陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，包括陶瓷真空密封罩和設(shè)于該陶瓷真空密封罩內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)，在所述陶瓷真空密封罩和其內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)之間設(shè)有屏蔽罩，可有效提高繼電器的電負(fù)載壽命，并不會(huì)對(duì)繼電器性能產(chǎn)生不良影響；同時(shí)在陶瓷真空密封罩內(nèi)設(shè)一臺(tái)階，并在臺(tái)階上設(shè)了一層金屬層，可以方便的將屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。
【專利說明】陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，市場(chǎng)上現(xiàn)有的陶瓷真空繼電器由真空室、傳動(dòng)部分、線圈等組成，此類繼電器具有在高電壓下通斷負(fù)載的能力，由于繼電器在通斷負(fù)載時(shí)真空電弧會(huì)將金屬蒸汽蒸散到陶瓷內(nèi)表面，使繼電器的絕緣電阻降低，從而影響其壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，有效提高繼電器的電負(fù)載壽命。
[0004]本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，包括陶瓷真空密封罩和設(shè)于該陶瓷真空密封罩內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)，在所述陶瓷真空密封罩和其內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)之間設(shè)有屏蔽罩。
[0005]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上。
[0006]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上的結(jié)構(gòu)為:所述陶瓷真空密封罩和所述屏蔽罩均呈一表面開口的圓柱形，在所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上沿其周向設(shè)有一遠(yuǎn)離其軸線的臺(tái)階，該臺(tái)階上間隔設(shè)有若干個(gè)凸起，所述屏蔽罩開口的表面上向外一周設(shè)有凸棱，所述屏蔽罩置于所述陶瓷真空密封罩內(nèi)時(shí)該凸棱正好置于所述臺(tái)階上，且該凸棱上對(duì)應(yīng)所述臺(tái)階的凸起處設(shè)有凹槽。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述臺(tái)階表面設(shè)有一層金屬層。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:通過在陶瓷真空密封罩內(nèi)設(shè)一屏蔽罩可有效提高繼電器的電負(fù)載壽命，并不會(huì)對(duì)繼電器性能產(chǎn)生不良影響；同時(shí)在陶瓷真空密封罩內(nèi)設(shè)一臺(tái)階，并對(duì)臺(tái)階進(jìn)行了金屬化處理即設(shè)一層金屬層，可以方便的將屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2為本發(fā)明所述陶瓷真空密封罩結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖3為本發(fā)明所述屏蔽罩結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]結(jié)合附圖，作以下說明:
[0013]I——陶瓷真空密封罩2——屏蔽罩
[0014]11——臺(tái)階12——凸起
[0015]21-凸棱22-凹槽
【具體實(shí)施方式】
[0016]結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)說明，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述實(shí)施例，即但凡以本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍及說明書內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋范圍之內(nèi)。
[0017]如圖1所示，一種陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，包括陶瓷真空密封罩I和設(shè)于該陶瓷真空密封罩內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)，在所述陶瓷真空密封罩和其內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)之間設(shè)有屏蔽罩2，可以提高繼電器的負(fù)載壽命，相對(duì)目前未設(shè)置屏蔽罩的繼電器提高了約10倍。
[0018]優(yōu)選的，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上。
[0019]優(yōu)選的，如圖2、3所示，所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上的結(jié)構(gòu)為:所述陶瓷真空密封罩和所述屏蔽罩均呈一表面開口的圓柱形，在所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上沿其周向設(shè)有一遠(yuǎn)離其軸線的臺(tái)階11，該臺(tái)階上間隔設(shè)有若干個(gè)凸起12，所述屏蔽罩開口的表面上向外一周設(shè)有凸棱21，所述屏蔽罩置于所述陶瓷真空密封罩內(nèi)時(shí)該凸棱正好置于所述臺(tái)階上，且該凸棱上對(duì)應(yīng)所述臺(tái)階的凸起處設(shè)有凹槽22。凹槽和凸起的配合有利于屏蔽罩和陶瓷真空密封罩更好的固定，并防止屏蔽罩相對(duì)陶瓷真空密封罩轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0020]優(yōu)選的，所述臺(tái)階表面設(shè)有一層金屬層，以便將屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。同時(shí)，可通過高溫材料將屏蔽罩焊接在陶瓷真空密封罩上，避免使用過程中出現(xiàn)松動(dòng)。
【權(quán)利要求】
1.一種陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，包括陶瓷真空密封罩(I)和設(shè)于該陶瓷真空密封罩內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)，其特征在于:在所述陶瓷真空密封罩和其內(nèi)的動(dòng)觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn)之間設(shè)有屏蔽罩(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述屏蔽罩固定于所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上的結(jié)構(gòu)為:所述陶瓷真空密封罩和所述屏蔽罩均呈一表面開口的圓柱形，在所述陶瓷真空密封罩的內(nèi)側(cè)面上沿其周向設(shè)有一遠(yuǎn)離其軸線的臺(tái)階(11)，該臺(tái)階上間隔設(shè)有若干個(gè)凸起(12)，所述屏蔽罩開口的表面上向外一周設(shè)有凸棱(21)，所述屏蔽罩置于所述陶瓷真空密封罩內(nèi)時(shí)該凸棱正好置于所述臺(tái)階上，且該凸棱上對(duì)應(yīng)所述臺(tái)階的凸起處設(shè)有凹槽(22 )。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷真空繼電器改良結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述臺(tái)階表面設(shè)有一層金屬層。
【文檔編號(hào)】H01H33/66GK103779135SQ201210411009
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2012年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月25日
【發(fā)明者】覃奀垚, 賈冰冰, 余佳, 陳騰騰 申請(qǐng)人:昆山國(guó)力真空電器有限公司