專利名稱：一種陣列基板及其制造方法、以及顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種陣列基板及其制造方法，以及使用所述陣列基板的顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著顯示器制造技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)發(fā)展迅速，已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為未來平板顯示器的主流。在液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域中，TFT-IXD(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)以其大尺寸、高度集成、功能強(qiáng)大、エ藝靈活、低成本等優(yōu)勢而廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、電腦、手機(jī)等領(lǐng)域。其中，ADSDS(高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)，ADvancedSuper Dimension Switch,簡稱ADS)型TFT-IXD由于具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開ロ率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于液晶顯示器領(lǐng)域。ADS型TFT-IXD通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶エ作效率并増大了透光效率，進(jìn)而提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。目前，ADS型TFT-IXD的陣列基板是通過多次光刻エ藝來完成的，每一次光刻エ藝又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等エ藝，其中刻蝕エ藝包括干法刻蝕和濕法刻蝕。現(xiàn)有技術(shù)中通過5次光刻エ藝制造的ADS型TFT-IXD陣列基板是較為領(lǐng)先的技術(shù)。圖I為現(xiàn)有的ADS型TFT-IXD的陣列基板像素結(jié)構(gòu)示意圖，如圖I所示，所述5次光刻エ藝包括公共電極(1st ΙΤ0)光刻、柵電極(gate)光刻、半導(dǎo)體層/源漏電極(SDT)光刻、鈍化層(PVX)光刻和像素電極(2nd ΙΤ0)光刻。其中，所述公共電極用于提供公共電壓，所述像素電極用于提供単元像素顯色所需電壓。上述公共電極光刻和柵電極光刻是在連續(xù)的エ藝下完成的，如果公共電極2或柵電極4在刻蝕エ藝過程中產(chǎn)生殘留，容易造成公共電極2與柵電極4導(dǎo)通，從而導(dǎo)致公共電極2與柵電極4之間發(fā)生短路(Gate-Common Short)，這會(huì)嚴(yán)重危害薄膜晶體管的性能。為了避免短路現(xiàn)象的發(fā)生，一般采取的措施是增大公共電極2與柵電極4之間的距離，但這種做法勢必會(huì)增大為了防止柵線漏光的黑矩陣(BM，Black Matrix)的寬度，同時(shí)減少単元像素透光區(qū)的面積，從而降低単元像素的開ロ率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種陣列基板及其制造方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的単元像素的開ロ率較低的問題。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是所述陣列基板包括基板；依次形成在所述基板上且相互絕緣的公共電極和像素電極；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極；所述漏電極與所述像素電極電連接；以及與所述柵電極同層設(shè)置的公共電極線；其中，所述陣列基板還包括絕緣層，所述絕緣層位于柵電極與公共電極之間，用于將柵電極與公共電極隔離；所述公共電極通過絕緣層過孔與所述公共電極線連接。優(yōu)選的是，所述絕緣層覆蓋在所述公共電極上并延伸至基板上，所述公共電極線和柵電極位于絕緣層上；絕緣層覆蓋公共電極的部分開有第一過孔，公共電極通過第一過孔與公共電極線連接。