專(zhuān)利名稱(chēng)：一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方法，具體一種應(yīng)用于染料/量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極的一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方
法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池可以直接將太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換成電能，被認(rèn)為是一種最有效利用太陽(yáng)能的方式，因此一直以來(lái)收到世界各國(guó)高度重視。目前已經(jīng)實(shí)際應(yīng)用的太陽(yáng)能電池主要是硅基太陽(yáng)能電池，它具有較高的效率和較好的穩(wěn)定性，但是其高昂的制造成本限制了它們的大規(guī)模應(yīng)用。因此研究人員除了一方面進(jìn)行低成本、高效率硅基太陽(yáng)能電池商業(yè)化技術(shù)改進(jìn)之外，更加積極探索新型太陽(yáng)能電池。在眾多的太陽(yáng)能電池中，染料/量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池由于其潛在的低成本，較高效率而收到廣泛重視。為了提高敏化太陽(yáng)能電池，許多許多不同種類(lèi)、不同形貌和結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)被用來(lái)制備敏化太陽(yáng)能電池的光陽(yáng)極，包括納米顆粒膜、納米花、分級(jí)納米球、一維納米線、納米桿、納米管陣列等納米結(jié)構(gòu)。在這些納米結(jié)構(gòu)中，一維氧化鋅納米陣列尤為引人注目，因?yàn)樗麄兙哂腥缦聨讉€(gè)特點(diǎn)(I)可以為光生載流子提供直接快速的傳輸通道，從而有利于減少光生載流子的復(fù)合，促進(jìn)其快速被外電極收集；(2)由于納米陣列的強(qiáng)烈光散射和俘獲作用，可以降低光陽(yáng)極對(duì)光的反射，增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收。此外，一維氧化鋅納米線陣列可以非常方便地通過(guò)濕化學(xué)法進(jìn)行大面積制備，有利于降低制造成本。目前基于氧化鋅納米線陣列和多硫電解液的量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池盡管具有較高短路電流，但是其開(kāi)路電壓和填充因子都很低，從而限制了其整體效率的提高。至于基于一維氧化鋅納米線陣列的染料敏化太陽(yáng)能電池，相對(duì)于基于二氧化鈦材料的電池，其整體效率還很低，造成這種現(xiàn)象的原因之一是染料會(huì)在氧化鋅納米線表面形成Zn2+/染料復(fù)合層，阻礙了光生電子從染料向氧化鋅的注入。已有的研究結(jié)果表明，通過(guò)在氧化鋅納米線上覆蓋一薄層二氧化鈦，可以保護(hù)氧化鋅納米線，使之不不染料反應(yīng)形成Zn2+/染料阻擋層，并且可以顯著提高開(kāi)路電壓和填充因子，從而提高電池效率。這種結(jié)構(gòu)同樣有望提高給予氧化鋅納米陣列的量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的效率。目前用于在氧化鋅納米線上制備二氧化鈦保護(hù)層的方法主要有化學(xué)氣象沉積法，原子層沉積法和磁控濺射法。前兩種方法盡管可以精確地控制二氧化鈦層的厚度，得到厚度均一，形貌可控的氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合陣列，但是其制備過(guò)程需要高溫和特殊設(shè)備，制造成本很高，不利于大面積推廣。而磁控濺射法不但需要昂貴的設(shè)備和真空環(huán)境，而且無(wú)法通過(guò)簡(jiǎn)單方法得到厚度均一的二氧化鈦殼層，所制備的復(fù)合納米線結(jié)構(gòu)頂端二氧化鈦總是遠(yuǎn)厚于納米線側(cè)壁的二氧化鈦。因此，開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)單易行，不需要復(fù)雜設(shè)備和環(huán)境的低成本制備方法就顯得尤為重要
