有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的襯底、陽極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，所述陰極包括依次層疊在所述電子傳輸層上的第一金屬層和復(fù)合層，所述復(fù)合層包括依次層疊的1~5個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成，所述透明介質(zhì)層的材料為一氧化硅、三氧化二銻、氧化鉍、氧化鋯、二氧化鈦、硒化鋅或硫化鋅。透明介質(zhì)層設(shè)置于第一金屬層和相鄰的第二金屬層之間及設(shè)置于相鄰的兩個(gè)第二金屬層之間，使得第一金屬層和相鄰的第二金屬層及相鄰的兩個(gè)第二金屬層反射的光線能夠發(fā)生干涉相消的作用，從而使陰極反射光線迅速減少，透過率大大提高。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光(Organic Light Emission Diode),以下簡(jiǎn)稱0LED,具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光二極管具有一種類似三明治的結(jié)構(gòu)，其上下分別是陰極和陽極，二個(gè)電極之間夾著單層或多層不同材料種類和不同結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料功能層，依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層。有機(jī)電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機(jī)材料層中，兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對(duì)發(fā)光，然后光從電極一側(cè)發(fā)出。
[0004]當(dāng)有機(jī)電致發(fā)光應(yīng)用于顯示時(shí)，頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的光從陰極這一側(cè)發(fā)光，為了獲得較好的發(fā)光效果，要求陰極具有較高的透過率。然而，一般的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件通常采用金屬薄層作為陰極，例如銀層、鋁層等，這種金屬薄層的透過率不夠高，通常只能達(dá)到60-70%左右。ITO薄膜的透過率較高，但I(xiàn)TO薄膜的功函較高，對(duì)電子的注入不利，難以應(yīng)用于陰極。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針 對(duì)現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極的透過率較低的問題，提供一種陰極的透過率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的襯底、陽極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，所述陰極包括依次層疊在所述電子傳輸層上的第一金屬層和復(fù)合層，所述復(fù)合層包括依次層疊的I飛個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成，所述透明介質(zhì)層的材料為一氧化硅、三氧化二銻、氧化鉍、氧化錯(cuò)、二氧化鈦、硒化鋅或硫化鋅。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一金屬層和第二金屬層的材料為銀、招、衫、鐿、鎂-銀合金或鎂-鋁合金。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一金屬層和第二金屬層的厚度為10-30納米。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述透明介質(zhì)層的厚度為30-80納米。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陽極由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銀、鋁、金、銅和鉬中的一種形成；或由銀、鋁、金、銅和鉬中的至少兩種形成的合金形成；
[0011]所述空穴傳輸層由空穴傳輸材料形成或由第一摻雜劑摻雜于所述空穴傳輸材料中形成，其中，所述空穴傳輸材料選自酞菁鋅、酞菁銅、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二 (1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’-二胺、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1，1-二(4-(N，N’_ 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷中的一種；所述第一摻雜劑選自2，3，5,6-四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌和2，2’ -(2, 5- 二氰基_3，6- 二氟環(huán)己燒-2, 5- 二烯-1，4- 二亞基)二丙二腈中的一種，所述第一摻雜劑占所述空穴傳輸層的質(zhì)量百分比為f 10% ；
[0012]所述電子阻擋層由酞菁鋅、酞菁銅、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, 1’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1,1-二(4-(N, N’-二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己燒中的一種材料形成；
[0013]所述發(fā)光層由發(fā)光材料摻雜于所述空穴傳輸材料或電子傳輸材料中形成，或由發(fā)光材料摻雜于所述空穴傳輸材料與電子傳輸材料的混合材料中形成，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4!1-吡喃、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁、4- (二腈甲烯基)-2-異丙基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羥基喹啉鋁，4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯，雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種，所述發(fā)光材料占所述發(fā)光層的質(zhì)量百分比為廣10%;
[0014]所述電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-B,惡二唑、(8-羥基喹啉)-鋁、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲和1，2，4-三唑衍生物雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(I, 1’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁；
[0015]所述空穴阻擋層由2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑、(8_羥基喹啉)_鋁、4，7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲和1，2，4-三唑衍生物雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, 08) - (1, 1’ -聯(lián)苯-4-羥基)招中的一種材料形成；
[0016]所述電子傳輸層由所述電子傳輸材料形成或由第二摻雜劑摻雜于所述電子傳輸材料中形成，其中，所述第二摻雜劑選自碳酸鋰、疊氮化鋰、氟化鋰、疊氮化銫、碳酸銫和氟化銫中的一種，所述第二摻雜劑占所述電子傳輸層的質(zhì)量百分比為5~30%。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陽極的厚度為70-200納米；所述空穴傳輸層的厚度為2飛O納米；所述電子阻擋層的厚度為5~20納米；所述發(fā)光層的厚度為f 15納米；所述空穴阻擋層的厚度為5~20納米；所述電子傳輸層的厚度為20-60納米。
[0018]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0019]提供襯底；
[0020]采用磁控濺射在所述襯底上形成陽極；[0021]采用真空蒸鍍?cè)谒鲫枠O上形成空穴傳輸層；
[0022]采用真空蒸鍍?cè)谒隹昭▊鬏攲由闲纬呻娮幼钃鯇樱?br> [0023]采用真空蒸鍍?cè)谒鲭娮幼钃鯇由闲纬砂l(fā)光層；
[0024]采用真空蒸鍍?cè)谒霭l(fā)光層上形成空穴阻擋層；
