專利名稱：半導(dǎo)體封裝體和堆疊半導(dǎo)體封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝體和堆疊半導(dǎo)體封裝體，更具體涉及可防止凸塊短路的半導(dǎo)體封裝體和堆疊半導(dǎo)體封裝體。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，隨著電子/電氣產(chǎn)品趨于高性能，電子應(yīng)用尺寸和重量減小。因此，為了滿足重量輕、纖小、緊湊和小型化產(chǎn)品的需求，半導(dǎo)體封裝體的薄型形成和高密度安裝是重要的。目前，在臺(tái)式PC、筆記本、移動(dòng)電話等中，隨著諸如RAM (隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和閃存存儲(chǔ)芯片的容量的增加，半導(dǎo)體封裝體的小型化趨勢(shì)變得突出。因此，研究和開(kāi)發(fā)了用作重要部件的半導(dǎo)體封裝體以具有小尺寸，并且提出和研究了以有限的尺寸在基板上安裝增加數(shù)量的半導(dǎo)體封裝體的各種技術(shù)。由于這樣的事實(shí)，提出當(dāng)采用相同存儲(chǔ)容量的芯片時(shí)能使得半導(dǎo)體封裝體的尺寸和厚度最小化的技術(shù)。作為示例，采用此技術(shù)制造的半導(dǎo)體封裝體稱為倒裝芯片封裝體體。這樣的倒裝芯片封裝體體的優(yōu)點(diǎn)在于，采用了能夠高密度封裝的接合工藝，并且根據(jù)需要確定半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部電路中接合墊的位置，因此簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，減小了電路布線的電阻，并且可減小功耗。此外，在倒裝芯片封裝體中，因?yàn)榭s短了電信號(hào)路徑，所以可改善半導(dǎo)體封裝體的運(yùn)行速度。因此，可獲得優(yōu)良的電特性，并且因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的后側(cè)暴露到外部，所以可獲得優(yōu)良的熱特性。典型地，在倒裝芯片封裝體中，基板和半導(dǎo)體芯片采用焊膏或凸塊彼此電連接。近來(lái)，為了克服 堆疊封裝體中采用金屬布線引起的問(wèn)題，防止堆疊封裝體的電特性劣化以及使得堆疊封裝體小型化，積極研究采用貫通電極的堆疊封裝體。在采用貫通電極的堆疊封裝體中，在堆疊各個(gè)半導(dǎo)體芯片時(shí)，粘合劑插設(shè)在半導(dǎo)體芯片的要彼此接觸的貫通電極之間，并且液相填充物通過(guò)底填工藝填充在除粘合劑之外的半導(dǎo)體芯片之間的空間中，由此半導(dǎo)體芯片彼此電連接且物理連接。因?yàn)殡娺B接采用貫通電極形成，所以防止了電性劣化，改善了半導(dǎo)體芯片的運(yùn)行速度，并且能夠積極適應(yīng)小型化趨勢(shì)。典型地，堆疊的半導(dǎo)體芯片之間的電連接采用連接構(gòu)件形成，該連接構(gòu)件插設(shè)在貫通電極的突出部分之間，其中突出部分從上半導(dǎo)體芯片的下表面和下半導(dǎo)體芯片的上襯墊突出出來(lái)以彼此接觸。例如，連接構(gòu)件可為焊料。然而，在電連接堆疊半導(dǎo)體芯片的過(guò)程中，頻繁發(fā)生的問(wèn)題是因?yàn)樯习雽?dǎo)體芯片和下半導(dǎo)體芯片可能電性短路。具體地，具有包括上襯墊的貫通電極的半導(dǎo)體芯片通過(guò)連接構(gòu)件的媒介電連接。就是說(shuō)，插設(shè)在上半導(dǎo)體芯片的貫通電極的突出部分和下半導(dǎo)體芯片的上襯墊之間的連接構(gòu)件采用回流工藝熔化，由此上半導(dǎo)體芯片和下半導(dǎo)體芯片彼此電連接。在這點(diǎn)上，通過(guò)回流工藝熔化的連接構(gòu)件很可能沿著上半導(dǎo)體芯片的貫通電極的突出部分滲漏進(jìn)入下半導(dǎo)體芯片的下表面且粘附到下半導(dǎo)體芯片的下表面。隨著下半導(dǎo)體芯片的部分厚度通過(guò)背研磨工藝從下半導(dǎo)體芯片的下表面去除，實(shí)際上構(gòu)成下半導(dǎo)體芯片的硅物質(zhì)因此暴露到外面。因?yàn)橛晒柚瞥傻陌雽?dǎo)體芯片是可允許微小電流通過(guò)的半導(dǎo)體，所以頻繁引起的問(wèn)題在于上半導(dǎo)體芯片和下半導(dǎo)體芯片很可能電性短路。這樣的短路可導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的誤操作，并且會(huì)導(dǎo)致制造產(chǎn)率銳減。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝體和堆疊半導(dǎo)體封裝體，其能夠防止由于不具有良好節(jié)距的凸塊的短路引起的制造產(chǎn)率下降。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝體包括半導(dǎo)體芯片，具有多個(gè)接合墊；電介質(zhì)構(gòu)件，形成在該半導(dǎo)體芯片之上使得各個(gè)接合墊的一部分被暴露且具有梯形截面形狀；以及凸塊，形成為覆蓋各個(gè)接合墊的暴露部分以及電介質(zhì)構(gòu)件的一部分且具有臺(tái)階狀截面形狀。每個(gè)凸塊可包括第一平坦部分，形成在接合墊的暴露部分之上；傾斜部分，從第一平坦部分的一端傾斜延伸并且形成在電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及第二平坦部分，從傾斜部分的一端延伸到電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。凸塊可包括種子金屬層，覆蓋接合墊的暴露部分和電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及金屬鍍覆層，形成在種子金屬層之上。金屬鍍覆層可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝體包括半導(dǎo)體芯片、電介質(zhì)構(gòu)件和凸塊。半導(dǎo)體芯片具有其上形成多個(gè)接合墊的第一表面和背對(duì)第一表面的第二表面，并且形成有通過(guò)第一表面和第二表面且與各個(gè)接合墊連接的貫通電極；電介質(zhì)構(gòu)件形成在第一表面之上使得各個(gè)接合墊的一部分被暴露并且形成在第一表面和第二表面之上使得貫通電極不被覆蓋，其中該電介質(zhì)構(gòu)件具有梯形截面形狀；凸塊形成在半導(dǎo)體芯片的第一表面和第二表面的暴露部分以及電介質(zhì)構(gòu)件的一部分之上，并且具有臺(tái)階狀截面形狀。