優(yōu)選的是，所述公共電極線和柵電極位于基板上，所述絕緣層位于基板上并覆蓋公共電極線和柵電極，所述公共電極位于絕緣層上方；所述絕緣層覆蓋公共電極線的部分開有第一過孔，所述公共電極通過第一過孔與公共電極線連接。優(yōu)選的是，所述絕緣層采用高透光性的絕緣材料制成。本發(fā)明同時(shí)提供ー種如上所述的陣列基板的制造方法，包括在基板上制作公共電極線、公共電極、薄膜晶體管的過程，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；其中， 所述制造方法還包括制作絕緣層，所述絕緣層位于柵電極與公共電極之間，用于將柵電極與公共電極隔離。優(yōu)選的是，所述制造方法具體包括下列步驟A.在基板上形成公共電極、絕緣層、柵電極與公共電極線的圖形；B.在完成步驟A的基板上形成柵電極保護(hù)層、有源層、源電極和漏電極的圖形；C.在完成步驟B的基板上形成鈍化層的圖形，并在鈍化層上形成有第二過孔；D.在完成步驟C的基板上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第二過孔與漏電極連接。進(jìn)ー步優(yōu)選的是，所述步驟A包括All.在基板上形成公共電極的圖形；A12.在完成步驟All的基板上形成絕緣層的圖形，在絕緣層上形成有第一過孔，使絕緣層覆蓋在公共電極上并延伸至基板上，并使所述第一過孔位于公共電極上方；A13.在絕緣層上形成柵電極與公共電極線的圖形，使公共電極線位于第一過孔上方，公共電極線通過第一過孔與公共電極連接?；蛘?，所述步驟A包括A21.在基板上形成柵電極與公共電極線的圖形；A22.在完成步驟A21的基板上形成絕緣層的圖形，在絕緣層上形成有第一過孔，使所述絕緣層位于基板上并覆蓋公共電極線和柵電極，并使第一過孔位于公共電極線的上方；A23.在絕緣層上形成公共電極的圖形，使公共電極位于第一過孔上方，所述公共電極通過第一過孔與公共電極線連接。或者,所述步驟A包括A31.在基板上形成柵電極與公共電極線的圖形；A32.在完成步驟A31的基板上形成絕緣層及公共電極的圖形，使絕緣層位于基板上并覆蓋公共電極線和柵電極，并使公共電極位于公共電極線的上方；所述步驟C包括在完成步驟B的基板上形成鈍化層的圖形，并形成貫穿鈍化層的第二過孔以露出所述漏電極，以及形成貫穿鈍化層、柵電極保護(hù)層、公共電極與絕緣層的第一過孔以露出所述公共電極線；所述步驟D包括在完成步驟C的基板上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第二過孔與所述漏電極連接，同時(shí)公共電極通過第一過孔與公共電極線連接?；蛘?所述步驟A包括A41.在基板上形成公共電極的圖形；A42.在完成步驟A41的基板上形成絕緣層、柵電極及公共電極線的圖形，使絕緣層覆蓋在公共電極上并延伸至基板上，并使公共電極線位于公共電極上方；所述步驟C包括
在完成步驟B的基板上形成鈍化層的圖形，并形成貫穿鈍化層的第二過孔以露出所述漏電極，以及形成貫穿鈍化層、柵電極保護(hù)層、公共電極線與絕緣層的第一過孔以露出所述公共電極；所述步驟D包括在完成步驟C的基板上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第二過孔與所述漏電極連接，同時(shí)公共電極通過第一過孔與公共電極線連接。本發(fā)明同時(shí)還提供ー種顯示設(shè)備，包括陣列基板，所述陣列基板采用上述的陣列基板。有益效果本發(fā)明所述陣列基板由于在公共電極和柵電極之間增加了一層采用高透光率的絕緣材料制成的絕緣層，將公共電極與柵電極完全隔離，即使公共電極或柵電極在刻蝕エ藝過程中產(chǎn)生殘留，也不會(huì)導(dǎo)致公共電極與柵電極之間發(fā)生短路；進(jìn)ー步可以縮短公共電極與柵電極之間的水平距離；本發(fā)明中公共電極與柵電極之間的水平距離與現(xiàn)有技術(shù)中公共電極與柵電極之間的水平距離相比，縮短至現(xiàn)有水平距離的O. 5 O. 8倍，從而可以減小為防止柵線漏光的黑矩陣的寬度，増大了単元像素透光區(qū)的面積，因而有效提高了単元像素的開ロ率。


