中介層系統(tǒng)及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于設(shè)置中介層的系統(tǒng)和方法。實(shí)施例包括在中介層晶圓上形成第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中，該中介層在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間具有劃線區(qū)域。然而，第一區(qū)域和第二區(qū)域通過位于劃線區(qū)域上方的電路相互連接。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一區(qū)域和第二區(qū)域可以相互分離，然后在第一區(qū)域連接至第二區(qū)域之前，將第一區(qū)域和第二區(qū)域密封在一起。
【專利說明】中介層系統(tǒng)及方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地來說，涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用(諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)及其他電子設(shè)備等)中。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過不斷減少最小部件的尺寸來連續(xù)提高各種電子部件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，從而允許更多的部件集成在指定區(qū)域中。由于集成部件所占用的體積基本上是位于半導(dǎo)體晶圓的表面上，因此，實(shí)際上這些集成度改善基本都是二維(2D)的。盡管在光刻方面的顯著提高已經(jīng)引起了 2D集成電路結(jié)構(gòu)大幅提高，但是還存在可以以二維實(shí)現(xiàn)的密度方面的物理局限性。這些局限性中的一個(gè)是制造這些部件需要的最小尺寸。而且，當(dāng)更多的器件置于一個(gè)芯片中時(shí)，需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)。另一個(gè)局限性來自于隨著器件數(shù)量的增加器件之間的互連件的數(shù)量和長度也顯著增加。當(dāng)互連件的數(shù)量和長度增加時(shí)，電路RC延遲和功耗都會(huì)增加。
[0003]因此，在一些應(yīng)用中，已經(jīng)將注意力轉(zhuǎn)移到比以前的封裝件使用更小面積的較小封裝件上。已經(jīng)開發(fā)的一種更小的封裝件是三維(3D) 1C，其中，兩個(gè)管芯或IC接合在一起，并且，電連接件使用位于中介層上的接觸焊盤形成在各個(gè)管芯之間。
[0004]在這些情況下，電源線和信號(hào)線可以穿過中介層。這些線可以是從中介層的一側(cè)到中介層相對(duì)側(cè)上的管芯或其他電連接件的連接件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:中介層，具有第一側(cè)和第二側(cè)，`所述中介層包括:第一區(qū)域，包括第一電路;第二區(qū)域，包括第二電路；和第三區(qū)域，位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，所述第三區(qū)域沒有電路并且從所述第一側(cè)延伸到所述第二側(cè)；以及導(dǎo)電路徑，位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，所述導(dǎo)電路徑在所述第三區(qū)域上方延伸。
[0006]在該半導(dǎo)體器件中，所述第三區(qū)域?yàn)槲挥谒龅谝粎^(qū)域和所述第二區(qū)域之間的劃線區(qū)域。
[0007]在該半導(dǎo)體器件中，所述第三區(qū)域包括密封劑。
[0008]在該半導(dǎo)體器件中，所述導(dǎo)電路徑為第一半導(dǎo)體管芯的一部分。
[0009]該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括附接至所述第一區(qū)域的第二半導(dǎo)體管芯。
[0010]在該半導(dǎo)體器件中，所述第一電路和所述第二電路具有不同的圖案。
[0011 ] 在該半導(dǎo)體器件中，所述第一電路與所述第二電路相同。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:中介層，具有位于第二區(qū)域和第三區(qū)域之間且沒有功能電路的第一區(qū)域；第一接觸件，位于所述第二區(qū)域中；第二接觸件，位于所述第三區(qū)域中；以及導(dǎo)電路徑，在所述第一區(qū)域上方延伸，所述導(dǎo)電路徑電連接所述第一接觸件和所述第二接觸件。
[0013]在該半導(dǎo)體器件中，所述導(dǎo)電路徑是位于所述第一區(qū)域上方的第一半導(dǎo)體管芯的一部分。
[0014]該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括位于所述第二區(qū)域上方的第二半導(dǎo)體管芯。
[0015]在該半導(dǎo)體器件中，所述導(dǎo)電路徑包括位于所述第一區(qū)域上方的鈍化后互連件。
[0016]該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括與所述鈍化后互連件接觸的第一半導(dǎo)體管芯。
[0017]該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括位于所述第二區(qū)域和所述第一區(qū)域之間的密封環(huán)。
[0018]該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括延伸穿過所述第二區(qū)域的襯底通孔。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括:使用光刻工藝在晶圓的第一區(qū)域中形成第一電路、在所述晶圓的第二區(qū)域中形成第二電路以及在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間形成劃線區(qū)域，其中，所述光刻工藝使用具有第一尺寸的圖案化曝光能量并且所述晶圓的所述第一區(qū)域具有所述第一尺寸；在不分離所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的情況下，將所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域與所述晶圓分離；并且在所述劃線區(qū)域的上方將所述第一電路連接至所述第二電路。
[0020]在該方法中，所述使用光刻工藝通過使所述劃線區(qū)域不暴露于所述圖案化曝光能量來形成所述劃線區(qū)域。
[0021 ] 在該方法中，將所述第一電路連接至所述第二電路進(jìn)一步包括將所述第一電路和所述第二電路連接至位于所述劃線區(qū)域上方的半導(dǎo)體管芯。