[0025]采用真空蒸鍍?cè)谒隹昭ㄗ钃跎闲纬呻娮觽鬏攲?；?br> [0026]采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)在所述電子傳輸層上形成第一金屬層，并在所述第一金屬層上形成復(fù)合層得到陰極，所述復(fù)合層包括依次層疊的1飛個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成，所述透明介質(zhì)層的材料為一氧化硅、三氧化二銻、氧化鉍、氧化鋯、二氧化鈦、硒化鋅或硫化鋅。
[0027]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括對(duì)所述襯底進(jìn)行清洗干燥和對(duì)所述陽極等離子處理的步驟，對(duì)所述襯底進(jìn)行清洗干燥的步驟為將所述襯底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑粚?duì)所述陽極進(jìn)行等離子處理的步驟為將層疊于所述襯底的陽極放置于等離子處理室中處理30分鐘。
[0028]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述真空蒸鍍的真空度為lX10_3~lX10_5Pa。
[0029]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極包括層疊的第一金屬層和復(fù)合層，所述復(fù)合層包括依次層疊的廣5個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成，由一氧化硅、三氧化二銻、氧化鉍、氧化鋯、二氧化鈦、硒化鋅或硫化鋅形成的透明介質(zhì)層設(shè)置于第一金屬層和相鄰的第二金屬層之間及設(shè)置于相鄰的兩個(gè)第二金屬層之間，使得第一金屬層和相鄰的第二金屬層及相鄰 的兩個(gè)第二金屬層反射的光線能夠發(fā)生干涉相消的作用，從而使陰極反射光線迅速減少，透過率大大提高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下通過【具體實(shí)施方式】和附圖對(duì)上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡述。
[0033]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的襯底110、陽極120、空穴傳輸層130、電子阻擋層140、發(fā)光層150、空穴阻擋層160、電子傳輸層170和陰極180。
[0034]襯底110為透明襯底，可以采用透明玻璃或聚醚砜樹脂襯底。本實(shí)施方式采用透明玻璃。
[0035]陽極120由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎵鋅氧化物(GZO)、銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、銅(Cu)和鉬(Pt)中的一種形成。在其他實(shí)施方式中，陽極120也可以由銀(Ag)、招(Al)、金(Au)、銅(Cu)和鉬(Pt)中的至少兩種形成的合金形成。
[0036]陽極120的厚度為70-200納米。[0037]空穴傳輸層130由空穴傳輸材料形成,或由第一摻雜劑摻雜于空穴傳輸材料中形成。
[0038]空穴傳輸材料選自酞菁鋅(ZnPc)、酞菁銅(CuPc)、4，4’，4 "-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA) ,N, N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)、(4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(TPD)、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1- 二 (4-(N, N’ - 二 (ρ-甲苯基)氣基)苯基)環(huán)己燒(TAPC)中的一種。
[0039]第一摻雜劑為ρ型材料，選自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)和 2，2’ -(2，5_ 二氰基-3，6-二氟環(huán)己烷-2，5-二烯-1，4-二亞基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的一種。第一摻雜劑占空穴傳輸層130的質(zhì)量百分比為f 10% ； [0040]優(yōu)選的，空穴傳輸層130由2，3，5，6_四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)摻雜于N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)中形成。
[0041]空穴傳輸層130的厚度為20-60納米。 [0042]電子阻擋層140由酞菁鋅(ZnPc)、酞菁銅(CuPc)、4，4’，4"-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-ΤΝΑΤΑ)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺)(NPB)、(4，4’，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，-聯(lián)苯-4，4’-二胺(TPD)、N，N, N’，N’-四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1-二(4-(N，N’-二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己燒(TAPC)中的一種材料形成。
[0043]電子阻擋層140的厚度為5~20納米。
[0044]發(fā)光層150由發(fā)光材料摻雜于空穴傳輸材料或電子傳輸材料中形成,或由發(fā)光材料摻雜于空穴傳輸材料與電子傳輸材料的混合材料中形成。
[0045]發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4_ (二腈甲烯基)-2-異丙基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)，4，4’ - 二(2，2_ 二苯乙烯基)_1，I’ -聯(lián)苯(DPVBi)，雙(4，6-二氟苯基吡啶-N, C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[F，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac) )、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批卩定)銥(Ir (ppy)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)和三(2_苯基吡啶)合銥(IHppy)3)中的至少一種。
[0046]發(fā)光材料占發(fā)光層150的質(zhì)量百分比為1~10%。
[0047]空穴傳輸材料與空穴傳輸層130中的空穴傳輸材料相同。電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1, 3，4-噁二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、(I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁)(BAlq)中的一種。[0048]發(fā)光層150優(yōu)選由二(2-甲基-二苯基[f.h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥Ir (MDQ) 2 (acac)摻雜于 N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺 NPB 中形成,二(2-甲基-二苯基[f.h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥Ir (MDQ) 2 (acac)發(fā)光層150的質(zhì)量百分比為廣10%。
[0049]發(fā)光層的厚度為f 15納米。
[0050]空穴阻擋層160由2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4_叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)-鋁)(Alq3)、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、(1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’_聯(lián)苯_4_羥基)鋁)(BAlq)中的一種材料形成。
[0051]空穴阻擋層160的厚度為5~20納米。
[0052]電子傳輸層170由電子傳輸材料形成或由第二摻雜劑摻雜于電子傳輸材料中形成。
[0053]電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、(I, 3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，1’_聯(lián)苯_4_羥基)鋁)(BAlq)中的一種。