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種低成本濕化學(xué)法制備一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的制備方法為I)首先，將單乙醇胺溶于20毫升乙二醇甲醚中，然后再加入O. 001 O. 016摩爾的二水合乙酸鋅，使單乙醇胺與鋅離子的物質(zhì)的量之比為I : I;然后將混合物密封并置于58 62°C的水浴鍋磁力攪拌均勻得到氧化鋅溶膠，將氧化鋅溶膠取出后至于室溫下靜置12 18小時(shí)待用，利用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在3000轉(zhuǎn)/分鐘將上述靜置后的氧化鋅溶膠沉積在潔凈導(dǎo)電玻璃上，然后立即將其放在195 205°C的烘箱中處理5 10分鐘，再將基片置于450 500°C的馬弗爐中處理O. 5 I小時(shí)，得到氧化鋅籽晶層；2)其次，將2. 5 5毫摩爾的六水合硝酸鋅，2. 5 5毫摩爾的六亞甲基四胺和O O. 8毫摩爾分子量為1800的聚乙烯亞胺溶于100毫升的去離子水中，混合均勻得到生長(zhǎng)液，將已制備的覆蓋有籽晶層的基片浸入生長(zhǎng)液，將體系密封后，置于95°C的烘箱中液相生長(zhǎng)，然后將基片取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，得到氧化鋅納米線陣列；3)然后，將25毫摩爾的鈦酸四丁酯溶于39毫升的無(wú)水乙醇中，再加入25毫摩爾的乙酰丙酮，將混合液密封在室溫下磁力攪拌得二氧化鈦溶膠；4)最后，將已制備的氧化鋅納米線陣列依次浸入二氧化鈦溶膠、無(wú)水乙醇和去離子水中各40 50秒，然后用無(wú)水乙醇沖洗基片，除去表面粘附的水，以上過(guò)程定義為一個(gè)吸附循環(huán)反應(yīng)，進(jìn)行若干次吸附循環(huán)反應(yīng)后，將基片吹干，然后置于500 550°C的馬弗爐中退火I 2小時(shí)，得到一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合納米線陣列。所述步驟2)覆蓋有籽晶層的基片浸入生長(zhǎng)液的角度為45 60度角，且籽晶層面向下。所述步驟2)通過(guò)控制聚乙烯亞胺的濃度和生長(zhǎng)時(shí)間控制納米線的直徑和長(zhǎng)度。所述步驟4)通過(guò)控制二氧化鈦吸附循環(huán)反應(yīng)次數(shù)控制二氧化鈦殼層的厚度。本發(fā)明全部采用濕化學(xué)法來(lái)制備一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列，包括溶膠凝膠法制備氧化鋅籽晶層，液相沉積法制備氧化鋅納米線陣列，循環(huán)吸附反應(yīng)法制備二氧化鈦殼層。整個(gè)過(guò)程具有實(shí)驗(yàn)設(shè)備、環(huán)境要求低，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，重復(fù)性好等特點(diǎn)。本發(fā)明提出的方法易于控制復(fù)合納米線陣列的的各項(xiàng)形貌參數(shù)，如內(nèi)層氧化鋅納米線的直徑和長(zhǎng)度可以通過(guò)液相沉積的生長(zhǎng)液配比和生長(zhǎng)時(shí)間來(lái)控制，氧化鈦殼層的厚度可以通過(guò)循環(huán)吸附反應(yīng)的次數(shù)來(lái)控制。此外，本發(fā)明提出的方法可以很好的與染料/量子點(diǎn)敏化光陽(yáng)極的制備方法結(jié)合起來(lái)，有利于通過(guò)簡(jiǎn)單易行的方法制備出高效率的光陽(yáng)極。


圖I是通過(guò)控制液相沉積條件得到不同形貌氧化鋅納米線陣列的掃描電鏡圖；圖中(a)為聚乙烯亞胺的濃度為O時(shí)，生長(zhǎng)12小時(shí)所得納米線的截面圖；(b)為加入O. 5毫摩爾聚乙烯亞胺生長(zhǎng)12小時(shí)所得納米線的截面圖；圖2是一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的X射線能譜圖，圖中所示為在氧化鋅納米線(生長(zhǎng)條件加入O. 5毫摩爾聚乙烯亞胺生長(zhǎng)12小時(shí))上進(jìn)行20次循環(huán)吸附反應(yīng)所得樣品中鈦元素的分裂峰； 圖3是一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的掃描電鏡圖，圖中所示樣品為在氧化鋅納米線(生長(zhǎng)條件為加入0. 