[0022]在該方法中，將所述第一電路連接至所述第二電路進(jìn)一步包括在所述劃線區(qū)域上方形成鈍化后互連件。
[0023]在該方法中，所述第一電路包括襯底通孔。
[0024]該方法進(jìn)一步包括在所述劃線區(qū)域和所述第一區(qū)域之間形成密封環(huán)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]為了更完整的理解本實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中，
[0026]圖1示出根據(jù)實(shí)施例的第一中介層(interposer)區(qū)域和第二中介層區(qū)域；
[0027]圖2示出根據(jù)實(shí)施例的第一中介層區(qū)域和第二中介層區(qū)域的分離；
[0028]圖3A至圖3D示出根據(jù)實(shí)施例的第一半導(dǎo)體管芯、第二半導(dǎo)體管芯和第三半導(dǎo)體管芯至第一中介層區(qū)域和第二中介層區(qū)域的連接；
[0029]圖4示出根據(jù)實(shí)施例的連接第一中介層區(qū)域和第二中介層區(qū)域的鈍化后互連件的形成；
[0030]圖5示出根據(jù)實(shí)施例的第一半導(dǎo)體管芯、第二半導(dǎo)體管芯和第三半導(dǎo)體管芯至鈍化后互連件的連接；
[0031]圖6示出根據(jù)實(shí)施例的第一中介層區(qū)域從第二中介層區(qū)域上的分離；
[0032]圖7示出根據(jù)實(shí)施例的第一中介層區(qū)域和第二中介層區(qū)域之間的區(qū)域的封裝；以及
[0033]圖8示出根據(jù)實(shí)施例的第一半導(dǎo)體管芯、第二半導(dǎo)體管芯和第三半導(dǎo)體管芯至第一中介層區(qū)域和第二中介層區(qū)域的連接。[0034]除非另有說明，否則不同附圖中的相應(yīng)標(biāo)號(hào)和符號(hào)通常指的是相應(yīng)部件。繪制附圖以清楚地示出實(shí)施例的相關(guān)方面而不必按比例繪制。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面，詳細(xì)討論本發(fā)明實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的創(chuàng)造性概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出了制造和使用所公開主題的具體方式，而不用于限制不同實(shí)施例的范圍。
[0036]將參考具體上下文(S卩，用于半導(dǎo)體芯片的中介層)來描述實(shí)施例。然而，也可以將其他實(shí)施例應(yīng)用于其他類型的連接器件上。
[0037]現(xiàn)在參考圖1，示出了中介層晶圓100，該晶圓具有襯底101、第一中介層區(qū)域103、第二中介層區(qū)域105、第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109、以及第三劃線區(qū)域111。例如，用于中介層晶圓100的襯底101可以是硅襯底、摻雜或不摻雜的或者絕緣體上硅(SOI)襯底的有源層，以用于為中介層晶圓100提供支撐。然而，可選地，襯底101可以是玻璃襯底、陶瓷襯底、聚合物襯底或可以提供合適的保護(hù)和/或互連功能的任何其他襯底。可選地，這些以及任何其他合適的材料均可以用于襯底101。
[0038]襯底101可以劃分為第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105。第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105被設(shè)計(jì)成連接至半導(dǎo)體管芯，諸如，處理器和內(nèi)存管芯(在圖1中未示出，但是下面結(jié)合圖3A進(jìn)行了示出和描述)，并且被設(shè)計(jì)成，一旦第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105從中介層晶圓100上分離，提供半導(dǎo)體管芯的支撐和連接。
[0039]第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111位于中介層晶圓100上的各個(gè)中介層區(qū)域(諸如，如圖1所示的第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105)之間并且將各個(gè)中介層區(qū)域間隔開。在一個(gè)實(shí)施例中，第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111是在其中沒有形成有源電路的中介層晶圓100的區(qū)域，或者是在中介層晶圓100形成之后沒有被使用的電路的區(qū)域。同樣地，當(dāng)期望從中介層晶圓100上去除第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105時(shí)，為了不損害第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105中的電路，可以將第一劃線區(qū)域107和第三劃線區(qū)域111用作要去除的區(qū)域。
[0040]在一個(gè)實(shí)施例中，第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111可以在制造中介層晶圓100上的其他部件期間形成，并且可以具有介于大約60 和大約160iim之間(諸如大約80iim)的第一寬度例如，在本文所述的一個(gè)實(shí)施例中，第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111可以與襯底通孔(TSV) 113、第一金屬化層115、第一接觸焊盤117的形成一起形成。第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111可以與下面描述的這些結(jié)構(gòu)和其他結(jié)構(gòu)同時(shí)形成。
[0041]使用特定實(shí)例，第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111的部分可以在制造第一金屬化層115期間形成,例如,第一金屬化層115可以使用一系列的光刻掩模和蝕刻工藝，其中，可以施加許多光刻膠(例如第一光刻膠(在圖1中沒有單獨(dú)示出))，并且這些光刻膠被顯影來用作用于圖案化下面的層的掩模。第一光刻膠可以是諸如深紫外(DUV)光刻膠，并且可以通過使用旋涂工藝以在制造工藝中將第一光刻膠置于在合適位置來在中介層晶圓100上沉積第一光刻膠。
