專利名稱：Led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
為了避免LED芯片發(fā)出的光被金屬基板吸收，造成光損失。目前業(yè)界的做法，是在金屬基板的表面鍍銀。利用銀的高反射率特性，將射到基板表面的光線反射到LED芯片和硅膠層。由于有機(jī)硅膠較高的透濕透氧性，在LED光源使用過程中，空氣中的硫元素會透過硅膠，滲入封裝體內(nèi)部。硫元素進(jìn)入封裝體后會與基板表面的銀發(fā)生反應(yīng)，生成黑色的硫化銀。例如2012年5月23號授權(quán)的專利號為ZL201120356103. 3發(fā)明，揭示了一種貼片LED的封裝結(jié)構(gòu)。該LED封裝結(jié)構(gòu)包括LED芯片、基板、鍍銀層，所述LED芯片設(shè)置在所述的基 板的上表面，所述的鍍銀層涂在所述基板的上表面，分別連接所述LED芯片的各電極，該鍍銀層將LED芯片發(fā)出的光線充分反射，提高了 LED光源的質(zhì)量。由此可知，由于該LED封裝技術(shù)，在基板上表面鍍銀，該銀反射層會與進(jìn)入LED封裝結(jié)構(gòu)的空氣中的硫元素發(fā)化學(xué)反應(yīng)生成黑色的硫化銀。導(dǎo)致基板反射區(qū)域變黑，造成LED光源光通量降低。而且由于銀層直接位于LED芯片下，銀層反射回來的光大部分再次進(jìn)入LED芯片，這就會導(dǎo)致LED芯片過熱，影響LED的使用壽命。因此，LED封裝結(jié)構(gòu)的防止硫化和過熱的問題已經(jīng)成為LED封裝技術(shù)的主要的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種防止LED芯片過熱、延長LED使用壽命的LED封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提出的技術(shù)方案為一種LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片、基板，該LED芯片設(shè)置在該基板的上表面，其特征在于還包括反射層，該反射層設(shè)置于該基板的下表面，該反射層對應(yīng)該LED芯片設(shè)置，該基板為透明基板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該LED封裝結(jié)構(gòu)在基板上表面設(shè)有LED芯片，該基板是透明基板。該透明基板的下表面設(shè)有反射層，使得LED芯片發(fā)出的光透過該透明基板，由于透明基板設(shè)在LED芯片下使得LED芯片發(fā)出的光穿過透明基板，通過透明基板下表面的反射層將大部分光直接反射到硅膠層、減少返回LED芯片的光，減低LED芯片的溫度。從而防止了LED封裝過熱，提高了 LED光源質(zhì)量以及延長了 LED的使用壽命。


圖1是LED封裝結(jié)構(gòu)第一實施例的剖面示意2是LED封裝結(jié)構(gòu)第二實施例的剖面示意圖LED封裝結(jié)構(gòu)100 ； 10LED芯片；透明基板20 ;金屬電極21 ;金屬化過孔22 ;反射層30 ;保護(hù)層30 ;金線50 ;硅膠層60 ;傳熱基板70。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。圖1是本發(fā)明第一實施例的示意圖。該LED封裝結(jié)構(gòu)100，包括一 LED芯片10、一基板20、一反射層30、一保護(hù)層40、兩金線50、一娃膠層60、一傳熱基板70,該LED芯片10設(shè)置在該基板20的上表面，該基板20的下表面設(shè)有反射層30，該反射層30對應(yīng)LED芯片10設(shè)置。該基板20由透明陶瓷制成。請參考圖1，該傳熱基板70中間設(shè)有一透明陶瓷基板20，該傳熱基板70圍繞該透明基板20設(shè)置。該傳熱基板上方設(shè)有硅膠層60，該硅膠層60包覆該傳熱基板70和透明陶瓷基板20。該透明陶瓷基板20上表面設(shè)有LED芯片10。該透明陶瓷基板20的下表面設(shè)有反射層30，該反射層30為銀反射層。該反射 層30下表面設(shè)有保護(hù)層40，該保護(hù)層40包覆在反射層30的外表面，該保護(hù)層40為可焊接金屬材料。該傳熱基板70兩側(cè)設(shè)有金屬電極71，該金屬電極71與該LED芯片10通過金線50電連接，該保護(hù)層40起到保護(hù)該銀反射層30不被進(jìn)入LED封裝結(jié)構(gòu)100中的空氣的硫元素硫化。該保護(hù)層與LED空腔支架(圖中未示)焊接固定連接。