[0054]電子傳輸層170的電子傳輸材料與發(fā)光層150選用的電子傳輸材料相同。
[0055]第二摻雜劑為η型材料，選自碳酸鋰(Li2CO3)、疊氮化鋰(LiN3)、氟化鋰(LiF)、疊氮化銫(CsN3)、碳酸銫(Cs2CO3)和氟化銫(CsF)中的一種。第二摻雜劑占電子傳輸層170的質(zhì)量百分比為5~30%。
[0056]優(yōu)選的，電子傳輸層170由疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7_ 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)中形成。
[0057]電子傳輸層170的厚度為20~60納米。
[0058]陰極180包括依次層疊在電子傳輸層170上的第一金屬層181和復(fù)合層182。復(fù)合層182包括依次層疊的f 5個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層(圖未標(biāo))和第二金屬層(圖未標(biāo))形成。復(fù)合層182的結(jié)構(gòu)表示為(透明介質(zhì)層/第二金屬層)η，η為50其中，最靠近第一金屬層181的透明介質(zhì)層層疊于第一金屬層181上。陰極180的結(jié)構(gòu)表示為第一金屬層181/ (透明介質(zhì)層/第二金屬層)η，“/”表示層疊，η為f 5。
[0059]第一金屬層和第二金屬層的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、釤(Sm)、鐿(Yb)、鎂-銀(Mg-Ag)合金或鎂-鋁(Mg-Al)合金。第一金屬層和第二金屬層的材料可以相同，也可以不同。
[0060]第一金屬層和第二金屬層的厚度為10-30納米。
[0061]透明介質(zhì)層的材料為一氧化硅(SiO)、三氧化二銻(Sb2O3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、硒化鋅(ZnSe)或硫化鋅(ZnS)。
[0062]透明介質(zhì)層的厚度為30~80納米。
[0063]由一氧化硅(SiO)、三氧化二銻(Sb2O3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、硒化鋅(ZnSe)或硫化鋅(ZnS)形成厚度為30-80納米的透明介質(zhì)層具有較高的透光性。
[0064]在傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件中，通常采用單層的金屬薄層作為陰極。由于金屬薄層本身會(huì)發(fā)射一部分光線，從而使得陰極的透過率較低。上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的陰極180采用第一金屬層181/(透明介質(zhì)層/第二金屬層)n的復(fù)合結(jié)構(gòu)，一氧化硅(SiO)、三氧化二鋪(Sb2O3)、氧化秘(Bi2O3)、氧化錯(cuò)(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、硒化鋅(ZnSe)或硫化鋅(ZnS)形成的透明介質(zhì)層設(shè)置于第一金屬層181和相鄰的第二金屬層之間及設(shè)置于相鄰的兩個(gè)第二金屬層之間，使得第一金屬層181表面反射的光線被相鄰的第二金屬層表面反射的光線發(fā)生干涉相消的作用，第二金屬層表面反射的光線也被相鄰的第二金屬層表面反射的光線發(fā)生干涉相消作用，通過干涉相消的原理，消除了大部分的反射光線，使得陰極180具有較高的可見光透過率，從而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件100的光效。
[0065]優(yōu)選的，η的值越大，形成多層干涉相消作用，能夠消除較多的反射光線，使得陰極180的透過率越高。綜合陰極180的透過率及厚度考慮，η的最大值為5。
[0066]優(yōu)選的，第一金屬層181和第二金屬層選用相同的材料,使得第一金屬層181和第二金屬層的反射率相近，反射光的干涉相消作用較強(qiáng)。
[0067]陰極180具有較高的透過率，將陰極180應(yīng)用于底反射的有機(jī)電致發(fā)光器件中，可以實(shí)現(xiàn)雙面發(fā)光。
[0068]請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0069]步驟SllO:提供襯底。
[0070]襯底可以采用透明玻璃或聚醚砜樹脂襯底。
[0071]首先清洗襯底，以避免襯底上的污染物對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的性能產(chǎn)生不良影響。將襯底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈?，備用?br> [0072]步驟S120:采用磁控濺射在襯底上形成陽極。
[0073]襯底清洗干燥后，采用磁控濺射在襯底上沉積氧化銦錫(ΙΤ0),形成ITO薄膜作為陽極。
[0074]也可以在襯底上形成銦摻雜氧化鋅(IZO)薄膜、鋁摻雜氧化鋅(AZO)薄膜或鎵摻雜氧化鋅(GZO)薄膜作為陽極。
[0075]陽極的厚度為70-200納米。
[0076]將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘，以提高陽極的功函，降低空穴注入勢(shì)壘，有利于更多的空穴進(jìn)入發(fā)光層中與電子復(fù)合，提高發(fā)光效率。
[0077]步驟S130:采用真空蒸鍍?cè)陉枠O上形成空穴傳輸層。
[0078]真空度為I X 10-3 ~I X l(T5Pa，優(yōu)選為 I X l(T4Pa。
[0079]空穴傳輸層由空穴傳輸材料形成,或由第一摻雜劑摻雜于空穴傳輸材料中形成。
[0080]空穴傳輸材料選自酞菁鋅(ZnPc)、酞菁銅(CuPc)、4，4’，4 "-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA) ,N, N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)、(4，4’，4 " -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(TH))、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1- 二 (4-(N, N’ - 二 (ρ-甲苯基)氣基)苯基)環(huán)己燒(TAPC)中的一種。[0081]第一摻雜劑選自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)和2，2’ -(2，5- 二氰基-3，6- 二氟環(huán)己烷-2，5-二烯-1，4-二亞基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的一種。第一摻雜劑占空穴傳輸層130的質(zhì)量百分比為I~10%;
[0082]空穴傳輸層130的厚度為20~60納米。
[0083]步驟S140:采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由闲纬呻娮幼钃鯇印?br> [0084]真空度為I X 10-3 ~I X l(T5Pa，優(yōu)選為 I X l(T4Pa。
[0085]電子阻擋層由酞菁鋅(ZnPc)、酞菁銅(CuPc)、4，4’，4"-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺)(NPB)、(4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(TH))、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和 1，1- 二 (4-(N, N’ - 二 (ρ-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己燒(TAPC)中的一種材料形成。 [0086]電子阻擋層140的厚度為5~20納米。
[0087]步驟S150:采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇由闲纬砂l(fā)光層。
[0088]由發(fā)光材料摻雜于空穴傳輸材料或電子傳輸材料中形成，或由發(fā)光材料摻雜于空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的混合材料中形成。
[0089]發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4_ (二腈甲烯基)-2-異丙基-6- (I，I，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)，4，4’ - 二(2，2_ 二苯乙烯基)_1，I’ -聯(lián)苯(DPVBi)，雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N, C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac) )、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批卩定)銥(Ir (ppy)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)和三(2_苯基吡啶)合銥(IHppy)3)中的至少一種。
