專利名稱：硅膠透鏡及其制備方法、含有其的led發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED照明領(lǐng)域，具體而言，涉及一種硅膠透鏡及其制備方法、含有其的 LED發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
目前，實(shí)現(xiàn)白光LED的技術(shù)路線可分為兩大類第一類是芯片+熒光類物質(zhì)組合發(fā)白光，包括藍(lán)光芯片+熒光粉、紫外芯片+熒光粉、藍(lán)綠芯片+熒光粉、紫光芯片+熒光粉； 第二類是芯片自身或組合發(fā)白光，包括ZnSe為襯底的LED直接發(fā)白光、兩個(gè)以上芯片發(fā)白光、同一襯底上形成多個(gè)發(fā)光層。
純芯片組合發(fā)白光的技術(shù)路線存在綠光和紅光出光效率低且穩(wěn)定性差的問(wèn)題。造成綠光發(fā)光效率低的主要原因在于綠色熒光粉中銦的含量難以提高，所以芯片組合混光均勻性不佳。因此，目前的主流技術(shù)路線是芯片與熒光類物質(zhì)組合發(fā)白光。
盡管芯片與熒光類物質(zhì)組合為當(dāng)前主要技術(shù)路線，但仍需要解決以下兩個(gè)方面的問(wèn)題一是藍(lán)黃光LED缺失紅光部分，因而很難發(fā)出具有高顯色性白光；二是紫外光LED加 RGB熒光粉能夠產(chǎn)生很好的顯色性，但熒光粉的效率不高。另外，現(xiàn)有LED的技術(shù)是將熒光粉層與藍(lán)色芯片封裝在一起，使用過(guò)程中，芯片的發(fā)熱和熒光粉層的發(fā)熱匯聚在一起導(dǎo)致芯片和熒光粉工作溫度過(guò)高，進(jìn)而降低芯片和熒光粉的效率，導(dǎo)致光效降低。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種硅膠透鏡及其制備方法、含有其的LED發(fā)光器件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中LED發(fā)光器件光效低的問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種硅膠透鏡，硅膠透鏡包括質(zhì)量比為I :3 7 40^50的量子點(diǎn)聞分子分散體、突光粉和娃膠,量子點(diǎn)聞分子分散體中量子點(diǎn)材料的質(zhì)量百分含量為O. 01 10%。
進(jìn)一步地，上述量子點(diǎn)材料選自元素周期表中第II主族與第VI主族中的元素形成的第化合物、第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物中的任意一種、第一化合物和/或第二化合物中的多種包覆形成的核殼結(jié)構(gòu)化合物或者摻雜納米晶，第一化合物包括CdSe、CdTe, MgS、MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, ZnTe 和 CdS ;第二化合物包括GaN、GaP、GaAs, InN、InP 和 InAs。
進(jìn)一步地，上述熒光粉為YAG熒光粉。
進(jìn)一步地,上述量子點(diǎn)材料分散在娃膠中。
進(jìn)一步地,上述娃膠透鏡包括具有突光粉的娃膠件和位于娃膠件的內(nèi)表面或外表面且具有量子點(diǎn)高分子分散體的量子點(diǎn)材料層。
進(jìn)一步地，上述硅膠透鏡呈半球形的碗狀結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種LED發(fā)光器件，該LED發(fā)光器件包括一個(gè)或多個(gè)封裝體，封裝體包括封裝基板；封裝殼體，一端具有開(kāi)口，且開(kāi)口端固定在封裝基板上；LED芯片，固定在封裝基板上由封裝殼體的開(kāi)口端圍成的區(qū)域內(nèi)；LED基板，一個(gè)或多個(gè)封裝體的封裝基板遠(yuǎn)離LED芯片的一側(cè)固定在LED基板上；上述LED發(fā)光器件還包括硅膠透鏡，該硅膠透鏡為上述的硅膠透鏡，硅膠透鏡的一端具有開(kāi)口，且開(kāi)口端固定在LED基板上，封裝體設(shè)置在LED基板上由硅膠透鏡的開(kāi)口端圍成的區(qū)域內(nèi)，且與硅膠透鏡的內(nèi)壁之間具有間隙。
進(jìn)一步地，上述硅膠透鏡與LED芯片之間具有l(wèi)(T50mm的距離。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種硅膠透鏡的制備方法，上述制備方法包括 步驟A、將質(zhì)量比為I :3 7 :4(Γ50的量子點(diǎn)高分子分散體、熒光粉和硅膠混合形成混膠；步驟B、將混膠置入硅膠透鏡的成型模具中，并抽真空至無(wú)肉眼可見(jiàn)的氣泡；以及步驟C、將經(jīng)過(guò)步驟B處理的混膠注塑成型得到硅膠透鏡。
