專利名稱：半導(dǎo)體器件的形成方法和保持硼磷硅玻璃形貌的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種保持硼磷硅玻璃形貌的方法和半導(dǎo)體器件的形成方法。
背景技術(shù)：
溝槽型MOS (trench M0S)晶體管作為一種新型垂直結(jié)構(gòu)的功率器件，是在VDMOS (垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，但該結(jié)構(gòu)與VDMOS 相比有許多性能優(yōu)點(diǎn)如更低的導(dǎo)通電阻、低柵漏電荷密度，具有低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗及快的開關(guān)速度。并且由于溝槽型MOS晶體管的溝道是垂直的，可通過縮短溝道區(qū)進(jìn)一步提高其溝道密度，減小芯片尺寸。
圖1是傳統(tǒng)溝槽型MOS晶體管的橫截面圖。如圖中所示，傳統(tǒng)溝槽型MOS晶體管包括半導(dǎo)體襯底100、設(shè)置在半導(dǎo)體襯底100上的漏區(qū)101、在漏區(qū)101上形成的漂移區(qū)102 與在漂移區(qū)102上形成的溝道區(qū)103 ;在溝道區(qū)103內(nèi)形成有溝槽，柵極結(jié)構(gòu)形成在所述溝槽內(nèi)，柵極結(jié)構(gòu)包括形成在溝槽側(cè)壁上的柵極氧化物層106以及填充滿溝槽的柵極多晶硅 105。柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成有源區(qū)104。從所述半導(dǎo)體襯底100引出漏極D，所述柵極結(jié)構(gòu)中的多晶硅105引出柵極G，所述源區(qū)104引出源極S。在所述溝槽區(qū)103和源區(qū)104上形成有層間介質(zhì)層107，其中，在層間介質(zhì)層107中對(duì)應(yīng)柵極G或者源極S的位置上，形成通孔， 所述通孔中填充有金屬構(gòu)成柵極G或者源極S的接觸孔108，所述接觸孔108實(shí)現(xiàn)與別的半導(dǎo)體器件的電性連接。
在現(xiàn)有技術(shù)中，制作所述溝槽型MOS晶體管的過程包括1)在半導(dǎo)體襯底上的漂移區(qū)中形成溝槽；2)在所述溝槽中形成溝槽型MOS晶體管的柵極G ；3)阱區(qū)注入；4)源區(qū)注入；5)再沉積形成層間介質(zhì)層107 ；6)在層間介質(zhì)層107中對(duì)應(yīng)柵極G或者源極S的位置上形成通孔；7)填充接觸孔。在這個(gè)過程中，阱區(qū)注入、源區(qū)注入以及通孔的形成這三道工藝是依次利用三塊掩膜版(MASK)來完成這三道工藝中通孔、阱區(qū)和源區(qū)的位置限定的。
為了避免閂 鎖效應(yīng)(Latchup)的發(fā)生，會(huì)在有源區(qū)的外圍加入新的摻雜區(qū)形成保護(hù)環(huán)(Guard Ring)。并且，形成所述保護(hù)環(huán)的離子注入與有源區(qū)中溝槽型MOS晶體管的阱區(qū)和源區(qū)的離子注入是分開進(jìn)行的，也需要通過掩膜版(MASK)形成掩模遮擋有源區(qū)并暴露保護(hù)環(huán)區(qū)域，使得離子注入可以在保護(hù)環(huán)區(qū)域進(jìn)行。
這樣完成溝槽型MOS晶體管的通孔形成直至接觸孔完全形成，且形成好保護(hù)環(huán)的過程中需要多塊掩模板(MASK)進(jìn)行多次光刻，多次光刻會(huì)帶來巨大的工藝成本。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是避免在完成溝槽型MOS晶體管的接觸孔以及保護(hù)環(huán)的生產(chǎn)過程中，需要多次光刻，從而產(chǎn)生工藝成本較大的問題。
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種包括溝槽型MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的形成方法，包括
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)和保護(hù)環(huán)區(qū)；
在所述半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)形成溝槽；