[0042]一旦放置了第一光刻膠，第一光刻膠就可以被曝露給穿過圖案化中間掩模(圖1中沒有單獨(dú)示出)的例如光的能量(在圖1中通過標(biāo)記為106的箭頭表示)，以形成將會(huì)影響第一光刻膠的標(biāo)線區(qū)域(reticule field) 108,從而在第一光刻膠曝露給能量的那些部分中引起反應(yīng)。由于標(biāo)線區(qū)域108 (其第二寬度W2介于大約13mm和大約64mm之間(例如大約32mm),并且其長度(圖1中未示出)介于大約13mm和大約52mm之間(例如大約26mm))沒有大到足以在單次曝光中覆蓋中介層晶圓100，因此，通過對(duì)中介層晶圓100的一部分(例如，第一中介層區(qū)域103)進(jìn)行曝光并接著移動(dòng)至中介層晶圓100的另一部分(例如，第二中介層區(qū)域105)以逐步的方式來曝光中介層晶圓100的各個(gè)部分。以這種方式，可以通過逐步移動(dòng)并曝光中介層晶圓100的每一部分來圖案化中介層晶圓100。
[0043]使用逐步曝光系統(tǒng)，可以通過對(duì)第一區(qū)域(例如，第一中介層區(qū)域103)進(jìn)行曝光并接著以從第一區(qū)域橫向移動(dòng)一距離對(duì)緊鄰的第二區(qū)域(例如，第二中介層區(qū)域105)進(jìn)行曝光，從而在第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間留下未曝光區(qū)域來形成第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111。由于對(duì)第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間的未曝光區(qū)域沒有進(jìn)行任何處理，所以該未曝光區(qū)域?qū)⒊蔀榈诙澗€區(qū)域109，從而使得第二劃線區(qū)域109沒有任何功能電路?？梢允褂孟嗨频牟竭M(jìn)模式來形成第一劃線區(qū)域107和第三劃線區(qū)域111。
[0044]然而，中介層晶圓100的逐步非曝光并不是可以形成第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111的唯一方法。例如，第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111可以與它們相應(yīng)的緊鄰中介層區(qū)域(例如，第一中介層區(qū)域103或第二中介層區(qū)域105) —起被曝光，但是這種曝光可以使第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111沒有功能電路?？蛇x地，在期望將測(cè)試電路或其他結(jié)構(gòu)置于第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111中的實(shí)施例中(但是，一旦第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105從中介層晶圓100上分離，就不采用該實(shí)施例)，可以通過這些結(jié)構(gòu)來圖案化第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111。
[0045]此外，處于相同定向的相同圖案化標(biāo)線可用于曝光的每一步驟中，從而形成相似的標(biāo)線區(qū)域108并在中介層晶圓100的每部分(例如，第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105)上以相同布局形成對(duì)稱結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中，如果需要，則可以以不同定向(例如旋轉(zhuǎn)180° )將相同圖案化標(biāo)線用于不同部分。通過使用被相同圖案化的標(biāo)線，使得整個(gè)工藝更便宜并且更有效。然而，在其他實(shí)施例中，可以將被不同圖案化的標(biāo)線用于每次曝光中。通過形成用于中介層晶圓100的組合曝光，可以在中介層晶圓100內(nèi)形成更詳細(xì)更具體的圖案。
[0046]作為可以用于在中介層晶圓100上方和內(nèi)部形成結(jié)構(gòu)并且也用于形成第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111的制造工藝的實(shí)例，可以形成穿過襯底101的襯底通孔(TSV) 113，可以在襯底101的第一側(cè)上方形成第一金屬化層115和第一接觸焊盤117，可以在襯底101的第二側(cè)上方形成第二金屬化層119和第二接觸焊盤121。可以以與第二接觸焊盤121接觸的方式形成第一外部連接件123，以幫助提供電連接。將以下段落中更詳細(xì)地討論這些結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)。
[0047]可以通過應(yīng)用合適的光刻膠(例如，以上描述的第一光刻膠，未示出)并進(jìn)行顯影，然后蝕刻襯底101以生成TSV開口(如下所述，稍后填充的)，來形成TSV 113。處于該階段的用于TSV的開口可以形成為以延伸進(jìn)入襯底101到至少大于成品中介層晶圓100的最終期望高度的深度。因此，雖然該深度取決于中介層晶圓100的整體設(shè)計(jì)，但是該深度可以在襯底101的表面下方大約Iym和大約700 ilm之間，其中，優(yōu)選深度為大約50 y m。用于TSV 113的開口的直徑可以形成為介于大約I Pm和大約10011111之間，諸如大約611111。
[0048]一旦形成了 TSV 113的開口，例如就可以用勢(shì)壘層和導(dǎo)電材料來填充TSV 113的開口。勢(shì)壘層可以包括諸如氮化鈦的導(dǎo)電材料，但是也可以可選地使用其他材料，諸如氮化鉭、鈦、電介質(zhì)等?？梢允褂弥T如，PECVD的CVD工藝形成該勢(shì)壘層。然而，可選地，可以使用其他可選的工藝，諸如，濺射或金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積(MOVCD)?？梢孕纬稍搫?shì)壘層以勾畫TSV 113的開口的下面的形狀的輪廓。
[0049]導(dǎo)電材料可以包括銅，但是可以可選地使用其他合適的材料，諸如鋁、合金、摻雜多晶硅、它們的組合等?？梢酝ㄟ^沉積晶種層，然后在該晶種層上電鍍銅、填充且過填充TSV113的開口來形成導(dǎo)電材料。一旦填充TSV113的開口，就可以通過研磨工藝(諸如，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP))去除位于TSV 113開口外部的多余的勢(shì)壘層和多余的導(dǎo)電材料，但是可以使用任何合適的去除工藝。
[0050]一旦導(dǎo)電材料位于TSV 113開口內(nèi)，就可以實(shí)施減薄襯底101的第二側(cè)，以暴露TSV 113開口并且通過延伸穿過襯底101的導(dǎo)電材料制形成TSV113。在一個(gè)實(shí)施例中，減薄襯底101的第二側(cè)可以留下TSV 113。可以通過諸如CMP或蝕刻的平坦化工藝來實(shí)施襯底101的第二側(cè)的減薄。
