專利名稱：多路靜電釋放保護器件的加工方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子器件加工制造技術領域，具體涉及一種多路靜電釋放保護器件的加工方法。
背景技術：
隨著集成電路工藝的不斷發(fā)展，晶體管尺寸已經縮減到亞微米甚至深亞微米階段。器件物理尺寸的減小，大大提高了電路的集成度，但是高集成度器件的可靠性問題也隨之而來。ESD (electro-static discharge,靜電釋放)就是引起電子設備與元器件失效的最主要原因之一。這主要是因為，隨著元器件尺寸的縮小，例如場效應元件的柵極氧化層厚度逐漸變薄，這種變化雖然可以大幅度的提高電路的工作效率，但是卻可能使電路變得更加脆弱，從而在受到靜電沖擊時，電路很容易失效。為了解決由于ESD而造成的電子設備和元器件的可靠性問題，業(yè)內考慮在集成電路中引入具有較高性能、較高耐受力的ESD保護器件(也可稱之為靜電阻抗器XESD保護器件一般配置在電路的信號線路與接地端之間，電路正常工作狀態(tài)下，ESD保護器件兩端被中間的介質層隔開，呈現(xiàn)出高阻狀態(tài)，信號不會通過ESD保護器件而流入接地端。當電路受到ESD影響時，例如人皮膚上的靜電施加在電路上時，電路中可能出現(xiàn)一個很大的電壓值，大電壓的產生使得ESD保護器件兩端出現(xiàn)大的電勢差，此時ESD保護器件被擊穿，由高阻狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)，這樣就將靜電導入到接地端，進而避免了工作電路因為電壓過大造成的損壞。靜電導出后ESD保護器件兩端的電勢差隨之消失，ESD保護器件又回到高阻狀態(tài)。當前，高速信號傳輸的應用越來越多，ESD保護器件自身的寄生電容越大對高速信號傳輸所造成的信號失真、損耗影響也就越大?，F(xiàn)有技術中的ESD保護器件是利用PN結的反向擊穿原理來達到靜電保護的目的，其采用的是半導體制作工藝，因此，此類ESD保護器件往往要用較高的制造成本 才能達到超小寄生電容容值與漏電流電流值(例如，實現(xiàn)小于0. 2pf的寄生電容容值和小于IOOnA的漏電流流值)。此外，通過此類ESD保護器件的電流過大時，可能會造成ESD器件炸裂而形成開路現(xiàn)象。

發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供一種多路ESD保護器件的加工方法，以期降低ESD保護器件的制作成本、提高ESD保護器件的安全性。本發(fā)明提供一種多路靜電釋放保護器件的加工方法，可包括在第一基材上加工出N個通孔，其中，所述N大于2，所述第一基材包括第一導電層、第二導電層和位于所述第一導電層和所述第二導電層之間的第一絕緣層；通過電鍍和/或化學鍍在所述N個通孔內填充導電物質；在所述第二導電層上進行圖形加工，以將所述第二導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域；在所述第一導電層上進行圖形加工和/或在所述第一導電層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的盲槽，以將所述第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，其中，所述第一導電層的N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域，分別通過所述N個通孔中的不同通孔內的導電物質，與所述第二導電層的N個導電區(qū)域中的不同導電區(qū)域導通； 在所述第一導電層上設置第一樹脂層；在所述第一樹脂層上設置保護層；在所述保護層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的N-1個盲孔；在所述N-1個盲孔內填充漿料，其中，所述第一導電層的N個導電區(qū)域包括接地導電區(qū)域和N-1個非接地導電區(qū)域，所述N-1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過所述N-1個盲孔中的不同盲孔內的漿料與所述接地導電區(qū)域相接，其中，所述漿料含有導電粒子和非導電粒子；將所述保護層從所述第一樹脂層上剝離；在所述第一樹脂層上設置保護上體?？蛇x的，所述在第一基材上加工出N個通孔，包括通過機械鉆孔或激光鉆孔方式在所述第一基材加工出N個通孔?？蛇x的，所述在所述第一導電層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的盲槽包括通過機械銑槽或激光銑槽方式在所述第一導電層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的盲槽。可選的，所述盲槽寬度小于或或者等于50微米。

可選的，所述第一基材為銅箔基板CCL?？蛇x的，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或者全部投影，落入所述盲槽在所述第一基材的板面方向的投影之中?？蛇x的，所述保護上體包括第二基材和設置于所述第二基材上的粘合層；所述在所述第一樹脂層上設置保護上體包括通過所述粘合層將所述保護上體粘接到所述第一樹脂層上。可選的，所述第二基材包括第二絕緣層和第三導電層，其中，所述粘合層設置于所述第三導電層之上；其中，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影之中，或者，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的投影，與所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影重合。可選的，所述保護上體包括第二基材、以及設置于所述第二基材上的第二樹脂層和設置于所述第二樹脂層上的粘合層；所述在所述第一樹脂層上設置保護上體，包括通過所述粘合層將所述保護上體粘接到所述第一樹脂層上?？蛇x的，所述第二基材包括第二絕緣層和第三導電層，其中，所述第二樹脂層設置于所述第三導電層之上；其中，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影之中，或者，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的投影，與所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影重合?？蛇x的，所述第一樹脂層為環(huán)氧類樹脂層或酚醛類樹脂層?？蛇x的，所述第二樹脂層為環(huán)氧類樹脂層或酚醛類樹脂層。
