專利名稱：用于半導體工藝的自動邊界控制的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導體工藝，更具體地來說，涉及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由晶圓制造設(shè)備中的多個半導體工藝制造集成電路。這些工藝以及相關(guān)的制造設(shè)備可包括:熱氧化、擴散、離子注入、快速熱處理(RTP)、化學汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、外延形成/生長工藝、蝕刻工藝、光刻工藝、和/或其他制造工藝和設(shè)備。另外，制造工藝包括用于監(jiān)測和控制集成電路制造產(chǎn)量、質(zhì)量和可靠性的多個測量工藝。半導體生產(chǎn)工藝的生產(chǎn)線在集成電路制造期間生成大量數(shù)據(jù)。這些工藝還涉及監(jiān)測系統(tǒng)參數(shù)和使用預定邊界控制這些參數(shù)的邊界設(shè)置。邊界可能被設(shè)置太寬，或者缺少同步性。結(jié)果，晶圓代工廠面臨重大損失。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于半導體制造工藝的自動計算邊界的方法，包括:選擇所述半導體制造工藝期間進行監(jiān)測的第一參數(shù)；接收所述第一參數(shù)的第一組數(shù)值；確定所述第一組的群組值；正規(guī)化所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值；基于所述第一組中的數(shù)值數(shù)目選擇第一權(quán)重因子；生成第一邊界值和第二邊界值作為所述第一權(quán)重因子、第一組正規(guī)化數(shù)值以及所述第一組的群組值的函數(shù)；以及應用所述第一邊界值和第二邊界值來控制所述半導體制造工藝。該方法進一步包括:確定第一組正規(guī)化數(shù)值的標準偏差；以及生成所述第一邊界值和所述第二邊界值作為所述第一組正規(guī)化數(shù)值的標準偏差的函數(shù)。在該方法中，所述群 組值是平均值。在該方法中,所述第一參數(shù)包括主動參數(shù)。在該方法中，正規(guī)化所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值的步驟進一步包括:確定所述第一組的平均值與零的偏移量；以及基于所述偏移量調(diào)節(jié)所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值。該方法進一步包括:選擇元件的進行監(jiān)測的所述第一參數(shù),所述元件來自包括器件、部件、機器、子系統(tǒng)以及系統(tǒng)的組；接收所述元件的所述第一參數(shù)的第一組數(shù)值；以及應用所述第一邊界值和所述第二邊界值來控制所述元件的所述半導體制造工藝。該方法進一步包括:確定所述元件的所述第一組數(shù)值的平均值；以及其中，生成所述第一邊界值和第二邊界值涉及計算:
權(quán)利要求
1.一種用于半導體制造工藝的自動計算邊界的方法，包括: 選擇所述半導體制造工藝期間進行監(jiān)測的第一參數(shù)； 接收所述第一參數(shù)的第一組數(shù)值； 確定所述第一組的群組值； 正規(guī)化所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值； 基于所述第一組中的數(shù)值數(shù)目選擇第一權(quán)重因子； 生成第一邊界值和第二邊界值作為所述第一權(quán)重因子、第一組正規(guī)化數(shù)值以及所述第一組的群組值的函數(shù)；以及 應用所述第一邊界值和第二邊界值來控制所述半導體制造工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括: 確定第一組正規(guī)化數(shù)值的標準偏差；以及 生成所述第一邊界值和所述第二邊界值作為所述第一組正規(guī)化數(shù)值的標準偏差的函數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述群組值是平均值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一參數(shù)包括主動參數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，正規(guī)化所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值的步驟進一步包括: 確定所述第一組的平均值與零的偏移量；以及 基于所述偏移量調(diào)節(jié)所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進一步包括: 選擇元件的進行監(jiān)測的所述第一參數(shù)，所述元件來自包括器件、部件、機器、子系統(tǒng)以及系統(tǒng)的組； 接收所述元件的所述第一參數(shù)的第一組數(shù)值；以及 應用所述第一邊界值和所述第二邊界值來控制所述元件的所述半導體制造工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進一步包括: 確定所述元件的所述第一組數(shù)值的平均值；以及 其中，生成所述第一邊界值和第二邊界值涉及計算:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，生成所述第一邊界值和所述第二邊界值的步驟進一步包括: 將所述第一組數(shù)值的總的標準偏差與所述第一權(quán)重因子相乘；以及生成所述第一邊界值和所述第二邊界值作為相乘步驟的結(jié)果和所述第一組的平均值的函數(shù)。
9.一種具有存儲在其上的指令的有形計算機可讀存儲介質(zhì)，當通過處理器執(zhí)行所述指令時，該指令使所述處理器實施以下操作: 選擇半導體制造工藝期間進行監(jiān)測的第一參數(shù)；接收所述第一參數(shù)的第一組數(shù)值； 確定所述第一組的群組值； 正規(guī)化所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值； 基于所述第一組中的數(shù)值數(shù)目選擇第一權(quán)重因子； 生成第一邊界值和第二邊界值作為所述第一權(quán)重因子、第一組正規(guī)化數(shù)值和所述第一組的群組值的函數(shù)，以及 應用所述第一邊界值和所述第二邊界值來控制所述半導體制造工藝。
10.一種用于半導體制造工藝的自動計算邊界的系統(tǒng)，包括: 監(jiān)測設(shè)備，用于在半導體制造工藝期間監(jiān)測選定的第一參數(shù)； 數(shù)據(jù)確定設(shè)備，用于確定所述第一參數(shù)的第一組數(shù)值的群組值； 數(shù)據(jù)正規(guī)化器，用于正規(guī)化所述第一組數(shù)值中的每個數(shù)值； 計數(shù)器，用于確定所述第一組中的數(shù)值數(shù)目； 發(fā)生器，用于生成第一邊界值和第二邊界值作為選定的第一權(quán)重因子，第一組正規(guī)化數(shù)值和所述第一組的群組值的函數(shù)；以及 接口，用于應用第一邊界值和第二邊界值于控制器來控制所述半導體制造工藝的至少部分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于半導體制造工藝的自動計算邊界的系統(tǒng)和方法。該方法包括選擇半導體制造工藝期間進行監(jiān)測的第一參數(shù)。接收第一參數(shù)的第一組數(shù)值并且確定第一組的群組值。正規(guī)化第一組數(shù)值中的每個數(shù)值?；诘谝唤M中的數(shù)值數(shù)目選擇第一權(quán)重因子。實施例還包括生成第一邊界值和第二邊界值作為權(quán)重因子、第一組正規(guī)化數(shù)值和第一組的群組值的函數(shù)，并且應用第一邊界值和第二邊界值來控制半導體制造工藝。本發(fā)明還提供了用于半導體工藝的自動邊界控制的系統(tǒng)和方法。
文檔編號H01L21/67GK103151284SQ201210183589
公開日2013年6月12日 申請日期2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月6日
發(fā)明者許志維, 吳玫真, 曾衍迪, 王若飛, 牟忠一, 林進祥 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司