進(jìn)一步地,上述量子點(diǎn)聞分子分散體為分散有量子點(diǎn)材料的丙烯酸酯類樹(shù)脂、有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸脂改性有機(jī)硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。
進(jìn)一步地，控制上述步驟A的混合過(guò)程中量子點(diǎn)高分子分散體、熒光粉與硅膠形成的混合體系的溫度低于40°C。
進(jìn)一步地,上述步驟B中將經(jīng)過(guò)抽真空的混膠在8(T200°C下干燥l 60min。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種硅膠透鏡的制備方法，上述制備方法包括 步驟a、將熒光粉和硅膠制備成熒光粉硅膠透鏡；步驟b、在熒光粉硅膠透鏡的內(nèi)表面或外表面涂覆量子點(diǎn)高分子分散體形成量子點(diǎn)材料層，得到硅膠透鏡。
進(jìn)一步地,上述量子點(diǎn)聞分子分散體為分散有量子點(diǎn)材料的丙烯酸酯類樹(shù)脂、有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸脂改性有機(jī)硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。
應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，由于量子點(diǎn)材料具有激發(fā)光譜寬且光譜連續(xù)分布的特點(diǎn)，由于量子點(diǎn)的發(fā)光波長(zhǎng)隨粒徑大小的變化而有所不同，因此，可以根據(jù)設(shè)計(jì)需求選擇不同粒徑的量子點(diǎn)材料；同時(shí)，量子點(diǎn)材料的光譜半峰寬較窄，沒(méi)有自吸收或者具有低的自吸收特性，可以較好的提高發(fā)光效率和發(fā)光質(zhì)量，從而能夠有效地改善硅膠透鏡的光效。在該硅膠透鏡中，量子點(diǎn)材料不僅可以以分散的形式分散在硅膠中，而且還可以采用內(nèi)層涂覆和外層涂覆的靈活方式涂覆在硅膠透鏡的表層，便于該硅膠透鏡的加工。


構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖I示出了根據(jù)本發(fā)明一種優(yōu)選的實(shí)施例的LED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例I至4與對(duì)比例I的光譜圖；以及
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例4與對(duì)比例I的光譜圖。
具體實(shí)施方式
需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
在本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種硅膠透鏡，該硅膠透鏡包括質(zhì)量比為I :3 7 40^50的量子點(diǎn)聞分子分散體、突光粉和娃膠，量子點(diǎn)聞分子分散體中量子點(diǎn)材料的質(zhì)量百分含量為O. Of 10%。
由于量子點(diǎn)材料具有激發(fā)光譜寬且光譜連續(xù)分布的特點(diǎn)，由于量子點(diǎn)的發(fā)光波長(zhǎng)隨粒徑大小的變化而有所不同，因此，可以根據(jù)設(shè)計(jì)需求選擇不同粒徑的量子點(diǎn)材料；同時(shí)，量子點(diǎn)材料的光譜半峰寬較窄，沒(méi)有自吸收或者具有低的自吸收特性，可以較好的提高發(fā)光效率和發(fā)光質(zhì)量，從而能夠有效地改善硅膠透鏡的光效。在該硅膠透鏡中，量子點(diǎn)材料不僅可以以分散的形式分散在硅膠中，而且還可以采用內(nèi)層涂覆和外層涂覆的靈活方式涂覆在硅膠透鏡的表層，便于該硅膠透鏡的加工。
上述的量子點(diǎn)聞分子分散體為內(nèi)部分散有量子點(diǎn)材料的聞分子聚合物，且量子點(diǎn)高分子分散體中量子點(diǎn)材料的含量采用常規(guī)的紫外吸收光譜測(cè)試出吸收值，并根據(jù)朗伯-比爾定律計(jì)算得出質(zhì)量含量。
