品類別區(qū)分，圖像傳感器產(chǎn)品主要分為電荷耦合圖像傳感器 (Charge-coupled Device image sensor,簡稱CO)圖像傳感器)、互補型金屬氧化物圖像傳感器(Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensor,簡稱 CMOS 傳感器)。圖I為現(xiàn)有的4T結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器的電路結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖I所示的現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的布局示意圖，結(jié)合參考圖I和圖2，現(xiàn)有的4T結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器包括位于襯底70的傳輸晶體管Ml、復(fù)位晶體管M2、源跟隨晶體管M3、行選通晶體管M4。4T結(jié)構(gòu)圖像傳感器的工作原理為傳輸晶體管Ml用來將感光二極管的光生電子傳輸?shù)礁≈脭U散區(qū)FD，復(fù)位晶體管M2用來對浮置擴散區(qū)FD復(fù)位，源跟隨晶體管M3用來將浮置擴散區(qū)FD的電信號放大輸出。其工作過程是復(fù)位晶體管M2開啟，將浮置擴散區(qū)FD 置為高電位；然后關(guān)斷復(fù)位晶體管M2，打開傳輸晶體管M1，將感光二極管20中的光生電子傳輸?shù)礁≈脭U散區(qū)FD，浮置擴散區(qū)FD產(chǎn)生壓降，這個壓降通過源跟隨晶體管M3在行選通晶體管M4的輸出端out讀出，該讀出的壓降即為輸出信號。在需要用到高動態(tài)的圖像傳感器時，現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器動態(tài)范圍小，在光照較強的情況與光照較弱的情況下，圖像傳感器的靈敏度會發(fā)生較大的變化，導(dǎo)致在不同光照情況下，圖像傳感器輸出的圖像信號不準(zhǔn)確?，F(xiàn)有技術(shù)中，有許多關(guān)于CMOS圖像傳感器的專利以及專利申請，均沒有提供一種有效的高動態(tài)圖像傳感器的制作方法。例如2007年7月4日公開的公開號為CN1992305A 的中國專利申請文件，然而均沒有解決以上的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是在需要用到高動態(tài)的圖像傳感器時，現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器動態(tài)范圍小。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器，包括襯底；位于所述襯底的感光二極管、傳輸晶體管和復(fù)位晶體管；浮置擴散區(qū)，位于所述襯底中、所述傳輸晶體管和所述復(fù)位晶體管之間，所述浮置擴散區(qū)具有結(jié)電容；
與所述浮置擴散區(qū)的結(jié)電容并聯(lián)的MOS電容，所述MOS電容包括位于所述襯底上的柵極、位于所述柵極和所述襯底之間的介質(zhì)層、位于所述襯底中的摻雜區(qū)?？蛇x的，所述MOS電容位于所述浮置擴散區(qū)的兩側(cè)或一側(cè)，且和所述傳輸晶體管、 復(fù)位晶體管位于所述浮置擴散區(qū)的不同側(cè)?？蛇x的，所述襯底包括基底和位于所述基底上的摻雜層?？蛇x的，所述摻雜層為阱區(qū)或外延層。可選的，所述摻雜區(qū)為所述摻雜層的一部分或為位于所述摻雜層的P型摻雜區(qū)?？蛇x的，所述浮置擴散區(qū)包括第一摻雜區(qū)、位于所述第一摻雜區(qū)下方的部分所述摻雜層，所述摻雜層和所述第一摻雜區(qū)的摻雜類型相反。可選的，所述第一摻雜區(qū)為N+摻雜區(qū)?？蛇x的，所述感光二極管包括位于所述摻雜層中的第二摻雜區(qū)；位于所述第二摻雜區(qū)下方的部分所述摻雜層，所述第二摻雜區(qū)和摻雜層的摻雜類型相反?？蛇x的，還包括位于所述第二摻雜區(qū)上、所述摻雜層中的第三摻雜區(qū)，所述摻雜層和第三摻雜區(qū)的摻雜類型相同?？蛇x的，所述傳輸晶體管包括位于所述襯底上的柵極和柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層位于所述柵極和所述襯底之間，所述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)分別位于所述柵極的兩側(cè)，作為所述傳輸晶體管的源極、漏極?？