[0090]發(fā)光材料占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為f 10%。
[0091]空穴傳輸材料與空穴傳輸層中的空穴傳輸材料相同。電子傳輸材料選自2-(4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7_ 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1, 10-鄰二氮雜菲(BCP)U, 2，4-三唑衍生物(TAZ)和雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁)(BAlq)中的一種。
[0092]發(fā)光層的厚度為f 15納米。
[0093]步驟S160:采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層上形成空穴阻擋層。
[0094]真空度為I X 10-3 ~I X l(T5Pa，優(yōu)選為 I X l(T4Pa。
[0095]空穴阻擋層由2- (4-聯(lián)苯基)-5_ (4-叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑(PBD)、(8_羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7_ 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、(1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)和雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N 1，08)_(1，-聯(lián)苯-4-羥基)鋁)(BAlq)中的一種材料形成。
[0096]空穴阻擋層的厚度為5~20納米。
[0097]步驟S170:采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃跎闲纬呻娮觽鬏攲印?br> [0098]真空度為I X 10-3 ~I X l(T5Pa，優(yōu)選為 I X l(T4Pa。
[0099]電子傳輸層由電子傳輸材料形成或由第二摻雜劑摻雜于電子傳輸材料中形成。
[0100]電子傳輸材料與發(fā)光層中的電子傳輸材料相同。
[0101]第二摻雜劑選自碳酸鋰(Li2CO3)、疊氮化鋰(LiN3)、氟化鋰(LiF)、疊氮化銫(CsN3)、碳酸銫(Cs2CO3)和氟化銫(CsF)中的一種。第二摻雜劑占電子傳輸層的質(zhì)量百分比為5~30%。
[0102]電子傳輸層的厚度為20-60納米。
[0103]步驟S180:采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層上形成第一金屬層，并在第一金屬層上形成復(fù)合層得到陰極。
[0104]復(fù)合層包括依次層疊的f 5個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。
[0105]第一金屬層和第二金屬層的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、釤(Sm)、鐿(Yb)、鎂-銀(Mg-Ag)合金或鎂-鋁(Mg-Al)合金。第一金屬層和第二金屬層的厚度為10-30納米。
[0106]透明介質(zhì)層的材料為一氧化硅(SiO)、三氧化二銻(Sb2O3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、硒化鋅(ZnSe)或硫化鋅(ZnS)。透明介質(zhì)層的厚度為30-80納米。
[0107]優(yōu)選的，當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹拥牟牧蠟楹辖饡r(shí)，米用電子束蒸發(fā)技術(shù)制備陰極。電子束蒸發(fā)設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，在蒸鍍合金時(shí)可以實(shí)現(xiàn)快速蒸發(fā)，避免合金的分餾，形成質(zhì)量較高的第一金屬層和第二金屬層。
[0108]依次層疊的襯底、陽極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極組成有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0109]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法采用磁控濺射在透明玻璃制備上陽極，然后采用真空蒸鍍制備依次層疊的空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層和電子傳輸層，最后采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)制備陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。該制備方法工藝簡(jiǎn)單，易于大規(guī)模制備。
[0110]真空蒸鍍制備空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層和電子傳輸層均在真空度I X IO-4Pa下進(jìn)行蒸鍍。在較高的真空度I X 10_4Pa下，能夠避免沉積形成的膜產(chǎn)生缺陷，有利于提高成膜質(zhì)量，從而得到性能穩(wěn)定的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0111]以下為具體實(shí)施例。
[0112]實(shí)施例1
[0113]結(jié)構(gòu)為:Glass/IT0/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Ag/SiO/Ag/SiO/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0114]該器件的制備工藝如下:
[0115](I)提供透明玻璃作為襯底，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?；[0116](2)采用磁控濺射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉積銦錫氧化物(ITO)薄膜作為陽極，厚度為200nm。制備得到陽極后，將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘;
[0117](3)采用真空蒸鍍?cè)陉枠O的表面形成空穴傳輸層。真空度為lX10_4Pa。空穴傳輸層由1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)摻雜于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)中形成，表示為F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴傳輸層的總質(zhì)量的5%?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm;
[0118](4)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲拥谋砻嫘纬呻娮幼钃鯇?。真空度為lX10_4Pa。電子阻擋層由1，1-二(4-(N，N’_ 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)形成。電子阻擋層的厚度為IOnm ；
[0119](5)采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇拥谋砻嫘纬砂l(fā)光層。真空度為lX10_4Pa。發(fā)光層由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))摻雜于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示為Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占發(fā)光層總質(zhì)量的5%,發(fā)光層的厚度為15nm;
[0120](6)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層的表面形成空穴阻擋層。真空度為lX10_4Pa?？昭ㄗ钃鯇佑呻p(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁)(BAlq)形成?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹镮Onm;