在本發(fā)明一種優(yōu)選的實(shí)施例中，上述量子點(diǎn)材料選自元素周期表中第II主族與第 VI主族中的元素形成的第一化合物、第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物中的任意一種、第一化合物和/或第二化合物中的多種包覆形成的核殼結(jié)構(gòu)化合物或者摻雜納米晶，第一化合物包括CdSe、CdTe、MgS、MgSe、MgTe 、CaS、CaSe、CaTe、Sr S、Sr Se、SrTe、BaS、 BaSe, BaTe, ZnS, ZnSe, ZnTe 和 CdS ;第二化合物包括:GaN、GaP、GaAs, InN、InP 和 InAs。
量子點(diǎn)材料通常為核殼結(jié)構(gòu)，核心為具有高發(fā)光效率的半導(dǎo)體物質(zhì)(如CdSeXdTe 等)，外包一層硫化物(如ZnS)形成核殼結(jié)構(gòu)的CdSe/ZnS、CdTe/ZnS，進(jìn)一步提高了量子點(diǎn)材料的發(fā)光量子效率，而且，外層硫化物的存在極大地提高了量子點(diǎn)材料的光化學(xué)穩(wěn)定性。 而且，當(dāng)采用YAG熒光粉、含有發(fā)光波長(zhǎng)在紅色波段(60(T635nm之間)的CdSe/ZnS量子點(diǎn)高分子分散體與娃膠一起形成娃膠透鏡，可以有效地彌補(bǔ)藍(lán)黃光LED缺失的紅光,從而得到顯色性更好的白光。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以使用含有某些發(fā)光波段的量子點(diǎn)材料的量子點(diǎn)高分子分散體與硅膠混合形成硅膠透鏡，并與不同的發(fā)光波段的熒光粉配合得到相應(yīng)顏色的光。
可用于本發(fā)明的熒光粉包括綠色熒光粉、紅色熒光粉和黃色熒光粉，采用不同顏色的熒光粉可以得到不同發(fā)光顏色的硅膠透鏡，本發(fā)明優(yōu)選熒光粉為YAG熒光粉，該YAG熒光粉為市場(chǎng)常用產(chǎn)品，并且經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的發(fā)展，已具有較好的產(chǎn)品性能以及穩(wěn)定性，并且市場(chǎng)價(jià)格也較為低廉，適合大規(guī)模批量生產(chǎn)，與本發(fā)明的量子點(diǎn)和硅膠配合得到一個(gè)連續(xù)的光譜效果，并且達(dá)到較高光效和高顯色指數(shù)的光質(zhì)量。
本發(fā)明的量子點(diǎn)材料主要是為了改善硅膠透鏡的激發(fā)光的光效，量子點(diǎn)材料可以與突光粉一樣和娃膠混合分散在娃膠透鏡中。除此之外，量子點(diǎn)還可以分散在突光粉與娃膠形成的娃膠透鏡主體上，優(yōu)選娃膠透鏡包括具有突光粉的娃膠件51和位于娃膠件51的內(nèi)表面或外表面且具有上述量子點(diǎn)聞分子分散體的量子點(diǎn)材料層52。
在本發(fā)明一種具體的實(shí)施例中，上述硅膠透鏡呈半球形的碗狀結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明另一種典型的實(shí)施方式中，還提供了一種LED發(fā)光器件,該LED發(fā)光器件包括一個(gè)或多個(gè)封裝體和LED基板6，該封裝體包括封裝基板3、封裝殼體2和LED芯片1， 封裝殼體2的一端具有開(kāi)口，且開(kāi)口端固定在封裝基板3上；LED芯片I固定在封裝基板3 上由封裝殼體2的開(kāi)口端圍成的區(qū)域內(nèi)；一個(gè)或多個(gè)封裝體的封裝基板3遠(yuǎn)離LED芯片I 的一側(cè)固定在LED基板6上；LED發(fā)光器件還包括娃膠透鏡5,該娃膠透鏡5為上述的娃膠透鏡，該硅膠透鏡5的一端具有開(kāi)口，且開(kāi)口端固定在LED基板6上，封裝體設(shè)置在LED基板6上由硅膠透鏡5的開(kāi)口端圍成的區(qū)域內(nèi)，且與硅膠透鏡5的內(nèi)壁之間具有間隙。
具有上述結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件，LED芯片I仍然通過(guò)粘合膠4固定在封裝基板3上并封裝在封裝殼體2中，將含有熒光粉的硅膠透鏡5作為一個(gè)單獨(dú)的配件與LED芯片I相互隔離設(shè)置在LED基板6上，在封裝殼體2的外殼上設(shè)置本發(fā)明的硅膠透鏡5，硅膠透鏡的光透過(guò)率較高，路徑改變較小，光損失較小，有效改善了 LED燈具的光均勻性。形成了 LED 芯片I對(duì)與其遠(yuǎn)距離設(shè)置的熒光粉的遠(yuǎn)程激發(fā)，克服了現(xiàn)有技術(shù)中熒光粉涂布在LED芯片I 時(shí)由于激發(fā)時(shí)產(chǎn)生的熱量難以散發(fā)導(dǎo)致LED發(fā)光器件的使用壽命短和發(fā)光效率低的問(wèn)題， 由于采用遠(yuǎn)程激發(fā)熒光粉的技術(shù)，大大降低了 LED芯片I以及封裝體的工作溫度，從而很大程度上減緩了這些材料的老化速度，進(jìn)而延長(zhǎng)了 LED發(fā)光器件的壽命；而且，避免了在LED 芯片I上涂覆熒光粉時(shí)因?yàn)闊o(wú)法做到均勻涂覆而引起LED發(fā)光器件的色溫不均產(chǎn)生光斑的弊端；同時(shí)減弱了不同Bin對(duì)LED發(fā)光器件的出光效果的影響，使得產(chǎn)品的可重復(fù)性和統(tǒng)一性增強(qiáng)；此外，由于硅膠透鏡4中具有量子點(diǎn)材料，因此其光效得到明顯的改善。
