專利名稱：多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程如下所示步驟一、參見圖3，取一玻璃纖維材料制成的基板，步驟二、參見圖4，在玻璃纖維基板上所需的位置上開孔，步驟三、參見圖5，在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔， 步驟四、參見圖6，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導(dǎo)電物質(zhì)，步驟五、參見圖7，在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔，步驟六、參見圖8，在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜，步驟七、參見圖9，將光阻膜在需要的位置進(jìn)行曝光顯影開窗，步驟八、參見圖10，將完成開窗的部分進(jìn)行蝕刻，步驟九、參見圖11，將基板表面的光阻膜剝除，步驟十、參見圖12，在銅箔線路層的表面進(jìn)行防焊漆(俗稱綠漆)的披覆，步驟十一、參見圖13，在防焊漆需要進(jìn)行后工序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進(jìn)行開窗，步驟十二、參見圖14，在步驟十一進(jìn)行開窗的區(qū)域進(jìn)行電鍍，相對形成基島和引腳，步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)工序。上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷I、多了一層的玻璃纖維材料，同樣的也多了一層玻璃纖維的成本；2、因?yàn)楸仨氁玫讲ＡЮw維，所以就多了一層玻璃纖維厚度約10(Tl50Mm的厚度空間；3、玻璃纖維本身就是一種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因?yàn)榉胖玫臅r(shí)間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級；4、玻璃纖維表面被覆了一層約5(Tl00Mffl的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因?yàn)槲g刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蝕刻間隙(蝕刻因子最好制做的能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度，參見圖15)，所以無法真正的做到高密度線路的設(shè)計(jì)與制造；5、因?yàn)楸仨氁褂玫姐~箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50Mm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；6、也因?yàn)檎麄€(gè)基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度10(Tl50Mm，無法真正的做到超薄的封裝；[0023]7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術(shù)因?yàn)椴馁|(zhì)特性差異很大(膨脹系數(shù))，在惡劣環(huán)境的工序中容易造成應(yīng)力變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與
可靠性。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其工藝簡單，不需使用玻璃纖維層，減少了制作成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環(huán)境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島和引腳，所述基島有多個(gè)，所述多個(gè)基島正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有多個(gè)芯片，所述芯片正面與引腳正面之間用金屬線相連接，所述基島外圍的區(qū)域、基島和引腳之間的區(qū)域、引腳與引腳之間的區(qū)域、基島和引腳上部的區(qū)域、基島和引腳 下部的區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述引腳背面的塑封料上開設(shè)有小孔，所述小孔與引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球，所述金屬球與引腳背面相接觸，所述基島與引腳之間設(shè)置有靜電釋放圈，所述靜電釋放圈正面與芯片正面之間通過金屬線相連接，所述引腳為多圈。在所述金屬球與引腳背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層。所述芯片正面與芯片正面之間通過金屬線相連接。所述基島包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。所述引腳包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果I、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層，所以可以減少玻璃纖維層所帶來的成本；2、本實(shí)用新型沒有使用玻璃纖維層的發(fā)泡物質(zhì)，所以可靠性的等級可以再提高，相對對封裝體的安全性就會(huì)提高；3、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層物質(zhì)，所以就可以減少玻璃纖維材料所帶來的環(huán)境污染；4、本實(shí)用新型的二維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法，而電鍍層的總厚度約在l(Tl5Mffl，而線路與線路之間的間隙可以輕松的達(dá)到25ΜΠ1以下的間隙，所以可以真正地做到高密度內(nèi)引腳線路平鋪的技術(shù)能力；5、本實(shí)用新型的二維金屬基板因采用的是金屬層電鍍法，所以比玻璃纖維高壓銅箔金屬層的工藝來得簡單，且不會(huì)有金屬層因?yàn)楦邏寒a(chǎn)生金屬層不平整、金屬層破損以及金屬層延展移位的不良或困惑；6、本實(shí)用新型的二維金屬基板線路層是在金屬基材的表面進(jìn)行金屬電鍍，所以材質(zhì)特性基本相同，所以鍍層線路與金屬基材的內(nèi)應(yīng)力基本相同，可以輕松的進(jìn)行惡劣環(huán)境的后工程(如高溫共晶裝片、高溫錫材焊料裝片以及高溫被動(dòng)元件的表面貼裝工作)而不容易產(chǎn)生應(yīng)力變形。