5毫摩爾聚乙烯亞胺生長(zhǎng)12小時(shí))上進(jìn)行(a)10次和(b) 20次循環(huán)吸附反應(yīng)所得樣品的截面圖；圖4是一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的透射電鏡圖，圖中所示樣品為在氧化鋅納米線(生長(zhǎng)條件為加入0. 5毫摩爾聚乙烯亞胺生長(zhǎng)12小時(shí))上進(jìn)行(a)(b) 10次，(c) Cd) 20次循環(huán)吸附反應(yīng)所得樣品照片。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例I :I)首先，將單乙醇胺溶于20毫升乙二醇甲醚中，然后再加入0. 001摩爾的二水合乙酸鋅，使單乙醇胺與鋅離子的物質(zhì)的量之比為I : I ;然后將混合物密封并置于58°C的水浴鍋磁力攪拌均勻得到氧化鋅溶膠，將氧化鋅溶膠取出后至于室溫下靜置15小時(shí)待用，利 用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在3000轉(zhuǎn)/分鐘將上述靜置后的氧化鋅溶膠沉積在潔凈導(dǎo)電玻璃上，然后立即將其放在195°C的烘箱中處理10分鐘，再將基片置于450°C的馬弗爐中處理I小時(shí)，得到氧化鋅籽晶層；2)其次，將2. 5毫摩爾的六水合硝酸鋅，2. 5毫摩爾的六亞甲基四胺溶于100毫升的去離子水中，混合均勻得到生長(zhǎng)液，將已制備的覆蓋有籽晶層的基片籽晶層面向下按與水平面45 60度的夾角浸入生長(zhǎng)液，密封反應(yīng)體系并置于95 °C的烘箱中液相生長(zhǎng)12小時(shí)后，然后將基片取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，得到氧化鋅納米線陣列；3)然后，將25毫摩爾的鈦酸四丁酯溶于39毫升的無(wú)水乙醇中，再加入25毫摩爾的乙酰丙酮，將混合液密封在室溫下磁力攪拌得二氧化鈦溶膠；4)最后，將已制備的氧化鋅納米線陣列依次浸入二氧化鈦溶膠、無(wú)水乙醇和去離子水中各40秒，然后用無(wú)水乙醇沖洗基片，除去表面粘附的水，以上過(guò)程定義為一個(gè)吸附循環(huán)反應(yīng)，進(jìn)行10次吸附循環(huán)反應(yīng)后，將基片吹干，然后置于500°C的馬弗爐中退火2小時(shí)，得到一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合納米線陣列。實(shí)施例2 I)首先，將單乙醇胺溶于20毫升乙二醇甲醚中，然后再加入0. 005摩爾的二水合乙酸鋅，使單乙醇胺與鋅離子的物質(zhì)的量之比為I : I ;然后將混合物密封并置于60°C的水浴鍋磁力攪拌均勻得到氧化鋅溶膠，將氧化鋅溶膠取出后至于室溫下靜置12小時(shí)待用，利用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在3000轉(zhuǎn)/分鐘將上述靜置后的氧化鋅溶膠沉積在潔凈導(dǎo)電玻璃上，然后立即將其放在198°C的烘箱中處理8分鐘，再將基片置于470°C的馬弗爐中處理I小時(shí)，得到氧化鋅籽晶層；2)其次，將5毫摩爾的六水合硝酸鋅，5毫摩爾的六亞甲基四胺和0. 5毫摩爾分子量為1800的聚乙烯亞胺溶于100毫升的去離子水中，混合均勻得到生長(zhǎng)液，將已制備的覆蓋有籽晶層的基片籽晶層面向下按與水平面45 60度的夾角浸入生長(zhǎng)液生長(zhǎng)，密封反應(yīng)體系并置于95°C的烘箱中液相生長(zhǎng)12小時(shí)后，然后將基片取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，得到氧化鋅納米線陣列；3)然后，將25毫摩爾的鈦酸四丁酯溶于39毫升的無(wú)水乙醇中，再加入25毫摩爾的乙酰丙酮，將混合液密封在室溫下磁力攪拌得二氧化鈦溶膠；
4)最后，將已制備的氧化鋅納米線陣列依次浸入二氧化鈦溶膠、無(wú)水乙醇和去離子水中各43秒，然后用無(wú)水乙醇沖洗基片，除去表面粘附的水，以上過(guò)程定義為一個(gè)吸附循環(huán)反應(yīng)，進(jìn)行20次吸附循環(huán)反應(yīng)后，將基片吹干，然后置于520°C的馬弗爐中退火I. 5小時(shí)，得到一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合納米線陣列。實(shí)施例3 I)首先，將單乙醇胺溶于20毫升乙二醇甲醚中，然后再加入O. 01摩爾的二水合乙酸鋅，使單乙醇胺與鋅離子的物質(zhì)的量之比為I : I ;然后將混合物密封并置于62°C的水浴鍋磁力攪拌均勻得到氧化鋅溶膠，將氧化鋅溶膠取出后至于室溫下靜置18小時(shí)待用，利用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在3000轉(zhuǎn)/分鐘將上述靜置后的氧化鋅溶膠沉積在潔凈導(dǎo)電玻璃上，然后立即將其放在202°C的烘箱中處理6分鐘，再將基片置于485°C的馬弗爐中處理O. 