每個(gè)凸塊可包括第一平坦部分，形成在接合墊的暴露部分之上；傾斜部分，從第一平坦部分的一端傾斜延伸并且形成在電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及第二平坦部分，從傾斜部分的一端延伸到電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。凸塊可包括種子金屬層，覆蓋接合墊的暴露部分和電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及金屬鍍覆層，形成在種子金屬層之上。金屬鍍覆層可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn) 的第二金屬層。形成在半導(dǎo)體芯片的第一表面之上的凸塊可設(shè)置為覆蓋接合墊地沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件覆蓋的暴露部分以及電介質(zhì)構(gòu)件的一半部分。形成在半導(dǎo)體芯片的第二表面之上的凸塊可設(shè)置為具有與各個(gè)貫通電極連接的一端和覆蓋各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件的一半的另一端。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，堆疊半導(dǎo)體封裝體包括第一半導(dǎo)體封裝體和第二半導(dǎo)體封裝體。第一半導(dǎo)體封裝體包括半導(dǎo)體芯片，具有第一表面和第二表面且在第一表面之上形成有多個(gè)接合墊；電介質(zhì)構(gòu)件，形成為覆蓋各個(gè)接合墊的一部分且具有梯形截面形狀；以及凸塊，形成為覆蓋各個(gè)接合墊的暴露部分以及電介質(zhì)構(gòu)件的一部分且具有臺(tái)階狀截面形狀。第二半導(dǎo)體封裝體具有與第一半導(dǎo)體封裝體相同的結(jié)構(gòu)，其中第一半導(dǎo)體封裝體和第二半導(dǎo)體封裝體堆疊為使得其凸塊彼此面對(duì)且彼此連接。每個(gè)凸塊可包括第一平坦部分，形成在接合墊的暴露部分之上；傾斜部分，從第一平坦部分的一端傾斜延伸且形成在電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及第二平坦部分，從傾斜部分的一端延伸到電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。凸塊可包括種子金屬層，覆蓋接合墊的暴露部分和電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及金屬鍍覆層，形成在種子金屬層之上。金屬鍍覆層可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，堆疊半導(dǎo)體封裝體包括第一半導(dǎo)體封裝體和第二半導(dǎo)體封裝體。第一半導(dǎo)體封裝體包括半導(dǎo)體芯片，具有第一表面和第二表面并且形成有在第一表面之上的多個(gè)接合墊以及穿過(guò)第一表面和第二表面且與各個(gè)接合墊連接的貫通電極；電介質(zhì)構(gòu)件，形成在第一表面和第二表面之上使得各個(gè)接合墊的一部分被暴露且不覆蓋貫通電極，具有梯形截面形狀；以及凸塊，形成為覆蓋半導(dǎo)體芯片的第一表面和第二表面的暴露部分和各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件的一部分且具有臺(tái)階狀截面形狀。第二半導(dǎo)體封裝體具有與第一半導(dǎo)體封裝體相同的結(jié)構(gòu)，其中第一半導(dǎo)體封裝體和第二半導(dǎo)體封裝體堆疊為使第二半導(dǎo)體封裝體的第二表面面對(duì)第一半導(dǎo)體封裝體的第一表面。

每個(gè)凸塊可包括第一平坦部分，形成在接合墊的暴露部分之上；傾斜部分，從第一平坦部分的一端傾斜延伸且形成在電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及第二平坦部分，從傾斜部分的一端延伸到電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。凸塊可包括種子金屬層，覆蓋接合墊的暴露部分和電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及金屬鍍覆層，形成在種子金屬層之上。金屬鍍覆層可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層。形成在半導(dǎo)體芯片的第一表面之上的凸塊可設(shè)置為覆蓋接合墊的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件覆蓋的暴露部分和各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件的一半。形成在半導(dǎo)體芯片的第二表面之上的凸塊可設(shè)置為具有與各個(gè)貫通電極連接的一端和覆蓋各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件的一半的另一端。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的截面圖；圖2A至2G是順序示出制造圖1所示半導(dǎo)體封裝體的方法的工藝的截面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的截面圖；圖5和6是示出根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖；圖7是應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的電子應(yīng)用的系統(tǒng)模塊圖；以及
圖8是示出包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的電子應(yīng)用示例的模塊圖。