可選的，所述保護層為環(huán)氧類樹脂層或丙烯酸類樹脂層。由上可見，在本發(fā)明實施例的多路ESD保護器件加工方案，主要采用成熟度高的封裝基板加工工藝或印刷線路板加工工藝加工ESD保護器件，而非半導體加工工藝，有利于降低ESD保護器件的加工難度和制造成本。其次是在ESD保護器件中引入含有導電粒子和非導電粒子的漿料，例如，第一導電層的N個導電區(qū)域包括接地導電區(qū)域和N-1個非接地導電區(qū)域，N-1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過N-1個盲孔中的不同盲孔之內的漿料來與上述接地導電區(qū)域相接，如此，在正常工作電壓下，孔之內的漿料保持高阻狀態(tài)，當電壓超過觸發(fā)電壓時漿料變成低阻狀態(tài)以實現(xiàn)靜電保護，且漿料填充于孔內，具備極低的寄生電容與漏電流，有利于減小加工出的ESD保護器件的電容、漏電流(例如，本發(fā)明實施例方案加工出的ESD保護器件甚至能夠實現(xiàn)小于0. 2pf的寄生電容容值和小于IOOnA的漏電流流值)，這對降低例如高頻/高速電路的信號失真與損耗、降低電路功耗、提高電路的工作效率和ESD保護器件工作的安全性具有重要的意義。并且，本發(fā)明實施例在ESD保護器件中引入樹脂材料，有利于進一步降低ESD保護器件的制造難度和制造成本，進而有利于提升本發(fā)明實施例方案加工出的ESD保護器件的市場競爭力。進一步的，本發(fā)明實施例實現(xiàn)了多路ESD保護器件加工，且加工出的ESD保護器件的各路共用接地端，這樣有利于進一步提聞加工效率，降低制造成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發(fā)明 實施例提供一種多路靜電釋放保護器件的加工方法的流程示意圖；圖疒圖27為本發(fā)明實施例提供的多路靜電釋放保護器件的加工示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供一種靜電釋放保護器件的加工方法，以期降低ESD保護器件的制作成本、提高ESD保護器件的安全性。下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”、“第三” “第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數據在適當情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實施例例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序實施。此外，術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產品或設備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或對于這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。
為便于更好的理解靜電，下面簡單對靜電進行介紹。靜電是一種客觀存在的自然現(xiàn)象，產生的方式多種，如接觸、摩擦、電器間感應等。靜電的特點是長時間積聚、高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。人體自身動作或與其他物體的接觸，分離，摩擦或感應等因素，可以產生幾千伏甚至上萬伏的靜電。靜電在多個領域造成嚴重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業(yè)中的兩大危害，常常造成電子電器產品運行不穩(wěn)定，甚至損壞。生產過程中靜電防護的主要措施為靜電泄露、耗散、中和、增濕，屏蔽與接地。人體靜電防護系統(tǒng)主要有防靜電手腕帶、腳腕帶、腳跟帶、工作服、鞋襪、帽、手套或指套等組成，具有靜電泄放，中和與屏蔽等功能。靜電防護工作是一項長期的系統(tǒng)工程，任何環(huán)節(jié)的失誤或疏漏，都將導致靜電防護工作的失敗。靜電在日常生活中可以說是無處不在，我們的身上和周圍就帶有很高的靜電電壓，幾千伏甚至幾萬伏。平時可能體會不到，人走過化纖的地毯靜電大約是35000伏，翻閱塑料說明書大約7000伏，對于一些敏感儀器來講，這個電壓可能會是致命的危害。靜電學主要研究靜電應用技術，如靜電除塵、靜電復印、靜電生物效應等。更主要的是靜電防護技術，如電子工業(yè)、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及航天與軍事領域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失近年來隨著科學技術的飛速發(fā)展、微電子技術的廣泛應用及電磁環(huán)境越來越復雜，靜電放電的電磁場效應如電磁干擾及電磁兼容性問題，已經成為一個迫切需要解決的問題。 一方面，一些電阻率很高的高分子材料如塑料或橡膠等的制品的廣泛應用以及現(xiàn)代生產過程的高速化，使得靜電能積累到很高的程度，另一方面，靜電敏感材料的生產和使用，如輕質油品、火藥、固態(tài)電子器件等，工礦企業(yè)部門受靜電的危害也越來越突出，靜電危害造成了相當嚴重的后果和損失。它可以在不經意間將昂貴的電子器件擊穿，造成電子工業(yè)年損失達上百億美元。ESD就是電荷的快速中和，電子工業(yè)每年花在這上面的費用有數十億美元之多。所有的物質都由原子構成，原子中有電子和質子。當物質獲得或失去電子時，它將失去電平衡而變成帶負電或正電，正電荷或負電荷在材料表面上積累就會使物體帶上靜電。電荷積累通常因材料互相接觸分離而產生，也可由摩擦引起，稱為摩擦起電。有許多因素會影響電荷的積累，包括接觸壓力、摩擦系數和分離速度等。