專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)喂躨gbt封裝全橋模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種封裝模塊，具體涉及一種單管IGBT封裝全橋模塊。
背景技術(shù)：
絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng) IGBT。目前在逆變焊機(jī)領(lǐng)域所使用的IGBT全橋電路形式可分為以下類(lèi)型1、兩個(gè)半橋IGBT模塊組成全橋；2、專(zhuān)用的全橋封裝IGBT ;3、IGBT單管經(jīng)過(guò)絕緣導(dǎo)熱膠片加PCB板集合組。I、兩個(gè)半橋IGBT模塊組成全橋和專(zhuān)用的全橋封裝IGBT 目前逆變焊機(jī)所使用的·產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，傳統(tǒng)的IGBT模塊的晶元底部面積決定了模塊本身較小的散熱面積，以致不能很好的散熱。在使用傳統(tǒng)的IGBT模塊時(shí)，由于在模塊的接線(xiàn)兩端無(wú)任何防靜電保護(hù)措施，在焊接驅(qū)動(dòng)線(xiàn)時(shí)很容易發(fā)生擊穿而損壞模塊，故通常情況下，使用者在使用過(guò)程中還需要嚴(yán)格的做好防靜電措施，以保護(hù)模塊不受擊穿。2、IGBT單管經(jīng)絕緣導(dǎo)熱膠片加PCB板集合組目前焊機(jī)領(lǐng)域所使用的IGBT單管經(jīng)絕緣導(dǎo)熱膠片加PCB板集合組，使用過(guò)程中需在IGBT管子底部墊加一層絕緣導(dǎo)熱硅膠片，由于絕緣導(dǎo)熱硅膠片較小的導(dǎo)熱系數(shù)，僅為O. 8w/m*k—4. 5w/m*k,導(dǎo)致IGBT管子在使用過(guò)程中存在著一定的導(dǎo)熱缺陷，從而影響IGBT管在工作過(guò)程中的散熱效果，進(jìn)而影響其工作效率。同時(shí)絕緣導(dǎo)熱硅膠片上涂抹的導(dǎo)熱膏在使用一定時(shí)間后會(huì)出現(xiàn)干裂狀況，從而影響IGBT管的正常散熱。鑒于上述問(wèn)題，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單管IGBT封裝全橋模塊。其具有如下文所述之技術(shù)特征，以解決現(xiàn)有的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種單單管IGBT封裝全橋模塊，它能改善IGBT模塊工作時(shí)的散熱條件，提高IGBT模塊的工作效率和使用壽命。本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊及其封裝方法的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種單管IGBT封裝全橋模塊，包括無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板、導(dǎo)熱陶瓷片及多個(gè)單管IGBT ;所述的導(dǎo)熱陶瓷片通過(guò)均勻涂抹的焊錫膏固定在無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板上；所述的多個(gè)單管IGBT通過(guò)均勻涂抹的焊錫膏分別固定在導(dǎo)熱陶瓷片上。上述的單管IGBT封裝全橋模塊，其中，所述的無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板上均勻涂抹的焊錫膏厚度為O. 3mm，所述的導(dǎo)熱陶瓷片上均勻涂抹的焊錫膏厚度為O. 3mm。上述的單管IGBT封裝全橋模塊，其中，還包括一線(xiàn)路板，所述的線(xiàn)路板上設(shè)有中心孔、多個(gè)安裝孔、多個(gè)管腳孔及多個(gè)電阻。所述的多個(gè)安裝孔的位置分別與所述的多個(gè)單管IGBT的位置相對(duì)應(yīng)，所述的多個(gè)單管IGBT分別通過(guò)所述的多個(gè)安裝孔與所述的線(xiàn)路板連接，并通過(guò)焊錫固定，使多個(gè)單管IGBT的頂部位于線(xiàn)路板的下方。所述的中心孔位于所述的多個(gè)安裝孔的中央，且所述的多個(gè)安裝孔與所述的中心孔的距離都不同；所述的多個(gè)管腳孔分別設(shè)置在線(xiàn)路板的兩端，用于連接所述的多個(gè)單管IGBT的管腳；所述的多個(gè)電阻分別設(shè)置在所述的線(xiàn)路板的兩端邊緣，位于所述的多個(gè)管腳孔的外側(cè)，且所述的多個(gè)電阻分別與相鄰的多個(gè)單管IGBT對(duì)應(yīng)連接。上述的單管IGBT封裝全橋模塊，其中，在所述的線(xiàn)路板上，所述的多個(gè)管腳孔的內(nèi)側(cè)還標(biāo)識(shí)有“YELLOW”、“RED”的標(biāo)識(shí)符。上述的單管IGBT封裝全橋模塊，其中，所述的線(xiàn)路板的寬度小于無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板的寬度。上述的單管IGBT封裝全橋模塊，其中，還包括一防塵罩，所述的防塵罩與所述的無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板及線(xiàn)路板相適配，且所述的防塵罩的頂部設(shè)有多個(gè)晶體管定位通孔及多個(gè) 管腳連接通孔，所述的多個(gè)管腳連接通孔分別設(shè)置在晶體管定位通孔的兩側(cè)，位于所述防塵罩的兩端；所述的多個(gè)單管IGBT的頂部分別插入在所述的多個(gè)晶體管定位通孔內(nèi)，所述的多個(gè)單管IGBT的管腳分別插入在所述的多個(gè)管腳連接通孔內(nèi)。