具體實(shí)施例方式以下，將參考附圖具體描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。這里，應(yīng)理解附圖不必按比例且在一些情況下比例可能被夸大以更清楚地顯示本發(fā)明的某些特征。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的截面圖。參見(jiàn)圖1，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體100包括半導(dǎo)體芯片110、電介質(zhì)構(gòu)件120和凸塊130。半導(dǎo)體芯片110具有第一表面IlOa和背對(duì)第一表面IlOa的第二表面110b。第一表面I IOa和第二表面IlOb中的至少一個(gè)用作有源表面,并且有源表面包括電路單兀(未不出)和接合墊111。在本實(shí)施例中，第一表面IlOa用作有源表面。電路單元例如可包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部分和/或用于處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理部分。多個(gè)接合墊111可以規(guī)則間隔(間距)設(shè)置在半導(dǎo)體芯片110的第一表面IlOa上。電介質(zhì)構(gòu)件120形成為選擇性地覆蓋接合墊111的一部分，并且具有梯形截面形狀，其中電介質(zhì)構(gòu)件120的每一個(gè)都可選擇性覆蓋接合墊111的各接合墊的一部分。因此，電介質(zhì)構(gòu)件120的兩側(cè)表面形成為以預(yù)定的角度傾斜。電介質(zhì)構(gòu)件120可用于吸收施加到半導(dǎo)體封裝體100的外部震動(dòng)。凸塊130用于電連 接和機(jī)械連接半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片與基板，并且用作電信號(hào)的傳輸通道和 機(jī)械連接。凸塊130形成為覆蓋各接合墊111的暴露部分(其中接合墊111的暴露部分是接合墊111的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件120覆蓋的部分)，并且基本上覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件120的一半部分。在這點(diǎn)上，凸塊130形成在各電介質(zhì)構(gòu)件120的一側(cè)表面上(換言之，凸塊130中的凸塊可覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件120中的電介質(zhì)構(gòu)件的一側(cè)表面)。因此，凸塊130也以預(yù)定角度傾斜。結(jié)果，傾斜的凸塊130以這樣的方式可形成為可在有限空間內(nèi)最大限度地與另外的相鄰?fù)箟K分開(kāi)，因此可最小化凸塊130之間的干擾，由此能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好節(jié)距的凸塊。每個(gè)凸塊130都包括第一平坦部分130a、傾斜部分130b和第二平坦部分130c，第一平坦部分130a形成在接合墊111的暴露部分上/之上，并且可延伸超過(guò)接合墊111的暴露部分以覆蓋半導(dǎo)體芯片110的一部分，傾斜部分130b從第一平坦部分130a的一端傾斜延伸，并且形成在電介質(zhì)構(gòu)件120的側(cè)表面上，第二平坦部分130c從傾斜部分130b的一端延伸到電介質(zhì)構(gòu)件120的上表面的中間。每個(gè)凸塊130都具有臺(tái)階狀截面形狀。凸塊130例如可包括種子金屬層131以及金屬鍍覆層132和133。種子金屬層131形成在半導(dǎo)體芯片110的接合墊111上。種子金屬層131形成為從接合墊111的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件120覆蓋的暴露端延伸，以覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件120的一側(cè)和基本上電介質(zhì)構(gòu)件120的上表面的中間。金屬鍍覆層132和133可形成在種子金屬層131上以與種子金屬層131具有相同的長(zhǎng)度，并且可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層132以及具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層133。例如，第一金屬層132可由銅形成，并且第二金屬層133可由焊料形成。
圖2A至2G是順序示出制造圖1所示半導(dǎo)體封裝體的方法的工藝的截面圖。參見(jiàn)圖2A，多個(gè)接合墊111形成在通過(guò)預(yù)定單元工藝制造的半導(dǎo)體芯片110的第一表面IlOa上。參見(jiàn)圖2B，在電介質(zhì)物質(zhì)施加或沉積在半導(dǎo)體芯片110上后，部分的電介質(zhì)物質(zhì)被去除以暴露部分的接合墊111，從而形成具有預(yù)定高度的電介質(zhì)構(gòu)件120。此外，在去除部分的電介質(zhì)物質(zhì)后，電介質(zhì)構(gòu)件120的一部分可分別覆蓋接合墊111中的各個(gè)接合墊的一部分。電介質(zhì)構(gòu)件120被圖案化為具有兩側(cè)表面傾斜的梯形截面形狀。參見(jiàn)圖2C和2D,用于執(zhí)行電鍍工藝的種子金屬層131沉積在形成有電介質(zhì)構(gòu)件120的半導(dǎo)體芯片110上。其后，光致抗蝕劑140形成在種子金屬層131上。通過(guò)采用掩模圖案(未示出)部分地去除光致抗蝕劑140，暴露種子金屬層131的一部分，其中種子金屬層131的暴露部分基本上為位于接合墊111的一部分上以及電介質(zhì)構(gòu)件120上的那些部分。光致抗蝕劑140用于最大化電鍍面積，電鍍面積之上基本上要執(zhí)行電鍍工藝，從而獲得所希望的結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖2E，通過(guò)在半導(dǎo)體芯片110上執(zhí)行鍍覆工藝而在種子金屬層131上形成金屬鍍覆層132和133，由此凸塊130完整地形成?？紤]在隨后的接合工藝中用于接合另一半導(dǎo)體芯片(或印刷電路板)的熱壓條件而決定凸塊130的高度。