靜電電荷會不斷積累直到造成電荷產生的作用停止、電荷被泄放或達到足夠的強度可以擊穿周圍物質為止。電介質被擊穿后，靜電電荷會很快得到平衡，這種電荷的快速中和就稱為靜電放電。由于在很小的電阻上快速泄放電壓，泄放電流會很大，可能超過20安培，如果這種放電通過集成電路或其他靜電敏感元件進行，這么大的電流將對設計為僅導通微安或毫安級電流的電路造成嚴重損害。其中，可有多種模型可用來表述器件如何受到損害，例如人體模型、機器模型、帶電器件模型以及電場對器件的影響等。其中，例如對于自動裝配設備而言，主要考慮后三種損壞模型。例如，機器模型/模式，自動裝配設備使用導軌、傳動帶、滑道、元件運送器和其他裝置來移動器件，使之按工藝要求的方向運動，如果設備設計不當，傳動帶和運送系統(tǒng)上可能會積累大量電荷，這些電荷將在工藝過程中通過器件泄放。設備部件通過器件放電就稱為機器模型/模式。帶電器件模型/模式，如果一個器件因某種原因累積了電荷并與一個帶電少的表面相接觸，電荷就會通過器件上的導電部分泄放。當器件向其他材料放電時，就稱為帶電器件模式，用帶電器件模型表示。電場影響，電場感應會在IC阻性線路間產生電位差，引起絕緣體介質擊穿。造成失效的另一個原因是器件上的電荷在電場中會被極化，從而產生電位差并向異性電荷放電，形成雙重放電或中和。在ESD控制中可使用具有不同電阻特性的材料，這些材料用在自動裝配設備中可以獲得理想的效果。而電子消費類、數碼產品中專門的ESD保護器件。工作原理是在電器正常工作過程中，ESD保護器件只是表現(xiàn)為低的電容值(一般小于5pf)容抗特性，不會對正常的電器特性產生影響，且不會影響到電子產品的信號及數據傳輸；當器件兩端的過電壓達到預定的崩潰電壓時，迅速的(可能達到納秒級)做出反應，以幾何級數的量放大極間漏電流通過，從而達到吸收、減弱靜電對電路特性的干擾和影響。同時，由于ESD保護器件的構成材質的特殊性，ESD保護器件往往都是通過對靜電進行吸收和耗散，亦即表現(xiàn)為一個充放電的過程來達到對設備進行靜電防護。本發(fā)明多路靜電釋放保護器件的加工方法一個實施例，其中，一種多路靜電釋放保護器件的加工方法可包括在第一基材上加工出N個通孔，其中上述N大于2，第一基材包括第一導電層、第二導電層和位于第一導電層和第二導電層之間的第一絕緣層；通過電鍍和/或化學鍍在上述N個通孔內填充導電物質；在第二導電層上進行圖形加工，以將第二導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域；在第一導電層上進行圖形加工和/或在第一導電層上加工出貫穿至第一絕緣層的盲槽，以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，其中第一導電層的N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域，分別通過上述N個通孔中的不同通孔內的導電物質，與第二導電層的N個導電區(qū)域中的不同導電區(qū)域導通；在第一導電層上設置第一樹脂層；在第一樹脂層上設置保護層；在上述保護層上加工出貫穿至第一絕緣層的N-1個盲孔；在上述N-1個盲孔內填充漿料，其中第一導電層的N個導電區(qū)域包括接地導電區(qū)域和N-1個非接地導電區(qū)域，上述N-1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過上述N-1個盲孔中的不同盲孔內的漿料與上述接地導電區(qū)域相接，其中，上述N-1大于或等于上述N-1，上述漿料含有導電粒 子和非導電粒子；將上述保護層從第一樹脂層上剝離掉；在第一樹脂層上設置保護上體。請參見圖1，圖1為本發(fā)明實施例提供的一種多路靜電釋放保護器件的加工方法的流程示意圖。如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的一種多路靜電釋放保護器件的加工方法可以包括以下內容101、在第一基材上加工出N個通孔，其中，上述N大于2，第一基材包括第一導電層、第二導電層和位于第一導電層和第二導電層之間的第一絕緣層。在本發(fā)明的一些實施例中，例如可通過機械鉆孔或者激光鉆孔方式(或其它加工方式)，在第一基材加工出N個通孔。可以理解的是，本發(fā)明實施例中的N可取值2、3、4、5、6、7、8或其它更大的值。其中，第一基材可為銅箔基板(CCL, copper clad laminate)或者其它類型的基板。其中，第一絕緣層例如可為環(huán)氧類樹脂層或酚醛類樹脂層或其它類型樹脂材料的樹脂層或其它類型的絕緣材料層。102、通過電鍍和/或化學鍍在上述N個通孔內填充導電物質。在本發(fā)明的一些實施例中，通過電鍍和/或化學鍍在上述N個通孔內填充導電物質的同時，可能增厚第一導電層和第二導電層的導電物質，若無需增厚第一導電層和/或第二導電層的導電物質，在上述通過電鍍和/或化學鍍在上述N個通孔內填充導電物質的步驟之前，可在第一導電層和/或第二導電層上其它區(qū)域貼抗鍍膜，并露出上述N個通孔。
可以理解，通過電鍍和/或化學鍍在N個通孔內填充導電物質，以形成層間互聯(lián)，這樣有利于很好的控制層間互聯(lián)的形成精度，較現(xiàn)有技術在精度方面有很大提高。103、在第二導電層上進行圖形加工，以將第二導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域。在本發(fā)明的一些實施例中，例如可通過化學蝕刻或激光燒蝕(或其它可能的加工方式)，在第二導電層上進行圖形加工，以將第二導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域。其中，第二導電層的該N個導電區(qū)域的面積可能相等或部分相等，或第二導電層的該N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域的面積也可各不相等。104、在第一導電層上進行圖形加工和/或在第一導電層上加工出貫穿至第一絕緣層的盲槽，以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，其中第一導電層的上述N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域，分別通過上述N個通孔中的不同通孔內的導電物質，與第二導電層的上述N個導電區(qū)域中的不同導電區(qū)域導通。