圖I為現(xiàn)有的ADS模式的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例I中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例3中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例4中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明所述陣列基板中公共電極與柵電極的間距和現(xiàn)有技術(shù)中公共電極與柵電極的間距對比示意圖。圖中1_基板；2_公共電極；3_絕緣層；4_柵電極；5_公共電極線；6_柵電極保護(hù)層；7_有源層；8a-源電極；8b-漏電極；9_鈍化層；10_像素電極；11_第一過孔；12_第二過孔。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明所述陣列基板、該陣列基板的制造方法、以及包括所述陣列基板的顯示設(shè)備作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。所述陣列基板包括基板I ;依次形成在所述基板I上且相互絕緣的公共電極2和像素電極10，其中像素電極10上形成有狹縫結(jié)構(gòu)；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極4、有源層7、源電極8a和漏電極8b ;所述漏電極8b與所述像素電極10電連接；以及所述柵電極4同層設(shè)置的公共電極線5 ;其中，所述陣列基板還包括絕緣層3，所述絕緣層3位于柵電極4與公共電極2之間，用于將柵電極4與公共電極2隔離；所述公共電極2通過絕緣層過孔與所述公共電極線5連接。所述陣列基板的制作方法包括在基板I上制作公共電極線5、公共電極2、薄膜晶體管的過程，所述薄膜晶體管包括柵電極4、源電極8a和漏電極Sb ;其中，所述制造方法還包括制作絕緣層3，所述絕緣層3位于柵電極4與公共電極2之間，用于將柵電極4與公共電極2隔離。所述顯示設(shè)備包括陣列基板，所述陣列基板采用上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。圖6為本發(fā)明所述陣列基板中公共電極2與柵電極4的間距和現(xiàn)有技術(shù)中公共電極與柵電極的間距示意圖，圖a為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中公共電極2與柵電極4之間的間距示意圖，其中dl表示現(xiàn)有技術(shù)中公共電極2與柵電極4的間距，圖b為本發(fā)明公共電極2與柵電極4之間的間距示意圖，其中d2表示本發(fā)明中公共電極2與柵電極4的間距；所述d2/dl約為O. 5 O. 8。從圖6可以看出，由于本發(fā)明所述陣列基板在公共電極2和柵電極
4之間增加了一層高透光率的絕緣層3，使得本發(fā)明所述陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，縮短了公共電極2與柵電極4之間的距離，從而増大了単元像素的開ロ率。實(shí)施例I :如圖2所示，本實(shí)施例中，所述陣列基板包括基板I ;形成在基板上的公共電極
2;覆蓋在公共電極2上并延伸至基板I上的絕緣層3，絕緣層3覆蓋公共電極2的部分開有第一過孔11 ;形成在絕緣層3上的柵電極4與公共電極線5，即公共電極線5與柵電極4同層設(shè)置，所述公共電極線5位于第一過孔11上方，公共電極線5通過第一過孔11與公共電極2連接；柵電極保護(hù)層(即柵絕緣層)6，所述柵電極保護(hù)層6將柵電極4、公共電極線5以及絕緣層3完全覆蓋；在柵電極保護(hù)層6上形成的有源層7 ;形成在有源層7上的源電極8a與漏電極Sb ;覆蓋源電極8a與漏電極Sb并延伸至柵電極保護(hù)層6上的鈍化層9，所述鈍化層9覆蓋漏電極Sb的部分開有第二過孔12 ;在鈍化層9上形成的像素電極10，所述像素電極10上形成有狹縫結(jié)構(gòu)而且像素電極10通過第二過孔12與漏電極8b電連接?？梢钥闯?，公共電極2與像素電極10相互絕緣；絕緣層3位于柵電極4與公共電極2之間，用于將柵電極4與公共電極2隔離。優(yōu)選所述第一過孔11與第二過孔12通過干刻技術(shù)形成。優(yōu)選的是，所述基板I采用玻璃制成；所述絕緣層3與鈍化層9均采用高透光率的絕緣材料制成，例如可采用SiNx、SiOx或SiOxNy中的任一所形成的單層膜制成,或者采用SiNx,SiOx或SiOxNy的任意組合所形成的復(fù)合膜制成，或者采用聚酰胺與環(huán)氧樹脂中的任一所形成的單層膜制成，或者采用聚酰胺與環(huán)氧樹脂的組合所形成的復(fù)合膜制成，或者采用其他絕緣材料的單層膜或復(fù)合膜制成；所述源電極8a、漏電極Sb、柵電極4與公共電極線、5采用鑰、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻或銅的單層膜制成，或者采用以上金屬多層沉積形成的多層膜制成，或者采用其他金屬材料的單層膜或多層膜制成；所述有源層7包括半導(dǎo)體層和歐姆接觸層，其中半導(dǎo)體層采用a-Si (非晶硅)制成，或者采用其他半導(dǎo)體材料制成；所述歐姆接觸層采用n+a-Si (摻雜P非晶硅)制成，或者采用其他半導(dǎo)體摻雜材料制成；所述公共電極2與像素電極10采用銦錫氧化物或者銦鋅氧化物制成。