綜上所述，該LED封裝結(jié)構(gòu)100在基板20上表面設(shè)有LED芯片10，該基板是透明陶瓷基板20。該透明陶瓷基板20的下表面設(shè)有反射層30，使得LED芯片10發(fā)出的光透過該透明陶瓷基板20，由于該透明陶瓷基板20設(shè)在LED芯片10下使得LED芯片10發(fā)出的光穿過透明基板，通過透明陶瓷基板20下表面的反射層30將大部分光直接反射到硅膠層60、大大減少返回LED芯片10的光，同時將更多的光反射到硅膠層60也提高光的質(zhì)量，從而減低LED芯片10的溫度、提高光參數(shù)。在該反射層30下表面設(shè)有保護(hù)層40，該保護(hù)層40包覆在該反射層30外表面，防止該銀反射層30被進(jìn)入LED封裝結(jié)構(gòu)100的空氣中的硫元素硫化，生成黑色的硫化銀。因此既達(dá)到保證光源的質(zhì)量，又大大降低LED芯片10的溫度，從而延長LED燈的使用壽命。本發(fā)明的第二實施例請參考圖2，其主要結(jié)構(gòu)與第一實施例的相同，在此不贅述，其與第一實施例的不同之處在于該基板20為透明陶瓷基板，包括該LED芯片10兩側(cè)的基板20。該透明陶瓷基板20兩側(cè)設(shè)有金屬化過孔21，該金屬化過孔21是在透明陶瓷基板20兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)電金屬的孔，該金屬化過孔21與該LED芯片10通過金線50電連接。該反射層30外表面包覆一層保護(hù)層40。該保護(hù)層40為可焊接金屬層。由于在LED芯片10下表面的整塊基板都是透明陶瓷基板20，使得LED芯片10發(fā)出的光穿過整塊透陶瓷明基板20，由反射層30將更多的光直接反射到硅膠層60，只有極少量的光返回LED芯片10，該保護(hù)層40能更充分的保護(hù)銀反射層30不被進(jìn)入LED封裝結(jié)構(gòu)100的空氣中硫元素硫化，更好的保證LED的光源質(zhì)量，更有效的降低了 LED芯片10的溫度和更好提高光通量參數(shù)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，任何本領(lǐng)域人員在不脫離本方案技術(shù)范圍內(nèi)，可當(dāng)利用上述揭露的技術(shù)內(nèi)容作些許改動為同等變化的等效實施例。但凡為脫離在本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片、基板，該LED芯片設(shè)置在該基板的上表面，其特征在于還包括反射層，該反射層設(shè)置于該基板的下表面，該反射層對應(yīng)該LED芯片設(shè)置，該基板為透明基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括金線，該LED芯片的兩側(cè)的基板上設(shè)有金屬化過孔，該LED芯片與該金屬化過孔之間通過金線電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板還包括傳熱基板，該傳熱基板圍繞該透明基板設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括硅膠層，該硅膠層包覆該傳熱基板和透明基板的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該反射層為銀反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括保護(hù)層、該保護(hù)層包覆在該反射層外表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該保護(hù)層為可焊接金屬保護(hù)層。
全文摘要
一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片、基板，該LED芯片設(shè)置在該基板的上表面，還包括反射層，該反射層設(shè)置于該基板的下表面，該反射層對應(yīng)該LED芯片設(shè)置，該基板為透明基板。該LED封裝結(jié)構(gòu)具有防止LED芯片過熱、延長LED使用壽命的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01L33/60GK103022319SQ20121054622
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月17日
發(fā)明者郭偉杰, 黃斌, 王霞 申請人:四川鼎吉光電科技有限公司