專利名稱：一種基于憶阻器的電位器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于憶阻器技術(shù)領(lǐng)域。具體涉及一種基于憶阻器的電位器。
背景技術(shù)：
憶阻器(Memristor)是電阻、電容和電感之外的第四種基本的電路元件，1971年蔡少棠首次提出了憶阻器的概念并論證了其存在的科學(xué)依據(jù)。2008年HP實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了一種具有記憶功能的納米雙端電阻，其電氣特性與蔡少棠教授預(yù)測(cè)的憶阻器特性相符，從而證實(shí)了憶阻器的存在。由于憶阻器的阻值與流過憶阻器的電荷有關(guān)，即當(dāng)電荷從一個(gè)方向流過時(shí)，電阻會(huì)增加，當(dāng)電荷反方向流過時(shí)，電阻就會(huì)減小。根據(jù)憶阻器的這一特性可以設(shè)計(jì)一種新的電位器。一直以來，電位器在電子電路中就得到了廣泛的應(yīng)用，例如，它可以用于校正系統(tǒng)中、也可以用來調(diào)節(jié)放大器內(nèi)的偏移電壓或者增益。機(jī)械式電位器是靠滑動(dòng)端與靜止端之間的相對(duì)滑動(dòng)來改變電阻值的，其阻值擁有良好的線性度，但也存在一定的局限，比如機(jī)械磨損、電阻漂移、對(duì)振動(dòng)和濕度敏感以及不易于控制等。數(shù)字電位器采用數(shù)字信號(hào)控制電位器滑動(dòng)端的位置，采用集成電路工藝生產(chǎn)，具有很高的穩(wěn)定性。但數(shù)字電位器的阻值為離散值，其精度有限，這在很大程度上限制了它的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在克服上述電位器的缺陷，目的是提供一種阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的基于憶阻器的電位器。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是該電位器由第一模擬開關(guān)、憶阻器和第二模擬開關(guān)組成。第一模擬開關(guān)的輸出端Yl與憶阻器的端子Rp連接，第一模擬開關(guān)的輸入端Xl外接控制電路的輸出端Vp ;第二模擬開關(guān)的輸出端Y2與憶阻器的端子Rn連接，第二模擬開關(guān)的輸入端X2外接控制電路的輸出端Vn ;第一模擬開關(guān)的輸入端Cl和第二模擬開關(guān)的輸入端C2外接控制電路的輸出端Vc，憶阻器的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對(duì)應(yīng)的輸出端A和B。由于采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明采用第一模擬開關(guān)和第二模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)了基于憶阻器的電位器的阻值控制。當(dāng)?shù)谝荒M開關(guān)和第二模擬開關(guān)均斷開時(shí)，由于憶阻器兩端的電壓小于憶阻器的閾值電壓，因而不會(huì)引起憶阻器的阻值變化；當(dāng)?shù)谝荒M開關(guān)和第二模擬開關(guān)均閉合時(shí)，利用幅值高于憶阻器閾值電壓的控制信號(hào)可以改變憶阻器的阻值，阻值的變化取決于施加在憶阻器兩端的控制信號(hào)的極性和持續(xù)時(shí)間。因此，基于憶阻器的電位器具有阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的特點(diǎn)。


圖I是本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的描述，并非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。一種基于憶阻器的電位器。該電位器的結(jié)構(gòu)如圖I所示，由第一模擬開關(guān)I、憶阻器2和第二模擬開關(guān)3組成。第一模擬開關(guān)I的輸出端Yl與憶阻器2的端子Rp連接，第一模擬開關(guān)I的輸入端Xl外接控制電路4的輸出端Vp ;第二模擬開關(guān)3的輸出端Y2與憶阻器2的端子Rn連接，第二模擬開關(guān)3的輸入端X2外接控制電路4的輸出端Vn ;第一模擬開關(guān)I的輸入端Cl 和第二模擬開關(guān)3的輸入端C2外接控制電路4的輸出端Vc，憶阻器2的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對(duì)應(yīng)的輸出端A和B。本具體實(shí)施方式
采用第一模擬開關(guān)I和第二模擬開關(guān)3實(shí)現(xiàn)了基于憶阻器的電位器的阻值控制。當(dāng)?shù)谝荒M開關(guān)I和第二模擬開關(guān)3均斷開時(shí)，由于憶阻器兩端的電壓小于憶阻器的閾值電壓，因而不會(huì)引起憶阻器的阻值變化；當(dāng)?shù)谝荒M開關(guān)I和第二模擬開關(guān) 3均閉合時(shí)，利用幅值高于憶阻器閾值電壓的控制信號(hào)可以改變憶阻器的阻值，阻值的變化取決于施加在憶阻器兩端的控制信號(hào)的極性和持續(xù)時(shí)間。因此，本具體實(shí)施方式
具有阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的特點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種基于憶阻器的電位器，其特征在于該電位器由第一模擬開關(guān)(I)、憶阻器(2)和第二模擬開關(guān)(3)組成；第一模擬開關(guān)(I)的輸出端Yl與憶阻器(2)的端子Rp連接,第一模擬開關(guān)(I)的輸入端Xl外接控制電路⑷的輸出端Vp ;第二模擬開關(guān)(3)的輸出端Y2與憶阻器⑵的端子Rn連接,第二模擬開關(guān)(3)的輸入端X2外接控制電路(4)的輸出端Vn ;第一模擬開關(guān)(I)的輸入端Cl和第二模擬開關(guān)(3)的輸入端C2外接控制電路(4)的輸出端Vc，憶阻器 ⑵的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對(duì)應(yīng)的輸出端A和B。
全文摘要
本發(fā)明具體涉及一種基于憶阻器的電位器。其技術(shù)方案是該電位器由第一模擬開關(guān)(1)、憶阻器(2)和第二模擬開關(guān)(3)組成。第一模擬開關(guān)(1)的輸出端Y1與憶阻器(2)的端子Rp連接，第一模擬開關(guān)(1)的輸入端X1外接控制電路(4)的輸出端Vp；第二模擬開關(guān)(3)的輸出端Y2與憶阻器(2)的端子Rn連接，第二模擬開關(guān)(3)的輸入端X2外接控制電路(4)的輸出端Vn；第一模擬開關(guān)(1)的輸入端C1和第二模擬開關(guān)(3)的輸入端C2外接控制電路(4)的輸出端Vc，憶阻器(2)的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對(duì)應(yīng)的輸出端A和B。本發(fā)明具有阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01C10/00GK102610345SQ20121010037
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月9日
發(fā)明者段宗勝, 甘朝暉, 蔣旻, 陳波 申請(qǐng)人:武漢科技大學(xué)