專利名稱：半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板的制作方法
技術領域：
本 實用新型屬于太陽能電池板的材料應用技術領域，具體涉及的是一種半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板。
背景技術：
盡管非晶硅作為太陽能材料是一種很好的電池材料，但由于其光學帶隙為I. 7eV,使得材料本身對太陽輻射光譜的長波區(qū)域不敏感，這樣一來就限制了非晶硅太陽能電池的轉換效率，此外，其光電效率會隨著光照時間的延續(xù)而衰減，即所謂的光致衰退S-W效應，使得電池性能不穩(wěn)定，而且其背電極由于采用金屬鋁膜，完全沒有透光功能。
發(fā)明內容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術存在的不足，提供一種半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術解決方案是半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，包括太陽能電池芯片和背板玻璃，所述太陽能電池芯片由導電玻璃的表層依次鍍上PIN層和透明導電鍍膜層構成，其中透明導電鍍膜層與背板玻璃粘合封裝。所述透明導電鍍膜層采用AZO靶材、GZO靶材、ITO靶材中的任何一種。所述透明導電鍍膜層與背板玻璃之間采用EVA、PVB、沙林膠中的任何一種粘合。所述PIN層的厚度為3000-8000埃。所述背板玻璃連接有接線盒。通過采用上述的技術方案，本實用新型的有益效果是本實用新型通過PIN層上濺射透明導電鍍膜層，從而達到太陽能電池板是透明的，該太陽能電池板可以利用太陽光進行發(fā)電，發(fā)電效率高達6%，可于夜間對太陽能源不足的補充以及需要電源的供給，且電池板可以透光，850nm可以達到45%左右，在弱光環(huán)境，也可以保持有發(fā)電功能；該電池板還有利于分選光譜的吸收利用，尤其是A、300nm-550nm完全吸收利用進行發(fā)電，同時部分害蟲喜好此波長的光，可讓害蟲無法在此環(huán)境中適應；B、600nm-750nm透過在10%_30%左右，有利于植物的光合作用；C、850nm在45%左右，有利于保溫效果。
以下結合附圖
對本實用新型技術方案作進一步說明圖I為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
如圖I所示，本實用新型的半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，包括太陽能電池芯片I和背板玻璃2，所述太陽能電池芯片I由導電玻璃11的表層依次鍍上PIN層12和透明導電鍍膜層13構成，導電玻璃11增加光的透過率，從而達到更好的分光效果；在導電玻璃11上進行激光刻劃，以實現(xiàn)導電玻璃上有若干子電池；所述PIN層12的厚度為3000-8000埃，具有導電效果；所述透明導電鍍膜層13與背板玻璃2之間采用EVA、PVB、沙林膠中的任何一種粘合封裝，通過PIN層12和透明背電極的厚度和成分調整，可以得到不同的分光效果，所述透明導電鍍膜層13采用AZO靶材、GZO靶材、ITO靶材中的任何一種，以增加光的透過率，直接在透明導電鍍膜層13的正負極兩端加上導電匯流條作為引出線，背板玻璃2連接上接線盒3。以上所述的，僅為本實用 新型的一種較佳實施例而已，不能限定本實用新型實施的范圍，凡是依本實用新型申請專利范圍所作的均等變化與裝飾，皆應仍屬于本實用新型涵蓋的范圍內。
權利要求1.半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，包括太陽能電池芯片(I)和背板玻璃(2)，其特征在于所述太陽能電池芯片(I)由導電玻璃(11)的表層依次鍍上PIN層(12)和透明導電鍍膜層(13)構成，其中透明導電鍍膜層(13)與背板玻璃(2)粘合封裝。
2.根據(jù)權利要求I所述的半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，其特征在于所述透明導電鍍膜層(13)采用AZO靶材、GZO靶材、ITO靶材中的任何一種。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，其特征在于所述透明導電鍍膜層(13)與背板玻璃(2)之間采用EVA、PVB、沙林膠中的任何一種粘合。
4.根據(jù)權利要求I所述的半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，其特征在于所述PIN層(12)的厚度為3000-8000埃。
5.根據(jù)權利要求I或3所述的半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，其特征在于所 述背板玻璃(2 )連接有接線盒(3 )。
專利摘要本實用新型涉及的是一種半透明分光非晶硅薄膜太陽能電池板，包括太陽能電池芯片和背板玻璃，所述太陽能電池芯片由導電玻璃的表層依次鍍上PIN層和透明導電鍍膜層構成，其中透明導電鍍膜層與背板玻璃粘合封裝，本實用新型通過PIN層上濺射透明導電鍍膜層，從而達到太陽能電池板是透明的，該太陽能電池板可以利用太陽光進行發(fā)電，發(fā)電效率高達6%，可于夜間對太陽能源不足的補充以及需要電源的供給，且電池板可以透光，850nm可以達到45%左右，在弱光環(huán)境，也可以保持有發(fā)電功能。
文檔編號H01L31/048GK202487626SQ201220100459
公開日2012年10月10日 申請日期2012年3月17日 優(yōu)先權日2012年3月17日
發(fā)明者葉軍, 張茂斌, 辛炳奎 申請人:泉州市博泰半導體科技有限公司