參見(jiàn)圖2F，通過(guò)剝離工藝完全去除半導(dǎo)體芯片110上保持的光致抗蝕劑140。在去除光致抗蝕劑140后，種子金屬層131的沒(méi)有被覆蓋和/或暴露的部分保留在電介質(zhì)構(gòu)件120和半導(dǎo)體芯片110上。參見(jiàn)圖2G，通過(guò)在去除光致抗蝕劑140后蝕刻種子金屬層131的暴露部分，各凸塊130形成為具有傾斜部分。從而，由于兩個(gè)相鄰?fù)箟K之間的距離可在有限的空間內(nèi)被最大化，所以能夠制造具有良好節(jié)距的半導(dǎo)體封裝體。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)圖3，根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體包括第一半導(dǎo)體封裝體200和第二半導(dǎo)體封裝體300。第一半導(dǎo)體封裝體200和第二半導(dǎo)體封裝體300堆疊為使得它們各自的有源表面彼此面對(duì)。第一半導(dǎo)體封裝體200包括半導(dǎo)體芯片210、電介質(zhì)構(gòu)件220以及凸塊230 ;第二半導(dǎo)體封裝體300包括半導(dǎo)體芯片310、電介質(zhì)構(gòu)件320以及凸塊330。半導(dǎo)體芯片210具有第一表面210a和背向第一表面210a的第二表面210b ;半導(dǎo)體芯片310具有第一表面310a以及背向第一表面310a的第二表面310b。半導(dǎo)體芯片210的有源表面210a包括電路單元(未示出)以及接合墊211 ;半導(dǎo)體芯片310的有源表面310a包括電路單元(未示出)以及接合墊311。電路單元例如可包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部分和/或用于處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理部分。多個(gè)接合墊211例如可以規(guī)則的間隔(間距)設(shè)置在半導(dǎo)體芯片210的上表面上；多個(gè)接合墊311例如可以規(guī)則的間隔(間距)設(shè)置在半導(dǎo)體芯片310的上表面上。電介質(zhì)構(gòu)件220突出地形成為選擇性覆蓋接合墊211的一部分，并且具有梯形截面形狀；電介質(zhì)構(gòu)件320突出地形成為選擇性覆蓋接合墊311的一部分，并且具有梯形截面形狀。因此，電介質(zhì)構(gòu)件220和320的側(cè)表面形成為以預(yù)定的角度傾斜。凸塊230形成為覆蓋接合墊211的暴露部分，這里的接合墊211的暴露部分是接合墊211的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件220覆蓋的那些部分；凸塊330形成為覆蓋接合墊311的暴露部分，這里的接合墊311的暴露部分是接合墊311的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件320覆蓋的那些部分。此外，凸塊230形成為基本上覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件220的一半部分；凸塊330形成為基本上覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件320的一半部分。這樣，因?yàn)橥箟K230形成在電介質(zhì)構(gòu)件220的一側(cè)表面上，凸塊330形成在電介質(zhì)構(gòu)件320的一側(cè)表面上，所以凸塊230和330也以與電介質(zhì)構(gòu)件120相同的預(yù)定角度傾斜。結(jié)果，因?yàn)橥箟K230和330形成為以這樣的方式傾斜，所以每個(gè)凸塊可與其它相鄰的凸塊最低限度地干擾，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好節(jié)距的凸塊。凸塊230例如可包括種子金屬層231以及金屬鍍覆層232和233 ;凸塊330例如可包括種子金屬層331以及金屬鍍覆層332和333。種子金屬層231形成在半導(dǎo)體芯片210的接合墊211上，種子金屬層331形成在半導(dǎo)體芯片310的接合墊311上。種子金屬層231形成為從接合墊211的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件220覆蓋的暴露端基本上延伸到電介質(zhì)構(gòu)件220的上表面的中間，其中電介質(zhì)構(gòu)件從半導(dǎo)體芯片210的表面向外突出；種子金屬層331形成為從接合墊311的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件320覆蓋的暴露端基本上延伸到電介質(zhì)構(gòu)件320的上表面的中間，其中電介質(zhì)構(gòu)件從半導(dǎo)體芯片310的表面向外突出。金屬鍍覆層232和233可形成在種子金屬層231上以與種子金屬層231具有相同的長(zhǎng)度，并且可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層232以及具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層233 ;金屬鍍覆層332和333可形成在種子金屬層331上以與種子金屬層331具有相同的長(zhǎng)度，并且可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層332以及具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層333。例如,第一金屬層232和332可由銅形成，并且第二金屬層233和333可由焊料形成。在根據(jù)實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體中，第一半導(dǎo)體封裝體200和第二半導(dǎo)體封裝體300堆疊為使得第一半導(dǎo)體封裝體200的第一表面210a和第二半導(dǎo)體封裝體300的第一表面310a彼此面對(duì)。就是說(shuō)，通過(guò)在各個(gè)半導(dǎo)體封裝體200和300的凸塊230和330彼此連接后執(zhí)行熱壓，可形成包括兩個(gè)單元半導(dǎo)體封裝體的堆疊結(jié)構(gòu)350。