在所述溝槽中形成溝槽型MOS晶體管的柵極；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層中形成第一通孔與第二通孔，所述第一通孔與所述溝槽型MOS晶體管的源區(qū)位置對(duì)應(yīng)，所述第二通孔與保護(hù)環(huán)的位置對(duì)應(yīng)，并且所述第一通孔的徑寬大于所述第二通孔的徑寬；
進(jìn)行離子注入，以在所述第一通孔暴露出的半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)，在所述第二通孔暴露出來的半導(dǎo)體襯底中形成保護(hù)環(huán)；
在所述第一通孔和第二通孔中形成硼磷硅玻璃層，以在第一通孔中形成硼磷硅玻璃層的側(cè)墻以縮小所述第一通孔的直徑，在第二通孔中形成封閉所述第二通孔的硼磷硅玻璃層;
在所述第一通孔中進(jìn)行源區(qū)離子注入；
在所述第一通孔的側(cè)墻外形成硬掩膜層以避免側(cè)墻變形；
進(jìn)行離子注入退火。
可選的，在進(jìn)行離子注入退火之后，還包括利用所述硬掩膜層作為掩模刻蝕第一通孔底部暴露出來的半導(dǎo)體襯底；填充金屬形成溝槽型MOS晶體管的接觸孔。
可選的，所述退火的溫度為700°C、50°C。
可選的，所述硬掩膜層為TEOS層或氮化硅層。
可選的，所述TEOS層的厚度為600 A -1000 k。
可選的，所述氮化硅層的厚度為400 A 丨000 L·
其中，上述包括溝槽型MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的形成方法中，包含一種保持硼磷硅玻璃形貌的方法，其包括
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有通孔或者凸出結(jié)構(gòu)；
在所述通孔或者凸出結(jié)構(gòu)的側(cè)邊形成硼磷硅玻璃層的側(cè)墻；
在所述側(cè)墻上形成硬掩膜層以限制所述硼磷硅玻璃的流動(dòng)。
可選的，所述硬掩膜層為TEOS層或氮化硅層。
可選的，所述TEOS層的厚度大于600 L·
可選的，所述氮化硅層的厚度大于400人。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的技術(shù)方案提供的包括溝槽型MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的制作方法中先形成內(nèi)徑較大的作為溝槽型MOS晶體管接觸孔的第一通孔和作為保 護(hù)環(huán)離子注入的第二通孔，然后進(jìn)行阱區(qū)注入和保護(hù)環(huán)注入，然后利用硼磷硅玻璃形成在作為溝槽型MOS晶體管接觸孔的第一通孔的側(cè)墻處，縮小第一通孔的內(nèi)徑，而封閉作為保護(hù)環(huán)離子注入的第二通孔，再進(jìn)行溝槽型MOS晶體管的進(jìn)行源區(qū)離子注入。這樣的工藝安排，能夠?qū)崿F(xiàn)只利用一次光刻形成的通孔，就可以完成溝槽型MOS晶體管阱區(qū)注入，源區(qū)注入，保護(hù)環(huán)注入以及形成溝槽型MOS晶體管接觸孔所在的通孔。
并且在進(jìn)行源區(qū)離子注入之后，在第一通孔內(nèi)形成硬掩膜層抑制BPSG層回流或變形。這樣的工藝安排使得BPSG層不會(huì)在離子注入之后的退火中回流將第一通孔堵住，使得前述將溝槽型MOS晶體管阱區(qū)注入，源區(qū)注入，保護(hù)環(huán)注入以及形成溝槽型MOS晶體管接觸孔所在的通孔的工藝能夠無影響的結(jié)合在制作溝槽型MOS晶體管的工藝中，并且工藝結(jié)合巧妙，操作簡(jiǎn)單。


圖1是現(xiàn)有的一種溝槽型MOS晶體管的截面示意圖2至圖8是本發(fā)明具體實(shí)施例中提供的同時(shí)形成溝槽型MOS晶體管和保護(hù)環(huán)的工藝示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。
本發(fā)明的技術(shù)方案提供的一種同時(shí)形成溝槽型MOS晶體管和保護(hù)環(huán)的工藝，具體的，如圖2至圖8，其包括
首先，如圖2所示，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)10和保護(hù)環(huán)區(qū) 20。
在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底包括體硅層100、形成在所述體硅層100上的重?fù)诫s的N型硅層101，以及N型硅層101上外延生長(zhǎng)的輕摻雜的N型外延層102’作為漂移區(qū)。
接下來，如圖3所示，在所述半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)10形成溝槽，在所述溝槽中形成溝槽型MOS晶體管的柵極。