本實(shí)施例同時(shí)提供一種陣列基板的制造方法，其采用六次光刻エ藝完成，具體エ藝流程如下步驟①，在基板I上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過第一次光刻エ藝形成公共電極2的圖形；步驟②，在完成步驟①的基板上沉積絕緣薄膜，通過第二次光刻エ藝形成絕緣層3的圖形，在絕緣層3上形成有第一過孔11，使所述絕緣層3覆蓋在公共電極2上并延伸至基板I上，并使所述第一過孔11位于公共電極2上方；步驟③，在完成步驟②的基板上沉積柵極金屬薄膜，通過第三次光刻エ藝在絕緣層3上形成柵電極4與公共電極線5的圖形，使所述公共電極線5位于第一過孔11上方，并使公共電極線5通過第一過孔11與公共電極2連接；步驟④，在完成步驟③的基板上依次沉積柵電極保護(hù)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、歐姆接觸薄膜、漏源極金屬薄膜，并利用半色調(diào)掩?；蛘呋疑{(diào)掩模進(jìn)行第四次光刻エ藝形成柵電極保護(hù)層6、有源層7、源電極8a和漏電極Sb的圖形，使所述柵電極保護(hù)層6完全覆蓋柵電極4、公共電極線5以及絕緣層3，并使有源層7、源電極8a和漏電極Sb位于柵電極4上方的柵電極保護(hù)層6上；步驟⑤，在完成步驟④的基板上沉積絕緣薄膜，通過第五次光刻エ藝形成鈍化層9的圖形，在鈍化層9上形成有第二過孔12，使所述鈍化層9完全覆蓋源電極8a、漏電極Sb與柵電極保護(hù)層6，并使第二過孔12位于漏電極Sb上方；步驟⑥，在完成步驟⑤的基板上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過第六次光刻エ藝形成像素電極10的圖形，使所述像素電極10通過第二過孔12與漏電極Sb連接。實(shí)施例2 如圖3所示，本實(shí)施例中，所述陣列基板包括基板I ;形成在基板I上的柵電極4與公共電極線5，即公共電極線5與柵電極4同層設(shè)置；形成在基板I上并覆蓋柵電極4與公共電極線5的絕緣層3，所述絕緣層3覆蓋公共電極線5的部分開有第一過孔11，所述第ー過孔11位于公共電極線5的上方；形成在絕緣層3上的公共電極2，所述公共電極2位于第一過孔11上方，公共電極2通過第一過孔11與公共電極線5連接；完全覆蓋公共電極2以及絕緣層3的柵電極保護(hù)層6 ;在柵電極4上方的柵電極保護(hù)層6上形成的有源層7 ;形成在有源層7上的源電極8a與漏電極8b ;覆蓋源電極8a與漏電極8b并延伸至柵電極保護(hù)層6上的鈍化層9，所述鈍化層9覆蓋漏電極Sb的部分開有第二過孔12 ;在鈍化層9上形成的像素電極10，所述像素電極10上形成有狹縫結(jié)構(gòu)而且像素電極10通過第二過孔12與漏電極8b連接?？梢钥闯?，公共電極2與像素電極10相互絕緣；絕緣層3位于柵電極4與公共電極2之間，用于將柵電極4與公共電極2隔離。優(yōu)選所述第一過孔11與第二過孔12通過干刻技術(shù)形成。組成本實(shí)施例中的陣列基板的各層材質(zhì)與實(shí)施例I中相同。
本實(shí)施例同時(shí)提供一種陣列基板的制造方法，其采用六次光刻エ藝完成，具體エ藝流程如下步驟①，在基板I上沉積柵極金屬薄膜，通過第一次光刻エ藝形成柵電極4與公共電極線5的圖形；步驟②，在完成步驟①的基板上沉積絕緣薄膜，通過第二次光刻エ藝形成絕緣層3的圖形，在絕緣層3上形成有第一過孔11，使所述絕緣層3位于基板I上并覆蓋公共電極線5和柵電極4,并使第一過孔11位于公共電極線5的上方；步驟③，在完成步驟②的基板上沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，通過第三次光刻エ藝形成公共電極2的圖形，使公共電極2位于第一過孔11上方，所述公共電極2通過第一過孔11與公共電極線5連接；步驟④ ⑥與實(shí)施例I的步驟④ ⑥相同，這里不再贅述。 