其中，例如第一導電層的上述N個導電區(qū)域中的導電區(qū)域tll，可通過上述N個通孔中的通孔kl內的導電物質，與第二導電層的上述N個導電區(qū)域中的導電區(qū)域t21導通，其中，導電區(qū)域tll為第一導電層 的上述N個導電區(qū)域中的任意一個導電區(qū)域，通孔kl為上述N個通孔中的任意一個通孔，導電區(qū)域t21為第二導電層的上述N個導電區(qū)域中的任意一個導電區(qū)域。而在本發(fā)明的一些實施例中，導電區(qū)域111也還可通過通孔k2內的導電物質與導電區(qū)域t21導通，其中，通孔k2不同于上述N個通孔中的任意一個通孔，也就是說，導電區(qū)域tll可通過一個或多個通孔(如通孔kl和通孔k2)內的導電物質與導電區(qū)域t21導通，以提高穩(wěn)定可靠性?？梢岳斫獾氖?，第一導電層的上述N個導電區(qū)域中的導電區(qū)域tll只與第二導電層的上述N個導電區(qū)域中的導電區(qū)域t21導通，而不會與第二導電層的上述N個導電區(qū)域中的其它任意一個導電區(qū)域導通。當然，導通第一導電層的導電區(qū)域和第二導電層的導電區(qū)域的各通孔不相交。在本發(fā)明一些實施例中，若通過在第一導電層上進行圖形加工，以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，則例如可以通過化學蝕刻或者激光燒蝕(或者其它可能的加工方式)，在第一導電層上進行圖形加工，以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域。其中，第一導電層的該N個導電區(qū)域的面積可能相等或部分相等，或第一導電層的該N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域的面積也可各不相等。在本發(fā)明另一些實施例中，若通過在第一導電層上加工出貫穿至第一絕緣層的盲槽，以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，則例如可通過機械銑槽或激光銑槽方式(或其它加工方式)，在第一導電層上加工出貫穿至第一絕緣層的盲槽，以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，其中第一導電層的該N個導電區(qū)域的面積可能相等或部分相等，或第一導電層的該N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域的面積也可各不相等。其中，上述盲槽的寬度可小于50微米或更寬或更窄。其中，上述盲槽中的例如可延伸到第一絕緣層的表面或第一絕緣層的內部。在本發(fā)明的一些實施例中，也可在第一導電層上進行圖形加工，并在第一導電層上加工出貫穿至第一絕緣層的盲槽，以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，SP，通過圖形加工和盲槽加工配合以將第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域。其中，上述盲槽中的例如可延伸到第一絕緣層的表面或第一絕緣層的內部。
105、在第一導電層上設置第一樹脂層。在本發(fā)明的一些實施例中，可通過壓合、印刷或涂覆等方式在第一導電層上設置第一樹脂層?？梢岳斫猓粼诘谝粚щ妼由霞庸こ隽素灤┲恋谝唤^緣層的盲槽，則第一樹脂層的部分樹脂可填充于上述加工出的貫穿至第一絕緣層的盲槽之中。在本發(fā)明的一些實施例中，第一樹脂層例如可為環(huán)氧類樹脂層或酚醛類樹脂層或其它類型樹脂材料的樹脂層。106、在第一樹脂層上設置保護層。在本發(fā)明的一些實施例中，可通過壓合、印刷或涂覆等方式在第一樹脂層上設置保護層。其中，上述保護層例如可為，環(huán)氧類樹脂層或丙烯酸類樹脂層或其它類型的保護材料。在實際應用中，所選取的保護層材料例如具有較好的可剝離特性，以便后續(xù)可將該保護層從第二絕緣層上方便剝離。107、在上述保護層上加工出貫穿至第一絕緣層的N-1個盲孔。在本發(fā)明的一些實施例 中，例如可通過機械鉆孔或者激光鉆孔方式(或者其它可能的加工方式)，在上述保護層上加工出貫穿至上述第一絕緣層的N-1個盲孔。其中，上述N-1個盲孔中的部分或全部盲孔例如可延伸到第一絕緣層的表面，或者，上述N-1個盲孔中的部分或全部盲孔例如可延伸到第一絕緣層的內部。108、在上述N-1個盲孔內填充漿料，其中，第一導電層的N個導電區(qū)域包括接地導電區(qū)域(即用于接地的導電區(qū)域)和N-1個非接地導電區(qū)域，上述N-1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過上述N-1個盲孔中的不同盲孔內的漿料與上述接地導電區(qū)域相接，其中，上述漿料含有導電粒子和非導電粒子。其中，例如，第一導電層的上述N-1個非接地導電區(qū)域中的非接地導電區(qū)域tll，可通過上述N-1個盲孔中的盲孔mkl內的漿料，與第一導電層的上述接地導電區(qū)域導通，其中，非接地導電區(qū)域tll為第一導電層的上述N-1個非接地導導電區(qū)域中的任意一個非接地導電區(qū)域，盲孔mkl為上述N-1個盲孔中的任意一個盲孔。而在本發(fā)明的一些實施例中，非接地導電區(qū)域tll也還可通過盲孔mk2內的漿料與第一導電層的上述接地導電區(qū)域導通相接，其中盲孔mk2不同于上述N-1個盲孔中的任意一個盲孔。也就是說，非接地導電區(qū)域111可通過一個或多個盲孔(如盲孔mkl和盲孔mk2 )內的漿料與接地導電區(qū)域相接，以提高穩(wěn)定可靠性。可以理解，第一導電層的上述N-1個非接地導電區(qū)域中任意兩個非接地導電區(qū)域，不通過盲孔內的漿料相接。其中，漿料中可包括硅樹脂和/或環(huán)氧類樹脂等，當然漿料亦可包括其它非導電粒子。在正常工作電壓下，孔內的漿料保持高阻狀態(tài)，當電壓超過觸發(fā)電壓時漿料變成低阻狀態(tài)以實現(xiàn)靜電保護，即，漿料的電阻值在不同的電壓下可能不同，當電壓值過觸發(fā)電壓時，漿料電阻可變小。