專利名稱：一種非晶硅平板x射線傳感器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及傳感器技術領域，尤其涉及一種非晶硅平板X射線傳感器的制作方法。
背景技術：
TFT (薄膜晶體管)平板X射線傳感器是數字影像技術中至關重要的元 件，應用于X光胸透、CT-計算機斷層掃描等領域中。如圖I非晶硅平板X射線傳感器的電路結構圖所示，平板X射線傳感器是由多個像素單元組成的矩陣。每個像素單元由一個光電二極管15和一個場效應管14組成。每個場效應管14與其相鄰的一條柵極掃描線12相連，而每個光電二極管15經由該像素單元內的場效應管14與其相鄰的一條數據線11相連。在多個像素單元組成的矩陣中，每一行像素單元中的各個場效應管14的柵極與其相鄰的一條柵極掃描線12相連，源極與其相鄰的一條數據線11相連，漏極與光電二極管15的負極相連。而光電二極管15的正極和偏壓線13相連。各條柵極掃描線與柵極控制單元相連，各條數據線11與源極控制單元相連。在現(xiàn)有技術中，非晶硅平板X射線傳感器通常需要10道掩模板工藝，使用多層掩模板，不僅成本高，工藝復雜，且因為工序多會造成良品率下降，設備產能下降。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，使得在平板X射線傳感器生產時能夠減少掩模板的使用數量，簡化生產工序，提高良品率。本發(fā)明提供了一種非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，該方法包括在基板上形成包括柵極線和柵極掃描線的圖形；在形成柵極線和柵極掃描線的基板上形成數據線、TFT開關元件和光感應元件；在形成了數據線、TFT開關元件和光感應元件的基板上形成鈍化層以及偏壓線。在柵極線和柵極掃描線上形成數據線、TFT開關元件和光感應元件的方法包括通過一次掩膜工藝形成數據線、TFT開關元件和光感應元件，其中，所述掩膜工藝中的掩膜板上與所述TFT開關元件的溝道對應的區(qū)域半透光，與所述數據線、光感應元件以及TFT開關元件中除溝道部分以外分別對應的區(qū)域不透光，除了所述TFT開關元件的溝道對應的區(qū)域、數據線對應的區(qū)域、光感應元件對應的區(qū)域以及TFT開關元件中溝道以外部分對應的區(qū)域外的其他區(qū)域都是全透光。所述通過一次構圖工藝形成數據線，TFT開關元件和光感應元件包括在形成了柵電極和柵極掃描線的基板上依次沉積柵極絕緣層薄膜，有源層薄膜，歐姆接觸層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜、非晶硅層薄膜、透明電極層薄膜、光刻膠層薄膜；利用所述構圖工藝中的掩模板對所述光刻膠層進行曝光；將全曝光區(qū)域的透明電極層薄膜、非晶硅層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜、歐姆接觸層薄膜、有源層薄膜刻蝕去除；將半曝光的光刻膠去除，暴露溝道區(qū)域，將暴露后的區(qū)域中的透明電極層薄膜、非晶硅層薄膜、源漏極金屬層薄膜刻蝕形成TFT開關元件溝道；去除未曝光的光刻膠，暴露數據線、TFT開關元件和光感應元件。在所述將暴露后的區(qū)域中的透明電極層薄膜、非晶硅層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜刻蝕形成TFT開關元件的溝道后，該方法進一步包括將TFT開關元件的數據線與源漏極金屬層上的非晶硅層薄膜刻蝕去除。所述非晶硅層由下至上包括n型非晶硅層、本征非晶硅層、p型非晶硅層。所述柵極掃描線薄膜為鑰、鋁、鎢、鈦、銅、由前述幾種金屬組成且至少含前述任意 兩種金屬的合金或者前述幾種金屬分層組合；所述柵極掃描線薄膜厚度為IOOnm 500nm ；所述柵絕緣層薄膜為氮化硅或氧化硅；所述柵絕緣層薄膜的厚度為250nm 600nm ；有源層薄膜為n型非晶硅；有源層薄膜厚度為30nm 300nm ；歐姆接觸層厚度為30nm IOOnm ；n型非晶娃層薄膜厚度為30nm IOOnm ；本征非晶娃層薄膜厚度為IOOnm 2000nm ；歐姆接觸層薄膜厚度為30nm IOOnm ；所述在形成了 TFT開關元件和光感應元件的基板上形成鈍化層以及偏壓線包括在形成了 TFT開關元件和光感應元件的基板上通過一次掩膜工藝形成鈍化層，其中，所用掩膜工藝的掩模板在除光感應元件區(qū)域、過孔區(qū)域外不曝光；在鈍化層上形成偏壓線。開關元件中的鈍化層薄膜為非感光樹脂、氮化硅或者氧化硅；所述鈍化層薄膜的厚度為150nm 2500nm。偏壓線層薄膜為ITO或者IZ0。所述偏壓線薄膜厚度為30nm 120nm。本發(fā)明提供了一種非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，使得在X射線傳感器生產時有源層、歐姆接觸層、數據線與源漏極金屬層、P型非晶硅、本征非晶硅、n型非晶硅和透明電極層使用同一塊掩模板進行不同程度曝光后刻蝕，減少掩模板的使用數量，簡化生廣工序，提聞良品率。