其具體工藝可以包括在半導(dǎo)體襯底上旋涂光刻膠，利用曝光顯影工藝使得光刻膠在有源區(qū)10定義出溝槽的位置和形狀，然后利用等離子體刻蝕工藝在所述N型外延層 102’中形成溝槽，再利用熱氧化或者沉積工藝在所述溝槽中形成柵氧化層106，然后再利用沉積工藝在所述溝槽內(nèi)填充滿柵極材料層105，以作為所述溝槽型MOS晶體管的柵極。
接下來，如圖4所示，在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層107，位于所述有源區(qū) 10的層間介質(zhì)層107中形成有第一通孔1，所述第一通孔I與所述溝槽型MOS晶體管的源區(qū)位置對(duì)應(yīng)；位于所述保護(hù)環(huán)區(qū)20的層間介質(zhì)層107中形成有第二通孔2，所述第二通孔 2與保護(hù)環(huán)位置對(duì)應(yīng)。所述第一通孔I的徑寬大于第二通孔2，且所述第一通孔I的徑寬大于設(shè)定的所述溝槽型MOS晶體管的接觸孔的尺寸。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一通孔I的徑寬為O. 5unT0. 9um，所述第二通孔2的徑寬為O. 2unT0. 3um。
所述層間介質(zhì)層107可以為二氧化硅層、磷硅玻璃層或低K介質(zhì)層等。在層間介質(zhì)層107中形成有第一通孔1、第二通孔2的具體工藝可以為在層間介質(zhì)層107上形成光刻膠，曝光顯影后使得光刻膠同時(shí)在有源區(qū)10和保護(hù)環(huán)區(qū)20定義出第一通孔1、第二通孔 2的位置和形狀，然后利用刻蝕工藝在介質(zhì)層107中形成第一通孔1、第二通孔2。其中，在有源區(qū)10的第一通孔1，在后續(xù)工藝中需要作為溝槽型MOS晶體管的源極離子注入的掩模圖形，以及形成為或作為源極上方的接觸孔；在保護(hù)環(huán)區(qū)20的第二通孔2，作為保護(hù)環(huán)離子注入的掩模圖形。
接下來，如圖5所示，在所述第一通孔I暴露出的N型外延層102’中進(jìn)行阱區(qū)離子注入，在所述第二通孔2暴露出來的N型外延層102’中進(jìn) 行保護(hù)環(huán)離子注入，以在所述 N型外延層102’中對(duì)應(yīng)第一通孔I的表面形成溝槽型MOS晶體管的阱區(qū)103，在所述N型外延層102’中對(duì)應(yīng)第二通孔2的表面形成保護(hù)環(huán)203。對(duì)于本實(shí)施例來說，所述阱區(qū)離子注入和保護(hù)環(huán)離子注入為P型離子注入，為同時(shí)進(jìn)行。在離子注入之后可進(jìn)一步進(jìn)行退火工藝。
接下來，如圖6所示，填充硼磷硅玻璃，在所述第一通孔I中形成側(cè)墻110，在第二通孔2中封閉所述第二通孔2。
硼磷娃玻璃(boro-phospho-silicate-glass,BPSG)是一種摻硼和磷的二氧化硅玻璃。BPSG具有填充能力較好且流動(dòng)性較好的性質(zhì)，其通過回流可得平坦的表面。 BPSG可通過化學(xué)氣相沉積來形成，具體的，可以采用SiH4、02、PH3和B2H6的混合氣體，在 4000C 450°C的溫度下形成。
所述形成側(cè)墻的工藝為利用沉積工藝在第一通孔I和第二通孔2的內(nèi)形成 BPSG,其中，同時(shí)會(huì)在層間介質(zhì)層107的表面形成一層BPSG。由于第一通孔I的徑寬大于第二通孔2的徑寬，通過調(diào)節(jié)所形成的BPSG的厚度，可以使得在第一通孔I內(nèi)僅側(cè)壁和底部為BPSG覆蓋，而在第二通孔2內(nèi)的BPSG層120則可實(shí)現(xiàn)封閉第二通孔2。其中，為避免沉積的BPSG層太厚，堵塞所述第一通孔1，在所述第二通孔2中，所述BPSG層120可以為部分填充所述第二通孔2，只要能夠?qū)崿F(xiàn)封閉所述第二通孔2的效果即可，可以在后續(xù)工藝中，再進(jìn)行別的填充工藝，使所述第二通孔2被填滿。為了清晰的凸顯本發(fā)明的技術(shù)方案中的主要步驟，本實(shí)施例中以所述第二通孔2被填滿為例。在形成BPSG之后，利用垂直方向的等離子刻蝕工藝去除第一通孔I底部的BPSG和層間介質(zhì)層107的表面的BPSG，保留在第一通孔I側(cè)壁上的BPSG作為側(cè)墻110，而在第二通孔2內(nèi)的BPSG層120仍將所述第二通孔 2封閉。所述第一通孔I因?yàn)閭?cè)墻110的形成而減小了內(nèi)徑。所述側(cè)墻110的厚度可以為 300人 2000A。優(yōu)選的，在形成側(cè)墻110之后，還包括一步回流，使得第一通孔I內(nèi)的BPSG 側(cè)墻Iio的表面更光滑，而第二通孔2內(nèi)的BPSG層120的填充效果更好。