漿料填充于孔內，具備極低的寄生電容與漏電流，有利于減小加工出的ESD保護器件的電容和漏電流，這對降低例如高頻/高速電路的信號失真與損耗、降低電路功耗、提高電路的工作效率和ESD保護器件工作的安全性具有重要的意義。在實際應用中，可根據需要來選擇不同類型的漿料，以滿足不同觸發(fā)電壓保護需要。其中，漿料含有導電粒子和非導電粒子，其中，非導電粒子例如可以包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂或其它可用材料。導電粒子例如可以是微米級(或更大或更小)的金屬粉末(如銅粉、銀粉或其它金屬導體)或氧化物等(如可導電的各種金屬氧化物等)。當然，漿料中還可包括導電粒子和/或非導電粒子的添加劑等。下面硅樹脂作簡單介紹，硅樹脂通常是指由硅氧結構單元構成的一類受熱可固化并形成三維網狀結構的樹脂。硅樹脂是具有高度交聯(lián)網狀結構的聚有機硅氧烷，兼具有機樹脂及無機材料的雙重特性。通常是用甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷、二苯基二氯硅烷或甲基苯基二氯硅烷的各種混合物，在有機溶劑如甲苯存在下，在較低溫度下加水分解，得到酸性水解物。水解的初始產物是環(huán)狀的、線型的和交聯(lián)聚合物的混合物，通常還含有相當多的羥基。水解物經水洗除去酸，中性的初縮聚體于空氣中熱氧化或在催化劑存在下進一步縮聚，最后形成高度交聯(lián)的立體網絡結構。硅樹脂是一種熱固性的塑料，它最突出的性能之一是優(yōu)異的熱氧化穩(wěn)定性。250°C加熱24小時后，硅樹脂失重僅為2 8%。硅樹脂另一突出的性能是優(yōu)異的電絕緣性能，它在寬的溫度和頻率范圍內均能保持其良好的絕緣性能。硅樹脂的分類硅樹脂是以硅一氧一娃為主鏈，硅原子上聯(lián)接有有機基的交聯(lián)型的半無機高聚物。它是隨著直接法生產有機硅單體硅樹脂具有突出的耐候性，是任何一種有機樹脂所望塵莫及的，即使在紫外線強烈照射下，硅樹脂也耐泛黃。硅樹脂膠粘劑有機硅膠粘劑按原材料來源可分為以硅樹脂為基料的膠粘劑和以硅橡膠為基料的膠粘劑，其中，前者主要用于膠接金屬和耐熱硅樹脂對鐵、鋁和錫之類的金屬膠接性能好，對玻璃和陶瓷也容易膠接。其中，娃樹脂類型包括如下種類甲基苯基娃樹脂、甲基娃樹脂、低苯基甲基娃樹月旨、有機硅樹脂乳液、自干型有機硅樹脂、高溫型有機硅樹脂、環(huán)氧改性有機硅樹脂、有機硅聚酯改性樹脂、自干型環(huán)保有機硅樹脂、環(huán)保型有機硅樹脂、不粘涂料有機硅樹脂、高光有機硅樹脂、苯甲基透明硅樹脂、甲基透明有機硅樹脂、云母粘接硅樹脂、聚甲基硅樹脂、氨基硅樹脂、氟硅樹脂、硅樹脂溶液、有機硅-環(huán)氧樹脂、有機硅聚酯樹脂、耐溶劑型有機硅樹月旨、有機硅樹脂膠粘劑、氟硅樹脂硅樹脂密封劑、耐高溫甲基硅樹脂、自干型有機硅絕緣漆、甲基MQ娃樹脂、乙稀基MQ娃樹脂、娃丙樹脂涂料等等。109、將上述保護層從第一樹脂層上剝離。

110、在第一樹脂層上設置保護上體。其中，可通過多種可能的方式將保護上體設置在第一樹脂層上。在第一樹脂層上設置保護上體的目的之一是保護第一樹脂層、第一導電層和N-1個盲孔內的漿料等等。可以理解，保護上體的結構可以是多種多樣的。在本發(fā)明的一些實施例中，上述保護上體包括第二基材和設置于第二基材上的粘合層。其中，在第一樹脂層上設置保護上體包括通過上述粘合層將上述保護上體粘接到第一樹脂層上。在這種場景下，例如，第二基材可包括第二絕緣層和第三導電層(其中，第三導電層例如可為銅層或其它材料的導電層)，其中，上述粘合層設置于第三導電層之上?；蛘撸诙目梢园ǖ诙^緣層、第三導電層和第四導電層(其中第三導電層和第四導電層例如可為銅層或其它材料的導電層)，其中，第二絕緣層位于第三導電層和第四導電層之間，其中，上述粘合層設置于第三導電層之上。其中，上述N-1個盲孔在第一基材的板面方向的部分或全部投影，可以落入第三導電層的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影之中，或者，上述N-1個盲孔在第一基材的板面方向的投影，可與第三導電層的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影重合。例如第三導電層可包括多個導電區(qū)域(例如包括N-1個導電區(qū)域)，每個導電區(qū)域的面積均可大于或者等于一個盲孔的橫截面積。若第二基材包括第三導電層(其中由于第三導電層通常具有一定的機械強度)，則在將保護上體壓合到第一樹脂層上時，第三導電層可對上述N-1個盲孔內的漿料起到一定的保護作用，當然如果第二絕緣層具有足夠的機械強度，則第三導電層亦可省略。在本發(fā)明的另一些實施例中，上述保護上體可包括第二基材、以及設置于第二基材上的第二樹脂層和設置于第二樹脂層上的粘合層。其中，在第一樹脂層上設置保護上體例如可以包括通過上述粘合層將上述保護上體粘接到第一樹脂層上。在這種場景下，例如，第二基材可以包括第二絕緣層和第三導電層(其中，第三導電層例如可為銅層或其它材料的導電層)，其中，第二樹脂層設置于第三導電層之上，或者，第二基材可以包括第二絕緣層、第三導電層和第四導電層(其中，第三導電層和第四導電層例如可為銅層或其它材料的導電層)，其中，第二絕緣層位于第三導電層和第四導電層之間，其中，第二樹脂層設置于第三導電層之上。其中，上述N-1個盲孔在第一基材的板面方向的部分或全部投影，可落入第三導電層的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影之中；或者，上述N-1個盲孔在第一基材的板面方向的投影，可與第三導電層的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影重合。例如,第三導電層可包括多個導電區(qū)域(例如可包括N-1個導電區(qū)域)，每個導電區(qū)域的面積均可大于或者等于一個盲孔的橫截面積。若第二基材包括第三導電層(第三導電層通常具有一定的機械強度)，則在將保護上體壓合到第一樹脂層上時，第三導電層可對上述N-1個盲孔內的漿料起到一定的保護作用，當然，如果第二絕緣層具有足夠的機械強度，則第三導電層亦可省略。在本發(fā)明一些實施例中，第一樹脂層例如可為環(huán)氧類樹脂層或酚醛類樹脂層或其它類型樹脂材料的樹脂層。