專利名稱：無橋接射頻識(shí)別高頻天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及高頻天線領(lǐng)域，特別是涉及ー種無橋接射頻識(shí)別高頻天線。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)在物流、制造、醫(yī)療、運(yùn)輸、零售、國(guó)防等等方面得到了廣泛的應(yīng)用。目前RFID高頻天線發(fā)展經(jīng)歷導(dǎo)線捆扎一網(wǎng)印蝕刻一凹凸印蝕刻一導(dǎo)電漿印制。目前約90%的天線為凹印蝕刻法制造，使用模切沖壓實(shí)現(xiàn)天線的橋接，但是橋接エ藝具有很多的不足之處(1)需要通過模切沖壓エ序?qū)崿F(xiàn)電路搭橋并需要檢測(cè)橋接阻值，制造エ藝較復(fù)雜；(2)產(chǎn)品可靠性不高，多次卷繞或彎折后易造成帶來橋接點(diǎn)阻抗變大或開路的問題，由于可靠性因素，模切橋接エ藝限制了不同厚度的基材和鋁箔的選擇范圍。(3)在高溫高濕環(huán)境下及溫度沖擊情況下易引起模切點(diǎn)阻抗的劣化等。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種無橋接射頻識(shí)別高頻天線，能夠簡(jiǎn)化制造エ藝，提聞廣品可Φ性。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種無橋接射頻識(shí)別高頻天線，包括天線線圈、至少設(shè)有ー個(gè)薄膜電容和IC等效輸入電路，所述天線線圈與薄膜電容串聯(lián)，天線線圈與薄膜電容串聯(lián)后剩下的兩端再和IC等效輸入電路的引腳并聯(lián)共同構(gòu)成ー個(gè)諧振回路。優(yōu)選的是，所述薄膜電容包括兩個(gè)對(duì)位置形狀均對(duì)應(yīng)相同的金屬膜，兩個(gè)金屬膜之間設(shè)有復(fù)合膜。優(yōu)選的是，所述諧振回路內(nèi)設(shè)有串聯(lián)的第一薄膜電容和第二薄膜電容，第一薄膜電容兩端分別與天線線圈和第二薄膜電容連接，第二薄膜電容的另一端與IC等效輸入電路的ー個(gè)引腳連接，天線線圈的另一端和IC等效輸入電路的另ー個(gè)引腳連接。優(yōu)選的是，所述IC等效輸入電路包括并聯(lián)的電容和電阻。優(yōu)選的是，所述第一薄膜電容與第二薄膜電容串聯(lián)后的輸出電容值數(shù)倍大于IC等效輸入電路的輸出電容值。優(yōu)選的是，所述薄膜電容包括鋁金屬膜，聚脂材料復(fù)合膜，所述鋁金屬膜通過復(fù)合膠水固定在聚脂材料復(fù)合膜上。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型無橋接射頻識(shí)別高頻天線簡(jiǎn)化生產(chǎn)制造エ藝，提高產(chǎn)品可靠性，減少生產(chǎn)制造設(shè)備的投入，降低生產(chǎn)成本，提供新的エ藝。

圖I是本實(shí)用新型無橋接射頻識(shí)別高頻天線的一較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型無橋接射頻識(shí)別高頻天線的薄膜電容的截面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中各部件的標(biāo)記如下1、天線線圈；2、第一薄膜電容；3、第二薄膜電容；4、IC等效輸入電路；5、金屬膜；6、復(fù)合膜。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。請(qǐng)參閱圖I和圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例包括一種無橋接射頻識(shí)別高頻天線包括天線線圈I、第一薄膜電容2、第二薄膜電容3、IC等效輸入電路4，所述天線線圈I與第一薄膜電容2、第二薄膜電容3串聯(lián)，天線線圈I 與第二薄膜電容3串聯(lián)后剩下的兩端再和IC等效輸入電路4的引腳并聯(lián)共同構(gòu)成ー個(gè)諧振回路，第一薄膜電容2和第二薄膜電容3均包括兩個(gè)對(duì)位置形狀均對(duì)應(yīng)相同的金屬膜5，兩個(gè)金屬膜5之間設(shè)有復(fù)合膜6,第一薄膜電容2與第二薄膜電容3串聯(lián)后的輸出電容值十倍以上于大于IC等效輸入電路4的輸出電容值。