實(shí)施例3 如圖4所示，本實(shí)施例中，所述陣列基板包括基板I ;形成在基板I上的柵電極4與公共電極線5，即公共電極線5與柵電極4同層設(shè)置；形成在基板I上并覆蓋柵電極4與公共電極線5的絕緣層3 ;形成在絕緣層3上的公共電極2，所述公共電極2位于公共電極線5上方；完全覆蓋公共電極2以及絕緣層3的柵電極保護(hù)層6 ;在柵電極4上方的柵電極保護(hù)層6上形成的有源層7 ;形成在有源層7上的源電極8a與漏電極Sb ;覆蓋源電極8a與漏電極8b并延伸至柵電極保護(hù)層6上的鈍化層9，所述鈍化層9覆蓋漏電極Sb的部分開有第二過孔12 ;公共電極線5上方設(shè)置有第一過孔11，所述第一過孔11依次穿過鈍化層9、柵電極保護(hù)層6、公共電極2與絕緣層3，公共電極2通過第一過孔11與公共電極線5連接；在鈍化層9上形成的像素電極10，所述像素電極10上形成有狹縫結(jié)構(gòu)而且像素電極10通過第二過孔12與漏電極Sb連接。可以看出，公共電極2與像素電極10相互絕緣；絕緣層3位于柵電極4與公共電極2之間，用于將柵電極4與公共電極2隔離。優(yōu)選所述第一過孔11與第二過孔12通過干刻技術(shù)形成。組成本實(shí)施例陣列基板的各層材質(zhì)與實(shí)施例I相同。本實(shí)施例同時(shí)提供一種陣列基板的制造方法，其采用五次光刻エ藝完成，具體エ藝流程如下步驟①，在基板I上沉積柵極金屬薄膜，通過第一次光刻エ藝形成柵電極4與公共電極線5的圖形；步驟②，在完成步驟①的基板上依次沉積絕緣薄膜、第一透明導(dǎo)電薄膜，通過第二次光刻エ藝形成絕緣層3及公共電極2的圖形，使絕緣層3位于基板I上并覆蓋公共電極線5和柵電極4，并使公共電極2位于公共電極線5的上方；步驟③，在完成步驟②的基板上依次沉積柵電極保護(hù)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、歐姆接觸薄膜、漏源極金屬薄膜，并利用半色調(diào)掩?；蛘呋疑{(diào)掩模進(jìn)行第三次光刻エ藝形成柵電極保護(hù)層6、有源層7、源電極8a與漏電極Sb的圖形，使所述柵電極保護(hù)層6完全覆蓋公共電極2以及絕緣層3，并使有源層7、源電極8a和漏電極Sb位于柵電極4上方的柵電極保護(hù)層6上方；步驟④，在完成步驟③的基板上沉積絕緣薄膜，通過第四次光刻エ藝形成鈍化層9的圖形，在鈍化層9上形成有第二過孔12，并使第二過孔12位于漏電極Sb上方，即第二過孔12貫穿鈍化層9以露出所述漏電極Sb，所述鈍化層9完全覆蓋源電極8a、漏電極Sb與柵電極保護(hù)層6 ；以及形成貫穿鈍化層9、柵電極保護(hù)層6、公共電極2與絕緣層3的第一過孔11以露出所述公共電極線5 ；步驟⑤，在完成步驟④的基板上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過第五次光刻エ藝形成像素電極10的圖形，使所述像素電極10通過第二過孔12與漏電極Sb連接，同時(shí)沉積在所述第一過孔11處的像素電極材料(即第二透明導(dǎo)電薄膜材料)使公共電極2通過第一過孔11與公共電極線5連接。實(shí)施例4 如圖5所示，本實(shí)施例中，所述陣列基板包括基板I ;形成在基板I上的公共電極
2;形成在基板I上并覆蓋公共電極2的絕緣層3 ;形成在絕緣層3上的柵電極4與公共電極線5，即公共電極線5與柵電極4同層設(shè)置，且所述公共電極線5位于公共電極2上方；完全覆蓋柵電極4、公共電極線5以及絕緣層3的柵電極保護(hù)層6 ;在柵電極4上方的柵電極保護(hù)層6上形成的有源層7 ;形成在有源層7上的源電極8a與漏電極Sb ;覆蓋源電極8a與漏電極8b并延伸至柵電極保護(hù)層6上的鈍化層9，所述鈍化層9覆蓋漏電極Sb的部分開有第二過孔12 ;公共電極2上方設(shè)置有第一過孔11，所述第一過孔11依次穿過鈍化層9、柵電極保護(hù)層6、公共電極線5與絕緣層3，公共電極2通過第一過孔11與公共電極線5連接；在鈍化層9上形成的像素電極10，所述像素電極10上形成有狹縫結(jié)構(gòu)而且像素電極10通過第二過孔12與漏電極Sb電連接?？梢钥闯?，公共電極2與像素電極10相互絕緣；絕緣層3位于柵電極4與公共電極2之間，用于將柵電極4與公共電極2隔離。優(yōu)選所述第一過孔11與第二過孔12通過干刻技術(shù)形成。組成本實(shí)施例陣列基板的各層材質(zhì)與實(shí)施例I相同。