圖I為本發(fā)明實施例工藝流程完成后的非晶硅平板X射線傳感器的電路結構圖示意圖；圖2為本發(fā)明的實施例的工藝流程圖；圖3為本發(fā)明的具體實施例的工藝流程完成后的一個像素單元的俯視圖；圖4A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中柵極掃描線形成后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖4B為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中柵極掃描線形成后的BB’(圖3中的BB’ )剖面示意圖；圖5A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中柵絕緣層形成后的AA’(圖3中的AA’ )剖面示意圖；圖5B為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中柵絕緣層形成后的BB’(圖3中的BB’ )剖面示意圖；圖6A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層沉積后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖6B為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層沉積后的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖；圖7A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層沉積后涂上光刻 膠的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖7B為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層沉積后涂上光刻膠的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖；圖8A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層在光刻膠曝光后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖SB為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層在光刻膠曝光后的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖；
圖9A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層將曝光部分刻蝕后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖9B為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層將曝光部分刻蝕后的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖；圖IOA為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層將曝光部分刻蝕后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖IOB為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層將曝光部分刻蝕后的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖；圖IlA為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層溝道形成后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖IlB為本發(fā)明具體實施例的工藝流程利用一次掩膜曝光的各層溝道形成后的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖；圖12A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中鈍化層形成后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖12B為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中鈍化層形成后的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖；圖13A為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中偏壓線形成后的AA’(圖3中的AA’)剖面示意圖；圖13B為本發(fā)明具體實施例的工藝流程中偏壓線形成后的BB’(圖3中的BB’)剖面示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明實施例的具體工藝流程進行說明。如圖2所示，本發(fā)明的實施例的工藝流程包括步驟S201，在基板上形成包括柵電極和柵極掃描線的圖形。步驟S202，在形成柵電極和柵極掃描線的基板上形成數據線、TFT開關元件和光感應元件。步驟S203，在形成了數據線、TFT開關元件和光感應元件的基板上形成鈍化層以及偏壓線。如圖3所示，為本實施例的工藝流程完成后的一個像素單元的俯視圖。每個像素單元包括數據線a、開關元件b、光感應元件C，柵極掃描線區(qū)域f。其中，開關元件b中有溝道區(qū)域d和源漏極區(qū)域e。為了更容易的說明本實施例的工藝流程，從圖3所示的結構圖的AA’、BB’兩個方向的剖面圖對本發(fā)明的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法進行說明，該制作方法包括步驟一如圖4A和4B所示，在基板上形成柵電極(圖中未示出)和柵極掃描線2(如圖3所示，位于區(qū)域f)。在基板I上通過構圖工藝形成柵電極和柵極掃描線2，其中，所用構圖工藝中的掩模板在除柵電極和柵極掃描線2以外的地方透光。本步驟具體包括將柵電極和柵極掃描線2的薄膜形成在整塊基板I上；本發(fā)明實施例所述的基板可以為玻璃基板、石英基板等透明基板。所述形成工藝可以為沉積、涂敷、濺射等工藝。采用構圖工藝形成柵電極(圖中未示出)和柵極掃描線2 (如圖4A所示)。如圖4B所示，BB’區(qū)域沒有用于形成柵電極和柵極掃描線2所用的薄膜保留。所述構圖工藝可以包括掩膜、曝光、刻蝕等工藝流程。
柵電極和柵極掃描線薄膜的材料可以為鑰、鋁、鎢、鈦、銅等金屬，或者也可以為由前述幾種金屬組成且至少含前述任意兩種金屬的合金或者前述幾種金屬的疊層組合，例如，第一層為鑰、第二層為鋁，兩種金屬共同形成柵電極和柵極掃描線的薄膜?？勺鳛闁烹姌O和柵極掃描線的金屬種類較多。但是為了提高柵極掃描線的穩(wěn)定性和粘附性，在實際制造時可根據金屬特性進行選擇，或者采用金屬合金作為柵電極和柵極掃描線。柵電極和柵極掃描線薄膜厚度為IOOnm 500nm。將柵電極和柵極掃描線金屬的厚度控制在一定的范圍內，可避免在制作平板X射線傳感器時造成斷差過高。需要說明的是，步驟一中所述的構圖工藝也可以為在基板上不先形成各膜層的薄膜，采用打印、網絡印刷等工藝直接在基板上形成各個膜層的圖案。步驟二 采用構圖工藝形成柵絕緣層、TFT開關元件、數據線和光感應元件，其中，該構圖工藝中所采用的掩膜板為灰度掩膜板，該掩膜板上與TFT開關元件的溝道對應的區(qū)域半透光，與數據線、光感應元件以及TFT開關元件中除溝道部分分別對應的區(qū)域不透光，除TFT開關元件的溝道對應的區(qū)域、數據線對應的區(qū)域、光感應元件對應的區(qū)域以及TFT開關元件中溝道以外部分對應的區(qū)域外都是全透光。具體構圖工藝過程包括在形成了柵電極和柵極掃描線的基板上依次形成柵極絕緣層薄膜，有源層薄膜，歐姆接觸層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜、非晶硅層薄膜、透明電極層薄膜。柵絕緣層薄膜3覆蓋整塊基板，如圖5A和圖5B所示。所述形成工藝可以為沉積、涂敷或濺射等工藝。