[0051]然而，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，上述用于形成TSV 113的工藝僅僅是形成TSV113的一種方法，并且其他方法也完全旨在包含在本實(shí)施例的范圍內(nèi)。例如，也可以使用形成TSV 113的開口、用介電材料填充TSV113的開口、減薄襯底101的第二側(cè)暴露介電材料、去除介電材料以及用導(dǎo)體填充TSV 113的開口。用于在襯底101內(nèi)形成TSV 113的該方法和所有其他合適的方法完全旨在包括在本實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0052]可選地，TSV 113可以形成為延伸穿過位于襯底101上方的中介層晶圓100的多層，諸如第一金屬化層115 (下面進(jìn)一步描述)。例如，可以在形成第一金屬化層115之后或者甚至部分與金屬化層115同時(shí)形成TSV113。例如，可以在單個(gè)工藝步驟中形成穿過第一金屬化層115和襯底101的TSV 113的開口?？蛇x地,可以在形成第一金屬化層115之前，在襯底101中形成TSV 113的開口的一部分并且進(jìn)行填充，并且，與每個(gè)第一金屬化層115單獨(dú)形成一樣，可以形成并填充隨后層的TSV 113開口?？梢孕纬蒚SV 113的這些工藝中的任何一種以及任何其他合適的工藝均完全旨在包括在本實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0053]第一金屬化層115形成在襯底101的第一側(cè)上方，并被設(shè)計(jì)成將襯底101的第一側(cè)互連至襯底101第二側(cè)上的外部器件(例如，第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303以及第三半導(dǎo)體管芯305，其未在圖1中示出而是下文結(jié)合圖3A示出并進(jìn)行描述)。雖然圖1示出電介質(zhì)和互連件的單層，但是第一金屬化層115由電介質(zhì)和導(dǎo)電材料的交替層形成，并且可以通過任何合適的工藝(諸如，沉積、鑲嵌、雙鑲嵌等)形成第一金屬化層115。在一個(gè)實(shí)施例中，可以具有一個(gè)或多個(gè)的金屬化層，但是第一金屬化層115中層的準(zhǔn)確數(shù)量至少部分取決于中介層晶圓100的設(shè)計(jì)。
[0054]第一接觸焊盤117可以形成在第一金屬化層115上方并與第一金屬化層115電接觸。第一接觸焊盤117可以包括鋁，但是也可以可選地使用其他材料，諸如銅?？梢允褂弥T如濺射的沉積工藝形成材料層(未示出)然后可以通過合適的工藝(諸如，光刻掩模和蝕亥Ij)去除材料層的一部分形成第一接觸焊盤117來形成第一接觸焊盤117。然而，也可以任何其他合適的工藝來形成第一接觸焊盤117，諸如在電介質(zhì)中形成開口，沉積用于第一接觸焊盤117的材料，然后平坦化該材料和電介質(zhì)。第一接觸焊盤117的厚度可以形成為介于約0.5 u m和約4 u m之間，諸如約1.45 u m。
[0055]第二金屬化層119形成在襯底101的第二側(cè)上方并被設(shè)計(jì)成將襯底101的第二側(cè)互連至至外部接觸件上。盡管圖1示出為電介質(zhì)和互連件的單層，但是第二金屬化層119可由電介質(zhì)和導(dǎo)電材料的交替層形成，并且可以通過任何合適的工藝(諸如沉積、鑲嵌、雙鑲嵌等)形成第二金屬化層119。在一個(gè)實(shí)施例中，可以具有一個(gè)或多個(gè)的金屬化層，但是第二金屬化層119中層的準(zhǔn)確數(shù)量至少部分取決于中介層晶圓100的設(shè)計(jì)。
[0056]第二接觸焊盤121可以形成在襯底101的第二側(cè)上的第二金屬化層119上方并與第二金屬化層119電接觸。第二接觸焊盤121可以包括鋁，但是也可以可選地使用其他材料，諸如銅?？梢允褂弥T如濺射的沉積工藝以形成材料層(未示出)，然后可以通過合適的工藝(諸如，光刻掩模和蝕刻)去除材料層的一部分以形成第二接觸焊盤121來形成第二接觸焊盤121。然而，也可以任何其他合適的工藝來形成第二接觸焊盤121，諸如在電介質(zhì)中形成開口，沉積用于第二接觸焊盤121的材料，然后平坦化該材料和電介質(zhì)。第二接觸焊盤121的厚度可以形成為介于約0.5iim和約4iim之間,諸如約1.45 u m0
[0057]可以形成第一外部連接件123以提供位于第二接觸焊盤121和外部器件(圖1中沒有單獨(dú)示出)之間的外部連接。第一外部連接件123可以是接觸凸塊，諸如微凸塊或可控塌陷芯片連接(C4)凸塊，并且可以包括諸如錫的材料或諸如銀或銅的其它合適的材料。在第一外部連接件123為錫焊料凸塊的實(shí)施例中，可以通過首先通過任何合適的方法(諸如蒸發(fā)、電鍍、打印、焊料轉(zhuǎn)移、植球等)使錫層形成為大約100 的優(yōu)選厚度來形成第一外部連接件123。一旦在結(jié)構(gòu)上形成錫層，優(yōu)選地實(shí)施回流來使材料成型為期望的凸塊形狀。
[0058]可選地，可以在第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105周圍形成密封環(huán)125以將第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105與第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111分隔開。密封環(huán)125可以用于幫助保護(hù)第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105的功能件。此外，如果需要，密封環(huán)125可以與第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105中的功能電路元件電連接以提供與這些元件的電連接。密封環(huán)125可以包括諸如銅、鋁、鎢、它們的合金等的導(dǎo)電材料。然而，可選地，可以使用其他材料，諸如，多層導(dǎo)電材料和絕緣材料。該密封環(huán)125的厚度可以形成為介于大約5 iim和大約300iim之間，諸如大約10 u m。
[0059]圖2示出了可將中介層晶圓100分成多個(gè)單獨(dú)的中介層的劃線。在一個(gè)實(shí)施例中，例如使用金剛石涂層鋸(diamond coated saw) 201將這些單獨(dú)的中介層與中介層晶圓100分離，鋸201用于沿著諸如第一劃線區(qū)域107和第三劃線區(qū)域111的劃線切割中介層晶圓100。然而，在可選實(shí)施例中，也可以使用其他劃線方法,諸如使用激光劃線器或使用一系列的蝕刻或其他分離工藝以將中介層晶圓100劃分成多個(gè)單獨(dú)的中介層。
[0060]此外，在一個(gè)實(shí)施例中，雖然金剛石涂層鋸201用于沿著第一劃線區(qū)域107和第三劃線區(qū)域111切割中介層晶圓100，但是金剛石層面鋸201不用于切割第二劃線區(qū)域109。通過沒有穿過第二劃線區(qū)域109進(jìn)行切割，雖然第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105與中介層晶圓100的其余部分分開，但是第一中介層區(qū)域和第二中介層區(qū)域保持彼此固定。通過保持第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105彼此固定，可以獲得大于光刻工藝的曝光區(qū)域的單個(gè)中介層200。例如，單個(gè)中介層200的第一寬度可以介于大約32mm和大約52mm之間，諸如大約42mm。