為了既能實(shí)現(xiàn)良好的散熱效果又能實(shí)現(xiàn)良好的光效，優(yōu)選上述LED發(fā)光器件的硅膠透鏡5與LED芯片I之間具有l(wèi)(T50mm的距離。
在本發(fā)明又一種典型的實(shí)施方式中，還提供了一種硅膠透鏡的制備方法，包括步驟A、將質(zhì)量比為I :3 7 :4(Γ50的量子點(diǎn)高分子分散體、熒光粉和硅膠混合形成混膠；步驟 B、將混膠置入硅膠透鏡的成型模具中，并抽真空至無(wú)肉眼可見(jiàn)的氣泡；以及步驟C、將經(jīng)過(guò)步驟B處理的混膠注塑成型得到硅膠透鏡。
將量子點(diǎn)高分子分散體、熒光粉與硅膠混合形成混膠的過(guò)程可以采用磁力攪拌或機(jī)械攪拌的方式，優(yōu)選采用專用的混膠機(jī)，從而加速混膠的形成；將混膠注入模具中之后抽真空將其中的氣泡抽出，避免在硅膠透鏡中由于氣泡的存在影響硅膠透鏡的光效；由于注塑成型的生產(chǎn)效率較高，因此采用注塑成型的方式能夠?qū)崿F(xiàn)批量制作硅膠透鏡的效果。當(dāng)然除了采用注塑成型的方式外本發(fā)明還可以采用目前常規(guī)的壓鑄成型、絲網(wǎng)印刷以及噴涂等方式制備各種形狀的硅膠透鏡。
在本發(fā)明又一種優(yōu)選的實(shí)施例中，優(yōu)選量子點(diǎn)聞分子分散體為分散有量子點(diǎn)材料的丙烯酸酯類樹(shù)脂、有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸脂改性有機(jī)硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。
上述丙烯酸酯類樹(shù)脂是指分子主鏈結(jié)構(gòu)上帶有丙烯酸酯基團(tuán)的一類高分子材料的總稱，其結(jié)構(gòu)通式為
OO__丨丨―———II__H^C C COROC CIIRIR]
其中R為烷基，R1為-H或-CH3 ；
上述有機(jī)娃氧燒樹(shù)脂為聚_■甲基娃氧燒、_■甲基娃氧燒與甲基乙稀基娃氧燒共聚物、二甲基硅氧烷與苯基乙烯基硅氧烷共聚物或分子中含有乙烯基的其他結(jié)構(gòu)的聚硅氧烷樹(shù)脂。
上述丙烯酸酯改性聚氨酯樹(shù)脂是指分子結(jié)構(gòu)中帶有丙烯酸酯基團(tuán)和氨基甲酸酯基團(tuán)的一類高分子材料的總稱，其結(jié)構(gòu)通式為
權(quán)利要求
1.一種硅膠透鏡，其特征在于，所述硅膠透鏡包括質(zhì)量比為I :3 7 :4(Γ50的量子點(diǎn)高分子分散體、突光粉和娃膠，所述量子點(diǎn)高分子分散體中量子點(diǎn)材料的質(zhì)量百分含量為O. Ol 10%。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅膠透鏡，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料選自元素周期表中第II主族與第VI主族中的元素形成的第一化合物中的任意一種、第III主族與第V主族中的元素形成的第二化合物中的任意一種、所述第一化合物和/或所述第二化合物中的多種包覆形成的核殼結(jié)構(gòu)化合物或者摻雜納米晶， 所述第一化合物包括CdSe、CdTe、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe 和 CdS ； 所述第二化合物包括GaN、GaP、GaAs, InN、InP和InAs。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅膠透鏡，其特征在于，所述熒光粉為YAG熒光粉。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅膠透鏡，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料分散在所述硅膠中。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅膠透鏡，其特征在于，所述硅膠透鏡包括具有所述熒光粉的硅膠件(51)和位于所述硅膠件(51)的內(nèi)表面或外表面且具有所述量子點(diǎn)高分子分散體的量子點(diǎn)材料層(52)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅膠透鏡，其特征在于，所述硅膠透鏡呈半球形的碗狀結(jié)構(gòu)。