5小時(shí)，得到氧化鋅籽晶層；2)其次，將3毫摩爾的六水合硝酸鋅，3毫摩爾的六亞甲基四胺和O. 3毫摩爾分子 量為1800的聚乙烯亞胺溶于100毫升的去離子水中，混合均勻得到生長(zhǎng)液，將已制備的覆蓋有籽晶層的基片籽晶層面向下按與水平面45 60度的夾角浸入生長(zhǎng)液生長(zhǎng)，密封反應(yīng)體系并置于95°C的烘箱中液相生長(zhǎng)12小時(shí)后，然后將基片取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，得到氧化鋅納米線陣列；3)然后，將25毫摩爾的鈦酸四丁酯溶于39毫升的無(wú)水乙醇中，再加入25毫摩爾的乙酰丙酮，將混合液密封在室溫下磁力攪拌得二氧化鈦溶膠；4)最后，將已制備的氧化鋅納米線陣列依次浸入二氧化鈦溶膠、無(wú)水乙醇和去離子水中各46秒，然后用無(wú)水乙醇沖洗基片，除去表面粘附的水，以上過(guò)程定義為一個(gè)吸附循環(huán)反應(yīng)，進(jìn)行15次吸附循環(huán)反應(yīng)后，將基片吹干，然后置于535°C的馬弗爐中退火I小時(shí)，得到一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合納米線陣列。
實(shí)施例4 I)首先，將單乙醇胺溶于20毫升乙二醇甲醚中，然后再加入O. 016摩爾的二水合乙酸鋅，使單乙醇胺與鋅離子的物質(zhì)的量之比為I : I ;然后將混合物密封并置于59°c的水浴鍋磁力攪拌均勻得到氧化鋅溶膠，將氧化鋅溶膠取出后至于室溫下靜置16小時(shí)待用，利用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在3000轉(zhuǎn)/分鐘將上述靜置后的氧化鋅溶膠沉積在潔凈導(dǎo)電玻璃上，然后立即將其放在205°C的烘箱中處理5分鐘，再將基片置于500°C的馬弗爐中處理O. 5小時(shí)， 得到氧化鋅籽晶層；2)其次，將4毫摩爾的六水合硝酸鋅，4毫摩爾的六亞甲基四胺和O. 7毫摩爾分子量為1800的聚乙烯亞胺溶于100毫升的去離子水中，混合均勻得到生長(zhǎng)液，將已制備的覆蓋有籽晶層的基片籽晶層面向下按與水平面45 60度的夾角浸入生長(zhǎng)液生長(zhǎng)，密封反應(yīng)體系并置于95°C的烘箱中液相生長(zhǎng)12小時(shí)后，然后將基片取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，得到氧化鋅納米線陣列；3)然后，將25毫摩爾的鈦酸四丁酯溶于39毫升的無(wú)水乙醇中，再加入25毫摩爾的乙酰丙酮，將混合液密封在室溫下磁力攪拌得二氧化鈦溶膠；4)最后，將已制備的氧化鋅納米線陣列依次浸入二氧化鈦溶膠、無(wú)水乙醇和去離子水中各50秒，然后用無(wú)水乙醇沖洗基片，除去表面粘附的水，以上過(guò)程定義為一個(gè)吸附循環(huán)反應(yīng)，進(jìn)行8次吸附循環(huán)反應(yīng)后，將基片吹干，然后置于550°C的馬弗爐中退火I小時(shí)，得到一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合納米線陣列。圖I是通過(guò)控制液相沉積條件得到不同形貌氧化鋅納米線陣列的掃描電鏡圖。可見(jiàn)通過(guò)控制聚乙烯亞胺的濃度，可以得到不同直徑和不同長(zhǎng)度氧化鋅納米線陣列。圖2是一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的X射線能譜圖。圖中在458. 4eV和464. 2eV處有兩個(gè)明顯的分裂峰，分別對(duì)應(yīng)二氧化鈦中鈦元素的2p3/2和2p1/2峰，這表明在氧化鋅表面形成了二氧化鈦層。圖3是一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的掃描電鏡圖?？梢?jiàn)經(jīng)過(guò)循環(huán)吸附反應(yīng)法制備二氧化鈦殼層之后的復(fù)合陣列在形貌上與氧化鋅納米線陣列沒(méi)有明顯不同，納米線的排列不變，也沒(méi)有出現(xiàn)納米線粘結(jié)現(xiàn)象。圖4是一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的透射電鏡圖?？梢?jiàn)經(jīng)過(guò)10次循環(huán)吸附反應(yīng)后，可以在氧化鋅納米線表面形成均一的一層厚度約為2 3納米的氧化鈦殼層，經(jīng)過(guò)20次循環(huán)吸附反應(yīng)后氧化鈦殼層的厚度可以增加至8納米?？梢灶A(yù)見(jiàn)，繼續(xù)增加循環(huán)吸附的次數(shù)可以是二氧化鈦殼層的厚度進(jìn)一步提高。權(quán)利要求