柵絕緣層可以為氮化硅或氧化硅等薄膜。氮化硅和氧化硅都是很好的絕緣薄膜。在形成上述透明電極層薄膜的基板上形成一層光刻膠，設置灰度掩模板對光刻膠進行曝光，與該灰度掩膜板不透光區(qū)域對應的光刻膠未曝光，與該灰度掩膜板半透光區(qū)域對應的光刻膠半曝光，而與該灰度掩膜板全透光區(qū)域對應的光刻膠完全曝光。這里，該掩膜板半曝光區(qū)域為半透光區(qū)域，即50%曝光，當然，也可是60%或70%曝光，根據工藝要求選擇掩膜板半曝光區(qū)域的曝光率。對曝光后的光刻膠進行顯影，未曝光區(qū)域的光刻膠完全保留，半曝光區(qū)域的光刻膠部分保留，完全曝光區(qū)域的光刻膠被全部去除。將光刻膠完全去除區(qū)域所對應的非晶硅層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜、歐 姆接觸層薄膜、有源層薄膜、透明電極層薄膜進行刻蝕并全部去除。數據線與源漏極金屬層可以通過濕法或干法工藝刻蝕去除后形成。對光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠進行灰化，將光刻膠半曝光區(qū)域的光刻膠全部去除，暴露出溝道區(qū)域，將光刻膠部分保留區(qū)域對應的非晶硅層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜刻蝕形成TFT開關元件溝道。去除光刻膠全部保留區(qū)域的光刻膠，采用構圖工藝將光刻膠完全保留區(qū)域對應的膜層薄膜進行構圖，最終形成數據線、TFT開關元件和光感應元件。通過上述過程即可通過一次掩膜工藝形成數據線，TFT開關元件和光感應元件。本發(fā)明實施例中，非晶硅層由下至上包括n型非晶硅層、本征非晶硅層、p型非晶硅層。透明電極層的薄膜可以為ITO (氧化銦錫)，但不僅限于IT0，也可以為IZO (銦錫氧化物)等其它透明導電薄膜。其中數據線與TFT開關元件的源極在數據線與源漏極金屬層相連，TFT開關元件的源漏極通過溝道處的有源層和歐姆接觸層導通。TFT開關元件的漏極與光感應元件在數據線層與源漏極相連。所以在本實施例中，本步驟具體包括在形成了柵電極和柵極掃描線的基板上依次形成柵絕緣層薄膜3、有源層薄膜4、歐姆接觸層薄膜5、數據線與源漏極金屬層6、n型非晶硅層薄膜7，本征非晶硅層薄膜8、p型非晶硅層薄膜9、透明電極層薄膜10。形成后的圖如圖6A和圖6B所示。在透明電極層薄膜10上形成一層光刻膠11,如圖7A和圖7B所不。利用灰色調掩模板對光刻膠11進行曝光，其中，與TFT開關元件b的溝道d區(qū)域對應的光刻膠半曝光，顯影工藝后，該部分光刻膠部分保留；與數據線a、光感應元件C，以及TFT開關元件b中除溝道d部分以外的區(qū)域對應的光刻膠不進行曝光處理，顯影工藝后，該部分光刻膠被完全保留；對上述區(qū)域以外的區(qū)域所對應的光刻膠進行完全曝光和顯影工藝后，該部分光刻膠被完全去除。如圖8A和圖SB所示為曝光、顯影后的基板示意圖。采用構圖工藝，對光刻膠完全去除區(qū)域所對應的區(qū)域進行構圖，形成透明電極層10’、p型非晶硅層9’、本征非晶硅層8’、n型非晶硅層7’、數據線與源漏極金屬層6’、歐姆接觸層5’、有源層4’。如圖9A和圖9B所不為構圖工藝后的基板不意圖。
對光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠進行灰化，去除該部分光刻膠，如圖IOA和圖IOB所示。然后采用構圖工藝，對光刻膠部分保留區(qū)域所對應的區(qū)域進行構圖，形成溝道圖案。如圖IIA和IlB所不，為溝道形成后的基板不意圖。最后去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，通過構圖工藝形成數據線、TFT開關元件和光感應元件。將TFT開關元件的源漏極和數據線上的非晶硅層刻蝕去除。由于本制作方法對有源層、歐姆接觸層、數據線與源漏極金屬層、非晶硅層采用逐層沉積利用灰色調掩模板，只用一次掩膜工藝，在數據線、TFT開關元件上的非晶硅層雖然非必要但仍然還存在。所以可以選擇采用構圖工藝對留下的非晶硅層進行刻蝕，或者，為了節(jié)省工序和操作成本而將其繼續(xù)留在數據線、TFT開關元件上。有源層薄膜為n型非晶硅。利用n型非晶硅作為有源層的材料，可達到良好的導電性。 有源層薄膜厚度為30nm 300nm。歐姆接觸層薄膜厚度為30nm lOOnm。n型非晶娃層薄膜厚度為30nm lOOnm。