專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法。
背景技術(shù)：
目前，以III-V族化合物半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體發(fā)光器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，其產(chǎn)業(yè)也與IC等其他產(chǎn)業(yè)ー樣具有重要地位。尤其是發(fā)光二極管(Light EmittingDiode, LED)類半導(dǎo)體發(fā)光器件，由于節(jié)能、高效、穩(wěn)定、安全以及壽命長等優(yōu)點(diǎn)已使其成為第四代照明技木。經(jīng)過多年的發(fā)展，半導(dǎo)體發(fā)光器件已有相對成熟的生產(chǎn)制造技木?，F(xiàn)在的外延エ藝能夠在襯底上生長出優(yōu)良、高發(fā)光復(fù)合效率的發(fā)光層。但是在芯片エ藝上，雖然人們做出了很多努力，半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率仍處在ー個比較低的水平。在現(xiàn)有技術(shù)中，主要通過表面粗化等技術(shù)來提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。表面粗化的方式較多，如干法刻蝕、濕法腐蝕等。當(dāng)采用干法刻蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)表面粗化時，通常需要在待加工表面鋪設(shè)顆粒，以顆粒作為掩膜進(jìn)行刻蝕，從而在待加工表面形成期望的表面形貌，該表面形貌通常在納米級別。發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題由于表面粗化產(chǎn)生的表面形貌是在納米級別，尺寸非常小，導(dǎo)致在待加工表面鋪設(shè)顆粒的エ藝復(fù)雜且難以控制，不適于批量生產(chǎn)，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體發(fā)光器件的生產(chǎn)成本顯著増加。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的對表面粗化的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了ー種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法。所述技術(shù)方案如下—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層和設(shè)于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；所述電極層上設(shè)有第一電極，所述第二半導(dǎo)體層或所述襯底的底面設(shè)有第二電極，所述襯底的底面和所述電極層的表面中的至少ー個形成有多個凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均從所述底面或所述電極層的表面向所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的內(nèi)部延伸，所述凸起的高度至少為O. I μ m，所述孔的深度至少為O. I μ m。進(jìn)ー步地，所述凸起和所述孔從所述電極層表面延伸至所述外延層的與所述電極層相鄰的表面，或者從所述電極層表面延伸至所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)部。更進(jìn)一歩地，所述凸起和孔的截面形狀為以下形狀中的ー種或任意組合柱狀、錐狀、梯形臺狀和蒙古包狀。另ー方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了ー種上述半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法，所述方法包括提供待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層和設(shè)于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；所述電極層上設(shè)有第一電極，所述第二半導(dǎo)體層或所述襯底的底面設(shè)有第二電極； 以多孔氧化鋁模板為掩膜，對所述電極層的表面和/或所述襯底的底面進(jìn)行刻蝕，從而在所述電極層或襯底的底面的表面形成多個孔，所述多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造。具體地，所述以多孔氧化鋁模板為掩膜，對所述電極層或所述襯底的底面進(jìn)行刻蝕，包括在所述電極層的表面或所述襯底的底面形成ー層鋁膜，所述鋁膜的厚度為O. I μ m- ο μ m,通過陽極氧化法,將招膜氧化成多孔氧化招模板。優(yōu)選地，所述多孔氧化鋁模板上的小孔的直徑為O. I μ m- ο μ m。又一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了ー種上述半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法，所述方法包括提供待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層和設(shè)于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；所述電極層上設(shè)有第一電極，所述第二半導(dǎo)體層或所述襯底的底面設(shè)有第二電極；在所述電極層的表面和/或所述襯底的底面涂覆ー層光刻膠層；提供多孔氧化鋁模板，所述多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造；以氧化鋁模板為壓印模，在所述光刻膠層上壓出預(yù)定形狀的光刻膠圖形；移除所述氧化鋁模板；以壓印后的光刻膠層為掩膜，對所述電極層或所述襯底的底面進(jìn)行刻蝕，從而在所述電極層或襯底的底面的表面形成多個凸起。具體地，涂覆的所述光刻膠層的厚度為O. I μ m- ο μ m。進(jìn)ー步地，所述多孔氧化鋁模板上的小孔的直徑為O. I μ m- ο μ m。