因?yàn)楦鱾€(gè)凸塊230和330形成為傾斜，所以可充分保證兩個(gè)相鄰?fù)箟K之間的距離，并且因?yàn)楦鱾€(gè)凸塊230和330由設(shè)置在其間的電介質(zhì)構(gòu)件220和320彼此隔離，所以能夠防止發(fā)生短路。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體的截面圖。參見(jiàn)圖4，根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體400包括半導(dǎo)體芯片410，其具有第一表面410a和第二表面410b,第一表面410a形成為具有以規(guī)則間隔分隔的多個(gè)接合墊411。在一些實(shí)施例中，第二表面410b不包括接合墊411。半導(dǎo)體芯片410包括通孔412和貫通電極413，通孔412穿過(guò)第一表面410a和第二表面410b以與接合墊411連接，貫通電極413形成在各個(gè)通孔412中且與各個(gè)接合墊411連接。半導(dǎo)體芯片410還包括以規(guī)則間隔形成在第一表面410a和第二表面410b上的電介質(zhì)構(gòu)件420和凸塊430。電介質(zhì)構(gòu)件420突出地形成在半導(dǎo)體芯片410的第一表面410a和第二表面410b上，使得電介質(zhì)構(gòu)件420與貫通電極413不接觸，并且具有梯形截面形狀。因此，電介質(zhì)構(gòu)件420的兩側(cè)表面形成為以預(yù)定的角度傾斜。形成在第一表面410a上的電介質(zhì)構(gòu)件420設(shè)置為選擇性覆蓋接合墊411的一部分。
凸塊430形成為從半導(dǎo)體芯片410的第一表面410a和第二表面410b的暴露部分延伸到各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件420的一部分。形成在第一表面410a上的凸塊430形成為覆蓋接合墊411的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件420覆蓋的剩余部分，并且凸塊430可覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件420的一半。形成在第二表面410b上的凸塊430形成為具有與貫通電極413中的各貫通電極連接的一端和覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件420中的各電介質(zhì)構(gòu)件的一半部分的另一端。從而，形成在第一表面410a上的凸塊430和形成在第二表面410b上的凸塊430可通過(guò)貫通電極413彼此電連接。因?yàn)楦鱾€(gè)凸塊430形成在電介質(zhì)構(gòu)件420的具有梯形截面形狀的側(cè)表面上，所以凸塊430也以與其上形成有凸塊430的電介質(zhì)構(gòu)件420側(cè)相同的預(yù)定角度傾斜。結(jié)果，因?yàn)橥箟K430形成為以這樣的方式傾斜，所以每個(gè)凸塊可最低限度地干擾其它相鄰?fù)箟K，因此能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好節(jié)距的凸塊。凸塊430例如可包括種子金屬層431和金屬鍍覆層432和433,種子金屬層431形成在第一表面410a的接合墊411上且形成在第二表面410b上，金屬鍍覆層432和433形成在種子金屬層431上。在第一表面410a上，種子金屬層431形成為從接合墊411的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件420覆蓋而暴露的部分延伸到電介質(zhì)構(gòu)件420的一部分。在第二表面410b上,種子金屬層431可形成為從暴露的貫通電極413延伸到電介質(zhì)構(gòu)件420的一部分。金屬鍍覆層432和433可形成在種子金屬層431上以與種子金屬層431具有相同的長(zhǎng)度，并且可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層432和具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層433。例如,第一金屬層432可由銅形成，并且第二金屬層433可由焊料形成。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖。參見(jiàn)圖5，根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體包括第一半導(dǎo)體封裝體500和第二半導(dǎo)體封裝體 600。第一半導(dǎo)體封裝體500和第二半導(dǎo)體封裝體600堆疊為使得第一半導(dǎo)體封裝體500的第一表面510a和第二半導(dǎo)體封裝體600的第二表面610b彼此面對(duì)。第一半導(dǎo)體封裝體500包括半導(dǎo)體芯片510、電介質(zhì)構(gòu)件520以及凸塊530 ;第二半導(dǎo)體封裝體600包括半導(dǎo)體芯片610、電介質(zhì)構(gòu)件620以及凸塊630。半導(dǎo)體芯片510具有第一表面510a以及第二表面510b,并且以規(guī)則的間隔形成有多個(gè)接合墊511 ;半導(dǎo)體芯片610具有第一表面610a以及第二表面610b，并且以規(guī)則的間隔形成有多個(gè)接合墊611。半導(dǎo)體芯片510包括穿過(guò)第一表面510a和第二表面510b以與接合墊511連接的通孔512，并且貫通電極513形成在各個(gè)通孔512中；半導(dǎo)體芯片610包括穿過(guò)第一表面610a和第二表面610b以與接合墊611連接的通孔612，并且貫通電極613形成在各個(gè)通孔612中。電介質(zhì)構(gòu)件520突出地形成在半導(dǎo)體芯片510的第一表面510a上,使得電介質(zhì)構(gòu)件520與貫通電極513不直接接觸，并且電介質(zhì)構(gòu)件520具有梯形截面形狀；電介質(zhì)構(gòu)件620突出地形成在半導(dǎo)體芯片610的第二表面610b上，使電介質(zhì)構(gòu)件620與貫通電極613不直接接觸，并且電介質(zhì)構(gòu)件620具有梯形截面形狀。從而，電介質(zhì)構(gòu)件520和620的兩側(cè)表面形成為以預(yù)定的角度傾斜。形成在第一表面510a上的電介質(zhì)構(gòu)件520設(shè)置為選擇性覆蓋接合墊511的一部分；形成在第一表面610a上的電介質(zhì)構(gòu)件620設(shè)置為選擇性覆蓋接合墊611的一部分。