蛇x的，所述復(fù)位晶體管包括位于所述襯底上的柵極和柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層位于所述柵極和所述襯底之間，位于所述柵極兩側(cè)的源極、漏極，所述第一摻雜區(qū)作為所述傳輸晶體管的源極。可選的，還包括位于所述襯底的源跟隨晶體管和選擇晶體管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器，對浮置擴散區(qū)并聯(lián)MOS電容，所述MOS電容包括位于所述襯底上的柵極、位于所述柵極和所述襯底之間的介質(zhì)層、位于所述襯底中的摻雜區(qū)。在光照較弱，感光二極管產(chǎn)生的光生電子Q較少時，浮置擴散區(qū)的結(jié)電容和MOS 電容的并聯(lián)總電容Cfd較小；在光照較強，感光二極管產(chǎn)生的光生電子Q較多時，浮置擴散區(qū)的結(jié)電容和MOS電容的并聯(lián)總電容Cfd較大。由AV = Q/Cfd可知，在不同光照情況下，可以確保浮置擴散區(qū)的壓降A(chǔ)V在設(shè)計范圍內(nèi)變化，不會出現(xiàn)AV過小使輸出信號無法探測，或者A V過大使輸出信號出現(xiàn)飽和而失真。因此，隨光照強度的變化，圖像傳感器的輸出信號具有更大范圍的線性區(qū)，從而圖像傳感器具有更大的動態(tài)范圍。


圖I為現(xiàn)有的4T結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I所示的現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的布局示意圖；圖3為本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器的布局示意圖；圖4為圖3所示的CMOS圖像傳感器沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器沿B-B方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖6為本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器與現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器光照強度與輸出電壓的關(guān)系的模擬示意圖；圖7為本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器光照強度與輸出電壓的關(guān)系的模擬示意圖。
具體實施例方式圖2為圖I所不的現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的布局不意圖，結(jié)合參考圖I和圖 2，襯底70包括基底71以及位于基底71上的外延層72，浮置擴散區(qū)FD包括摻雜區(qū)73、位于摻雜區(qū)73下的部分摻雜層72，浮置擴散區(qū)FD的工作原理為摻雜區(qū)73和其下的部分摻雜層72形成了電容，當(dāng)感光二極管中的光生電子經(jīng)傳輸晶體管傳輸至浮置擴散區(qū)時，會在浮置擴散區(qū)產(chǎn)生壓降，該壓降的大小為光生電子除以浮置擴散區(qū)的電容。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中，浮置擴散區(qū)的電容為結(jié)電容，感光二極管產(chǎn)生的光生電子的數(shù)量在光照較強的情況與光照較弱的情況下會有較大變化，這樣浮置擴散區(qū)的壓降A(chǔ)V(AV = Q/c，Q為感光二極管產(chǎn)生的光生電子，c為浮置擴散區(qū)的電容)在光照較強的情況與光照較弱的情況下會有較大變化，容易出現(xiàn)AV過小使輸出信號無法探測，或者AV過大使輸出信號出現(xiàn)飽和的現(xiàn)象。從而導(dǎo)致了 CMOS圖像傳感器輸出信號不準(zhǔn)確。基于以上發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明對浮置擴散區(qū)的結(jié)電容并聯(lián)MOS電容，感光二極管產(chǎn)生的光生電子Q較少時，浮置擴散區(qū)和MOS電容的并聯(lián)總電容Cfd較??；在光照較強，感光二極管產(chǎn)生的光生電子Q較多時，浮置擴散區(qū)和MOS電容的并聯(lián)總電容Cfd較大。由AV = Q/ Cfd可知，在不同光照情況下，可以確保浮置擴散區(qū)的壓降A(chǔ)V在設(shè)計范圍內(nèi)變化。