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是本發(fā)明實(shí)施例通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極層表面和/或襯底的底面形成多個凸起和/或孔，從而在半導(dǎo)體發(fā)光器件形成光折射和/或散射単元，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。另外，本發(fā)明實(shí)施例采用多孔氧化鋁模板來形成所述凸起和/孔，エ藝簡単，易于控制，適于大批量生產(chǎn)，進(jìn)而降低了半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本發(fā)明實(shí)施例I中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例2中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例3中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖4是本發(fā)明實(shí)施例4中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例5中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例6中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7a是本發(fā)明實(shí)施例7中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法的流程圖；圖7b是本發(fā)明實(shí)施例7中提供的刻蝕過程的示意圖；
圖8a是本發(fā)明實(shí)施例8中提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法的流程圖；圖Sb是本發(fā)明實(shí)施例8中提供的刻蝕過程的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)ー步地詳細(xì)描述。實(shí)施例I如圖I所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底10、設(shè)于襯底10上的外延層20和設(shè)于外延層20上的電極層30。該外延層20包括依次層疊在襯底10的頂面上的第一半導(dǎo)體層21、活性層22和第二半導(dǎo)體層23。電極層30上設(shè)有第一電極40,第二半導(dǎo)體層23上設(shè)有第二電極50。電極層30的表面形成有多個孔61,孔61從電極層30的表面向該半導(dǎo)體發(fā)光器件的內(nèi)部延伸，孔61的深度至少為O. I μ m。具體地，在本實(shí)施例中，孔61從電極層30的表面延伸至電極層30的內(nèi)部，也就是說，沒有穿透電極層30。進(jìn)ー步地，孔61的形狀為以下形狀中的ー種或任意組合柱狀、錐狀、梯形臺狀和蒙古包狀?？椎男螤羁梢酝ㄟ^控制刻蝕參數(shù)來控制。具體地，如圖I所示，本實(shí)施例中的外延層20還包括設(shè)置在襯底10和第一半導(dǎo)體層21之間的半導(dǎo)體擴(kuò)展層24，該半導(dǎo)體擴(kuò)展層24可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置。需要說明的是，本實(shí)施例中，第二電極50設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上32上，但是，其也可以設(shè)置在，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極層表面形成多個或孔，從而在半導(dǎo)體發(fā)光器件形成光折射和/或散射単元，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。實(shí)施例2如圖2所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I基本相同，不同之處僅在于，本實(shí)施例中，孔62從電極層30的表面延伸至第二半導(dǎo)體層23的內(nèi)部。容易知道，孔62也可以從電極層30的表面延伸至外延層20的與電極層30相鄰的表面，也就是穿透電極層30，到達(dá)第二半導(dǎo)體層23的表面。本發(fā)明實(shí)施例通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極層表面形成多個孔，從而在半導(dǎo)體發(fā)光器件形成光折射和/或散射単元，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。實(shí)施例3如圖3所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I基本相同，不同之處僅在于，本實(shí)施例中，電極層30的表面沒有形成孔61,而是襯底10的底面形成有多個孔63,孔63從襯底10的底面向該半導(dǎo)體發(fā)光器件的內(nèi)部延伸，孔63的深度至少為O. I μ m。本發(fā)明實(shí)施例通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的襯底的底面形成多個孔，從而在半導(dǎo)體發(fā)光器件形成光折射和/或散射單元，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。實(shí)施例4
如圖4所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I基本相同，不同之處僅在于，本實(shí)施例中，電極層30的表面形成有多個凸起64,凸起64從電極層30的表面向該半導(dǎo)體發(fā)光器件的內(nèi)部延伸，凸起64的高度至少為0. I ii m。在本實(shí)施例中，凸起64從電極層30表面延伸至電極層30內(nèi)部,也就是說，凸起64的頂部64a大致與電極層30的表面相平，凸起64的底部64b位于電極層30的內(nèi)部。但是并不限于該形式，在其它實(shí)施例中，凸起64也可以從電極層30表面延伸至外延層20的與電極層30相鄰的表面，或者從電極層30表面延伸至第二半導(dǎo)體層23內(nèi)部，也就是說，凸起64的底部64b也可以位于第二半導(dǎo)體層23的表面或第二半導(dǎo)體層23的內(nèi)部。