本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊及其封裝方法由于采用了上述方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果I、本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊及其封裝方法由于設(shè)有高性能導(dǎo)熱陶瓷片20W/m*k — 30W/m*k，能改善IGBT模塊工作時(shí)的散熱條件，有效的降低IGBT模塊在大功率工作下溫升過(guò)高的問(wèn)題，提高IGBT模塊的工作效率和使用壽命。2、本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊及其封裝方法由于設(shè)有防塵罩，能在使用過(guò)程中有效的防止灰塵、液滴的進(jìn)入以及漏電事情的發(fā)生，同時(shí)優(yōu)化了模塊的外部結(jié)構(gòu)，使其外觀(guān)更加簡(jiǎn)潔，大方。3、本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊及其封裝方法能降低整個(gè)IGBT模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，并降低使用過(guò)程中IGBT模塊的損壞率。以下，將通過(guò)具體的實(shí)施例做進(jìn)一步的說(shuō)明，然而實(shí)施例僅是本實(shí)用新型可選實(shí)施方式的舉例，其所公開(kāi)的特征僅用于說(shuō)明及闡述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，并不用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

為了更好的理解本實(shí)用新型，可參照本說(shuō)明書(shū)援引的以供參考的附圖，附圖中圖I是本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊的無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊的線(xiàn)路板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊的防塵罩的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
根據(jù)本實(shí)用新型的權(quán)利要求和實(shí)用新型內(nèi)容所公開(kāi)的內(nèi)容，本實(shí)用新型的技術(shù)方案具體如下所述。請(qǐng)參見(jiàn)附圖I所示，本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊包括無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板I、導(dǎo)熱陶瓷片(圖中未示出)及多個(gè)單管IGBT2，所述的導(dǎo)熱陶瓷片通過(guò)焊錫膏固定在無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板I上，所述的無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板I上均勻涂抹的焊錫膏厚度大約為O. 3mm ;所述的多個(gè)單管IGBT2通過(guò)焊錫膏分別固定在導(dǎo)熱陶瓷片上，所述的導(dǎo)熱陶瓷片上均勻涂抹的焊錫膏厚度大約為O. 3mm。請(qǐng)參見(jiàn)附圖2所示，還包括一線(xiàn)路板3，所述的線(xiàn)路板3上設(shè)有中心孔31、多個(gè)安裝孔32、多個(gè)管腳孔33及多個(gè)電阻34 ;所述的多個(gè)安裝孔32的位置分別與所述的多個(gè)單管IGBT2的位置相對(duì)應(yīng)，所述的多個(gè)單管IGBT 2分別通過(guò)所述的多個(gè)安裝孔32與所述的線(xiàn)路板3連接，并通過(guò)焊錫固定，使多個(gè)單管IGBT2的頂部位于線(xiàn)路板3的上方；所述的中心孔31位于所述的多個(gè)安裝孔32的中央，且所述的多個(gè)安裝孔32與所述的中心孔31的距離都不同，防止在安裝過(guò)程中，將模塊方向裝反；所述的多個(gè)管腳孔33分別設(shè)置在線(xiàn)路板3的兩端，用于連接所述的多個(gè)單管IGBT2的管腳；所述的多個(gè)電阻34分別設(shè)置在所述的線(xiàn)路板3的兩端邊緣，位于所述的多個(gè)管腳孔33的外側(cè)，且所述的多個(gè)電阻34分別與相鄰的多個(gè)單管IGBT2對(duì)應(yīng)連接，電阻34的使用防止在焊接驅(qū)動(dòng)線(xiàn)的過(guò)程中由于誤操作將單管IGBT2擊穿，造成人為的損壞。 在所述的線(xiàn)路板3上，所述的多個(gè)管腳孔33的內(nèi)側(cè)還標(biāo)識(shí)有“YELL0W”、“RED”的標(biāo)識(shí)符，便于接線(xiàn)時(shí)驅(qū)動(dòng)線(xiàn)顏色的識(shí)別。線(xiàn)路板3的寬度小于無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板I的寬度。請(qǐng)參見(jiàn)附圖3所示，還包括一防塵罩4，所述的防塵罩4與所述的無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板I及線(xiàn)路板3相適配，且所述的防塵罩4的頂部設(shè)有多個(gè)晶體管定位通孔41及多個(gè)管腳連接通孔42，所述的多個(gè)管腳連接通孔42分別設(shè)置在晶體管定位通孔41的兩側(cè)，位于所述的防塵罩4的兩端；所述的多個(gè)單管IGBT2的頂部分別插入在所述的多個(gè)晶體管定位通孔41內(nèi)，所述的多個(gè)單管IGBT2的管腳分別插入在所述的多個(gè)管腳連接通孔42內(nèi)。