第二絕緣層例如可為環(huán)氧類樹脂層或酚醛類樹脂層或其它類型樹脂材料的樹脂層或其它類型的絕緣材料層。其中，第二基材例如可為CCL或者其它類型的基板。為便于更好的理解和實施本發(fā)明實施例的上述方案，下面結合附圖進行應用場景舉例。 請一并參見圖2 圖27，其中，圖2 圖27為本發(fā)明實施例提供的一種靜電釋放保護器件的加工示意圖。圖2不出了第一基材200的一種舉例結構。其中，第一基材200包括第一導電層201、第一絕緣層202和第二導電層203，其中，第一絕緣層202介于第一導電層201和第二導電層203之間。圖3示出在第一基材200上鉆出了 N個通孔204。附圖中主要以N等于6為例，當然在實際應用中，N可以為大于2的任何正整數。圖4為鉆出了 N個通孔204之后的第一基材200的仰視示意圖。圖5示出了通過化學鍍和/或電鍍在N個通孔204中填充導電物質205。圖6不出了在第一基材200的第二導電層203上進行圖形加工，已將第一導電層201分割為互不導通的N個導電區(qū)域。圖7不出了在第一基材200的第一導電層201上進行圖形加工。圖8示出了在第一基材200的第一導電層201上加工出貫穿至第一絕緣層202的盲槽206,以將第一導電層201分割為互不導通的N個導電區(qū)域。
其中，第一導電層201的上述N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域，分別通過上述N個通孔204中的不同通孔內的導電物質205，與第二導電層203的上述N個導電區(qū)域中的不同導電區(qū)域導通。圖9為經過圖6 圖9所示加工后的切面示意圖，其中，圖9示出盲槽206貫穿至第一絕緣層202的內部，當然，在其它應用場景下，盲槽206也可只貫穿至第一絕緣層202的表面而不延伸至第一絕緣層202的內部。圖10示出在第一導電層201上設置第一樹脂層207，圖10中示出第一樹脂層207將盲槽206填充。圖11示出在第一樹脂層207上設置保護層208。圖12示出在保護層208上加工出貫穿至第一絕緣層202的N_1個盲孔209。其中，圖12中示出加工出的N-1個盲孔209在第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入盲槽206在第一基材的板面方向的投影之中。圖13示出在N-1個盲孔209內填充漿料210。其中，第一導電層201的N_1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過上述N-1個盲孔209中的不同盲孔內的漿料210與接地導電區(qū)域(圖8和圖9中標示出了接地導電區(qū)域2011)相接。圖14示出在將保護層208從第一樹脂層207上剝離，其中，圖14示出部分漿料210也被剝離掉了，至此，ESD保護器件的下體已經加工完成。圖15為圖14所示結構的俯視示意圖。

圖16 圖22示舉例出了 ESD保護器件的兩種保護上體的加工方式。其中，圖16中示出第二基板300的一種舉例結構。其中,第二基材300包括第四導電層301、第二絕緣層302和第三導電層303，其中，第二絕緣層302介于第四導電層301和第三導電層303之間。圖17示出在第二基板300的第三導電層303上進行圖形加工。圖18示出在第三導電層303上進行圖形加工后的仰視示意圖，其中第三導電層303被分割為互不導通的N-1個導電區(qū)域。圖19示出在第三導電層303上設置第二樹脂層304。圖20示出在第二樹脂層304上設置粘合層305。圖21示出在粘合層305上銑出(例如，可通過激光銑槽方式或機械銑槽方式)貫穿至第三導電層303的盲槽，以露出第三導電層303的部分或全部導電區(qū)域。至此，ESD保護器件的一種保護上體加工完成。圖16 圖21示出了加工出包含第二樹脂層304的保護上體。圖16 圖18，以及圖22示出加工出不包含第二樹脂層304的保護上體。圖22示出了在圖18所示結構的基礎上，進一步在第三導電層303上設置粘合層305，至此，ESD保護器件的另一種保護上體加工完成。其中，圖22所示保護上體的中的第四導電層301和第三導電層303均可省略，即第二基材300可為第二絕緣層302，而在第二絕緣層302上設置粘合層305之后即可得到ESD保護器件的一種保護上體。圖23示出將圖21所示保護上體，粘接到圖15所示的ESD保護器件的下體上，得到一種結構的ESD保護器件。圖24是在圖23所示結構的基礎上省略掉第四導電層301之后的ESD保護器件的示意圖。其中，圖23中示出上述N-1個盲孔209在第一基材200的板面方向的投影，落入第三導電層303的導電區(qū)域在第一基材200的板面方向的投影之中，即第三導電層的N-1個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域的面積均可大于或者等于對應的一個盲孔209的橫截面積。由于第三導電層303通常具有一定的機械強度，則在將保護上體壓合到第一樹脂層207上時，第三導電層303可對上述N-1個盲孔209內的漿料210起到一定的保護作用，當然，如果第二絕緣，302具有足夠的機械強度，則第三導電層303亦可省略。其中，圖23中示出漿料210和第三導電層303之間具有空隙(該空隙可以是密閉或非密閉的空間)。圖25示出將圖22所示保護上體，粘接到圖15所示的ESD保護器件的下體上，得到另一種結構的ESD保護器件。圖26是在圖25所示結構的基礎上省略第四導電層301之后的ESD保護器件示意圖。其中，圖24中示出上述N-1個盲孔209在第一基材200的板面方向的投影，落入第三導電層303的導電區(qū)域在第一基材200的板面方向的投影之中，即第三導電層的N-1個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域的面積均可大于或者等于對應的一個盲孔209的橫截面積。由于第三導電層303通常具有一定的機械強度，則在將保護上體壓合到第一樹脂層207上時，第三導電層303可對上述N-1個盲孔209內的漿料210起到一定的保護作用，當然，如果第二絕緣302具有足夠的機械強度，則第三導電層303亦可省略。圖27是在圖26所示結構的基礎上省略第三導電層302之后的ESD保護器件的示意圖?？梢岳斫獾氖?，ESD保護器件的保護上體的結構不限于圖中舉例?？