本發(fā)明實(shí)施例通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極層表面形成多個凸起，從而在半導(dǎo)體發(fā)光器件形成光折射和/或散射單元，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。實(shí)施例5如圖5所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I基本相同，不同之處僅在于，本實(shí)施例中，襯底10的底面沒有形成孔63，而是形成有多個凸起65，凸起65從襯底10的底面向該半導(dǎo)體發(fā)光器件的內(nèi)部延伸，凸起65的高度至少為0. liim。本發(fā)明實(shí)施例通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的或襯底的底面形成多個凸起，從而在半導(dǎo)體發(fā)光器件形成光折射和/或散射單元，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。實(shí)施例6如圖6所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例4基本相同，不同之處僅在于，本實(shí)施例中，除了電極層30的表面形成有多個凸起64，襯底10的底面也形成有多個凸起65。容易知道，在其他的實(shí)施方式中，也可以在電極層表面形成凸起，襯底的底面形成孔；或者在電極層表面形成孔，襯底的底面形成凸起；或者在電極層表面和襯底的底面都形成孔。本發(fā)明實(shí)施例通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極層表面和襯底的底面形成多個凸起，從而在半導(dǎo)體發(fā)光器件形成光折射和/或散射單元，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率。實(shí)施例I如圖7a所示，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法，適用于制造上述實(shí)施例1-3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，該方法包括步驟701 :提供待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件。該待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于襯底上的外延層和設(shè)于外延層上的電極層，外延層包括依次層疊在該襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；電極層上設(shè)有第一電極，第二半導(dǎo)體層或襯底的底面設(shè)有第二電極。參見圖7b，為了便于描繪，圖7b中簡化了半導(dǎo)體發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)，該具體結(jié)構(gòu)可以參見圖1-6。步驟702 :以多孔氧化鋁模板為掩膜，對電極層的表面進(jìn)行刻蝕，從而在電極層的表面形成多個孔，該多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造。
具體地,如圖7b所示,該步驟包括A、在待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件7的表面(可以是電極層的表面，也可以是襯底的底面)形成一層鋁膜71，該鋁膜71的厚度為0. I ii m-10 ii m。B、通過陽極氧化法，將鋁膜71氧化成多孔氧化鋁模板72 ;具體地，多孔氧化鋁模板上的小孔的直徑為0. I u m-10 u m。小孔的直徑可以由陽極氧化的時間、溶液濃度、電流等控制，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知，在此省略詳細(xì)描述。C、在該多孔氧化鋁模板72的掩蓋下，對該待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件7的表面進(jìn)行刻蝕，從而形成多個孔73。通過控制刻蝕參數(shù)，可以形成不同形狀的孔73，孔的形狀包括但不限于柱狀、錐狀、梯形臺狀和蒙古包狀。D、移除多孔氧化鋁模板72，即可獲得實(shí)施例I或2或3中的半導(dǎo)體發(fā)光器件。進(jìn)一步地，步驟C中，可以采用干法刻蝕、濕法刻蝕、或者干法刻蝕與濕法刻蝕相
彡口口 本發(fā)明實(shí)施例采用多孔氧化鋁模板在半導(dǎo)體發(fā)光器件表面形成孔，可以提高產(chǎn)品的取光效率，且制備工藝簡單，易于控制，適于大批量生產(chǎn)，進(jìn)而降低了半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造成本。實(shí)施例8如圖8a所示，本發(fā)明提供了另一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法，適用于制造上述實(shí)施例4-6所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件。如圖8a_8b所示，該方法包括步驟801 :提供待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件8。該待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于襯底上的外延層和設(shè)于外延層上的電極層，外延層包括依次層疊在該襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；電極層上設(shè)有第一電極，第二半導(dǎo)體層或襯底的底面設(shè)有第二電極。參見圖Sb，為了便于描繪，圖Sb中簡化了半導(dǎo)體發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)，該具體結(jié)構(gòu)可以參見圖1-6。步驟802 :在待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件8的表面(電極層的表面和/或所述襯底的底面)涂覆一層光刻膠層81 (見圖Sb中的步驟B)。具體地，該光刻膠層的厚度為
