專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種傳輸層、主體材料均采用雙極性材料的有機(jī)電致發(fā)光器件，本發(fā)明還涉及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED )以其超薄、視角寬、主動發(fā)光等優(yōu)點，可應(yīng)用于顯示及照明領(lǐng)域。其中發(fā)光效率及壽命是制約OLED產(chǎn)品化的主要瓶頸。OLED是有機(jī)半導(dǎo)體材料在電場作用下，通過電子與空穴的注入和復(fù)合發(fā)光的技術(shù)。其原理是用ITO透明電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入 到電子傳輸層和空穴傳輸層，然后遷移到有機(jī)發(fā)光層，二者相遇形成激子并導(dǎo)致有機(jī)分子發(fā)光。其中，電荷的注入及傳輸直接影響復(fù)合區(qū)域載流子的濃度和載流子平衡，是決定器件性能的重要因素。因此，改善電荷的注入效率及平衡，對于提高器件發(fā)光效率、延長器件壽命具有重要意義。中國專利文獻(xiàn)200810113673. 2公開了一種有機(jī)材料及其在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用，該文獻(xiàn)中公開了雙極性材料可以應(yīng)用于電子傳輸層。中國專利文獻(xiàn)CN101321755A公開了一種有機(jī)電致發(fā)光元件用化合物及有機(jī)電致發(fā)光元件，該有機(jī)電致發(fā)光元件采用如下化合物作為發(fā)光層的主體材料，從而改善了元件的發(fā)光效率同時充分確保驅(qū)動時的穩(wěn)定性
權(quán)利要求
1.有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光功能層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極，其特征在于所述空穴傳輸層和電子傳輸層采用電子軌道與空穴軌道分布在相同基團(tuán)上的雙極性材料，所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層采用的所述雙極性材料的空穴及電子遷移率均在I X 10_4與I X KT2CmW1之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功能層的主體材料采用電子軌道及空穴軌道分布在不同基團(tuán)上或電子軌道與空穴軌道分布在相同基團(tuán)上的雙極性材料，所述主體材料采用的雙極性材料的空穴及電子遷移率均在1X10_5與I X 10 2cm2V 1S 1 之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層采用的所述雙極性材料的空穴及電子遷移率均在5X 10_4與5X KT3CmW1之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述主體材料采用的雙極性材料的空穴及電子遷移率均在I X 10_4與5 X KT3CmW1之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于所述空穴傳輸層或電子傳輸層包含式(I)所示的蒽衍生物，或式(II)所示的1，2 —苯并[a]蒽衍生物
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述通式(I)中的X和Y分別獨自選自亞苯基、2-甲基亞苯基、2，3-二甲基亞苯基、2，5-二甲基亞苯基、2，6-二甲基亞苯基、亞萘基、2-甲基亞萘基、3-甲基亞萘基、5-甲基亞萘基、6-甲基亞萘基、1，3_二甲基亞萘基、1，4-二甲基亞萘基、1，5 —二甲基亞萘基、1，6 —二甲基亞萘基、1，7 —二甲基亞萘基、.2,3 一二甲基亞萘基、2，4 一二甲基亞萘基、2，5 —二甲基亞萘基、2，6 —二甲基亞萘基、2，.7 一二甲基亞萘基，亞蒽基，甲基亞蒽基，二甲基亞蒽基，三甲基亞蒽基，四甲基亞蒽基，亞熒蒽基，甲基亞熒蒽基，二甲基亞熒蒽基，三甲基亞熒蒽基，四甲基亞熒蒽基，亞菲基，甲基亞菲基，二甲基亞菲基，三甲基亞菲基，四甲基亞菲基，亞并四苯基，甲基亞并四苯基，二甲基亞并四苯基，亞芘基，甲基亞芘基，二甲基亞芘基，三甲基亞芘基或四甲基亞芘基中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述通式(I)中的Al和A2分別獨立選自式(I)至式(8 )所示基團(tuán)
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于R1 R5選自氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正已基、正庚基、正辛基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)已基、4-甲基環(huán)已基、甲氧基、乙氧基、苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、2，4_ 二甲基苯基、2，5 —二甲基苯基、2，6 —二甲基苯基、對叔丁基苯基、對甲氧基苯基、聯(lián)苯基、I 一萘基、2 —萘基、4 一甲基一 I 一萘基、3 —甲基一 2 —萘基、4 一甲基一 I 一惠基、I 一惠基、2 —惠基、9 一惠基、I 一菲基、2 —菲基、3 —菲基、4 一菲基、9 一菲基、I 一并四苯基、2 —并四苯基、9 一并四苯基、、I 一芘基、2 —芘基或4 一芘基中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要5-8中任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述電子傳輸層或空穴傳輸層中包含結(jié)構(gòu)式為下述C1-C6中任一種的化合物