不會出現(xiàn)A V過小使輸出信號無法探測，或者AV過大使輸出信號出現(xiàn)飽和而失真。因此，隨光照強度的變化，圖像傳感器的輸出信號具有更大范圍的線性區(qū)，從而具有更大的動態(tài)范圍。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。圖3為本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器的布局示意圖，圖4為圖3所示的 CMOS圖像傳感器沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖3所示的CMOS圖像傳感器沿B-B 方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合參考圖3、圖4和圖5，本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器包括襯底10 ;位于所述襯底10的感光二極管H)、傳輸晶體管Ml和復(fù)位晶體管M2 ;浮置擴散區(qū)FD，位于所述襯底10中、所述傳輸晶體管Ml和所述復(fù)位晶體管M2之間；與所述浮置擴散區(qū)FD并聯(lián)的MOS電容20，所述MOS電容20包括位于所述襯底10上的柵極23、 位于所述柵極23和所述襯底10之間的介質(zhì)層22、位于所述襯底10中的摻雜區(qū)21。本發(fā)明具體實施例中，襯底10包括基底11、位于基底11的摻雜層12，該摻雜層12 為阱區(qū)或外延層。浮置擴散區(qū)FD包括位于傳輸晶體管Ml和復(fù)位晶體管M2之間的第一摻雜區(qū)31、位于第一摻雜區(qū)31下方的部分摻雜層12。浮置擴散區(qū)FD為長方形區(qū)域，當(dāng)然，此處描述的長方形區(qū)域不是嚴(yán)格的長方形區(qū)域，在對摻雜層12進行離子摻雜形成第一摻雜區(qū)31時，第一摻雜區(qū)31的形狀并不一定是嚴(yán)格的長方形區(qū)域，離子會進行擴散，因此浮置擴散區(qū)FD也可以為類長方形區(qū)域。相應(yīng)的，浮置擴散區(qū)FD具有四側(cè)，其中，傳輸晶體管Ml 和復(fù)位晶體管M2位于浮置擴散區(qū)的兩相對側(cè)，且感光二極管和傳輸晶體管Ml位于同一側(cè)， MOS電容20位于浮置擴散區(qū)FD的另外兩側(cè)或一側(cè)，也就是說MOS電容20位于所述浮置擴散區(qū)FD的兩側(cè)或一側(cè)，且和所述傳輸晶體管Ml、復(fù)位晶體管M2位于所述浮置擴散區(qū)FD的不同側(cè)。在圖3中的實施例中，MOS電容20位于浮置擴散區(qū)FD的兩側(cè)，本發(fā)明中，MOS電容20可以位于浮置擴散區(qū)FD的兩側(cè)，也可以位于浮置擴散區(qū)FD的一側(cè)，可以根據(jù)實際需求進行確定。本發(fā)明具體實施例中，襯底10的材料為單晶硅、單晶鍺或者單晶鍺硅、III-V族元素化合物、單晶碳化硅；第二半導(dǎo)體襯底73的材料為單晶硅、單晶鍺或者單晶鍺硅、III-V 族元素化合物、單晶碳化硅。。參考圖4，本發(fā)明具體實施例中，MOS電容20包括位于所述襯底10上的柵極23、 位于所述柵極23和所述襯底10之間的介質(zhì)層22、位于所述襯底10中的摻雜區(qū)21，具體的摻雜區(qū)21位于摻雜層12中。其中,柵極23的材料為金屬或多晶娃,介質(zhì)層為氧化娃層或氮化硅層，但不限于氧化硅層或氮化硅層。本發(fā)明具體實施例中，第一摻雜區(qū)21、摻雜區(qū)31和摻雜層12的摻雜類型相反，其中摻雜層12為P阱,摻雜區(qū)31為N+摻雜區(qū),第一摻雜區(qū)21為摻雜層12的一部分或者為位于摻雜層12的P型阱區(qū)。結(jié)合參考圖3和圖5，所述感光二極管I3D包括第二摻雜區(qū)41、位于所述第二摻雜區(qū)41下方的部分摻雜層12，第二摻雜區(qū)41和摻雜層12的摻雜類型相反，兩者構(gòu)成PN結(jié)形成感光二極管。本發(fā)明具體實施例中，在第二摻雜區(qū)41上具有第三摻雜區(qū)42，所述摻雜層12、第三摻雜區(qū)42的摻雜類型相同，第三摻雜區(qū)42將感光二極管埋藏于襯底10，也就是所謂的埋藏型感光二極管。但本發(fā)明中，感光二極管不限于埋藏型感光二極管，也可以沒有第三摻雜區(qū)42。結(jié)合參考圖3和圖5,本發(fā)明具體實施例中，傳輸晶體管M2包括位于所述襯底10 上的柵極51和柵介質(zhì)層52，所述柵介質(zhì)層52位于所述柵極51和所述襯底10之間，所述第一摻雜區(qū)31、第二摻雜區(qū)41分別位于所述柵極51的兩側(cè)，作為所述傳輸晶體管Ml的源極、漏極。