[0121](7)采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃鯇拥谋砻嫘纬呻娮觽鬏攲樱婵斩葹閘X10_4Pa。電子傳輸層由疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)中形成，表示為CsN3:Bphen。CsN3占電子傳輸層總質(zhì)量的15%。電子傳輸層的厚度為50nm ;
[0122](8)采用熱蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層的表面形成陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0123]首先在電子傳輸層上沉積Ag形成第一金屬層,然后在第一金屬層上形成復(fù)合層。復(fù)合層包括依次層疊的2個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。透明介質(zhì)的材料為SiO、第二金屬層的材料為Ag。在第一金屬層上依次交替沉積SiO和Ag，形成結(jié)構(gòu)為SiO/Ag/SiO/Ag的復(fù)合層，得到陰極，陰極的結(jié)構(gòu)表示為Ag/SiO/Ag/SiO/Ag。
[0124]第一金屬層的厚度為IOnm ;透明介質(zhì)層的厚度為40nm ;第二金屬層的厚度為15nm。
[0125]陰極的厚度為120nm。
[0126]實(shí)施例2
[0127]結(jié)構(gòu)為:Glass/GZ0/F4-TCNQ:MeO-TPD/TAPC/DCJTB:2_TNATA/PBD/Li2C03: PBD/A1/Sb203/Al/Sb203/Al/Sb203/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0128]該器件的制備工藝如下:
[0129](I)提供透明玻璃作為襯底，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0130](2)采用磁控濺射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉積鎵鋅氧化物(GZO)薄膜作為陽極，厚度為70nm。制備得到陽極后，將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘;[0131](3)采用真空蒸鍍?cè)陉枠O的表面形成空穴傳輸層。真空度為5X10_4Pa?？昭▊鬏攲佑?，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)摻雜于N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)中形成，表示為F4-TCNQ = MeO-Tro。F4-TCNQ占空穴傳輸層的總質(zhì)量的1%?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm;
[0132](4)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲拥谋砻嫘纬呻娮幼钃鯇印Ｕ婵斩葹?X10_4Pa。電子阻擋層由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)形成。電子阻擋層的厚度為5nm ；
[0133](5)采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇拥谋砻嫘纬砂l(fā)光層。真空度為5X10_4Pa。發(fā)光層由4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)摻雜于4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)中形成，表示為DCJTB: 2-TNATA。DCJTB占發(fā)光層總質(zhì)量的10%，發(fā)光層的厚度為IOnm;
[0134](6)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層的表面形成空穴阻擋層。真空度為5X 10_4Pa?？昭ㄗ钃鯇佑?- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑(PBD)形成?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹?0nm;
[0135](7)采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃鯇拥谋砻嫘纬呻娮觽鬏攲?，真空度?X10_4Pa。電子傳輸層由碳酸鋰(Li2CO3)摻雜于2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)中形成，表示為L(zhǎng)i2C03:PBD。Li2CO3占電子傳輸層總質(zhì)量的30%。電子傳輸層的厚度為 60nm ；
[0136](8)采用熱蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層的表面形成陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0137]首先在電子傳輸層上沉積Al形成第一金屬層,然后在第一金屬層上形成復(fù)合層。復(fù)合層包括依次層疊的3個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。透明介質(zhì)的材料為Sb2O3、第二金屬層的材料為Al。在第一金屬層上依次交替沉積Sb2O3和Al，形成結(jié)構(gòu)為Sb203/Al/Sb203/Al/Sb203/Al的復(fù)合層，得到陰極，陰極的結(jié)構(gòu)表示為Al/Sb203/Al/Sb203/Al/Sb203/Al。
[0138]第一金屬層的厚度為20nm ;透明介質(zhì)層的厚度為50nm ;第二金屬層的厚度為IOnm0
[0139]陰極的厚度為200nm。
[0140]實(shí)施例3
[0141]結(jié)構(gòu)為:Glass/AZ0/F2-HCNQ:Me0_TPD/TAPC/DCJT1:BCP/Alq3/LiN3:BCP/Sm/Bi203/Sm的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0142]該器件的制備工藝如下:
[0143](I)提供透明玻璃作為襯底，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0144](2)采用磁控濺射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉積鋁鋅氧化物(AZO)薄膜作為陽極，厚度為120nm。制備得到陽極后，將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘;
[0145](3)采用真空蒸鍍?cè)陉枠O的表面形成空穴傳輸層。真空度為lX10_3Pa?？昭▊鬏攲佑?，2’ -(2，5- 二氰基-3，6- 二氟環(huán)己燒-2, 5- 二烯-1，4- 二亞基)二丙二腈(F2-HCNQ)摻雜于N，N, N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TTO)中形成，表示為F2-HCNQ:MeO-TH)。F2-HCNQ占空穴傳輸層的總質(zhì)量的5%。空穴傳輸層的厚度為60nm;
[0146](4)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲拥谋砻嫘纬呻娮幼钃鯇?。真空度為lX10_3Pa。電子阻擋層由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)形成。電子阻擋層的厚度為20nm ；
[0147](5)采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇拥谋砻嫘纬砂l(fā)光層。真空度為lX10_3Pa。發(fā)光層由4-(二腈甲烯基)-2-異丙基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTI)摻雜于2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)中形成，表示為DCJT1: BCP。DCJTI占發(fā)光層總質(zhì)量的5%，發(fā)光層的厚度為Inm;
[0148](6)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層的表面形成空穴阻擋層。真空度為lX10_3Pa?？昭ㄗ钃鯇佑?8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)形成?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹?nm;
[0149](7)采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃鯇拥谋砻嫘纬呻娮觽鬏攲樱婵斩葹閘X10_3Pa。電子傳輸層由疊氮化鋰(LiN3)摻雜于2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)中形成，表不為L(zhǎng)iN3:BCP。LiN3占電子傳輸層總質(zhì)量的5%。電子傳輸層的厚度為60nm ；