10.根據(jù)權(quán)利要求5-8中任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于所述空穴傳輸層或電子傳輸層包含結(jié)構(gòu)式為下述Ε1-Ε49中任一種的化合物
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功能層的所述主體材料包含通式(III)的化合物， 通式(III)為
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于 所述Arl選自以下基團(tuán)中的一種
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于 所述主體材料為具有下述PH-I到ΡΗ-4中的任一種結(jié)構(gòu)式的化合物
14.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功 能層的所述主體材料包含通式(IV)的化合物
15.根據(jù)權(quán)利要14所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功能層的主體材料選自具有下述YH-I到ΥΗ-7中任一種結(jié)構(gòu)式的化合物
16.根據(jù)權(quán)利要1-15中任一所述的有發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功能層為紅黃、綠光、黃光、藍(lán)光或橙光的單色發(fā)光層或其中兩種或兩種以上單色發(fā)光層形成的復(fù)合發(fā)光層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功能層包括從空穴傳輸層至電子傳輸層依次設(shè)置的藍(lán)色光發(fā)光層、激子阻擋層和黃色光發(fā)光層。
18.根據(jù)權(quán)利要16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功能層包括從空穴傳輸層至電子傳輸層依次設(shè)置黃色光發(fā)光層、激子阻擋層和藍(lán)色光發(fā)光層。
19.根據(jù)權(quán)利要1-18中任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光功能層中的客體材料占發(fā)光功能層材料的O. 5-20wt%。
20.制備權(quán)利要I所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于包括以下步驟 步驟一對玻璃基板進(jìn)行清洗、烘干后，在所述玻璃基板上鍍上一層陽極材料； 步驟二 在所述陽極材料上依次鍍上空穴傳輸層、發(fā)光功能層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層以及所述發(fā)光功能層的主體材料都為雙極性材料，形成所述有機(jī)電致發(fā)光器件； 所述空穴傳輸層和電子傳輸層米用電子軌道與空穴軌道分布在相同基團(tuán)上的雙極性材料，所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層采用的所述雙極性材料的空穴及電子遷移率均在I X I(T4 與 I X l(T2cmWl 之間； 所述發(fā)光功能層的主體材料采用電子軌道及空穴軌道分布在不同基團(tuán)上或電子軌道與空穴軌道分布在相同基團(tuán)上的雙極性材料，所述主體材料采用的雙極性材料的空穴及電子遷移率均在I X 10_5與I X IO-2Cm2V-1S-1之間形成所述的有機(jī)電致發(fā)光器件； 步驟三對所述有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行封裝，并測試。
全文摘要
本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光功能層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極，所述空穴傳輸層和電子傳輸層采用電子軌道與空穴軌道分布在相同基團(tuán)上的雙極性材料，所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層采用的所述雙極性材料的空穴及電子遷移率均在1×10-4與1×10-2cm2V-1s-1之間。本發(fā)明采用電子軌道與空穴軌道分布在相同基團(tuán)上的材料，且對應(yīng)空穴及電子傳輸材料本身的電子傳輸性能與空穴傳輸遷移率相近，且空穴材料的空穴遷移率與電子傳輸材料的電子遷移率也相近，確保了有效的電荷復(fù)合平衡性能相近，從而保證了電荷的復(fù)合平衡。
文檔編號H01L51/50GK102738413SQ201210198869
公開日2012年10月17日 申請日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月15日
發(fā)明者張國輝, 段煉, 董艷波, 邱勇 申請人:北京維信諾科技有限公司, 昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學(xué)