專利名稱：一種復合式高壓大功率場效應管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種復合式高壓大功率場效應管，特別涉及對高壓大功率場效應管逆向回復特性的改進。
背景技術：
隨著現在科技的快速發(fā)展，在變頻器、電源應用、電源模塊組件等行業(yè)中，對場效應管的效率要求也越來越高，而目前的高壓大功率場效應管在切換式電路應用上，高壓大功率場效應管的逆向回復的特性已無法符合高效率的電源應用規(guī)格需求。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供ー種能有效改善場效應管逆向回復特性 的復合式高壓大功率場效應管。本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下ー種復合式高壓大功率場效應管，包括框架，場效應管芯片，快速外延ニ極管芯片和環(huán)氧樹脂，所述場效應管芯片與所述快速外延ニ極管芯片固定于所述框架上，所述場效應管芯片的柵極與所述框架的柵極腳位相連接，所述場效應管芯片的源極與所述框架的源極腳位相連接，所述快速外延ニ極管芯片正極與所述框架的源極腳位相連接，所述環(huán)氧樹脂將所述框架及所述場效應管芯片、快速外延ニ極管芯片包覆于內。采用上述方案的有益效果是將快速外延ニ極管并聯(lián)到高電壓大功率場效應管的柵極與源極上，使場效應管的逆向回復特性獲得極大的改善，提高了場效應管在切換式電路應用上的效率，進而降低電源系統(tǒng)的溫度、有效提高場效應管的通電能力。

圖I為本實用新型TO系列封裝三引腳的半成品結構圖；附圖中，各標號所代表的部件列表如下I、框架，2、場效應管芯片，3、快速外延ニ極管芯片，4、源扱，5、柵極，6、柵極腳位，7、源極腳位。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。如圖I所示，ー種復合式高壓大功率場效應管，包括框架1，場效應管芯片2，快速外延ニ極管芯片3和環(huán)氧樹脂，其特征在干所述場效應管芯片2與所述快速外延ニ極管芯片3固定于所述框架I上，所述場效應管芯片2的柵極5與所述框架I的柵極腳位6相連接，所述場效應管芯片2的源極4與所述框架I的源極腳位7相連接，所述快速外延ニ極管芯片3的正極與所述框架I的源極腳位7相連接，所述環(huán)氧樹脂將所述框架I及所述場效應管芯片2、快速外延ニ極管芯片3包覆于內。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用 新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.ー種復合式高壓大功率場效應管，包括框架，場效應管芯片，快速外延ニ極管芯片和環(huán)氧樹脂，其特征在于所述場效應管芯片與所述快速外延ニ極管芯片固定于所述框架上，所述場效應管芯片的柵極與所述框架的柵極腳位相連接，所述場效應管芯片的源極與所述框架的源極腳位相連接，所述快速外延ニ極管芯片正極與所述框架的源極腳位相連接，所述環(huán)氧樹脂將所述框架及所述場效應管芯片、快速外延ニ極管芯片包覆于內。
專利摘要本實用新型涉及一種高壓大功率場效應管，包括框架，場效應管芯片，快速外延二極管芯片和環(huán)氧樹脂，所述場效應管芯片與所述快速外延二極管芯片固定于所述框架上，所述場效應管芯片的柵極與所述框架的柵極腳位相連接，所述場效應管芯片的源極與所述框架的源極腳位相連接，所述快速外延二極管芯片正極與所述框架的源極腳位相連接，所述環(huán)氧樹脂將所述框架及所述場效應管芯片、快速外延二極管芯片包覆于內。本實用新型使場效應管的逆向回復特性獲得極大的改善，提高了場效應管在切換式電路應用上的效率，進而降低電源系統(tǒng)的溫度、有效提高效場效應管的通電能力。
文檔編號H01L25/16GK202513144SQ20122007087
公開日2012年10月31日 申請日期2012年2月29日 優(yōu)先權日2012年2月29日
發(fā)明者翁宏達, 許盛勛 申請人:揚州虹揚科技發(fā)展有限公司