形成在第一表面510a上的凸塊530形成為覆蓋接合墊511的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件520覆蓋的剩余部分,并且凸塊530可分別覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件520中的各電介質(zhì)構(gòu)件的一半；形成在第一表面610a上的凸塊630形成為覆蓋接合墊611的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件620覆蓋的剩余部分，并且凸塊630可分別覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件620中的各電介質(zhì)構(gòu)件的一半。第二表面510b上形成的凸塊530具有與貫通電極513連接的一端以及覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件520的一半部分的另一端；形成在第二表面610b上的凸塊630具有與貫通電極613連接的一端以及覆蓋電介質(zhì)構(gòu)件620的一半部分的另一端。因此,形成在第一表面510a上的凸塊530以及形成在第二表面510b上的凸塊530可通過(guò)貫通電極513彼此電連接；形成在第一表面610a上的凸塊630以及形成在第二表面610b上的凸塊630可通過(guò)貫通電極613彼此電連接。因?yàn)楦鱾€(gè)凸塊530形成在具有梯形截面形狀的電介質(zhì)構(gòu)件520的側(cè)表面上，所以凸塊530也以與其上形成有凸塊530的電介質(zhì)構(gòu)件520的側(cè)面相同的傾斜角傾斜；因?yàn)楦鱾€(gè)凸塊630形成在具有梯形截面形狀的電介質(zhì)構(gòu)件620的側(cè)表面上，所以凸塊630也以與其上形成有凸塊630的電介質(zhì)構(gòu)件620的側(cè)面相同的傾斜角傾斜。結(jié)果，因?yàn)橥箟K530和630形成為以這樣的方式傾斜，所以每個(gè)凸塊可最低程度地干擾其它相鄰?fù)箟K，因此能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好節(jié)距的凸塊。凸塊530例如可包括形成在第一表面510a上的接合墊511上的種子金屬層531和可形成在第二表面510b上的種子金屬層531 ;凸塊630例如可包括形成在第一表面610a上的接合墊611上的種子金屬層631以及可形成在第二表面610b上的種子金屬層631。凸塊530還可包括形成在種子金屬層531上的金屬鍍覆層532和533 ;凸塊630還可包括形成在種子金屬層631上的金屬鍍覆層632和633。種子金屬層531形成為從接合墊511的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件520覆蓋的暴露部分延伸到電介質(zhì)構(gòu)件520的一部分；種子金屬層631形成為從接合墊611的沒(méi)有被電介質(zhì)構(gòu)件620覆蓋的暴露部分延伸到電介質(zhì)構(gòu)件620的一部分。金屬鍍覆層532和533可形成在種子金屬層531上以與種子金屬層531具有相同的長(zhǎng)度，并且可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層532和具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層533 ;金屬鍍覆層632和633可形成在種子金屬層631上以與種子金屬層631具有相同的長(zhǎng)度，并且可包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層632和具有低于第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層633。例如,第一金屬層532和632可由銅形成，并且第二金屬層533和633可由焊料形成。在根據(jù)本實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體中，在第一半導(dǎo)體封裝體500和第二半導(dǎo)體封裝體600堆疊為使得形成在第一半導(dǎo)體封裝體500的第一表面510a上的凸塊530和形成在第二半導(dǎo)體封裝體600的第二表面610b上的凸塊630彼此連接之后，執(zhí)行熱壓，可形成包括兩個(gè)單元半導(dǎo)體封裝體的堆疊結(jié)構(gòu)650。因?yàn)楦鱾€(gè)凸塊530和630形成為傾斜，所以可充分保證兩個(gè)相鄰?fù)箟K之間的距離，并且因?yàn)楦鱾€(gè)凸塊530和630由設(shè)置在其間的電介質(zhì)構(gòu)件520和620彼此隔離，所以能夠
防止發(fā)生短路。如圖6所示，通過(guò)在根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝體中擴(kuò)展地應(yīng)用這樣的方案，可易于堆疊至少三個(gè)單元半導(dǎo)體封裝體。上述的半導(dǎo)體封裝技術(shù)可應(yīng)用于各種半導(dǎo)體裝置及具有其的封裝模塊。

參見(jiàn)圖7，根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體可應(yīng)用于電子系統(tǒng)10。電子系統(tǒng)10可包括控制器11、輸入/輸出單元12、存儲(chǔ)器13和接口 14。控制器11、輸入/輸出單元12和存儲(chǔ)器13可通過(guò)母線15彼此耦合，母線15提供數(shù)據(jù)移動(dòng)的通道。例如，控制器11可至少包括至少一個(gè)微處理器、至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器、至少一個(gè)微控制器以及能夠執(zhí)行這些部件的相同功能的邏輯器件的任何一個(gè)?？刂破?1和存儲(chǔ)器13可包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體中的至少任何一個(gè)。輸入/輸出單元12可包括選自鍵區(qū)、鍵盤(pán)、顯示裝置等中的至少一個(gè)。存儲(chǔ)器13是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的裝置。存儲(chǔ)器13可存儲(chǔ)控制器11等要執(zhí)行的指令和/或數(shù)據(jù)等。存儲(chǔ)器13可包括諸如DRAM的易失性存儲(chǔ)器和/或諸如閃存的非易失性存儲(chǔ)裝器。例如，閃存可安裝到諸如移動(dòng)終端或臺(tái)式計(jì)算機(jī)的信息處理系統(tǒng)。閃存可由半導(dǎo)體磁盤(pán)裝置(semiconductor disc device, SSD)構(gòu)成。在此情況下，電子系統(tǒng)10可在閃存系統(tǒng)中穩(wěn)定地存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。