結(jié)合參考圖3和圖5,本發(fā)明具體實施例中,所述復(fù)位晶體管M2包括位于所述襯底10上的柵極61和柵介質(zhì)層62，所述柵介質(zhì)層62位于所述柵極61和所述襯底10之間， 位于所述柵極61兩側(cè)、襯底10中的源極、漏極63，所述浮置擴散區(qū)的第一摻雜區(qū)31作為復(fù)位晶體管M2的源極。結(jié)合參考圖3和圖5，本發(fā)明具體實施例中，還包括位于所述襯底10的源跟隨晶體管M3和選擇晶體管M4。源跟隨晶體管M3和選擇晶體管M4均包括柵極和柵介質(zhì)層，柵介質(zhì)層位于柵極和襯底10之間，位于柵極兩側(cè)、襯底10中的源極、漏極。圖6為浮置擴散區(qū)的總電容Cfd與浮置擴散區(qū)的電壓Vfd的模擬曲線圖，橫坐標(biāo)代表浮置擴散區(qū)的電壓Vfd，縱坐標(biāo)代表浮置擴散區(qū)的總電容Cfd，浮置擴散區(qū)初始電壓為復(fù)位電壓Vrst，電子從感光二極管傳入浮置擴散區(qū)后，浮置擴散區(qū)電壓由高電位Vrst逐漸降低。曲線A表示現(xiàn)有技術(shù)中浮置擴散區(qū)的總電容與電壓的模擬曲線圖，曲線B表示本發(fā)明
6具體實施例中浮置擴散區(qū)的總電容與電壓的模擬曲線圖，從曲線A可以獲知現(xiàn)有技術(shù)中， 浮置擴散區(qū)的總電容Cfd與浮置擴散區(qū)的電壓Vfd呈漸變關(guān)系；從曲線B可以獲知本發(fā)明中，浮置擴散區(qū)的電壓存在一臨界值C，浮置擴散區(qū)的電壓Vfd范圍在復(fù)位電壓Vrst和臨界值C之間時，電壓Vfd和電容Cfd呈漸變關(guān)系，當(dāng)電壓Vfd小于臨界值C時，電容Cfd發(fā)生突變， 突然增大，也就是說，本發(fā)明中，當(dāng)光照強度由小逐漸增大時，電壓Vfd和電容Cfd起初呈漸變關(guān)系，在光照強度大于某一臨界值時，電容Cfd發(fā)生突變，突然增大。基于以上分析可以發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器的工作原理與現(xiàn)有技術(shù)基本相同，在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上增加了與浮置擴散區(qū)的結(jié)電容并聯(lián)的MOS電容，感光二極管產(chǎn)生的光生電子Q較少時，浮置擴散區(qū)的結(jié)電容和MOS電容的并聯(lián)總電容Cfd較小；在光照較強，感光二極管產(chǎn)生的光生電子Q較多時，浮置擴散區(qū)的結(jié)電容和MOS電容的并聯(lián)總電容Cfd較大。由AV = Q/Cfd可知，在不同光照情況下，可以確保浮置擴散區(qū)的壓降A(chǔ) V在設(shè)計范圍內(nèi)變化，不會出現(xiàn)A V過小使輸出信號無法探測，或者A V過大使輸出信號出現(xiàn)飽和而失真。因此，隨光照強度的變化，圖像傳感器的輸出信號具有更大范圍的線性區(qū)，從而具有更大的動態(tài)范圍。圖7為CMOS圖像傳感器光照強度與輸出電壓的關(guān)系的模擬示意圖，圖7中，橫坐標(biāo)代表光照強度，縱坐標(biāo)代表輸出電壓Vout。曲線D表不本發(fā)明具體實施例的CMOS圖像傳感器光照強度與輸出電壓的關(guān)系曲線，曲線C表示現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器光照強度與輸出電壓的關(guān)系。曲線C的輸出電壓在光照強度al時已經(jīng)飽和,而曲線D的輸出電壓在光照強度a2時才開始出現(xiàn)飽和現(xiàn)象。曲線D的輸出電壓線性區(qū)范圍更大，因此圖像傳感器具有更大的動態(tài)范圍。 本發(fā)明具體實施例以4T結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器為例進行說明，但本發(fā)明中，CMOS 圖像傳感器不限于4T結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器，也可以為3T結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器等其他包括浮置擴散區(qū)、感光二極管、傳輸晶體管和復(fù)位晶體管的CMOS圖像傳感器，可以將對浮置擴散區(qū)并聯(lián)電容的發(fā)明實質(zhì)應(yīng)用于這些CMOS圖像傳感器具有更大的動態(tài)范圍。 