在其它實(shí)施例中，所述第一通孔I的內(nèi)壁和BPSG形成的側(cè)墻之間還可以具有其它材質(zhì)形成的側(cè)墻，如TEOS (正硅酸乙酯)形成的側(cè)墻。
形成側(cè)墻110后，以層間介質(zhì)層107和側(cè)墻110為掩模進(jìn)行離子注入，其中在所述第一通孔I中進(jìn)行的為源區(qū)離子注入。由于在第一通孔I中形成了側(cè)墻110，所述第一通孔110的內(nèi)徑減小了，在這一步驟中進(jìn)行的離子注入的區(qū)域會(huì)小于前一步驟中只以層間介質(zhì)層107作為離子注入的掩模形成的離子注入?yún)^(qū)103。
這樣的工藝安排，能夠?qū)崿F(xiàn)只利用一次光刻形成的通孔，就可以完成溝槽型MOS 晶體管阱區(qū)注入，源區(qū)注入，以及保護(hù)環(huán)注入。
而對(duì)于第一通孔I來說，其在后續(xù)工藝會(huì)形成為源極上的接觸孔，則其中金屬的填充效果對(duì)于器件的性能影響很大。而由于本步驟中所述側(cè)墻的材質(zhì)是BPSG，如果進(jìn)行離子注入之后的退火，所述BPSG可能會(huì)在退火的過程中發(fā)生變形，使得所述通孔的內(nèi)部的形狀不好，不利于后續(xù)對(duì)通孔的填充。
接下來，如圖7所示，在所述第一通孔I的側(cè)墻上形成硬掩膜層130以避免側(cè)墻 110變形。
為了防止第一通孔I中的BPSG的側(cè)墻110變形，在所述有源區(qū)10內(nèi)的第一通孔I 內(nèi)的側(cè)墻110上形成硬掩膜層130，以抑制BPSG的變形 引起的通孔內(nèi)部形貌的變化。形成硬掩膜層130的工藝和形成側(cè)墻的工藝類似。所述硬掩膜層130可以為TEOS層或者氮化硅層。所述硬掩膜層130太薄了不能起到很好的抑制BPSG變形的作用，太厚了會(huì)使得第一通孔I內(nèi)徑太小，甚至堵塞第一通孔1，不利于后續(xù)工藝中對(duì)第一通孔I的填充。經(jīng)過發(fā)明人的多次試驗(yàn)和測(cè)試，所述硬掩膜層130為TEOS層時(shí)，其厚度大Γ600Α可以起到抑制BPSG 變形的作用。當(dāng)所述硬掩膜層130為氮化硅層時(shí)，其厚度大于400A可以起到抑制BPSG變形的作用。一般情況下，所述硬掩膜層130的厚度小于1000A時(shí),可以避免影響第一通孔I 后續(xù)的填充。
在第一通孔I中形成硬掩膜層130之后，可進(jìn)行退火工藝。所述退火工藝的目的是使得前面步驟中的源區(qū)離子注入的離子具有活性。所述退火的溫度為900°C 1000°C，能使得離子被激活，分別在對(duì)應(yīng)于所述第一通孔I的N型重?fù)诫s外延層102’中形成源區(qū)104。 經(jīng)過發(fā)明多次實(shí)驗(yàn)，優(yōu)選的，退火的溫度為950°C左右能達(dá)到最好的效果。
接下來，如圖8所示，利用所述硬掩膜層130作為掩?？涛g第一通孔I底部暴露出來的N型重?fù)诫s外延層102’ ；填充金屬108形成溝槽型MOS晶體管的接觸孔。
所述刻蝕使得所述第一通孔I部分伸入到N型重?fù)诫s外延層102’中的源區(qū)104 中，確保后續(xù)形成的接觸孔能夠充分的與源區(qū)104相接觸。然后沉積金屬層108填充第一通孔I形成所述溝槽型MOS晶體管源區(qū)104上的接觸孔。
綜上所述，在進(jìn)行源區(qū)離子注入和保護(hù)環(huán)離子注入之后，在第一通孔I內(nèi)形成硬掩膜層130抑制BPSG層回流或變形。這樣的工藝安排使得BPSG層不會(huì)在離子注入之后的退火中回流將第一通孔堵住，使得前述將溝槽型MOS晶體管阱區(qū)注入，源區(qū)注入，保護(hù)環(huán)注入以及形成溝槽型MOS晶體管接觸孔所在的通孔的工藝能夠無影響的結(jié)合在制作溝槽型 MOS晶體管的工藝中，并且工藝結(jié)合巧妙，操作簡(jiǎn)單。