[0061]然而，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，處于該階段的第一中介層區(qū)域103與第二中介層區(qū)域105的分離僅是示例性的，而并不用于進(jìn)行限定。相反地，第一中介層區(qū)域103與第二中介層區(qū)域105可以在制造工藝期間的任何期望階段被分離，包括在半導(dǎo)體管芯(例如，下面參照?qǐng)D3A和3B描述的第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305)的附接之后?？梢岳脤⒌谝恢薪閷訁^(qū)域103與第二中介層區(qū)域105分離的任何合適的時(shí)間，并且所有的這樣的時(shí)間完全旨在包括在本實(shí)施例中。
[0062]圖3A示出了單個(gè)中介層200與第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305的連接。在一個(gè)實(shí)施例中，例如，第一半導(dǎo)體管芯301可以是諸如圖形處理單元的邏輯管芯，而第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305可以是存儲(chǔ)器管芯。然而，可選地，可以使用任何合適的組合半導(dǎo)體管芯以及任何數(shù)量的半導(dǎo)體管芯，并且所有這種數(shù)量、組合和功能性均完全旨在包含在本實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0063]圖3B示出了用于第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305的可重復(fù)的LogicX 1+DRAMX4布局的一個(gè)實(shí)施例的平面圖。在一個(gè)實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305中的多個(gè)可以設(shè)置在位于中心的第一半導(dǎo)體管芯301周圍。在一個(gè)實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體管芯301 (例如，邏輯管芯)的第三寬度W3可以介于約Ilmm和約33mm之間，諸如約22mm,第二長度I2介于約16mm和約36mm之間，諸如約26mm。第二半導(dǎo)體管芯303(例如，DRAM)的第四寬度W4可以介于約7mm和約14mm之間，諸如約7mm,第三長度I3可以介于約7mm和約17mm之間，諸如約12mm。可以在整個(gè)中介層晶圓100上重復(fù)這種連接布局。
[0064]圖3C示出了可以利用LogicX 1+DRAMX8圖案的可選布局。在該實(shí)施例中，6個(gè)第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305位于第一半導(dǎo)體管芯301的周圍。例如，2個(gè)第二半導(dǎo)體管芯303可以位于第一半導(dǎo)體管芯301的每一側(cè)。
[0065]圖3D示出了可以使用第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305的多種布局。在第一區(qū)域310中，第一半導(dǎo)體管芯301位于兩個(gè)第二半導(dǎo)體管芯303的相對(duì)側(cè)。在第二區(qū)域312中，第一半導(dǎo)體管芯301的單個(gè)內(nèi)核被設(shè)置為緊鄰第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305。在第三區(qū)域314中，第一半導(dǎo)體管芯301的兩個(gè)內(nèi)核被布置為緊鄰兩個(gè)第二半導(dǎo)體管芯303。在第四區(qū)域316中，轉(zhuǎn)換了第三區(qū)域314的布局。這些和所有其他合適的布局均完全旨在包括在本實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0066]現(xiàn)在，再次參考圖3A，在一個(gè)實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305中的每一個(gè)均分別包括第二襯底307、有源器件(在圖3A中未單獨(dú)示出)、第三金屬化層309、第三接觸焊盤311和第二外部連接件313。第二襯底307可以是具有(110)的晶體定向的半導(dǎo)體材料，諸如硅、鍺、金剛石等?？蛇x地，也可以使用具有其他晶體定向的復(fù)合材料，諸如硅鍺、碳化硅、砷化鎵、砷化銦、磷化銦、硅鍺碳化物、磷砷化鎵、磷化銦鎵、它們的組合等。此外，第二襯底307可以包括絕緣體上硅(SOI)襯底。通常，SOI襯底包括半導(dǎo)體材料層，諸如外延硅、鍺、硅鍺、SO1、絕緣體上硅鍺(SGOI)或它們的組合。第二襯底307可以摻雜有p型摻雜劑，諸如，硼、鋁、鍺等，但是本領(lǐng)域公知的是，該襯底可以可選地?fù)诫s有n型摻雜劑。
[0067]第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305中的每一個(gè)均可以具有形成在它們相應(yīng)的第二襯底307上的有源器件。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，可以使用多種有源器件和無源器件，諸如電容器、電阻器、電感器等以生成設(shè)計(jì)的期望結(jié)構(gòu)和功能要求。例如，與晶體管耦合的電容器可以用于形成第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305中的存儲(chǔ)單元。可以使用任何合適的方法在相應(yīng)的第二襯底307的表面內(nèi)或者上形成有源器件。
[0068]第三金屬化層309可以形成在相應(yīng)的第二襯底307和有源器件上方，并且被設(shè)計(jì)成連接它們相應(yīng)的管芯上的多個(gè)第一有源器件以形成功能電路。第三金屬化層309可以由介電材料和導(dǎo)電材料的交替層形成，并且可以通過任何合適的工藝(諸如沉積、鑲嵌、雙鑲嵌等)形成。在一個(gè)實(shí)施例中，存在通過至少一個(gè)層間介電層(ILD)與第二襯底307分離的四個(gè)金屬化層，但是第三金屬化層309的準(zhǔn)確數(shù)量是分別取決于第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305的設(shè)計(jì)。
[0069]此外，可以對(duì)第一半導(dǎo)體管芯301內(nèi)的第三金屬化層309進(jìn)行圖案化以提供單個(gè)中介層200內(nèi)的第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間的連接通路317?？梢岳玫谝话雽?dǎo)體管芯301內(nèi)的連接通路317以在第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間傳遞信號(hào)和/或功率并且使用第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105作為單個(gè)單元來代替作為兩個(gè)分離的不同單元。在一個(gè)實(shí)施例中，可以形成連接通路317，使得當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體管芯301連接至單個(gè)中介層200時(shí)，連接通路317將越過第二劃線區(qū)域109和密封環(huán)125以在第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間建立電連接。
