專利名稱：微晶材料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種微晶材料。
背景技術：
微晶材料又稱玻璃陶瓷。它是由某些特定配方組成的各種硅酸鹽原料，通過特定的溫度制度或(和)光照(稱光敏)處理受控微晶化而形成的具有特定優(yōu)異性能的微晶相和殘余硅酸鹽相組成的多相固體材料。目前，市場上有一種具有導磁率的微晶材料，該微晶材料包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素，其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為83. 38%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為5. 66%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 29%、硅元素所占的質(zhì)量百分比為7. 7%、硼元素所占的質(zhì)量百分比為I. 97%，這種微晶材料的導磁率為100000亨利/米，最大導磁率為300000亨利/ 米。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種導磁率與最大導磁率都更大的微晶材料。為解決上述問題，本發(fā)明采用的技術方案是微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 34±0. 05%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為6. 77±O. 03 %、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 49±O. 02 %、娃元素所占的質(zhì)量百分比為
9.4±0· 1%。本發(fā)明的有益效果是上述微晶材料,其導磁率為155000亨利/米，最大導磁率為422000亨利/米，其導磁率與最大導磁率較之前都得到了增加。
具體實施例方式下面通過具體實施例對本發(fā)明微晶材料進一步描述。實施例一微晶材料，采用的配料包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 39%、銀元素所占的質(zhì)量百分比為6. 75%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 47%、娃元素所占的質(zhì)量百分比為9. 39%。實施例二 微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 29%,鈮元素所占的質(zhì)量百分比為6. 79%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 51%、硅元素所占的質(zhì)量百分比為9. 41 % ο實施例三微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 37%,鈮元素所占的質(zhì)量百分比為6. 75%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 49%、硅元素所占的質(zhì)量百分比為9. 39%?！?br> 權利要求
1.微晶材料，其特征在于所述微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82. 34±0. 05%、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為6. 77±0. 03%、銅元素所占的質(zhì)量百分比為I. 49±0. 02%、娃兀素所占的質(zhì)量百分比為9. 4±0. I %。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質(zhì)量百分比為82.34±0.05％、鈮元素所占的質(zhì)量百分比為6.77±0.03％、銅元素所占的質(zhì)量百分比為1.49±0.02％、硅元素所占的質(zhì)量百分比為9.4±0.1％，其導磁率為155000亨利/米，最大導磁率為422000亨利/米，其導磁率與最大導磁率較之前都得到了增加。
文檔編號H01F1/047GK102912257SQ20121039878
公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月19日 優(yōu)先權日2012年10月19日
發(fā)明者朱正才 申請人:張家港市清大星源微晶有限公司