專利名稱：一種超薄非接觸模塊用載帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及用于非接觸智能卡模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著集成電路封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步,集成 電路的集成度日益提高，功能越來(lái)越豐富。對(duì)于不斷出現(xiàn)的新應(yīng)用需求，要求集成電路封裝企業(yè)能設(shè)計(jì)出新型的封裝形式來(lái)配合新的需求。目前，傳統(tǒng)的載帶采用常規(guī)的蝕刻制作エ藝或者沖壓制作エ藝完成，采用此載帶所制成的非接觸模塊的厚度為300um-400um，其無(wú)法滿足特殊的應(yīng)用需要，如護(hù)照電子標(biāo)簽、簽證電子標(biāo)簽等應(yīng)用，傳統(tǒng)的非接觸模塊不能有效發(fā)揮其作用，勢(shì)必需要通過(guò)新的超薄的非接觸模塊形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，超薄的非接觸模塊載帶的開發(fā)迫在眉睫。目前的非接觸模塊所應(yīng)用的領(lǐng)域局限于智能卡及普通的智能標(biāo)簽中，而對(duì)于超薄的非接觸模塊可以克服厚度超標(biāo)的問(wèn)題，應(yīng)用于各種高要求的、苛刻的環(huán)境中，目前在國(guó)際上都是空白。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有載帶由于厚度過(guò)厚所制成的非接觸模塊無(wú)法滿足特殊的應(yīng)用需求的問(wèn)題，而提供一種超薄非接觸模塊用載帶?；谠撦d帶能夠形成超薄的非接觸模塊，以滿足特殊的應(yīng)用需求。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案—種超薄非接觸模塊用載帶，所述載帶上具有芯片承載區(qū)域和若干焊線區(qū)域，所述載帶的厚度為O. 075-0. 085mm。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)例中，所述載帶上的芯片承載區(qū)域相對(duì)載帶表面內(nèi)凹，其厚度為 O.025-0. 045mm。進(jìn)ー步的，所述若干焊線區(qū)域?qū)ΨQ分布在芯片承載區(qū)域兩端。再進(jìn)ー步的，所述芯片承載區(qū)域兩端的焊線區(qū)域呈連續(xù)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。進(jìn)ー步的，所述芯片承載區(qū)域的四周分布有若干封裝用通孔。再進(jìn)ー步的，所述通孔上近芯片承載區(qū)的邊緣為半蝕刻結(jié)構(gòu)。再進(jìn)ー步的，所述通孔上半蝕刻結(jié)構(gòu)的厚度為O. 025-0. 045mm。根據(jù)上述方案形成的超薄非接觸模塊用載帶，可廣泛應(yīng)用于各類超薄型電子標(biāo)簽等，極大地推動(dòng)全球超薄型電子標(biāo)簽的發(fā)展，適合各個(gè)不同使用領(lǐng)域的需求，具有更好的應(yīng)用前景。本發(fā)明提供的載帶采用特殊的結(jié)構(gòu)有效解決了由于載帶厚度過(guò)薄，無(wú)法直接封裝形成非接觸模塊的問(wèn)題。同時(shí)，利用本發(fā)明提供的載帶所制成的非接觸模塊在總體厚度上可達(dá)到O.26mm,既能夠與現(xiàn)有非接觸模塊標(biāo)簽達(dá)到通用標(biāo)準(zhǔn)，又能夠滿足特殊的應(yīng)用需要，如護(hù)照電子標(biāo)簽、簽證電子標(biāo)簽等應(yīng)用。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
來(lái)進(jìn)ー步說(shuō)明本發(fā)明。圖I為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的A-A剖面示意圖；圖3為本發(fā)明的B-B首I]面不意圖；圖4為本發(fā)明封裝示意圖；