0.I u m-10 u m0步驟803 :提供多孔氧化鋁模板82，該多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造(見圖8b中的步驟A)。步驟804 :以氧化鋁模板82為壓印模，在光刻膠層81上壓出預(yù)定形狀的光刻膠圖形(見圖Sb中的步驟C)。步驟805 :移除該氧化鋁模板82 (見圖8b中的步驟D)。步驟806 :以壓印后的光刻膠層81為掩膜，對該待加工半導(dǎo)體發(fā)光器件8的表面進(jìn)行刻蝕，從而在待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件8的表面形成多個凸起83 (見圖Sb中的步驟E)。該步驟806中，可以采用干法刻蝕、濕法刻蝕、或者干法刻蝕與濕法刻蝕相結(jié)合。
本發(fā)明實(shí)施例采用多孔氧化鋁模板在半導(dǎo)體發(fā)光器件表面形成凸起，可以提高產(chǎn)品的取光效率，且制備工藝簡單，易于控制，適于大批量生產(chǎn)，進(jìn)而降低了半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造成本。
容易知道，當(dāng)待加工表面同時存在凸起和孔時，可以先加工一種形狀，再加工另一種形狀，即將實(shí)施例7和8組合。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括但不限于LED、LD(LaserDiode,激光二極管)、SLD (Superluminescent Light Diode,超福射發(fā)光二極管)等器件。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層和設(shè)于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；所述電極層上設(shè)有第一電極，所述第二半導(dǎo)體層或所述襯底的底面設(shè)有第二電極，其特征在干， 所述襯底的底面和所述電極層的表面中的至少ー個形成有多個凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均從所述底面或所述電極層的表面向所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的內(nèi)部延伸，所述凸起的高度至少為O. I μ m，所述孔的深度至少為O. I μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述凸起和所述孔從所述電極層表面延伸至所述外延層的與所述電極層相鄰的表面，或者從所述電極層表面延伸至所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，所述凸起和孔為以下形狀中的ー種或任意組合柱狀、錐狀、梯形臺狀和蒙古包狀。
4.一種如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括 提供待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層和設(shè)于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；所述電極層上設(shè)有第一電極，所述第二半導(dǎo)體層或所述襯底的底面設(shè)有第二電極； 以多孔氧化鋁模板為掩膜，對所述電極層的表面和/或所述襯底的底面進(jìn)行刻蝕，從而在所述電極層或襯底的底面的表面形成多個孔，所述多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述以多孔氧化鋁模板為掩膜，對所述電極層或所述襯底的底面進(jìn)行刻蝕，包括 在所述電極層的表面或所述襯底的底面形成ー層鋁膜，所述鋁膜的厚度為O. I μ m-10 μ m,通過陽極氧化法,將招膜氧化成多孔氧化招模板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在干，所述多孔氧化鋁模板上的小孔的直徑為O. I μ m-10 μ m。
7.—種如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括 提供待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述待加工的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層和設(shè)于所述外延層上的電極層，所述外延層包括依次層疊在所述襯底的頂面上的第一半導(dǎo)體層、活性層和第二半導(dǎo)體層；所述電極層上設(shè)有第一電極，所述第二半導(dǎo)體層或所述襯底的底面設(shè)有第二電極； 在所述電極層的表面和/或所述襯底的底面涂覆ー層光刻膠層； 提供多孔氧化鋁模板，所述多孔氧化鋁模板通過陽極氧化法制造； 以氧化鋁模板為壓印模，在所述光刻膠層上壓出預(yù)定形狀的光刻膠圖形； 移除所述氧化鋁模板； 以壓印后的光刻膠層為掩膜，對所述電極層或所述襯底的底面進(jìn)行刻蝕，從而在所述電極層或襯底的底面的表面形成多個凸起。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，涂覆的所述光刻膠層的厚度為O. I μ m-10 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述多孔氧化鋁模板上的小孔的直徑為O. I μ m-10 μ m。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層和設(shè)于所述外延層上的電極層；所述襯底的底面和所述電極層的表面中的至少一個形成有多個凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均從所述底面或所述電極層的表面向所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的內(nèi)部延伸，所述凸起的高度至少為0.1μm，所述孔的深度至少為0.1μm。本發(fā)明實(shí)施例采用多孔氧化鋁模板，在半導(dǎo)體發(fā)光器件的電極層表面和/或襯底的底面形成多個凸起和/或孔，可以有效提高半導(dǎo)體發(fā)光器件的取光效率，工藝簡單，易于控制，適于大批量生產(chǎn)，進(jìn)而降低了半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造成本。
文檔編號H01L33/38GK102623603SQ20121009323
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月31日
發(fā)明者徐瑾, 王江波, 金迎春 申請人:華燦光電股份有限公司