綜上所述，第一薄膜電容2和第二薄膜電容3的金屬膜均為招膜5,復(fù)合膜6均由聚脂材料制成，鋁膜5通過復(fù)合膠水固定在聚脂材料上。本實(shí)用新型無橋接射頻識(shí)別高頻天線制造エ藝簡(jiǎn)單，減少模切機(jī)的橋接エ序；產(chǎn)品可靠性高，因?yàn)闆]有橋接點(diǎn)，所以不存在多次繞卷帶來橋接點(diǎn)阻抗變大的問題；產(chǎn)品檢測(cè)簡(jiǎn)單，不需要對(duì)線圈的直流阻值進(jìn)行檢測(cè)，也不需要做繞卷測(cè)試；減少設(shè)備投入，因?yàn)椴恍枰獦蚪?，生產(chǎn)中不需要模切設(shè)備，也不需要繞卷測(cè)試設(shè)備及阻抗檢測(cè)儀表；降低生產(chǎn)成本，由于生產(chǎn)、測(cè)試設(shè)備的減少，エ序和エ時(shí)的減少，降低了生產(chǎn)成本；提供新エ藝可能，在濺射HF天線、真空鍍膜HF天線エ藝中，以往很難實(shí)現(xiàn)天線的橋接，限制了這些エ藝的使用，本設(shè)計(jì)提供了一種較好的解決途徑；解決了傳統(tǒng)模切橋接エ藝對(duì)基材、鋁箔厚度的限制，使得設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)材料厚度的選擇更靈活。以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種無橋接射頻識(shí)別高頻天線，其特征在于包括天線線圈、至少設(shè)有一個(gè)薄膜電容和IC等效輸入電路，所述天線線圈與薄膜電容串聯(lián)，天線線圈與薄膜電容串聯(lián)后剩下的兩端再和IC等效輸入電路的引腳并聯(lián)共同構(gòu)成一個(gè)諧振回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無橋接射頻識(shí)別高頻天線，其特征在于所述薄膜電容包括兩個(gè)對(duì)位置形狀均對(duì)應(yīng)相同的金屬膜，兩個(gè)金屬膜之間設(shè)有復(fù)合膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無橋接射頻識(shí)別高頻天線，其特征在于所述諧振回路內(nèi)設(shè)有串聯(lián)的第一薄膜電容和第二薄膜電容，第一薄膜電容兩端分別與天線線圈和第二薄膜電容連接，第二薄膜電容的另一端與IC等效輸入電路的一個(gè)引腳連接，天線線圈的另一端和IC等效輸入電路的另一個(gè)引腳連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無橋接射頻識(shí)別高頻天線，其特征在于所述IC等效輸入電路包括并聯(lián)的電容和電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無橋接射頻識(shí)別高頻天線，其特征在于所述第一薄膜電容與第二薄膜電容串聯(lián)后的輸出電容值倍數(shù)大于IC等效輸入電路的輸出電容值。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的無橋接射頻識(shí)別調(diào)頻天線，其特征在于所述薄膜電容包括鋁金屬膜，聚脂材料復(fù)合膜，所述鋁金屬膜通過復(fù)合膠水固定在聚脂材料復(fù)合膜上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種無橋接射頻識(shí)別高頻天線，包括天線線圈、至少設(shè)有一個(gè)薄膜電容和IC等效輸入電路，所述天線線圈與薄膜電容串聯(lián)，天線線圈與薄膜電容串聯(lián)后剩下的兩端再和IC等效輸入電路的引腳并聯(lián)共同構(gòu)成一個(gè)諧振回路。通過上述方式，本實(shí)用新型能夠簡(jiǎn)化制造工藝，提高產(chǎn)品可靠性。
文檔編號(hào)H01Q1/36GK202405416SQ20122001039
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月11日
發(fā)明者陸鳳生 申請(qǐng)人:陸鳳生