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明 的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)和保護(hù)環(huán)區(qū)；在所述半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)形成溝槽；在所述溝槽中形成溝槽型MOS晶體管的柵極；在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層中形成第一通孔與第二通孔，所述第一通孔與所述溝槽型MOS晶體管的源區(qū)位置對(duì)應(yīng)，所述第二通孔與保護(hù)環(huán)的位置對(duì)應(yīng)，并且所述第一通孔的徑寬大于所述第二通孔的徑寬；進(jìn)行離子注入，以在所述第一通孔暴露出的半導(dǎo)體襯底中形成阱區(qū)，在所述第二通孔暴露出的半導(dǎo)體襯底中形成保護(hù)環(huán)；形成硼磷硅玻璃材料，以在第一通孔中形成硼磷硅玻璃側(cè)墻以縮小所述第一通孔的直徑，在第二通孔中形成封閉所述第二通孔的硼磷硅玻璃層；進(jìn)行源區(qū)離子注入，以在所述第一通孔下方的阱區(qū)內(nèi)形成源區(qū)；在所述第一通孔的側(cè)墻外形成硬掩膜層以避免側(cè)墻變形；進(jìn)行離子注入退火。
2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行離子注入退火之后，還包括利用所述硬掩膜層作為掩模刻蝕第一通孔底部暴露出來的半導(dǎo)體襯底；填充金屬形成溝槽型 MOS晶體管的接觸孔。
3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述退火的溫度為700°C、50°C。
4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層為TEOS層或氮化硅層。
5.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述TEOS層的厚度為60()/\ 1000A.
6.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為400A-1000A
7.一種保持硼磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有通孔或者凸出結(jié)構(gòu)；在所述通孔或者凸出結(jié)構(gòu)的側(cè)邊形成材質(zhì)包含硼磷硅玻璃的側(cè)墻；在所述側(cè)墻上形成硬掩膜層以限制所述硼磷硅玻璃的流動(dòng)。
8.如權(quán)利要求7所述的保持硼磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述硬掩膜層為 TEOS層或氮化硅層。
9.如權(quán)利要求8所述的保持硼磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述TEOS層的厚度大于600 A0
10.如權(quán)利要求8所述的保持硼磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度大于400 L·
11.如權(quán)利要求7所述的保持硼磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述凸出結(jié)構(gòu)為柵極結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的形成方法和保持硼磷硅玻璃形貌的方法，所述半導(dǎo)體器件的形成方法包括提供有源區(qū)和保護(hù)環(huán)區(qū)的半導(dǎo)體襯底；形成層間介質(zhì)層，在所述有源區(qū)上的層間介質(zhì)層中形成對(duì)應(yīng)源區(qū)位置的第一通孔，在保護(hù)環(huán)區(qū)上的層間介質(zhì)層中形成對(duì)應(yīng)保護(hù)環(huán)位置的第二通孔；進(jìn)行離子注入，形成阱區(qū)和保護(hù)環(huán)；在第一通孔中形成硼磷硅玻璃側(cè)墻縮小第一通孔的直徑，第二通孔中形成硼磷硅玻璃層封閉第二通孔；進(jìn)行源區(qū)離子注入；在第一通孔的側(cè)墻外形成硬掩膜層以避免側(cè)墻變形；進(jìn)行退火。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)只利用一次光刻形成的通孔，就可以完成溝槽型MOS晶體管阱區(qū)注入，源區(qū)注入，保護(hù)環(huán)注入以及形成溝槽型MOS晶體管接觸孔所在的通孔。
文檔編號(hào)H01L21/336GK103065971SQ201210567779
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者吳亞貞, 樓穎穎, 劉憲周 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司