圖I為本實(shí)用新型多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I的俯視圖。圖:T圖14為傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程圖。圖15為玻璃纖維表面銅箔金屬層的蝕刻狀況示意圖。其中基島 I引腳2導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)3芯片4金屬線5塑封料6小孔7金屬保護(hù)層8金屬球9靜電釋放圈10。
具體實(shí)施方式
參見圖I和圖2，本實(shí)用新型一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島I和引腳2，所述基島I有多個(gè)，所述多個(gè)基島I正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)3設(shè)置有多個(gè)芯片4，所述芯片4正面與引腳2正面之間用金屬線5相連接，所述芯片4正面與芯片4正面之間用金屬線5相連接，所述基島I外圍的區(qū)域、基島I和引腳2之間的區(qū)域、引腳2與引腳2之間的區(qū)域、基島I和引腳2上部的區(qū)域、基島I和引腳2下部的區(qū)域以及芯片4和金屬線5外均包封有塑封料6，所述引腳2背面的塑封料6上開設(shè)有小孔7，所述小孔7與引腳2背面相連通，所述小孔7內(nèi)設(shè)置有金屬球9，所述金屬球9與引腳2背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層8，所述基島I與引腳2之間設(shè)置有靜電釋放圈10，所述靜電釋放圈10正面與芯片4正面之間通過金屬線5相連接，所述引腳2為多圈，所述金屬球9采用錫或錫合金材料，所述基島I由基島上部、中間阻擋層和基島下部組成，基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層，所述引腳2由引腳上部、中間阻擋層和引腳下部組成，引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成。
權(quán)利要求1.一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括基島(1)和引腳(2)，所述基島(I)有多個(gè)，所述多個(gè)基島(I)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(3)設(shè)置有多個(gè)芯片(4)，所述芯片(4)正面與引腳(2)正面之間以及芯片(4)正面與芯片(4)正面之間用金屬線(5)相連接，所述基島(I)外圍的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)之間的區(qū)域、引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)上部的區(qū)域、基島(I)和引腳(2)下部的區(qū)域以及芯片(4)和金屬線(5)外均包封有塑封料(6)，所述引腳(2)背面的塑封料(6)上開設(shè)有小孔(7)，所述小孔(7)與引腳(2)背面相連通，所述小孔(7)內(nèi)設(shè)置有金屬球(9)，所述金屬球(9)與引腳(2)背面相接觸，所述基島(I)與引腳(2)之間設(shè)置有靜電釋放圈(10)，所述靜電釋放圈(10)正面與芯片(4)正面之間通過金屬線(5)相連接，所述引腳(2)為多圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述金屬球(9)與引腳(2)背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層(8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片(3)正面與芯片(3)正面之間通過金屬線(5)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島(I)包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述引腳(2)包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種多基島埋入型多圈多芯片正裝靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括基島(1)和引腳(2)，所述基島正面設(shè)置有多個(gè)芯片(4)，所述芯片正面與引腳正面之間用金屬線(5)相連接，所述基島和引腳周圍區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料(6)，所述引腳下部的塑封料表面上開設(shè)有小孔(7)，所述小孔與引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球(9)，所述基島與引腳之間設(shè)置有靜電釋放圈(10)，所述靜電釋放圈正面與芯片正面之間通過金屬線相連接，所述引腳多圈。本實(shí)用新型的有益效果是降低了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了環(huán)境污染，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202564224SQ20122020437
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月9日
發(fā)明者王新潮, 李維平, 梁志忠 申請人:江蘇長電科技股份有限公司