[0150](8)采用熱蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層的表面形成陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0151]首先在電子傳輸層上沉積Sm形成第一金屬層,然后在第一金屬層上形成復(fù)合層。復(fù)合層包括I個(gè)基本單元，基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。透明介質(zhì)的材料為Bi2O3、第二金屬層的材料為Sm。在第一金屬層上依次沉積Bi2O3和Sm,形成結(jié)構(gòu)為Bi203/Sm的復(fù)合層,得到陰極，陰極的結(jié)構(gòu)表示為Sm/Bi203/Sm。
[0152]第一金屬層的厚度為30nm ;透明介質(zhì)層的厚度為80nm ;第二金屬層的厚度為IOnm0
[0153]陰極的厚度為120nm。
[0154]實(shí)施例4
[0155]結(jié)構(gòu)為:Glass/IZ0/F6-TNAP:TAPC/TAPC/DMQA:BCP/Bphen/LiF:TPBi/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0156]該器件的制備工藝如下:
[0157](I)提供透明玻璃作為襯底，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0158](2)采用磁控濺射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉積銦鋅氧化物(IZO)薄膜作為陽極，厚度為150nm。制備得到陽極后，將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘;
[0159](3)采用真空蒸鍍?cè)陉枠O的表面形成空穴傳輸層。真空度為lX10_5Pa?？昭▊鬏攲佑?，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)摻雜于I, 1-二(4-(N，N’-二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)中形成，表示為F6-TNAP:TAPC。F6-TNAP占空穴傳輸層的總質(zhì)量的1%?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm;
[0160](4)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲拥谋砻嫘纬呻娮幼钃鯇印Ｕ婵斩葹閘X10_5Pa。電子阻擋層由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)形成。電子阻擋層的厚度為15nm。[0161](5)采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇拥谋砻嫘纬砂l(fā)光層。真空度為lX10_5Pa。發(fā)光層由二甲基喹吖啶酮(DMQA)摻雜于2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)中形成，表示為DMQA:BCP。DMQA占發(fā)光層總質(zhì)量的5%，發(fā)光層的厚度為15nm;
[0162](6)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層的表面形成空穴阻擋層。真空度為lX10_5Pa。空穴阻擋層由4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)形成?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹?5nm;
[0163](7)采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃鯇拥谋砻嫘纬呻娮觽鬏攲?。真空度為lX10_5Pa。電子傳輸層由氟化鋰(LiF)摻雜于1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中形成，表示為L(zhǎng)iF:TPBi。LiF占電子傳輸層總質(zhì)量的15%。電子傳輸層的厚度為50納米；
[0164](8)采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層的表面形成陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0165]首先在電子傳輸層上沉積Yb形成第一金屬層,然后在第一金屬層上形成復(fù)合層。復(fù)合層包括依次層疊的5個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。透明介質(zhì)的材料為TiO2、第二金屬層的材料為Yb。在第一金屬層上依次交替沉積TiO2和Yb，形成結(jié)構(gòu)為Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb的復(fù)合層，得到陰極，陰極的結(jié)構(gòu)表示為 Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb/Ti02/Yb。
[0166]第一金屬層的厚度為IOnm ;透明介質(zhì)層的厚度為30nm ;第二金屬層的厚度為IOnm0
[0167]陰極的厚度為210nm。
[0168]實(shí)施例5
[0169]結(jié)構(gòu)為:Glass/Au/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0170]該器件的制備工藝如下:
[0171](I)提供透明玻璃作為襯底，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0172](2)采用磁控濺射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉積Au形成Au層作為陽極，厚度為lOOnm。制備得到陽極后，將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘；
[0173](3)采用真空蒸鍍?cè)陉枠O的表面形成空穴傳輸層。真空度為5X10_4Pa。空穴傳輸層由1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)摻雜于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)中形成，表示為F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴傳輸層的總質(zhì)量的5%?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm;
[0174](4)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲拥谋砻嫘纬呻娮幼钃鯇?。真空度?X10_4Pa。電子阻擋層由1，1-二(4-(N，N’_ 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)形成。電子阻擋層的厚度為IOnm ；
[0175](5)采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇拥谋砻嫘纬砂l(fā)光層。真空度為5X10_4Pa。發(fā)光層由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))摻雜于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示為Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占發(fā)光層總質(zhì)量的5%,發(fā)光層的厚度為15nm;
[0176](6)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層的表面形成空穴阻擋層。真空度為5X10_4Pa?？昭ㄗ钃鯇佑呻p(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁)(BAlq)形成。空穴阻擋層的厚度為IOnm;
[0177](7)采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃鯇拥谋砻嫘纬呻娮觽鬏攲?。真空度?X10_4Pa。電子傳輸層由疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)中形成，表示為CsN3:Bphen。CsN3占電子傳輸層總質(zhì)量的15%。電子傳輸層的厚度為50nm ;