圖5為本發(fā)明封裝后的截面圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)ー步闡述本發(fā)明。參見

圖1，本發(fā)明提供的超薄非接觸模塊用載帶100采用蝕刻與沖壓エ藝結(jié)合的方式制作，并且其厚度為O. 075-0. 085mm。其上設(shè)置有芯片承載區(qū)域101和若干焊線區(qū)域102。為了減少后道總體封裝厚度，載帶采用蝕刻エ藝將芯片承載區(qū)域101設(shè)置成凹陷結(jié)構(gòu)，并芯片承載于此凹陷結(jié)構(gòu)中，并且此芯片承載區(qū)域經(jīng)過(guò)蝕刻后的厚度為
O.025-0. 045mm。對(duì)于芯片承載區(qū)域101的設(shè)置位置，可根據(jù)實(shí)際的需求而定。如圖I所示，本發(fā)明中將芯片承載區(qū)域101設(shè)置在載帶100的中間位置，但并不限于此。本發(fā)明將芯片承載區(qū)域101設(shè)置為上半部分蝕刻，這樣既能夠在貼芯片時(shí)減少其總厚度，又可以在模塑封裝時(shí)模塑料與載帶結(jié)合部分，用模塑料將載帶扣住。在本發(fā)明中，若干焊線區(qū)域102對(duì)稱分布在芯片承載區(qū)域101的上下兩端，但是并不限于此。由于載帶整體較薄，在封裝時(shí)與模塑料的結(jié)合力不夠，無(wú)法正常封裝。如圖3所示，為了增強(qiáng)后道封裝時(shí)的模塑料與載帶的結(jié)合力，本發(fā)明將載帶采用沖壓エ藝將焊線區(qū)域設(shè)置為連續(xù)的橋式臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。為了能夠便于采用常規(guī)的エ藝進(jìn)行封裝模塊，本發(fā)明在芯片承載區(qū)域101的四周設(shè)置若干封裝用通孔103。這些封裝用通孔103主要包括四個(gè)T型通孔和兩個(gè)臺(tái)階型通孔，其中兩個(gè)臺(tái)階型通孔分布在芯片承載區(qū)域101兩端，并位于焊線區(qū)域102和芯片承載區(qū)域101之間；四個(gè)T型通孔對(duì)比分布在芯片承載區(qū)域101兩側(cè)。本發(fā)明采用T型通孔和臺(tái)階型通孔的相配合，能夠提高采用常規(guī)設(shè)備和エ藝進(jìn)行封裝模塊的穩(wěn)定性。如圖2所示，為了增加載帶在后道封裝時(shí)的模塑料與載帶的結(jié)合力，本發(fā)明采用蝕刻エ藝將所有封裝用通孔103上靠近芯片承載區(qū)域101的邊緣設(shè)置成半蝕刻結(jié)構(gòu)103c，并且該蝕刻的方向與芯片承載區(qū)域101的蝕刻方向相対。為了保證載帶的整體厚度以及后續(xù)封裝的穩(wěn)定性，本發(fā)明中封裝用通孔103邊緣經(jīng)過(guò)蝕刻后的厚度為O. 025-0. 045mm。
如圖I所示，本發(fā)明還在芯片承載區(qū)域101的外圍設(shè)置有若干沖切孔104，這些沖切空104由八個(gè)方形沖切孔和四個(gè)弧形沖切孔組成，其中八個(gè)方形沖切孔對(duì)稱分布在芯片承載區(qū)域101的兩側(cè)，而四個(gè)弧形沖切孔對(duì)稱分布在芯片承載區(qū)域101的兩端，并位于焊線區(qū)域102外側(cè)。這些沖切孔104與T型通孔的突出部103a和臺(tái)階型通孔的兩端103b共同組成沖切部106 (如圖4所示)。沖切部106在載帶封裝形成模塊后，將由沖切刀切除。在本發(fā)明中沖切部106都是由漏空結(jié)構(gòu)的通孔組成，并且上、下，左、右的漏空均為對(duì)稱，這樣有效減少在沖切時(shí)沖切刀與金屬載帶接觸時(shí)的拉力(拉カ越大越容易產(chǎn)生金屬載帶邊緣的毛刺)，大量的漏空大大減少?zèng)_切刀與金屬載帶沖切時(shí)的接觸面積。