梢岳斫?，圖疒圖27所示的ESD保護器件加工方式僅為舉例，在實際應用中還可做靈活適宜性的 調整。由上可見，在本發(fā)明實施例提供的ESD保護器件加工方案，主要采用成熟度高的封裝基板加工工藝或印刷線路板加工工藝加工ESD保護器件，而非半導體加工工藝，有利于降低ESD保護器件的加工難度和制造成本。其次是在ESD保護器件中引入含有導電粒子和非導電粒子的漿料，例如，第一導電層的N個導電區(qū)域包括接地導電區(qū)域和N-1個非接地導電區(qū)域，N-1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過N-1個盲孔中的不同盲孔之內的漿料來與上述接地導電區(qū)域相接，如此，在正常工作電壓下，孔之內的漿料保持高阻狀態(tài)，當電壓超過觸發(fā)電壓時漿料變成低阻狀態(tài)以實現(xiàn)靜電保護，且漿料填充于孔內，具備極低的寄生電容與漏電流，有利于減小加工出的ESD保護器件的電容、漏電流(例如，本發(fā)明實施例方案加工出的ESD保護器件甚至能夠實現(xiàn)小于0. 2pf的寄生電容容值和小于IOOnA的漏電流流值)，這對降低例如高頻/高速電路的信號失真與損耗、降低電路功耗、提高電路的工作效率和ESD保護器件工作的安全性具有重要的意義。并且，本發(fā)明實施例在ESD保護器件中引入樹脂材料，有利于進一步降低高ESD保護器件的制造難度和制造成本，進而有利于提升本發(fā)明實施例方案加工出的ESD保護器件的市場競爭力。進一步的，本發(fā)明實施例實現(xiàn)多路ESD保護器件(包括N-1個保護支路)加工，且加工出的ESD保護器件的各路共用接地端，這樣有利于進一步提高加工效率，降低制造成本。本發(fā)明實施例還提供多路ESD保護器件。多路ESD保護器件的舉例結構可如圖23 圖27任意一幅所示。其中，多路ESD保護器件，可包括下體(下體的結構可如圖14所示)和保護上體，其中，下體可包括第一基材和第一樹脂層207，其中，第一基材包括第一導電層201、第二導電層203和位于第一導電層201和第二導電層203之間的第一絕緣層202，第一樹脂層207設置于第一導電層201上,第一基材上加工有N個孔,上述N個孔內填充有導電物質205，第二導電層203包括互不導通的N個導電區(qū)域，第一導電層包括互不導通的N個導電區(qū)域。其中，第一導電層的N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域，分別通過上述N個孔中的不同通孔內的導電物質205，與第二導電層的N個導電區(qū)域中的不同導電區(qū)域導通；其中，上述下體還具有從第一樹脂層207貫穿至第一絕緣層202的N-1個孔，上述N-1個孔內填充有漿料210，第一導電層201的N個導電區(qū)域包括接地導電區(qū)域和N-1個非接地導電區(qū)域，上述N-1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過上述N-1個孔中的不同孔內的漿料與上述接地導電區(qū)域相接，其中，上述漿料含有導電粒子和非導電粒子，上述保護上體設置于第一樹脂層207之上。在本發(fā)明的一些實施例中，第一基材上還具有從第一導電層201貫穿至第一絕緣層202的槽。具體結構可如圖8和圖9所示的槽206。在本發(fā)明的一些實施例中，上述槽的寬度可小于或等于50微米，當然亦可更寬或更窄。在本發(fā)明的一些實施例中，第一基材可為銅箔基板CCL或者其它類型的基板。在本發(fā)明的一些實施例中，上述N-1個孔在第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入上述槽在第一基材的板面方向的投影之中。在本發(fā)明的一些實施例中，上述保護上體包括第二基材和設置于第二基材上的粘合層(具體結構可如圖22所示，其中，第二基材的第三導電層303和/或第四導電層301可省略)。如圖25 27所 示，上述保護上體可通過上述粘合層305粘接到第一樹脂層207上。例如，第二基材包括第二絕緣層和第三導電層，其中上述粘合層設置于第三導電層之上；其中，上述N-1個孔在第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入第三導電層的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影之中，或者，上述N-1個孔在第一基材的板面方向的投影，與第三導電層的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影重合。在本發(fā)明的另一些實施例中，上述保護上體包括第二基材、以及設置于第二基材上的第二樹脂層304和設置于第二樹脂層304上的粘合層305 ;上述保護上體通過上述粘合層305粘接到第一樹脂層207上。例如，第二基材包括第二絕緣層302和第三導電層303，其中，第二樹脂層302設置于第三導電層303之上；其中，上述N-1個孔在第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入第三導電層303的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影之中，或者，上述N-1個孔在第一基材的板面方向的投影，與第三導電層的導電區(qū)域在第一基材的板面方向的投影重合。其中，圖23中示出漿料210和第三導電層303之間具有空隙(其中，該空隙可以是密閉或非密閉的空間)?？蛇x的，第一樹脂層和/或第二樹脂層例如可為環(huán)氧類樹脂層或酚醛類樹脂層或其它可用的樹脂層。可用理解，圖23 圖27所示舉例結構的多路ESD保護器件，可用基于上述方法實施例的加工方式來加工得到，當然亦可通過類似的其它加工方式加工得到。對于圖23 圖27所示舉例結構的多路ESD保護器件的其它觀看角度的情況，可參見圖2 圖22以及上述實施例的相關描述，此處不再贅述。需要說明的是，對于前述的各方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領域技術人員應該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時進行。其次，本領域技術人員也應該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。在上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關描述。以上對本發(fā)明實施例所提供的多路靜電釋放保護器件的加工方法進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制。`