本征非晶娃層薄膜厚度為IOOnm 2000nm將各層薄膜的厚度控制在一定范圍內，既可以保證各層功能有效，還可以避免因各區(qū)域膜層的厚度相差過大而影響各部分的功能。步驟三在完成了步驟二的基板上形成鈍化層12。如圖12A和12B所示。本步驟具體包括在整塊基板上形成一層鈍化層薄膜12，如圖12A和12B所示并結合圖3 ；在鈍化層薄膜12上形成一層光刻膠(圖中未示出)。利用掩模板對對應于數據線區(qū)域a、光感應元件區(qū)域c和柵極掃描線區(qū)域f中的過孔h區(qū)域的光刻膠進行曝光。采用構圖工藝，將與數據線區(qū)域對應的區(qū)域中的鈍化層去除，與光感應元件部分對應的區(qū)域中的鈍化層薄膜去除，將與柵極掃描線區(qū)域f中的過孔h對應的區(qū)域中的鈍化層薄膜去除。讓過孔中的透明電極層10暴露。開關元件中的鈍化層薄膜優(yōu)選為樹脂或氮化硅。以氮化硅為原料的鈍化層能夠很好的起到絕緣作用。以樹脂制成的鈍化層，能夠更容易均勻覆蓋，表面也更易平坦，本領域人員應該知道的是，采用其它任何與樹脂或者氮化硅具有相同功能的材料也可以，本發(fā)明對此不做限定。鈍化層薄膜的厚度為150nm 2500nm。將鈍化層薄膜的厚度控制在此區(qū)間內，既能保證鈍化層能夠有效的絕緣，也不會因為厚度過厚而造成斷差過高。步驟四在鈍化層12上形成偏壓線。在完成步驟三的基板上形成一層偏壓線薄膜，再通過構圖工藝使偏壓線成型。該構圖工藝包括掩膜、曝光、刻蝕等工藝流程；也可以為在基板上不先形成各膜層的薄膜，采用打印、網絡印刷等工藝直接在基板上形成各個膜層的圖案。如圖13A和13B所示，為偏壓線13形成后的示意圖。偏壓線用于形成偏電壓。傳感器陣列中的各個傳感器的偏壓線需要相互連接并引至外圍。本實施例中可將偏壓線制成梳妝，也可以制成塊狀(其中任意相連兩個塊狀偏壓線互相連接)，或者也可以是整個傳感器陣列區(qū)域大面積覆蓋。偏壓線會如圖13A所示，經過過孔h與透明電極層薄膜10接觸連接。傳感器周邊引線的引腳區(qū)域附近的偏壓線是必須要刻蝕掉的，以免與各引腳短接。傳感器周邊引線的引腳區(qū)域附近的偏壓線的刻蝕可在形成偏壓線的掩膜、曝光、刻蝕等工藝流程中進行，也可單獨進行刻蝕去除。偏壓線層薄膜可以為ITO (氧化銦錫)或者IZO (銦錫氧化物)等導電透明薄膜。此處ITO的沉積方式必須是常溫非晶模式，高溫多晶模式沉積會將基板上的光刻膠固化變性難以剝離。非晶ITO最后經退火工藝轉為導電性、透光性更好的多晶IT0。退火工藝是指將ITO加熱到一定臨界點溫度，保持一定時間后，緩慢冷卻的過程。所述偏壓線薄膜厚度為30nm 120nm。將偏壓線薄膜的厚度控制在此區(qū)間，可以 既使得偏壓線能夠起到導電作用，又不會因為偏壓線厚度太厚而導致斷差過高。利用本發(fā)明的制作方法制造出的一種非晶硅平板X射線傳感器如圖3、圖13A和13B所示。非晶硅平板X射線傳感器包括數據線a、TFT開關元件b、光感應元件c和柵極掃描線f。且TFT開關元件包括柵電極、有源層、歐姆接觸層、源極、漏極。由于本發(fā)明對應的制作方法對有源層、歐姆接觸層、數據線與源漏極金屬層、非晶硅層和透明電極層，采用逐層堆積利用灰色調掩模板可以半曝光的功能，只用一次掩膜工藝進行刻蝕，在數據線、TFT開關元件的上的非晶硅層雖然非必要但仍然還存在。所以可以采用構圖工藝對留下的非晶硅層進行刻蝕，或者，為了節(jié)省工序和操作成本而將其繼續(xù)留在數據線、TFT開關元件上。非晶硅層包括n型非晶硅、本征非晶硅和p型非晶硅。本發(fā)明在形成數據線、TFT開關元件和光感應元件時，只需使用一次掩膜工藝，利用灰色調掩膜板，對不同部位覆蓋的光刻膠進行全曝光、半曝光和不曝光處理。這樣只使用一次掩模板曝光形成數據線、TFT開關元件和光感應元件，不僅簡化了生產工序還節(jié)約了生廣成本，同時也提聞廣品的良品率。顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于，該方法包括 在基板上形成包括柵電極和柵極掃描線的圖形； 在形成柵極線和柵極掃描線的基板上形成數據線、TFT開關元件和光感應元件； 在形成了數據線、TFT開關元件和光感應元件的基板上形成鈍化層以及偏壓線。
2.根據權利要求I所述的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于，在形成柵極線和柵極掃描線的基板上形成數據線、TFT開關元件和光感應元件的方法包括 通過一次掩膜工藝形成數據線、TFT開關元件和光感應元件，其中，所述掩膜工藝中的掩膜板上與所述TFT開關元件的溝道對應的區(qū)域半透光，與所述數據線、光感應元件以及 TFT開關元件中除溝道部分以外分別對應的區(qū)域不透光，除了所述TFT開關元件的溝道對應的區(qū)域、數據線對應的區(qū)域、光感應元件對應的區(qū)域以外的其他區(qū)域全透光。