綜上所述，本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊由于設(shè)有導(dǎo)熱陶瓷片，能改善IGBT模塊工作時(shí)的散熱條件，有效的降低IGBT模塊在大功率工作下溫升過(guò)高的問(wèn)題，提高IGBT模塊的工作效率和使用壽命；本實(shí)用新型由于設(shè)有防塵罩，能在使用過(guò)程中能夠有效的防止灰塵、液滴的進(jìn)入以及漏電事情的發(fā)生，同時(shí)優(yōu)化了模塊的外部結(jié)構(gòu)，使其外觀(guān)更加簡(jiǎn)潔，大方；本實(shí)用新型能降低整個(gè)IGBT模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，并降低使用過(guò)程中IGBT模塊的損壞率。上述內(nèi)容為本實(shí)用新型單管IGBT封裝全橋模塊的具體實(shí)施例的列舉，對(duì)于其中未詳盡描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)，應(yīng)當(dāng)理解為采取本領(lǐng)域已有的通用設(shè)備及通用方法來(lái)予以實(shí)施。
權(quán)利要求1.一種單管IGBT封裝全橋模塊，其特征在于包括無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板、導(dǎo)熱陶瓷片及多個(gè)單管IGBT ;所述的導(dǎo)熱陶瓷片通過(guò)均勻涂抹的焊錫膏固定在無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板上；所述的多個(gè)單管IGBT通過(guò)均勻涂抹的焊錫膏分別固定在導(dǎo)熱陶瓷片上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單管IGBT封裝全橋模塊，其特征在于所述的無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板上均勻涂抹的焊錫膏厚度為0. 3mm，所述的導(dǎo)熱陶瓷片上均勻涂抹的焊錫膏厚度為0. 3mmo
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單管IGBT封裝全橋模塊，其特征在于還包括一線(xiàn)路板，所述的線(xiàn)路板上設(shè)有中心孔、多個(gè)安裝孔、多個(gè)管腳孔及多個(gè)電阻； 所述的多個(gè)安裝孔的位置分別與所述的多個(gè)單管IGBT的位置相對(duì)應(yīng)，所述的多個(gè)單管IGBT分別通過(guò)所述的多個(gè)安裝孔與所述的線(xiàn)路板連接，并通過(guò)焊錫固定，使多個(gè)單管IGBT的頂部位于線(xiàn)路板的下方； 所述的中心孔位于所述的多個(gè)安裝孔的中央，且所述的多個(gè)安裝孔與所述的中心孔的距離都不同；所述的多個(gè)管腳孔分別設(shè)置在線(xiàn)路板的兩端，用于連接所述的多個(gè)單管IGBT的管腳；所述的多個(gè)電阻分別設(shè)置在所述的線(xiàn)路板的兩端邊緣，位于所述的多個(gè)管腳孔的外側(cè)，且所述的多個(gè)電阻分別與相鄰的多個(gè)單管IGBT對(duì)應(yīng)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或3所述的單管IGBT封裝全橋模塊，其特征在于所述的線(xiàn)路板的寬度小于無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或3所述的單管IGBT封裝全橋模塊，其特征在于還包括一防塵罩，所述的防塵罩與所述的無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板及線(xiàn)路板相適配，且所述的防塵罩的頂部設(shè)有多個(gè)晶體管定位通孔及多個(gè)管腳連接通孔，所述的多個(gè)管腳連接通孔分別設(shè)置在晶體管定位通孔的兩側(cè)，位于所述防塵罩的兩端；所述的多個(gè)單管IGBT的頂部分別插入在所述的多個(gè)晶體管定位通孔內(nèi)，所述的多個(gè)單管IGBT的管腳分別插入在所述的多個(gè)管腳連接通孔內(nèi)。
專(zhuān)利摘要一種單管IGBT封裝全橋模塊，包括無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板、導(dǎo)熱陶瓷片及多個(gè)單管IGBT；導(dǎo)熱陶瓷片通過(guò)均勻涂抹的焊錫膏固定在無(wú)氧銅導(dǎo)熱基板上；多個(gè)單管IGBT通過(guò)均勻涂抹的焊錫膏分別固定在導(dǎo)熱陶瓷片上。本實(shí)用新型由于設(shè)有導(dǎo)熱陶瓷片，能改善IGBT模塊工作時(shí)的散熱條件，有效的降低IGBT模塊在大功率工作下溫升過(guò)高的問(wèn)題，提高IGBT模塊的工作效率和使用壽命；本實(shí)用新型由于設(shè)有防塵罩，能在使用過(guò)程中能夠有效的防止灰塵、液滴的進(jìn)入以及漏電事情的發(fā)生，同時(shí)優(yōu)化了模塊的外部結(jié)構(gòu)，使其外觀(guān)更加簡(jiǎn)潔，大方；本實(shí)用新型能降低整個(gè)IGBT模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，并降低使用過(guò)程中IGBT模塊的損壞率。
文檔編號(hào)H01L23/31GK202585403SQ201220078319
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月5日
發(fā)明者郭少朋, 張通淼 申請(qǐng)人:上海滬通企業(yè)集團(tuán)有限公司