[0178](8)采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層的表面形成陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0179]首先在電子傳輸層上沉積Mg-Ag合金形成第一金屬層，然后在第一金屬層上形成復(fù)合層。復(fù)合層包括依次層疊的4個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。透明介質(zhì)的材料為ZrO2、第二金屬層的材料為Mg-Ag。在第一金屬層上依次交替沉積 ZrO2 和 Mg-Ag,形成結(jié)構(gòu)為 Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg_Ag 的復(fù)合層，得到陰極，陰極的結(jié)構(gòu)表示為 Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg-Ag/Zr02/Mg_Ag。
[0180]第一金屬層的厚度為IOnm ;透明介質(zhì)層的厚度為30nm ;第二金屬層的厚度為IOnm0
[0181]陰極的厚度為170nm。
[0182]實(shí)施例6
[0183]結(jié)構(gòu)為:Glass/Ag/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Mg-Al/ZnS/Mg-Al/ZnS/Mg-Al 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0184]該器件的制備工藝如下:
[0185](I)提供透明玻璃作為襯底，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0186](2)采用磁控濺射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉積Ag形成Ag層作為陽極，厚度為lOOnm。制備得到陽極后，將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘；
[0187](3)采用真空蒸鍍?cè)陉枠O的表面形成空穴傳輸層。真空度為5X10_4Pa?？昭▊鬏攲佑?，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)摻雜于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)中形成，表示為F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴傳輸層的總質(zhì)量的5%?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm;
[0188](4)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲拥谋砻嫘纬呻娮幼钃鯇?。真空度?X10_4Pa。電子阻擋層由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)形成。電子阻擋層的厚度為IOnm ；
[0189](5)采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇拥谋砻嫘纬砂l(fā)光層。真空度為5X10_4Pa。發(fā)光層由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))摻雜于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示為Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占發(fā)光層總質(zhì)量的5%,發(fā)光層的厚度為15nm;
[0190](6)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層的表面形成空穴阻擋層。真空度為5X10_4Pa?？昭ㄗ钃鯇佑呻p(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁)(BAlq)形成?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹镮Onm;
[0191](7)采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃鯇拥谋砻嫘纬呻娮觽鬏攲?，真空度?X10_4Pa。電子傳輸層由疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)中形成，表示為CsN3:Bphen。CsN3占電子傳輸層總質(zhì)量的15%。電子傳輸層的厚度為50nm ;
[0192](8)采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層的表面形成陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0193]首先在電子傳輸層上沉積Mg-Al合金形成第一金屬層,然后在第一金屬層上形成復(fù)合層。復(fù)合層包括依次層疊的2個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。透明介質(zhì)的材料為ZnS、第二金屬層的材料為Mg-Al。在第一金屬層上依次交替沉積ZnS和Mg-Al，形成結(jié)構(gòu)為ZnS/Mg-Al/ZnS/Mg-Al的復(fù)合層，得到陰極，陰極的結(jié)構(gòu)表示為 Mg-Al/ZnS/Mg-Al/ZnS/Mg-Al。
[0194]第一金屬層的厚度為15nm ;透明介質(zhì)層的厚度為40nm ;第二金屬層的厚度為IOnm0
[0195]陰極的厚度為115nm。
[0196]實(shí)施例7
[0197]結(jié)構(gòu)為:Glass/Cu/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3: Bphen/Al/ZnSe/Al/ZnSe/Al 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0198]該器件的制備工藝如下:
[0199](I)提供透明玻璃作為襯底，表示為Glass。將透明玻璃放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，再用氮?dú)獯蹈?
[0200](2)采用磁控濺射在清洗干燥后的透明玻璃表面沉積Cu形成Cu層作為陽極，厚度為lOOnm。制備得到陽極后，將層疊于透明玻璃表面的陽極放入等離子處理室中處理10分鐘；
[0201](3)采用真空蒸鍍?cè)陉枠O的表面形成空穴傳輸層。真空度為5X10_4Pa?？昭▊鬏攲佑?，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌(F6-TNAP)摻雜于N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)中形成，表示為F6-TNAP = MeO-Tro。F6-TNAP占空穴傳輸層的總質(zhì)量的5%?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm;
[0202](4)采用真空蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲拥谋砻嫘纬呻娮幼钃鯇?。真空度?X 10_4Pa。電子阻擋層由1，1-二(4-(N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)形成。電子阻擋層的厚度為IOnm ；
[0203](5)采用真空蒸鍍?cè)陔娮幼钃鯇拥谋砻嫘纬砂l(fā)光層。真空度為5X10_4Pa。發(fā)光層由二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))摻雜于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)(NPB)中形成，表示為Ir (MDQ)2 (acac):NBP。Ir (MDQ) 2 (acac)占發(fā)光層總質(zhì)量的5%,發(fā)光層的厚度為15nm;
[0204](6)采用真空蒸鍍?cè)诎l(fā)光層的表面形成空穴阻擋層。真空度為5X 10_4Pa?？昭ㄗ钃鯇佑呻p(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁)(BAlq)形成。空穴阻擋層的厚度為IOnm;
[0205](7)采用真空蒸鍍?cè)诳昭ㄗ钃鯇拥谋砻嫘纬呻娮觽鬏攲?，真空度?X10_4Pa。電子傳輸層由疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)中形成，表示為CsN3:Bphen。CsN3占電子傳輸層總質(zhì)量的15%。電子傳輸層的厚度為50nm ;
[0206](8)采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層的表面形成陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件。[0207]首先在電子傳輸層上沉積Al合金形成第一金屬層,然后在第一金屬層上形成復(fù)合層。復(fù)合層包括依次層疊的3個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成。透明介質(zhì)的材料為ZnSe、第二金屬層的材料為Al。在第一金屬層上依次交替沉積ZnSe和Al，復(fù)合層的結(jié)構(gòu)表示為ZnSe/Al/ZnSe/Al，陰極的結(jié)構(gòu)表示為Al/ZnSe/Al/ZnSe/Al。