本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括襯底；位于所述襯底的感光二極管、傳輸晶體管和復(fù)位晶體管；浮置擴散區(qū)，位于所述襯底中、所述傳輸晶體管和所述復(fù)位晶體管之間，所述浮置擴散區(qū)具有結(jié)電容；與所述浮置擴散區(qū)的結(jié)電容并聯(lián)的MOS電容，所述MOS電容包括位于所述襯底上的柵極、位于所述柵極和所述襯底之間的介質(zhì)層、位于所述襯底中的摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求I所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述MOS電容位于所述浮置擴散區(qū)的兩側(cè)或一側(cè)，且和所述傳輸晶體管、復(fù)位晶體管位于所述浮置擴散區(qū)的不同側(cè)。
3.如權(quán)利要求I所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述襯底包括基底和位于所述基底上的摻雜層。
4.如權(quán)利要求I所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述摻雜層為阱區(qū)或外延層。
5.如權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述摻雜區(qū)為所述摻雜層的一部分或為位于所述摻雜層的P型摻雜區(qū)。
6.如權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述浮置擴散區(qū)包括第一摻雜區(qū)、位于所述第一摻雜區(qū)下方的部分所述摻雜層，所述摻雜層和所述第一摻雜區(qū)的摻雜類型相反。
7.如權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)為N+摻雜區(qū)。
8.如權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述感光二極管包括位于所述摻雜層中的第二摻雜區(qū)；位于所述第二摻雜區(qū)下方的部分所述摻雜層，所述第二摻雜區(qū)和摻雜層的摻雜類型相反。
9.如權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，還包括位于所述第二摻雜區(qū)上、 所述摻雜層中的第三摻雜區(qū)，所述摻雜層和第三摻雜區(qū)的摻雜類型相同。
10.如權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述傳輸晶體管包括位于所述襯底上的柵極和柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層位于所述柵極和所述襯底之間，所述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)分別位于所述柵極的兩側(cè)，作為所述傳輸晶體管的源極、漏極。
11.如權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述復(fù)位晶體管包括位于所述襯底上的柵極和柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層位于所述柵極和所述襯底之間，位于所述柵極兩側(cè)的源極、漏極，所述第一摻雜區(qū)作為所述傳輸晶體管的源極。
12.如權(quán)利要求I所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，還包括位于所述襯底的源跟隨晶體管和選擇晶體管。
全文摘要
一種CMOS圖像傳感器，包括襯底；位于所述襯底的感光二極管、傳輸晶體管和復(fù)位晶體管；浮置擴散區(qū)，位于所述襯底中、所述傳輸晶體管和所述復(fù)位晶體管之間，所述浮置擴散區(qū)具有結(jié)電容；與所述浮置擴散區(qū)的結(jié)電容并聯(lián)的MOS電容，所述MOS電容包括位于所述襯底上的柵極、位于所述柵極和所述襯底之間的介質(zhì)層、位于所述襯底中的摻雜區(qū)。本技術(shù)可使圖像傳感器具有更大的動態(tài)范圍。
文檔編號H01L27/146GK102593139SQ20121004934
公開日2012年7月18日 申請日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
發(fā)明者吳小利, 張克云, 饒金華 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司