權利要求
1.一種多路靜電釋放ESD保護器件的加工方法，其特征在于，包括 在第一基材上加工出N個通孔，其中，所述N大于2，所述第一基材包括第一導電層、第二導電層和位于所述第一導電層和所述第二導電層之間的第一絕緣層； 通過電鍍和/或化學鍍在所述N個通孔內填充導電物質； 在所述第二導電層上進行圖形加工，以將所述第二導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域； 在所述第一導電層上進行圖形加工和/或在所述第一導電層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的盲槽，以將所述第一導電層分割為互不導通的N個導電區(qū)域，其中，所述第一導電層的N個導電區(qū)域中的每個導電區(qū)域，分別通過所述N個通孔中的不同通孔內的導電物質，與所述第二導電層的N個導電區(qū)域中的不同導電區(qū)域導通； 在所述第一導電層上設置第一樹脂層； 在所述第一樹脂層上設置保護層； 在所述保護層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的N-1個盲孔； 在所述N-1個盲孔內填充漿料，其中，所述第一導電層的N個導電區(qū)域包括接地導電區(qū)域和N-1個非接地導電區(qū)域，所述N-1個非接地導電區(qū)域中的每個非接地導電區(qū)域，分別通過所述N-1個盲孔中的不同盲孔內的漿料與所述接地導電區(qū)域相接，其中，所述漿料含有導電粒子和非導電粒子； 將所述保護層從所述第一樹脂層上剝離； 在所述第一樹脂層上設置保護上體。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于， 所述在第一基材上加工出N個通孔，包括通過機械鉆孔或激光鉆孔方式在所述第一基材加工出N個通孔。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一導電層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的盲槽包括通過機械銑槽或激光銑槽方式在所述第一導電層上加工出貫穿至所述第一絕緣層的盲槽。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于， 所述盲槽寬度小于或等于50微米。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于， 所述第一基材為銅箔基板CCL。
6.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其特征在于，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入所述盲槽在所述第一基材的板面方向的投影之中。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于， 所述保護上體包括第二基材和設置于所述第二基材上的粘合層； 所述在所述第一樹脂層上設置保護上體包括通過所述粘合層將所述保護上體粘接到所述第一樹脂層上。
8.根據要求7述的方法，其特征在于，所述第二基材包括第二絕緣層和第三導電層，其中，所述粘合層設置于所述第三導電層之上；其中，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影之中，或者，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的投影，與所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影重合。
9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述保護上體包括第二基材、以及設置于所述第二基材上的第二樹脂層和設置于所述第二樹脂層上的粘合層； 所述在所述第一樹脂層上設置保護上體，包括 通過所述粘合層將所述保護上體粘接到所述第一樹脂層上。
10.根據要求9述的方法，其特征在于，所述第二基材包括第二絕緣層和第三導電層，其中，所述第二樹脂層設置于所述第三導電層之上；其中，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或全部投影，落入所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影之中，或者，所述N-1個盲孔在所述第一基材的板面方向的投影，與所述第三導電層的導電區(qū)域在所述第一基材的板面方向的投影重合。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了多路ESD保護器件的加工方法。一種多路ESD保護器件的加工方法包括在第一基材上加工出N個通孔，第一基材包括第一導電層、第二導電層和位于第一導電層和第二導電層之間的第一絕緣層；在N個通孔內填充導電物質；在第二導電層上進行圖形加工；在第一導電層上進行圖形加工和/或在第一導電層上加工出貫穿至第一絕緣層的盲槽，在第一導電層上設置第一樹脂層；在第一樹脂層上設置保護層；在保護層上加工出貫穿至第一絕緣層的N-1個盲孔；在N-1個盲孔內填充漿料；將保護層從第一樹脂層上剝離；在第一樹脂層上設置保護上體。本發(fā)明實施例方案有利于降低ESD保護器件的制作成本、提高ESD保護器件的安全性。
文檔編號H01L21/60GK103065989SQ20121058556
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月30日 優(yōu)先權日2012年12月30日
發(fā)明者黃冕 申請人:深圳中科系統(tǒng)集成技術有限公司