7.—種LED發(fā)光器件,其特征在于，所述LED發(fā)光器件包括 一個(gè)或多個(gè)封裝體，所述封裝體包括 封裝基板(3)； 封裝殼體(2 )，一端具有開(kāi)口，且開(kāi)口端固定在所述封裝基板(3 )上； LED芯片(1)，固定在所述封裝基板(3)上由所述封裝殼體(2)的開(kāi)口端圍成的區(qū)域內(nèi)； LED基板(6)，所述一個(gè)或多個(gè)封裝體的封裝基板(3)遠(yuǎn)離所述LED芯片(I)的一側(cè)固定在所述LED基板(6)上； 其特征在于，所述LED發(fā)光器件還包括硅膠透鏡(5)，所述硅膠透鏡(5)為權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的硅膠透鏡，所述硅膠透鏡(5)的一端具有開(kāi)口，且開(kāi)口端固定在所述LED基板(6 )上，所述封裝體設(shè)置在所述LED基板(6 )上由所述硅膠透鏡(5 )的開(kāi)口端圍成的區(qū)域內(nèi)，且與所述硅膠透鏡(5 )的內(nèi)壁之間具有間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述硅膠透鏡(5)與所述LED芯片(I)之間具有l(wèi)(T50mm的距離。
9.一種硅膠透鏡的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括 步驟A、將質(zhì)量比為I :3 7 :4(Γ50的量子點(diǎn)高分子分散體、熒光粉和硅膠混合形成混膠； 步驟B、將所述混膠置入硅膠透鏡的成型模具中，并抽真空至無(wú)肉眼可見(jiàn)的氣泡；以及 步驟C、將經(jīng)過(guò)所述步驟B處理的混膠注塑成型得到所述硅膠透鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于，所述量子點(diǎn)高分子分散體為分散有量子點(diǎn)材料的丙烯酸酯類樹(shù)脂、有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有機(jī)硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，控制所述步驟A的混合過(guò)程中所述量子點(diǎn)高分子分散體、熒光粉與硅膠形成的混合體系的溫度低于40°C。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述步驟B中將經(jīng)過(guò)抽真空的混膠在 8(T200°C下干燥 I 180min。
13.—種硅膠透鏡的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括 步驟a、將熒光粉和硅膠制備成熒光粉硅膠透鏡； 步驟b、在所述熒光粉硅膠透鏡的內(nèi)表面或外表面涂覆量子點(diǎn)高分子分散體形成量子點(diǎn)材料層，得到所述硅膠透鏡。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法,其特征在于,所述量子點(diǎn)高分子分散體為分散有量子點(diǎn)材料的丙烯酸酯類樹(shù)脂、有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有機(jī)硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種硅膠透鏡及其制備方法、含有其的LED發(fā)光器件。該硅膠透鏡包括質(zhì)量比為13~740~50的量子點(diǎn)高分子分散體、熒光粉和硅膠，量子點(diǎn)高分子分散體中量子點(diǎn)材料的質(zhì)量百分含量為0.01~10%。由于量子點(diǎn)材料具有激發(fā)光譜寬且光譜連續(xù)分布的特點(diǎn)，且可以通過(guò)調(diào)控粒徑大小而控制量子點(diǎn)的發(fā)光波長(zhǎng)，因此，可以根據(jù)設(shè)計(jì)需求選擇不同粒徑的量子點(diǎn)材料；同時(shí)，量子點(diǎn)材料的光譜半峰寬較窄，沒(méi)有自吸收或者具有低的自吸收特性，可以較好的提高發(fā)光效率和發(fā)光質(zhì)量，從而能夠有效地改善硅膠透鏡的光效。
文檔編號(hào)H01L33/58GK102983250SQ201210560680
公開(kāi)日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月20日
發(fā)明者康永印, 蘇凱, 史翰林, 湯彬彬 申請(qǐng)人:杭州納晶科技有限公司