[0208]第一金屬層的厚度為15nm ;透明介質(zhì)層的厚度為40nm ;第二金屬層的厚度為IOnm0
[0209]陰極的厚度為115nm。
[0210]對(duì)比例I
[0211]結(jié)構(gòu)為:Glass/IT0/F6-TNAP:Me0_TPD/TAPC/Ir(MDQ)2 (acac):NBP/BAlq//CsN3:Bphen/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0212]該器件的制備工藝如下:
[0213]對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)除了陰極不同以外，其他的與實(shí)施例1相同。對(duì)比例I采用Ag層作為陰極。陰極的厚度為120nm。
[0214]表1為實(shí)施例f實(shí)施例7及對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極的透過率及有機(jī)電致發(fā)光器件的光效
[0215]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的襯底、陽極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，所述陰極包括依次層疊在所述電子傳輸層上的第一金屬層和復(fù)合層，所述復(fù)合層包括依次層疊的1飛個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成，所述透明介質(zhì)層的材料為一氧化硅、三氧化二銻、氧化秘、氧化錯(cuò)、二氧化鈦、硒化鋅或硫化鋅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層的材料為銀、鋁、釤、鐿、鎂-銀合金或鎂-鋁合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層的厚度為10-30納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述透明介質(zhì)層的厚度為30~80納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述陽極由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銀、鋁、金、銅和鉬中的一種形成；或由銀、鋁、金、銅和鉬中的至少兩種形成的合金形成； 所述空穴傳輸層由空穴傳輸材料形成或由第一摻雜劑摻雜于所述空穴傳輸材料中形成，其中，所述空穴傳輸材料選自酞菁鋅、酞菁銅、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’- 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1，1_ 二(4-(Ν，Ν’_ 二(P-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷中的一種；所述第一摻雜劑選自2，3，5,6-四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷、1，3，4，5，7，8-六氟-四氰-二甲對(duì)萘醌和2，2’ -(2, 5- 二氰基_3，6- 二氟環(huán)己燒-2, 5- 二烯-1，4- 二亞基)二丙二腈中的一種，所述第一摻雜劑占所述空穴傳輸層的質(zhì)量百分比為10% ； 所述電子阻擋層由酞菁鋅、酞菁銅、4，4’，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)、(4，4’，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺和1,1- 二(4-(N, N’ - 二(ρ-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己燒中的一種材料形成； 所述發(fā)光層由發(fā)光材料摻雜于所述空穴傳輸材料或電子傳輸材料中形成，或由發(fā)光材料摻雜于所述空穴傳輸材料與電子傳輸材料的混合材料中形成，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2_丁基-6-( 1，I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁、4- (二腈甲烯基)-2-異丙基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羥基喹啉鋁，4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯，雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種，所述發(fā)光材料占所述發(fā)光層的質(zhì)量百分比為f 10% ； 所述電子傳輸材料選自2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、(8-羥基喹啉)_鋁、4，7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、.2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲和1，2，4-三唑衍生物雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, 1’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁； 所述空穴阻擋層由2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑、(8-羥基喹啉)_鋁、4，7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、.2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲和1，2，4-三唑衍生物雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI, 08) - (1, 1'-聯(lián)苯-4-羥基)招中的一種材料形成； 所述電子傳輸層由所述電子傳輸材料形成或由第二摻雜劑摻雜于所述電子傳輸材料中形成，其中，所述第二摻雜劑選自碳酸鋰、疊氮化鋰、氟化鋰、疊氮化銫、碳酸銫和氟化銫中的一種，所述第二摻雜劑占所述電子傳輸層的質(zhì)量百分比為5~30%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的厚度為70-200納米；所述空穴傳輸層的厚度為20飛0納米；所述電子阻擋層的厚度為5~20納米；所述發(fā)光層的厚度為f 15納米；所述空穴阻擋層的厚度為5~20納米；所述電子傳輸層的厚度為.20~60納米。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供襯底； 采用磁控濺射在所述襯底上形成陽極； 采用真空蒸鍍?cè)谒鲫枠O上形成空穴傳輸層； 采用真空蒸鍍?cè)谒隹昭▊鬏攲由闲纬呻娮幼钃鯇樱? 采用真空蒸鍍?cè)谒鲭娮幼钃鯇由闲纬砂l(fā)光層； 采用真空蒸鍍?cè)谒霭l(fā)光層上形成空穴阻擋層； 采用真空蒸鍍?cè)谒隹昭ㄗ钃跎闲纬呻娮觽鬏攲?；? 采用熱蒸發(fā)或者電子束蒸發(fā)技術(shù)在所述電子傳輸層上形成第一金屬層，并在所述第一金屬層上形成復(fù)合層得到陰極，所述復(fù)合層包括依次層疊的1飛個(gè)基本單元，每個(gè)基本單元由層疊的透明介質(zhì)層和第二金屬層形成，所述透明介質(zhì)層的材料為一氧化硅、三氧化二鋪、氧化秘、氧化錯(cuò)、二氧化鈦、硒化鋅或硫化鋅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括對(duì)所述襯底進(jìn)行清洗干燥和對(duì)所述陽極等離子處理的步驟，對(duì)所述襯底進(jìn)行清洗干燥的步驟為將所述襯底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈?；?duì)所述陽極進(jìn)行等離子處理的步驟為將層疊于所述襯底的陽極放置于等離子處理室中處理10分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述真空蒸鍍的真空度為I X 10]~1 X l(T5Pa。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103682165SQ201210321813
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月3日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 馮小明, 鐘鐵濤 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司