3.根據權利要求2所述的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于，所述通過一次掩膜工藝形成數據線、TFT開關元件和光感應元件包括 在形成了柵電極和柵極掃描線的基板上依次形成柵極絕緣層薄膜，有源層薄膜，歐姆接觸層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜、非晶硅層薄膜、透明電極層薄膜、光刻膠層薄膜； 利用所述掩膜工藝中的掩模板對所述光刻膠層進行曝光； 將全曝光區(qū)域的透明電極層薄膜、非晶硅層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜、歐姆接觸層薄膜、有源層薄膜刻蝕去除； 將半曝光的光刻膠去除，暴露出溝道區(qū)域，將暴露后的區(qū)域中的透明電極層薄膜、非晶硅層薄膜、源漏極金屬層薄膜刻蝕形成TFT開關元件溝道； 去除未曝光的光刻膠，暴露數據線、TFT開關元件和光感應元件。
4.根據權利要求3所述的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于，在所述將暴露后的區(qū)域中的透明電極層薄膜、非晶硅層薄膜、數據線與源漏極金屬層薄膜刻蝕形成TFT開關元件的溝道后,該方法進一步包括 將TFT開關元件的數據線與源漏極金屬層上的非晶硅層薄膜刻蝕去除。
5.根據權利要求3所述的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于，所述非晶硅層由下至上包括n型非晶硅層、本征非晶硅層、p型非晶硅層。
6.根據權利要求5所述的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于、所述柵極掃描線薄膜為鑰、鋁、鎢、鈦、銅、由前述幾種金屬組成且至少含前述任意兩種金屬的合金或者前述幾種金屬分層組合，其中，所述柵極掃描線薄膜厚度為IOOnm 500nm ； 所述柵絕緣層薄膜為氮化硅或氧化硅，其中，所述柵絕緣層薄膜的厚度為250nm 600nm ； 有源層薄膜為n型非晶硅，其中，有源層薄膜厚度為30nm 300nm ； 歐姆接觸層薄膜厚度為30nm IOOnm ； n型非晶娃薄膜層厚度為30nm IOOnm ； 本征非晶娃薄膜層厚度為IOOnm 2000nm ； 歐姆接觸薄膜層厚度為30nm lOOnm。
7.根據權利要求2所述的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于，所述在形成了 TFT開關元件和光感應元件的基板上形成鈍化層以及偏壓線包括在形成了 TFT開關元件和光感應元件的基板上通過一次掩膜工藝形成鈍化層，其中，所用掩膜工藝的掩模板在除光感應元件區(qū)域、過孔區(qū)域外不透光； 在鈍化層上形成偏壓線。
8.根據權利要求7所述的非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，其特征在于，所述開關元件中的鈍化層薄膜為非感光樹脂、氮化硅或者氧化硅，其中，所述鈍化層薄膜的厚度為150nm 2500nmo 所述偏壓線層薄膜為氧化銦錫ITO或者銦錫氧化物IZ0，其中，所述偏壓線薄膜厚度為30nm 120nmo
全文摘要
本發(fā)明涉及傳感器技術領域，提供一種非晶硅平板X射線傳感器的制作方法，在制作一種非晶硅平板X射線傳感器的過程中，減少了掩膜板使用的次數，簡化了生產工序還節(jié)約了生產成本，在簡化了生產工序的同時還能提高產品的良品率。該制作方法包括在基板上形成柵極掃描線后，通過一次構圖工藝形成數據線，TFT開關元件和光感應元件，其中，所述構圖工藝中的掩膜板上與所述TFT開關元件的溝道對應的區(qū)域部分透光，與所述數據線、光感應元件，以及TFT開關元件中除溝道部分分別對應的區(qū)域不透光；在形成了TFT開關元件和光感應元件的基板上形成鈍化層以及偏壓線。
文檔編號H01L27/146GK102751300SQ20121020626
公開日2012年10月24日 申請日期2012年6月18日 優(yōu)先權日2012年6月18日
發(fā)明者徐少穎, 謝振宇, 郭建, 陳旭 申請人:北京京東方光電科技有限公司