電子系統(tǒng)10還可包括接口 14，其構(gòu)造為從通訊網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)或傳輸數(shù)據(jù)至通信網(wǎng)絡(luò)。接口 14可為有限型或無(wú)線型。例如，接口 14可包括天線或有線或無(wú)線收發(fā)器。此夕卜，電子系統(tǒng)10可附加地提供有應(yīng)用芯片組、照相機(jī)成像處理器(CIS)、輸入/輸出單元等。電子系統(tǒng)10可實(shí)現(xiàn)為移動(dòng)系統(tǒng)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、工業(yè)計(jì)算機(jī)或執(zhí)行各種功能的邏輯系統(tǒng)。例如，該移動(dòng)系統(tǒng)可為個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)寫(xiě)字板、移動(dòng)電話、無(wú)線電話、膝上計(jì)算機(jī)、存儲(chǔ)卡、數(shù)字音樂(lè)系統(tǒng)和信息傳輸/接收系統(tǒng)中的任何一個(gè)。當(dāng)電子系統(tǒng)10是能夠執(zhí)行無(wú)線通信的設(shè)備時(shí)，電子系統(tǒng)10可用在諸如CDMA (碼分多址)、GSM (全球移動(dòng)通信系統(tǒng))、NADC (北美數(shù)字蜂窩)、E-TDMA (增強(qiáng)時(shí)分多址)、WCDAM (寬帶碼分多址)和CDMA2000的通訊系統(tǒng)中。 參見(jiàn)圖8，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體可提供為存儲(chǔ)卡20的形式。例如，存儲(chǔ)卡20可包括諸如非易失性存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器21和存儲(chǔ)控制器22。存儲(chǔ)器21和存儲(chǔ)控制器22可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器21可包括應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的封裝技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)裝置中的至少任何一個(gè)。存儲(chǔ)控制器22可控制存儲(chǔ)器21，使得響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)23的讀取/寫(xiě)入要求而讀出存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。盡管為了說(shuō)明的目的已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在不偏離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種替換、添加和替換是可能的。本申請(qǐng)要求2011年10月21日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2011-0108307號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝體，包括 半導(dǎo)體芯片，具有多個(gè)接合墊； 電介質(zhì)構(gòu)件，形成在該半導(dǎo)體芯片之上使得各接合墊的一部分被暴露，并且具有梯形截面形狀；以及 凸塊，形成為覆蓋各該接合墊的暴露部分和該電介質(zhì)構(gòu)件的一部分，并且具有臺(tái)階狀截面形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中每個(gè)凸塊包括 第一平坦部分，形成在該接合墊的該暴露部分之上； 傾斜部分，從該第一平坦部分的一端傾斜延伸并且形成在該電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及 第二平坦部分，從該傾斜部分的一端延伸到該電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中該凸塊包括 種子金屬層，覆蓋該接合墊的該暴露部分和該電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及 金屬鍍覆層，形成在該種子金屬層之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝體，其中該金屬鍍覆層包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于該第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層。
5.一種半導(dǎo)體封裝體，包括 半導(dǎo)體芯片，具有第一表面和背對(duì)該第一表面的第二表面，該第一表面上形成有多個(gè)接合墊，并且該半導(dǎo)體芯片形成有穿過(guò)該第一表面和該第二表面且與各接合墊連接的貫通電極； 電介質(zhì)構(gòu)件，形成在該第一表面之上使得各個(gè)該接合墊的一部分被暴露，并且形成在該第一表面和第二表面之上使得該貫通電極不被覆蓋，并且其中該電介質(zhì)構(gòu)件具有梯形截面形狀；以及 凸塊，形成在該半導(dǎo)體芯片的該第一表面和該第二表面的暴露部分之上以及該電介質(zhì)構(gòu)件的一部分之上，并且具有臺(tái)階狀截面形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝體，其中每個(gè)凸塊包括 第一平坦部分，形成在該接合墊的暴露部分之上； 傾斜部分，從該第一平坦部分的一端傾斜延伸并且形成在該電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及 第二平坦部分，從該傾斜部分的一端延伸到該電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝體，其中該凸塊包括 種子金屬層，覆蓋該接合墊的該暴露部分和該電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及 金屬鍍覆層，形成在該種子金屬層之上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝體，其中該金屬鍍覆層包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于該第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝體，其中形成在該半導(dǎo)體芯片的第一表面之上的該凸塊設(shè)置為覆蓋該接合墊的沒(méi)有被該電介質(zhì)構(gòu)件覆蓋的暴露部分以及該電介質(zhì)構(gòu)件的一半部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝體，其中形成在該半導(dǎo)體芯片的第二表面之上的該凸塊設(shè)置為具有與各貫通電極連接的一端和覆蓋各電介質(zhì)構(gòu)件的一半的另一端。