根據(jù)上述方案形成的超薄載帶可以利用現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備和エ藝進(jìn)行封裝形成超薄模塊，能夠以相同的生產(chǎn)成本進(jìn)行薄非接觸模的封裝，并獲得高可靠性的產(chǎn)品。參見圖4，本發(fā)明在具體實(shí)施時(shí)，芯片承載區(qū)域101設(shè)置在中間位置，其設(shè)置為上半部分蝕刻，目的是既為了在貼芯片時(shí)減少其總厚度，又可以在模塑封裝時(shí)模塑料與載帶結(jié)合部分，用模塑料將載帶扣住。T型通孔和臺(tái)階型通孔與芯片承載區(qū)域101和焊線區(qū)域102相互配合形成模塑料封裝區(qū)域105，該區(qū)域在封裝時(shí)直接由模塑料覆蓋封裝。同時(shí)封裝通孔103采用半蝕刻結(jié)構(gòu)，有效增加封裝時(shí)模塑料與載帶結(jié)合部分，用模塑料將載帶扣住。參見圖5，其所示為封裝后的模塊切面示意圖，封裝時(shí)，模塑料107將填入到芯片承載區(qū)域的蝕刻部分和封裝通孔(T型通孔和臺(tái)階型通孔)的蝕刻部分。在封裝完成后模塊沖切部分106(虛線內(nèi)的為需要沖下來(lái)的產(chǎn)品)，其中沖切空104(上下左右的漏空均為對(duì)稱)設(shè)置較多是為了在沖切時(shí)減少?zèng)_切刀與金屬載帶接觸時(shí)的拉力(拉カ越大越容易產(chǎn)生金屬載帶邊緣的毛刺)，大量的沖切空104有效減少了沖切刀與金屬載帶沖切時(shí)的接觸面積，從而大大降低沖切刀與金屬載之間的拉力，有效提高產(chǎn)品的成品率。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.一種超薄非接觸模塊用載帶，所述載帶上具有芯片承載區(qū)域和若干焊線區(qū)域，其特征在于，所述載帶的厚度為O. 075-0. 085mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種超薄非接觸模塊用載帶，其特征在于，所述載帶上的芯片承載區(qū)域相對(duì)載帶表面內(nèi)凹，其厚度為O. 025-0. 045mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種超薄非接觸模塊用載帶，其特征在于，所述若干焊線區(qū)域?qū)ΨQ分布在芯片承載區(qū)域兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ー種超薄非接觸模塊用載帶，其特征在干，所述芯片承載區(qū)域兩端的焊線區(qū)域呈連續(xù)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種超薄非接觸模塊用載帶，其特征在于，所述芯片承載區(qū)域的四周分布有若干封裝用通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ー種超薄非接觸模塊用載帶，其特征在于，所述通孔上近芯片承載區(qū)的邊緣為半蝕刻結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的ー種超薄非接觸模塊用載帶，其特征在于，所述通孔上半蝕刻結(jié)構(gòu)的厚度為O. 025-0. 045mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種超薄非接觸模塊用載帶，該載帶采用蝕刻與沖壓工藝結(jié)合的方式制作，并且其厚度為0.075-0.085mm；所述載帶采用蝕刻工藝將芯片承載區(qū)域設(shè)置成凹陷結(jié)構(gòu)；芯片承載區(qū)域厚度為0.025-0.045mm。本發(fā)明的載帶所制成的非接觸模塊在總體厚度上可達(dá)到0.26mm，既能夠與現(xiàn)有非接觸模塊標(biāo)簽達(dá)到通用標(biāo)準(zhǔn)，又能夠滿足特殊的應(yīng)用需要，如護(hù)照電子標(biāo)簽、簽證電子標(biāo)簽等應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102693954SQ201210185188
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月6日
發(fā)明者唐榮燁, 楊輝峰, 蔣曉蘭, 馬文耀 申請(qǐng)人:上海長(zhǎng)豐智能卡有限公司