[0070]第三接觸焊盤311可以形成在位于相應(yīng)管芯上的第三金屬化層309上方并且與該第三金屬化層電接觸。第三接觸焊盤311可以包括鋁，但是也可以可選地使用諸如銅的其他材料?？梢允褂弥T如濺射的沉積工藝以形成材料層(未示出)，然后可以通過合適的工藝(諸如光刻掩模和蝕刻)去除材料層的一部分以形成第三接觸焊盤311來形成第三接觸焊盤311。然而，可以使用任何其他合適的工藝來形成第三接觸焊盤311，諸如，在電介質(zhì)中形成開口、沉積用于第三接觸焊盤311材料、然后平坦化該材料和電介質(zhì)。第三接觸焊盤311的厚度可以形成為介于約0.5iim和約4iim之間,諸如約1.45 u m0
[0071]可以形成第二外部連接件313以提供第三接觸焊盤311和單個(gè)中介層200之間的外部連接。第二外部連接件313可以是接觸凸塊，諸如微凸塊或可控塌陷芯片連接(C4)凸塊，并且可以包括諸如錫的材料或諸如銀或銅的其它合適的材料。在第二外部連接件313為錫焊接凸塊的實(shí)施例中，可以通過首先通過任何合適的方法(諸如蒸發(fā)、電鍍、打印、焊料轉(zhuǎn)移、植球等)使錫層形成至大約100 U m的優(yōu)選厚度來形成第二外部連接件313。一旦在結(jié)構(gòu)上形成錫層，優(yōu)選地，就實(shí)施回流來使材料成型為期望的凸塊形狀。
[0072]此外，可以在單個(gè)中介層200和任何器件之間使用偽凸塊(在圖3A中沒有單獨(dú)示出)，諸如單個(gè)中介層200可以連接至第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305。這些偽凸塊可以用于為結(jié)構(gòu)提供支撐并減少可能產(chǎn)生的應(yīng)力。通過提供這種支撐，可以防止存儲(chǔ)和使用過程中可能出現(xiàn)的重復(fù)的熱循環(huán)和環(huán)境循環(huán)期間的損害。
[0073]可以將第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303、第三半導(dǎo)體管芯305置于在單個(gè)中介層200上。在一個(gè)實(shí)施例中，可以以第一接觸焊盤117面對(duì)第二外部連接件313并與該第二外部連接件313對(duì)準(zhǔn)的方式將第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303、第三半導(dǎo)體管芯305置于單個(gè)中介層200上。一旦對(duì)準(zhǔn)，就可以通過第二外部連接件313與第一接觸焊盤117接觸并實(shí)施回流以將第二外部連接件313的材料回流并接合至第一接觸焊盤117來將第二外部連接件313和第一接觸焊盤117接合在一起。然而，可以可選地使用任何合適的接合方法，諸如銅-銅接合，以將第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305接合至單個(gè)中介層200。
[0074]可以在第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305與單個(gè)中介層200之間的空間內(nèi)注射或者以不同的方法形成底部填充材料315。例如，該底部填充材料315可以包括液態(tài)環(huán)氧樹脂，液態(tài)環(huán)氧樹脂被散布在第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305與單個(gè)中介層200之間，然后進(jìn)行固化以被硬化。該底部填充材料315可以用于防止在第二外部連接件313中形成裂縫，其中，該裂縫通常由熱應(yīng)力引起。
[0075]可選地，為了防止在第二外部連接件313中產(chǎn)生裂縫，可以在第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305與單個(gè)中介層200之間形成可變形的凝膠或硅橡膠。可以通過在第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305與單個(gè)中介層200之間注射或以其它方式放置該凝膠或橡膠來形成該凝膠或硅橡膠。該可變形的凝膠或硅橡膠也可以在隨后的工藝期間提供應(yīng)力消除。
[0076]通過保持第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間的連接并且通過在第二劃線區(qū)域109上方形成連接通路317以互連第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105，可以克服通過光刻工藝設(shè)定的單個(gè)中介層上的尺寸限制。這使得在中介層的設(shè)計(jì)和使用上以及連接件的數(shù)量和類型上更加靈活，其中，該連接件可以將中介層連接至半導(dǎo)體管芯和其它器件。
[0077]圖4示出了另一實(shí)施例，其中，代替第一中介層區(qū)域103通過第一半導(dǎo)體管芯301連接至第二中介層區(qū)域105，第一中介層區(qū)域103通過形成在第一中介層區(qū)域103、第二中介層區(qū)域105和第二劃線區(qū)域109上方的鈍化后互連件(PPI)407連接至第二中介層區(qū)域105。然而，由于用于PPI407的光刻曝光區(qū)域并不像用于第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105的光刻曝光區(qū)域那樣有限，所以用于形成PPI 407的光刻掩模和蝕刻工藝可以用于同時(shí)圖案化第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105。
[0078]在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過首先在襯底101上形成第一鈍化層401來在第一金屬化層115和第一接觸焊盤117上方形成PPI 407。第一鈍化層401可以由一個(gè)或多個(gè)合適的介電材料制成，諸如二氧化硅、氮化硅、諸如摻碳氧化物的低k電介質(zhì)、諸如摻多孔碳的二氧化硅的超低k電介質(zhì)、它們的組合等。第一鈍化層401可以通過諸如化學(xué)汽相沉積(CVD)的工藝形成，但是可以使用其他合適的工藝，并且第一鈍化層401的厚度可以介于0.5 y m和約5 urn之間，諸如約9.25 KA0