本實(shí)施例同時(shí)提供一種陣列基板的制造方法，其采用五次光刻エ藝完成，具體エ藝流程如下步驟①，在基板I上沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，通過第一次光刻エ藝形成公共電極2的圖形；步驟②，在完成步驟①的基板上依次沉積絕緣薄膜、柵極金屬薄膜，通過第二次光刻エ藝形成絕緣層3、柵電極4與公共電極線5的圖形，使絕緣層3位于基板I上并覆蓋公共電極2，并使公共電極線5位于公共電極2的上方；步驟③，在完成步驟②的基板上依次沉積柵電極保護(hù)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、歐姆接觸薄膜、漏源極金屬薄膜，并利用半色調(diào)掩?；蛘呋疑{(diào)掩模進(jìn)行第三次光刻エ藝形成柵電極保護(hù)層6、有源層7、源電極8a與漏電極Sb的圖形，使所述柵電極保護(hù)層6完全覆蓋柵電極4、公共電極線5以及絕緣層3，并使有源層7、源電極8a與漏電極Sb位于柵電極4上方的柵電極保護(hù)層6上；步驟④，在完成步驟③的基板上沉積絕緣薄膜，通過第四次光刻エ藝形成鈍化層9的圖形，在鈍化層9上形成有第二過孔12，并使第二過孔12位于漏電極Sb上方，即第二過孔12貫穿鈍化層9以露出所述漏電極Sb，所述鈍化層9完全覆蓋源電極8a、漏電極Sb與柵電極保護(hù)層6 ;以及形成貫穿鈍化層9、柵電極保護(hù)層6、公共電極線5與絕緣層3的第一 過孔11以露出所述公共電極2 ；步驟⑤，在完成步驟④的基板上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過第五次光刻エ藝形成像素電極10的圖形，使所述像素電極10通過第二過孔12與漏電極Sb連接，同時(shí)沉積在所述第一過孔11處的像素電極材料(即第二透明導(dǎo)電薄膜材料)使公共電極2通過第一過孔11與公共電極線5連接。可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板,包括 基板⑴; 依次形成在所述基板(I)上且相互絕緣的公共電極(2)和像素電極(10)； 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極(4)、有源層(7)、源電極(8a)和漏電極(Sb)；所述漏電極(8b)與所述像素電極(10)電連接；以及， 與所述柵電極⑷同層設(shè)置的公共電極線(5)； 其特征在于，所述陣列基板還包括絕緣層(3)，所述絕緣層(3)位于柵電極(4)與公共電極⑵之間，用于將柵電極⑷與公共電極⑵隔離；所述公共電極⑵通過絕緣層過孔與所述公共電極線(5)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極(2)位于基板(I)上，所述絕緣層(3)覆蓋在所述公共電極(2)上并延伸至基板(I)上，所述公共電極線(5)和柵電極(4)位于絕緣層(3)上；絕緣層(3)覆蓋公共電極(2)的部分開有第一過孔(11)，公共電極(2)通過第一過孔(11)與公共電極線(5)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線(5)和柵電極⑷位于基板(I)上，所述絕緣層(3)位于基板(I)上并覆蓋公共電極線(5)和柵電極(4)，所述公共電極(2)位于絕緣層(3)上方；所述絕緣層(3)覆蓋公共電極線(5)的部分開有第一過孔(11)，所述公共電極(2)通過第一過孔(11)與公共電極線(5)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層(3)采用高透光性的絕緣材料制成。
5.一種如權(quán)利要求I所述的陣列基板的制造方法，包括在基板(I)上制作公共電極線(5)、公共電極(2)、薄膜晶體管的過程，所述薄膜晶體管包括柵電極(4)、源電極(8a)和漏電極(8b);其特征在于，所述制造方法還包括 制作絕緣層(3)，所述絕緣層(3)位于柵電極(4)與公共電極(2)之間，用于將柵電極(4)與公共電極⑵隔離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法具體包括下列步驟 A.在基板⑴上形成公共電極(2)、絕緣層(3)、柵電極(4)與公共電極線(5)的圖形； B.在完成步驟A的基板上形成柵電極保護(hù)層￠)、有源層(7)、源電極(8a)和漏電極(8b)的圖形； C.在完成步驟B的基板上形成鈍化層(9)的圖形，在鈍化層(9)上形成有第二過孔(12)； D.