1.一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方法，其特征在于 O首先，將單乙醇胺溶于20毫升乙二醇甲醚中，然后再加入O. 001 O. 016摩爾的二水合乙酸鋅，使單乙醇胺與鋅離子的物質(zhì)的量之比為I : I ;然后將混合物密封并置于58 62°C的水浴鍋磁力攪拌均勻得到氧化鋅溶膠，將氧化鋅溶膠取出后至于室溫下靜置12 18小時(shí)待用，利用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在3000轉(zhuǎn)/分鐘將上述靜置后的氧化鋅溶膠沉積在潔凈導(dǎo)電玻璃上，然后立即 將其放在195 205°C的烘箱中處理5 10分鐘，再將基片置于450 500°C的馬弗爐中處理O. 5 I小時(shí)，得到氧化鋅籽晶層； 2)其次，將2.5 5毫摩爾的六水合硝酸鋅，2. 5 5毫摩爾的六亞甲基四胺和O O. 8毫摩爾分子量為1800的聚乙烯亞胺溶于100毫升的去離子水中，混合均勻得到生長(zhǎng)液，將已制備的覆蓋有籽晶層的基片浸入生長(zhǎng)液，將體系密封后，置于95°C的烘箱中液相生長(zhǎng)，然后將基片取出，用去離子水沖洗干凈、吹干，得到氧化鋅納米線陣列； 3)然后，將25毫摩爾的鈦酸四丁酯溶于39毫升的無(wú)水乙醇中，再加入25毫摩爾的乙酰丙酮，將混合液密封在室溫下磁力攪拌得二氧化鈦溶膠； 4)最后，將已制備的氧化鋅納米線陣列依次浸入二氧化鈦溶膠、無(wú)水乙醇和去離子水中各40 50秒，然后用無(wú)水乙醇沖洗基片，除去表面粘附的水，以上過(guò)程定義為一個(gè)吸附循環(huán)反應(yīng)，進(jìn)行若干次吸附循環(huán)反應(yīng)后，將基片吹干，然后置于500 550°C的馬弗爐中退火I 2小時(shí)，得到一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合納米線陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方法，其特征在于所述步驟2)覆蓋有籽晶層的基片浸入生長(zhǎng)液的角度為45 60度角，且籽晶層面向下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方法，其特征在于所述步驟2)通過(guò)控制聚乙烯亞胺的濃度和生長(zhǎng)時(shí)間控制納米線的直徑和長(zhǎng)度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方法，其特征在于所述步驟4)通過(guò)控制二氧化鈦吸附循環(huán)反應(yīng)次數(shù)控制二氧化鈦殼層的厚度。
全文摘要
一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的制備方法，整個(gè)制備過(guò)程采用濕化學(xué)法，首先通過(guò)溶膠凝膠法在導(dǎo)電玻璃上制備氧化鋅籽晶層，然后通過(guò)液相沉積法在籽晶層上生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列，之后再通過(guò)循環(huán)吸附反應(yīng)法在氧化鋅納米線上制備二氧化鈦殼層，從而得到一維氧化鋅-二氧化鈦核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是(1)與其他方法相比(如化學(xué)氣象沉積法、原子層沉積法，磁控濺射法等)，該方法工藝簡(jiǎn)單，無(wú)需復(fù)雜設(shè)備和苛刻環(huán)境，成本低；(2)該方法可以方便地控制氧化鋅納米線的直徑、長(zhǎng)度和二氧化鈦殼層的厚度；(3)該方法可以很方便的與量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的光陽(yáng)極制備方法相結(jié)合，有利于方便地研究電池性能。
文檔編號(hào)H01G9/20GK102723208SQ20121017941
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月1日
發(fā)明者尹行天, 闕文修 申請(qǐng)人:西安交通大學(xué)