[0079]形成第一鈍化層401之后，可以通過去除第一鈍化層401 —部分以暴露下面的第一接觸焊盤117的至少一部分來制作穿過第一鈍化層401的開口。該開口允許第一接觸焊盤117和PPI 407 (在下面進(jìn)一步描述)之間的接觸?？梢允褂煤线m的光刻掩模和蝕刻工藝形成該開口，但是可以使用任何合適的工藝以暴露第一接觸焊盤117的一部分。[0080]在暴露第一接觸焊盤117之后，可以形成沿著第一鈍化層401延伸的PPI 407oPPI407可以用作再分布層以允許第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105通過PPI 407相互電連接，并且用于提供在第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303、第三半導(dǎo)體管芯305與單個(gè)中介層200之間的信號(hào)和功率布線的額外靈活性。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過合適的形成工藝(諸如CVD或?yàn)R射)最初形成鈦銅合金的晶種層(未示出)來形成PPI 407。然后形成光刻膠(未示出)以覆蓋晶種層，然后圖案化光刻膠以暴露晶種層的位于期望PPI407定位的位置處的那些部分。
[0081]一旦形成并圖案化光刻膠，就可以通過諸如電鍍的沉積工藝在晶種層上形成諸如銅的導(dǎo)電材料。該導(dǎo)電材料的厚度可以形成為介于約Iym和約1011111之間，諸如約511111，其沿著襯底101的寬度介于約5 iim和約300iim之間，諸如15 ym。然而，雖然所描述的材料和方法適于形成導(dǎo)電材料，但是這些材料僅僅是示例性的?？蛇x地，可以使用諸如AlCu或Au的任何其他合適的材料和諸如CVD或PVD的任何其他合適的形成工藝以形成PPI407。
[0082]一旦形成導(dǎo)電材料，就可以通過諸如灰化的合適的去除工藝來去除光刻膠。而且，在去除光刻膠之后，例如，可以通過使用導(dǎo)電材料作為掩模的合適的蝕刻工藝來去除晶種層被光刻膠覆蓋的那些部分。
[0083]一旦形成PPI 407，就可以形成第二鈍化層405以保護(hù)PPI 407和其他下面的結(jié)構(gòu)。第二鈍化層405可以由諸如聚酰亞胺的聚合物形成，或者可選地，可以由與第一鈍化層401類似的材料(例如，二氧化硅、氮化硅、低k電介質(zhì)、超低k電介質(zhì)、它們的組合等)形成。第二鈍化層405的厚度可以形成為介于約2 u m和約15 m之間，諸如約5 u m,并且第二鈍化層405可以通過諸如CMP的工藝與PPI 407 一起被平坦化。
[0084]圖5示出了第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105與中介層晶圓100分離之后通過PPI 407與單個(gè)中介層200連接的第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305的布置。在一個(gè)實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305可以以第一接觸焊盤117面對(duì)PPI 407并與PPI 407對(duì)準(zhǔn)的方式置于單個(gè)中介層上。一旦對(duì)準(zhǔn)，然后第二外部連接件313和PPI 407就可以通過將第二外部連接件313與PPI 407接觸并且實(shí)施回流以回流第二外部連接件313的材料并接合至PPI 407來接合在一起。然而，可選地，可以使用任何合適的接合方法，諸如，銅-銅接合以將第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305接合至PPI 407。
[0085]通過在第二劃線區(qū)域109上方形成PPI 407, PPI 407有助于電互連第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105。第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105的互連有助于將第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105用作單個(gè)中介層以代替僅僅是物理上相互附接的多個(gè)中介層。該集成使得單個(gè)中介層200更有效并且集成度更高。
[0086]圖6示出了用于另一實(shí)施例的起始點(diǎn)，其中，例如利用金剛石層面鋸201經(jīng)由第一劃線區(qū)域107、第二劃線區(qū)域109和第三劃線區(qū)域111進(jìn)行分割第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105與中介層晶圓100分離并且相互分離。然而，在第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105相互分離之后，第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105可以再接合在一起。
[0087]在一個(gè)實(shí)施例中，例如，第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105可以使用成型裝置(未示出)接合在一起。例如，第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105可以置于成型裝置的腔體中，并且該腔體可以被氣密性地密封?？梢栽跉饷苄缘孛芊馇惑w之前將密封劑701置于腔體內(nèi)，或者通過注射口將密封劑注射到腔體內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，密封劑701可以是模塑料樹脂，例如，聚酰亞胺、PPS、PEEK、PES、耐熱水晶樹脂、它們的組合等。
[0088]一旦將密封劑701置于腔體中使得密封劑701密封第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間的區(qū)域，可以固化密封劑701以硬化用于提供最佳保護(hù)的密封劑701。雖然嚴(yán)格的固化工藝至少部分取決于選擇用于密封劑701的特定材料，但是在將模塑料選為密封劑701的實(shí)施例中，可以通過諸如將密封劑701加熱到介于約100°C與約130°C之間(諸如加熱到約125°C并加熱約60秒到約3000秒，諸如600秒)的工藝來進(jìn)行固化。此外，密封劑701中可以包括引發(fā)劑和/或催化劑以更好地控制固化工藝。
[0089]然而，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，上述的固化工藝僅僅是示例性的工藝，并不意味著限定本實(shí)施例。可選地，也可以使用其它固化工藝，諸如，照射甚至允許在環(huán)境溫度下硬化該密封劑701?？梢允褂萌魏魏线m的固化工藝，并且所有這樣的工藝均完全旨在包含在本文所論述的實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0090]通過密封第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105之間的區(qū)域，密封劑701用作將第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105物理連接到單個(gè)中介層200的橋。該橋用于代替上述實(shí)施例所論述的未被劃線的第二劃線區(qū)域109，并且由于第一中介層區(qū)域103和第二中介層區(qū)域105被分離且(如果需要)被重新接合以用于更有效的工藝集成，所以該橋提供了更多的靈活性。