11.一種堆疊半導(dǎo)體封裝體，包括 第一半導(dǎo)體封裝體，包括半導(dǎo)體芯片、電介質(zhì)構(gòu)件和凸塊，該半導(dǎo)體芯片具有第一表面和第二表面并且在該第一表面之上形成有多個(gè)接合墊，該電介質(zhì)構(gòu)件形成為暴露各個(gè)該接合墊的一部分且具有梯形截面形狀，該凸塊形成為覆蓋各個(gè)該接合墊的暴露部分和該電介質(zhì)構(gòu)件的一部分并且具有臺(tái)階狀截面形狀；以及 第二半導(dǎo)體封裝體，具有與該第一半導(dǎo)體封裝體相同的結(jié)構(gòu)， 其中該第一半導(dǎo)體封裝體和第二半導(dǎo)體封裝體堆疊為使得其凸塊彼此面對(duì)且彼此連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊半導(dǎo)體封裝體，其中每個(gè)凸塊包括 第一平坦部分，形成在該接合墊的暴露部分之上； 傾斜部分，從該第一平坦部分的一端傾斜延伸，并且形成在該電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及 第二平坦部分，從該傾斜部分的一端延伸到該電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊半導(dǎo)體`封裝體，其中該凸塊包括 種子金屬層，覆蓋該接合墊的該暴露部分和該電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及 金屬鍍覆層，形成在該種子金屬層之上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的堆疊半導(dǎo)體封裝體，其中該金屬鍍覆層包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于該第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層。
15.一種堆疊半導(dǎo)體封裝體，包括 第一半導(dǎo)體封裝體，包括半導(dǎo)體芯片、電介質(zhì)構(gòu)件以及凸塊，該半導(dǎo)體芯片具有第一表面和第二表面且形成有在該第一表面之上的多個(gè)接合墊以及穿過(guò)該第一表面和該第二表面且與各個(gè)該接合墊連接的貫通電極，該電介質(zhì)構(gòu)件形成在該第一表面和該第二表面上使得各個(gè)該接合墊的一部分被暴露且不覆蓋該貫通電極，且該電介質(zhì)構(gòu)件具有梯形截面形狀，該凸塊形成為覆蓋該半導(dǎo)體芯片的第一表面和第二表面的暴露部分以及各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件的一部分且具有臺(tái)階狀截面形狀；以及 第二半導(dǎo)體封裝體，具有與該第一半導(dǎo)體封裝體相同的結(jié)構(gòu)， 其中該第一半導(dǎo)體封裝體和該第二半導(dǎo)體封裝體堆疊為使得該第二半導(dǎo)體封裝體的第二表面面對(duì)該第一半導(dǎo)體封裝體的第一表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆疊半導(dǎo)體封裝體，其中每個(gè)凸塊包括 第一平坦部分，形成在該接合墊的暴露部分之上； 傾斜部分，從該第一平坦部分的一端傾斜延伸并且形成在該電介質(zhì)構(gòu)件的側(cè)表面之上；以及 第二平坦部分，從該傾斜部分的一部延伸到該電介質(zhì)構(gòu)件的上表面的中間。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆疊半導(dǎo)體封裝體，其中該凸塊包括 種子金屬層，覆蓋該接合墊的暴露部分和該電介質(zhì)構(gòu)件的一部分；以及 金屬鍍覆層，形成在該種子金屬層之上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的堆疊半導(dǎo)體封裝體，其中該金屬鍍覆層包括具有第一熔點(diǎn)的第一金屬層和具有低于該第一熔點(diǎn)的第二熔點(diǎn)的第二金屬層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆疊半導(dǎo)體封裝體，其中形成在該半導(dǎo)體芯片的第一表面之上的該凸塊設(shè)置為覆蓋該接合墊的沒(méi)有被該電介質(zhì)構(gòu)件覆蓋的暴露部分以及各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件的一半。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的堆疊半導(dǎo)體封裝體，其中形成在該半導(dǎo)體芯片的第二表面之上的該凸塊設(shè)置為具有與各個(gè)貫通電極連接的一端和覆蓋各個(gè)電介質(zhì)構(gòu)件的一半的另一端。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體封裝體和堆疊半導(dǎo)體封裝體。半導(dǎo)體封裝體包括半導(dǎo)體芯片，具有多個(gè)接合墊；電介質(zhì)構(gòu)件，形成在半導(dǎo)體芯片之上使得各個(gè)接合墊的一部分被暴露，并且具有梯形截面形狀；以及凸塊，形成為覆蓋各個(gè)接合墊的暴露部分和電介質(zhì)構(gòu)件的一部分，并且具有臺(tái)階狀截面形狀。
文檔編號(hào)H01L23/498GK103066052SQ20121040280
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月21日
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