在完成步驟C的基板上形成像素電極(10)的圖形，所述像素電極(10)通過第二過孔(12)與漏電極(Sb)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步驟A包括 All.在基板⑴上形成公共電極(2)的圖形； A12.在完成步驟All的基板上形成絕緣層(3)的圖形，在絕緣層(3)上形成有第一過孔(11)，使絕緣層(3)覆蓋在公共電極(2)上并延伸至基板(I)上，并使所述第一過孔(11)位于公共電極⑵上方； A13.在絕緣層(3)上形成柵電極⑷與公共電極線(5)的圖形，使公共電極線(5)位于第一過孔(11)上方，公共電極線(5)通過第一過孔(11)與公共電極(2)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步驟A包括 A21.在基板⑴上形成柵電極⑷與公共電極線(5)的圖形； A22.在完成步驟A21的基板上形成絕緣層(3)的圖形，在絕緣層(3)上形成有第一過孔(11)，使所述絕緣層(3)位于基板(I)上并覆蓋公共電極線(5)和柵電極(4)，并使第一過孔(11)位于公共電極線(5)的上方； A23.在絕緣層(3)上形成公共電極(2)的圖形，使公共電極(2)位于第一過孔(11)上方，所述公共電極⑵通過第一過孔(11)與公共電極線(5)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步驟A包括 A31.在基板⑴上形成柵電極⑷與公共電極線(5)的圖形； A32.在完成步驟A31的基板上形成絕緣層(3)及公共電極(2)的圖形，使絕緣層(3)位于基板⑴上并覆蓋公共電極線(5)和柵電極(4)，并使公共電極⑵位于公共電極線(5)的上方； 所述步驟C包括 在完成步驟B的基板上形成鈍化層(9)的圖形，并形成貫穿鈍化層(9)的第二過孔(12)以露出所述漏電極(Sb)，以及形成貫穿鈍化層(9)、柵電極保護(hù)層(6)、公共電極(2)與絕緣層⑶的第一過孔(11)以露出所述公共電極線(5)； 所述步驟D包括在完成步驟C的基板上形成像素電極(10)的圖形，所述像素電極(10)通過第二過孔(12)與所述漏電極(Sb)連接，同時(shí)公共電極(2)通過第一過孔(11)與公共電極線(5)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步驟A包括 A41.在基板⑴上形成公共電極(2)的圖形； A42.在完成步驟A41的基板上形成絕緣層(3)、柵電極(4)及公共電極線(5)的圖形，使絕緣層(3)覆蓋在公共電極(2)上并延伸至基板(I)上，并使公共電極線(5)位于公共電極⑵上方； 所述步驟C包括 在完成步驟B的基板上形成鈍化層(9)的圖形，并形成貫穿鈍化層(9)的第二過孔(12)以露出所述漏電極(Sb)，以及形成貫穿鈍化層(9)、柵電極保護(hù)層(6)、公共電極線(5)與絕緣層⑶的第一過孔(11)以露出所述公共電極⑵； 所述步驟D包括在完成步驟C的基板上形成像素電極(10)的圖形，所述像素電極(10)通過第二過孔(12)與所述漏電極(Sb)連接，同時(shí)公共電極(2)通過第一過孔(11)與公共電極線(5)連接。
11.ー種顯示設(shè)備，包括陣列基板，其特征在于所述陣列基板采用權(quán)利要求1-4之一所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板，其包括基板；依次形成在所述基板上且相互絕緣的公共電極和像素電極；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極；所述漏電極與所述像素電極電連接；以及，與所述柵電極同層設(shè)置的公共電極線；其中，所述陣列基板還包括絕緣層，所述絕緣層位于柵電極與公共電極之間，用于將柵電極與公共電極隔離；所述公共電極通過絕緣層過孔與所述公共電極線連接。相應(yīng)地，提供一種上述陣列基板的制造方法以及采用該陣列基板的顯示設(shè)備。本發(fā)明所述陣列基板能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的單元像素的開口率較低的問題。
文檔編號H01L27/12GK102654703SQ20121009337
公開日2012年9月5日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月31日
發(fā)明者劉耀, 孫亮, 李梁梁, 白金超, 郝昭慧 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司