[0091 ] 圖8示出了第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305放置并接合至單個(gè)中介層200上。在一個(gè)實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305可以以第一接觸焊盤117面對(duì)第二外部連接件313并與第二外部連接件313對(duì)準(zhǔn)的方式放置在單個(gè)中介層上。一旦對(duì)準(zhǔn)，第二外部連接件313和第一接觸焊盤117就可以通過將第二外部連接件313與第一接觸焊盤117接觸并且實(shí)施回流以回流第二外部連接件313的材料且接合至第一接觸焊盤117來接合在一起。然而，可選地，可以使用任何合適的接合方法，諸如，銅-銅接合，以將第一半導(dǎo)體管芯301、第二半導(dǎo)體管芯303和第三半導(dǎo)體管芯305接合至單個(gè)中介層200。
[0092]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了一種包括具有第一側(cè)和第二側(cè)的中介層的半導(dǎo)體器件。該中介層包括具有第一電路的第一區(qū)域、具有第二電路的第二區(qū)域和位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，該第三區(qū)域沒有電路并且從第一側(cè)延伸到第二側(cè)。導(dǎo)電通路位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間，該導(dǎo)電通路在第三區(qū)域上方延伸。
[0093]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種包括中介層的半導(dǎo)體器件，其中，劃線區(qū)域位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間。第一接觸件位于第一區(qū)域中，第二接觸件位于第二區(qū)域中。導(dǎo)電通路在劃線區(qū)域上方延伸，該導(dǎo)電通路電連接第一接觸件和第二接觸件。
[0094]根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括:使用光刻工藝以在晶圓的第一區(qū)域中形成第一電路、在晶圓的第二區(qū)域中形成第二電路以及在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間形成劃線區(qū)域，其中，光刻工藝使用通過第一尺寸的被圖案化的曝光能量，并且提供了具有第一尺寸晶圓的第一區(qū)域。在第一區(qū)域與第二區(qū)域不分離的情況下，將第一區(qū)域和第二區(qū)域與晶圓分離，并且第一電路與第二電路在劃線區(qū)域上方相連接。
[0095]盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，做各種不同的改變、替換和更改。例如，可以改變或變更制造確切材料和方法，也可以重新設(shè)置工藝步驟的順序，但是這仍然保持在本實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0096]而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括: 中介層，具有第一側(cè)和第二側(cè)，所述中介層包括: 第一區(qū)域，包括第一電路； 第二區(qū)域，包括第二電路；和 第三區(qū)域，位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，所述第三區(qū)域沒有電路并且從所述第一側(cè)延伸到所述第二側(cè)；以及 導(dǎo)電路徑，位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間，所述導(dǎo)電路徑在所述第三區(qū)域上方延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三區(qū)域?yàn)槲挥谒龅谝粎^(qū)域和所述第二區(qū)域之間的劃線區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三區(qū)域包括密封劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電路徑為第一半導(dǎo)體管芯的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括附接至所述第一區(qū)域的第二半導(dǎo)體管芯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電路和所述第二電路具有不同的圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電路與所述第二電路相同。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括: 中介層，具有位于第二區(qū)域和第三區(qū)域之間且沒有功能電路的第一區(qū)域； 第一接觸件，位于所述第二區(qū)域中； 第二接觸件，位于所述第三區(qū)域中；以及 導(dǎo)電路徑，在所述第一區(qū)域上方延伸，所述導(dǎo)電路徑電連接所述第一接觸件和所述第 接觸件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電路徑是位于所述第一區(qū)域上方的第一半導(dǎo)體管芯的一部分。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 使用光刻工藝在晶圓的第一區(qū)域中形成第一電路、在所述晶圓的第二區(qū)域中形成第二電路以及在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間形成劃線區(qū)域，其中，所述光刻工藝使用具有第一尺寸的圖案化曝光能量并且所述晶圓的所述第一區(qū)域具有所述第一尺寸； 在不分離所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的情況下，將所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域與所述晶圓分離；并且 在所述劃線區(qū)域的上方將所述第一電路連接至所述第二電路。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK103579183SQ201210592167
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】余振華, 鄭心圃, 侯上勇, 葉德強(qiáng) 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司